| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 31201 | MTP40N10E | Мощность MOSFET 40 Ампер, 100 Вольт | ON Semiconductor |
| 31202 | MTP40N10E-D | Mosfet Силы 40 Амперов, 100 Вольтов
Н-Kanala TO-220 | ON Semiconductor |
| 31203 | MTP4N40E | УСТАРЕЛО - 4 Amp TO-220AB, N-канал, VDSS 400 | ON Semiconductor |
| 31204 | MTP4N40E-D | Строб Кремния Повышени-Rejima Н-Kanala
Транзистора Влияния Поля Силы TMOS E-FET | ON Semiconductor |
| 31205 | MTP4N50E | 4 Amp TO-220AB, N-канал, VDSS 500 | ON Semiconductor |
| 31206 | MTP4N50E-D | Строб Кремния Повышени-Rejima Н-Kanala
Fet Силы Высокой Энергии TMOS E-FET | ON Semiconductor |
| 31207 | MTP4N80E | УСТАРЕЛО - 4 Amp TO-220AB, N-канал, VDSS 800 | ON Semiconductor |
| 31208 | MTP4N80E-D | Строб Кремния Повышени-Rejima Н-Kanala
Транзистора Влияния Поля Силы TMOS E-FET | ON Semiconductor |
| 31209 | MTP50N06V | Power MOSFET 60 В, 42 А, N-канал, К-220 | ON Semiconductor |
| 31210 | MTP50N06V-D | Mosfet Силы 42 Ампера, 60 Вольтов
Н-Kanala TO-220 | ON Semiconductor |
| 31211 | MTP50N06VL | Мощность MOSFET 42 Ампер, 60 Вольт, Логический уровень | ON Semiconductor |
| 31212 | MTP50N06VL-D | Mosfet Силы 42 Ампера, 60 Вольтов,
Н-Kanal TO-220 Логики Ровный | ON Semiconductor |
| 31213 | MTP50P03HDL | Mosfet Силы 50 Амперов, 30 Вольтов,
П-Kanal TO-220 Логики Ровный | ON Semiconductor |
| 31214 | MTP50P03HDL-D | Mosfet Силы 50 Амперов, 30 Вольтов,
П-Kanal TO-220 Логики Ровный | ON Semiconductor |
| 31215 | MTP50P03HDLG | Mosfet Силы 50 Амперов, 30 Вольтов,
П-Kanal TO-220 Логики Ровный | ON Semiconductor |
| 31216 | MTP52N06V | Mosfet Силы 52 Ампера, 60 Вольтов
Н-Kanala D2PAK | ON Semiconductor |
| 31217 | MTP52N06V-D | Mosfet Силы 52 Ампера, 60 Вольтов
Н-Kanala TO-220 | ON Semiconductor |
| 31218 | MTP52N06VL | Mosfet Силы 52 Ампера, 60 Вольтов,
Н-Kanal D2PAK Логики Ровный | ON Semiconductor |
| 31219 | MTP52N06VL-D | Mosfet Силы 52 Ампера, 60 Вольтов,
Н-Kanal TO-220 Логики Ровный | ON Semiconductor |
| 31220 | MTP52N06VLG | Mosfet Силы 52 Ампера, 60 Вольтов,
Н-Kanal D2PAK Логики Ровный | ON Semiconductor |
| 31221 | MTP5N40E | 5 А TO-220AB, N-канал, VDSS 400 | ON Semiconductor |
| 31222 | MTP5N40E-D | Строб Кремния Повышени-Rejima Н-Kanala
Fet Силы Высокой Энергии TMOS E-FET | ON Semiconductor |
| 31223 | MTP5P06V | Мощность MOSFET 5 Ампер, 60 Вольт | ON Semiconductor |
| 31224 | MTP5P06V-D | Mosfet Силы 5 Амперов, 60 Вольтов
П-Kanala TO-220 | ON Semiconductor |
| 31225 | MTP60N06HD | Мощность MOSFET 60 Ампер, 60 Вольт | ON Semiconductor |
| 31226 | MTP60N06HD-D | Mosfet силы 60 амперов, 60 вольтов
Н-Kanala TO-220 и D2PAK | ON Semiconductor |
| 31227 | MTP6N60E | Поле Мощность Транзистор Влияния | ON Semiconductor |
| 31228 | MTP6N60E-D | Строб Кремния Повышени-Rejima Н-Kanala
Транзистора Влияния Поля Силы TMOS E-FET | ON Semiconductor |
| 31229 | MTP6P20E | Mosfet Силы 6 Амперов, 200 Вольтов
П-Kanala TO-220 | ON Semiconductor |
| 31230 | MTP6P20E-D | Mosfet Силы 6 Амперов, 200 Вольтов
П-Kanala TO-220 | ON Semiconductor |
| 31231 | MTP75N03HDL | УСТАРЕЛО - ЗАМЕНА P / N # NTP75N03L09 | ON Semiconductor |
| 31232 | MTP75N03HDL-D | Mosfet Силы 75 Амперов, 25 Вольтов,
Н-Kanal TO-220 Логики Ровный | ON Semiconductor |
| 31233 | MTP75N05HD | СПИСАННОЕ - мощность MOSFET 75 Усилители, 50 Вольт | ON Semiconductor |
| 31234 | MTP75N05HD-D | Mosfet Силы 75 Амперов, 50 Вольтов
Н-Kanala TO-220 | ON Semiconductor |
| 31235 | MTP75N06HD | Мощность MOSFET 75 Ампер, 60 Вольт | ON Semiconductor |
| 31236 | MTP75N06HD-D | Mosfet Силы 75 Амперов, 60 Вольтов
Н-Kanala TO-220 | ON Semiconductor |
| 31237 | MTP7N20E | СПИСАННОЕ - мощность MOSFET 7 усилители, 200 Вольт | ON Semiconductor |
| 31238 | MTP7N20E-D | Mosfet Силы 7 Амперов, 200 Вольтов
Н-Kanala TO-220 | ON Semiconductor |
| 31239 | MTP8N50E | Поле Мощность Транзистор Влияния | ON Semiconductor |
| 31240 | MTP8N50E-D | Строб Кремния Повышени-Rejima Н-Kanala
Транзистора Влияния Поля Силы TMOS E-FET | ON Semiconductor |
| 31241 | MTP9N25E | 9 Amp TO-220AB, N-канал, VDSS 250 | ON Semiconductor |
| 31242 | MTP9N25E-D | Строб Кремния Повышени-Rejima Н-Kanala
Транзистора Влияния Поля Силы TMOS E-FET | ON Semiconductor |
| 31243 | MTSF1P02HD | УСТАРЕЛО - Power MOSFET 1 А, 20 Вольт | ON Semiconductor |
| 31244 | MTSF1P02HD-D | Mosfet Силы 1 Ампер, 20 Вольтов
П-Kanala Micro8 Удваивает | ON Semiconductor |
| 31245 | MTSF2P02HD | УСТАРЕЛО - ЗАМЕНА P / N # - NTTS2P02R2 | ON Semiconductor |
| 31246 | MTSF2P02HD-D | Mosfet Силы 2 Ампера, 20 Вольтов П-Kanala
Micro8 | ON Semiconductor |
| 31247 | MTSF2P03HD | УСТАРЕЛО - ЗАМЕНА P / N # - NTTS2P03R2 | ON Semiconductor |
| 31248 | MTSF2P03HD-D | Mosfet Силы 2 Ампера, 30 Вольтов П-Kanala
Micro8 | ON Semiconductor |
| 31249 | MTSF3N02HD | Мощность MOSFET 3 А, 20 Вольт | ON Semiconductor |
| 31250 | MTSF3N02HD-D | Mosfet Силы 3 Ампера, 20 Вольтов
Н-Kanala Micro8 | ON Semiconductor |
| 31251 | MTSF3N03HD | Мощность MOSFET 3 А, 30 Вольт | ON Semiconductor |
| 31252 | MTSF3N03HD-D | Mosfet Силы 3 Ампера, 30 Вольтов
Н-Kanala Micro8 | ON Semiconductor |
| 31253 | MTV10N100E | 10 А D3PAK поверхностного монтажа Продукция, N-канал, VDSS 500 | ON Semiconductor |
| 31254 | MTV10N100E-D | Транзистор влияния поля D3PAK силы TMOS
E-FET для поверхностного строба кремния Повышени-Rejima
Н-Kanala держателя | ON Semiconductor |
| 31255 | MTV16N50E | 16 А D3PAK поверхностного монтажа Продукция, N-канал, VDSS 500 | ON Semiconductor |
| 31256 | MTV16N50E-D | Транзистор влияния поля D3PAK силы TMOS
E-FET для поверхностного повышения Н-Kanala держателя -
строба кремния режима | ON Semiconductor |
| 31257 | MTV20N50E | 20 А D3PAK поверхностного монтажа Продукция, N-канал, VDSS 500 | ON Semiconductor |
| 31258 | MTV20N50E-D | Транзистор влияния поля D3PAK силы TMOS
E-FET для поверхностного повышения Н-Kanala держателя -
строба кремния режима | ON Semiconductor |
| 31259 | MTV25N50E | УСТАРЕЛО - 25 Amp D3PAK поверхностного монтажа Продукция, N-канал, VDSS 500 | ON Semiconductor |
| 31260 | MTV25N50E-D | Транзистор влияния поля D3PAK силы TMOS
E-FET для поверхностного повышения Н-Kanala держателя -
строба кремния режима | ON Semiconductor |
| 31261 | MTV32N20E | УСТАРЕЛО - 32 А D3PAK поверхностного монтажа Продукция, N-канал, VDSS 200 | ON Semiconductor |
| 31262 | MTV32N20E-D | Транзистор влияния поля D3PAK силы TMOS
E-FET для поверхностного повышения Н-Kanala держателя -
строба кремния режима | ON Semiconductor |
| 31263 | MTV32N25E | N-канал Повышени-Режим кремния ворота | ON Semiconductor |
| 31264 | MTV32N25E-D | Транзистор влияния поля D3PAK силы TMOS
E-FET для поверхностного повышения Н-Kanala держателя -
строба кремния режима | ON Semiconductor |
| 31265 | MTV6N100E | 6 А D3PAK поверхностного монтажа Продукты, N-Channel, VDSS 1000 | ON Semiconductor |
| 31266 | MTV6N100E-D | Транзистор влияния поля D3PAK силы TMOS
E-FET для поверхностного повышения Н-Kanala держателя -
строба кремния режима | ON Semiconductor |
| 31267 | MTW10N100E | СПИСАННОЕ - мощность MOSFET 10 А, 1000 Вольт | ON Semiconductor |
| 31268 | MTW10N100E-D | Mosfet Силы 10 Амперов, 1000 Вольтов
Н-Kanala TO-247 | ON Semiconductor |
| 31269 | MTW14N50E | УСТАРЕЛО - Power MOSFET 14, 500 В, N-канал TO-247 | ON Semiconductor |
| 31270 | MTW14N50E-D | Mosfet Силы 14 Ампера, 500 Вольтов
Н-Kanala TO-247 | ON Semiconductor |
| 31271 | MTW16N40E | СПИСАННОЕ - мощность MOSFET 16 Ампер, 400 Вольт | ON Semiconductor |
| 31272 | MTW16N40E-D | Mosfet Силы 16 Амперов, 400 Вольтов
Н-Kanala TO-247 | ON Semiconductor |
| 31273 | MTW20N50E | СПИСАННОЕ - мощность MOSFET 20 А, 500 Вольт | ON Semiconductor |
| 31274 | MTW20N50E-D | Mosfet Силы 20 Амперов, 500 Вольтов
Н-Kanala TO-247 | ON Semiconductor |
| 31275 | MTW24N40E | СПИСАННОЕ - мощность MOSFET 24 Ампер, 400 Вольт | ON Semiconductor |
| 31276 | MTW24N40E-D | Mosfet Силы 24 Ампера, 400 Вольтов
Н-Kanala TO-247 | ON Semiconductor |
| 31277 | MTW32N20E | Mosfet Силы 32 Ампера, 200 Вольтов
Н-Kanala TO-247 | ON Semiconductor |
| 31278 | MTW32N20E-D | Mosfet Силы 32 Ампера, 200 Вольтов
Н-Kanala TO-247 | ON Semiconductor |
| 31279 | MTW32N25E | Мощность MOSFET 32 Ампер, 250 Вольт | ON Semiconductor |
| 31280 | MTW32N25E-D | Приведите Mosfet В действие 32 Ампера,
250 Вольтов Н-Kanala TO-247 | ON Semiconductor |
| 31281 | MTW35N15E | СПИСАННОЕ - мощность MOSFET 35 Ампер, 150 Вольт | ON Semiconductor |
| 31282 | MTW35N15E-D | Mosfet Силы 35 Амперов, 150 Вольтов
Н-Kanala TO-247 | ON Semiconductor |
| 31283 | MTW45N10E-D | Mosfet Силы 45 Амперов, 100 Вольтов | ON Semiconductor |
| 31284 | MTW6N100E | Мощность MOSFET 6 А, 1000 Вольт | ON Semiconductor |
| 31285 | MTW6N100E-D | Mosfet Силы 6 Амперов, 1000 Вольтов | ON Semiconductor |
| 31286 | MTW7N80E | СПИСАННОЕ - мощность MOSFET 7 усилители, 800 Вольт | ON Semiconductor |
| 31287 | MTW7N80E-D | Mosfet Силы 7 Амперов, 800 Вольтов | ON Semiconductor |
| 31288 | MTW8N60E | Fet СИЛЫ TMOS 8.0 АМПЕРА 600
ВОЛЬТОВ RDS(on) = 0.55 ОМА | ON Semiconductor |
| 31289 | MTW8N60E-D | Mosfet Силы 8 Амперов, 600 Вольтов
Н-Kanala TO-247 | ON Semiconductor |
| 31290 | MTY100N10E | Mosfet Силы 100 Амперов, 100 Вольтов | ON Semiconductor |
| 31291 | MTY100N10E-D | Mosfet Силы 100 Амперов, 100 Вольтов | ON Semiconductor |
| 31292 | MTY14N100E | N-канал Повышени-Режим кремния ворота | ON Semiconductor |
| 31293 | MTY14N100E-D | Строб Кремния Режима Повышения Н-Kanala
Транзистора Влияния Поля Силы TMOS E-FET | ON Semiconductor |
| 31294 | MTY16N80E | N-канал Повышени-Режим кремния ворота | ON Semiconductor |
| 31295 | MTY16N80E-D | Строб Кремния Режима Повышения Н-Kanala
Транзистора Влияния Поля Силы TMOS E-FET | ON Semiconductor |
| 31296 | MTY20N50E | Мощность MOSFET 20 А, 500 Вольт | ON Semiconductor |
| 31297 | MTY20N50E-D | Mosfet Силы 20 Амперов, 500 Вольтов | ON Semiconductor |
| 31298 | MTY25N60E | СПИСАННОЕ - мощность MOSFET 25 Ампер, 600 Вольт | ON Semiconductor |
| 31299 | MTY25N60E-D | Mosfet Силы 25 Амперов, 600 Вольтов | ON Semiconductor |
| 31300 | MTY30N50E | СПИСАННОЕ - мощность MOSFET 30 Ампер, 500 Вольт | ON Semiconductor |
| | | |
