|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 39056 English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
35101NDF06N60ZPower MOSFET, N-канал, 600 В, 1,2 ΩON Semiconductor
35102NDF06N62ZPower MOSFET 620В 1.2 Ом Н-KanalaON Semiconductor
35103NDF08N50ZPower MOSFET 500V 0,850 Ом Н-KanalaON Semiconductor
35104NDF08N60ZPower MOSFET 600V 0,95 Ом Н-KanalaON Semiconductor
35105NDF10N60ZPower MOSFET, N-канал, 600 В, 0,75 ΩON Semiconductor
35106NDF10N62ZPower MOSFET 620В 0,750 Ом Н-KanalaON Semiconductor
35107NDF11N50ZPower MOSFET 500V 0,52 Ом Н-KanalaON Semiconductor
35108NDF60N360U1N-канал Power MOSFET, 600 В, 360 МОмON Semiconductor
35109NE521Высокоскоростной, Dual-Дифференциальный Компаратор / Sense AmpON Semiconductor
35110NE5230Операционный усилитель, низкого напряженияON Semiconductor
35111NE5517Сдвоенный операционный Крутизна УсилительON Semiconductor
35112NE5532Операционный усилитель, Внутренняя компенсация, низкий уровень шума, двойнойON Semiconductor
35113NE5534Операционный усилитель, низкий уровень шума, ОдноместныйON Semiconductor
35114NE570CompandorON Semiconductor
35115NE592ВидеоусилительON Semiconductor
35116NGB15N41CLT4Зажигание IGBT DPAK 15 Амперов, 410 Вольтов, 2.1 V(max)ON Semiconductor
35117NGB18N40CLBЗажигание IGBT в D2Јak (Gen3) с улучшенной энергией и Vce(on) SCISON Semiconductor
35118NGB18N40CLBT4Зажигание IGBT в D2Јak (Gen3) с улучшенной энергией и Vce(on) SCISON Semiconductor
35119NGB8202NЗажигание IGBT 20 А, 400 В, Н-Kanal D<sup>2</sup>PAKON Semiconductor
35120NGB8202NT4Зажигание IGBT 20 А, 400 В, Н-Kanal D<sup>2</sup>PAKON Semiconductor
35121NGB8204NЗажигание IGBT, 18, ​​400 В, N-канал D 2 PAKON Semiconductor
35122NGB8206NЗажигание IGBT, N-канал, 20, 350 В, D 2 PAKON Semiconductor
35123NGB8207ANЗажигание IGBT, N-канал, 20, 365 В, D2PAKON Semiconductor
35124NGB8207NЗажигание IGBT, N-канал, 20, 365 В, D2PAKON Semiconductor
35125NGB8245NЗажигание IGBT, N-канал, 20, 450 В, D2PAKON Semiconductor
35126NGD15N41CLЗажигание IGBT 15 Амперов, 410 ВольтовON Semiconductor
35127NGD15N41CL-DЗажигание IGBT 15 амперов, 410 вольтов Н-Kanala DPAK, D2PAK и TO-220ON Semiconductor
35128NGD15N41CLT4Зажигание IGBT DPAK 15 Амперов, 410 Вольтов, 2.1 V(max)ON Semiconductor
35129NGD18N40CLBЗажигание IGBT 18 а, 400 в, Н-n-Ch DPak с улучшенной энергией SCIS и Vce(on)ON Semiconductor
35130NGD18N40CLBT4Зажигание IGBT 18 а, 400 в, Н-n-Ch DPak с улучшенной энергией SCIS и Vce(on)ON Semiconductor
35131NGD18N45CLBЗажигание IGBT, N-канал, 18, 450 В, DPAKON Semiconductor
35132NGD8201NЗажигание IGBT 20 А, 400 В, Н-Kanal DPAKON Semiconductor
35133NGD8201NT4Зажигание IGBT 20 А, 400 В, Н-Kanal DPAKON Semiconductor
35134NGD8205NЗажигание IGBT, N-канал, 20, 350 В, DPAKON Semiconductor
35135NGD8209NIGBT зажиганияON Semiconductor
35136NGP15N41CLЗажигание IGBT 15 Амперов, 410 ВольтовON Semiconductor
35137NGP8203NЗажигание IGBT 20, 400 В, N-канал TO-220ON Semiconductor
35138NGTB15N120FLWIGBT 1200V 15A FS1 Солнечная / UPSON Semiconductor
35139NGTB15N120IHLIGBT 1200V 15A FS1 индукционного нагреваON Semiconductor
35140NGTB15N120IHRIGBT с монолитным Бесплатный обратный диодON Semiconductor
35141NGTB15N120LIGBT 1200V 15A FS1 Gen MktON Semiconductor
35142NGTB15N135IHRIGBT с монолитным Бесплатный обратный диодON Semiconductor
35143NGTB15N60EIGBT - короткого замыкания НоминальныйON Semiconductor
35144NGTB15N60S1EIGBT - короткого замыкания НоминальныйON Semiconductor
35145NGTB20N120IHLIGBT 1200V 20A FS1 индукционного нагреваON Semiconductor
35146NGTB20N120IHRIGBT 1200V 20A FS-2-RC индукционного нагреваON Semiconductor
35147NGTB20N120IHSIGBT 1200V 20A FS1 индукционного нагреваON Semiconductor
35148NGTB20N120LIGBT 1200V 20A FS1 Gen MktON Semiconductor
35149NGTB20N135IHRIGBT с монолитным Бесплатный обратный диодON Semiconductor
35150NGTB25N120FLWIGBT 1200V 25A FS1 Солнечная / UPSON Semiconductor
35151NGTB25N120IHLWIGBT 1200V 25A FS1 индукционного нагреваON Semiconductor
35152NGTB25N120LIGBT 1200V 25A FS1 Gen MktON Semiconductor
35153NGTB30N120FL2WIGBT - поле Стоп IION Semiconductor
35154NGTB30N120IHLIGBT 1200V 30A FS1 индукционного нагреваON Semiconductor
35155NGTB30N120IHRIGBT с монолитным Бесплатный обратный диодON Semiconductor
35156NGTB30N120IHSWIGBT 1200V 30A FS1 индукционного нагреваON Semiconductor
35157NGTB30N120LIGBT 1200V 30A FS1 Gen MktON Semiconductor
35158NGTB30N120L2WIGBT - поле Стоп IION Semiconductor
35159NGTB30N135IHRIGBT 1350V 30A FS-2-RC индукционного нагреваON Semiconductor
35160NGTB30N60FLWIGBT 600V 30A FS1 Солнечная / UPSON Semiconductor
35161NGTB30N60FWIGBT 600V 30A Gen MktON Semiconductor
35162NGTB30N60IHLWIGBT 600V 30A FS1 индукционного нагреваON Semiconductor
35163NGTB40N120FL2WIGBT - поле Стоп IION Semiconductor
35164NGTB40N120FLWIGBT 1200V 40A FS1 Солнечная / UPSON Semiconductor
35165NGTB40N120IHLWIGBT 1200V 40A FS1 индукционного нагреваON Semiconductor
35166NGTB40N120IHRIGBT с монолитным Бесплатный обратный диодON Semiconductor
35167NGTB40N120LIGBT 1200V 40A FS1 Gen MktON Semiconductor
35168NGTB40N135IHRIGBT с монолитным Бесплатный обратный диодON Semiconductor
35169NGTB40N60FLWIGBT 600V 40A FS1 Солнечная / UPSON Semiconductor
35170NGTB40N60IHLWIGBT 600V 40A FS1 индукционного нагреваON Semiconductor
35171NGTB50N120FL2WIGBT - поле Стоп IION Semiconductor
35172NGTB50N60FLWIGBT 600V 50A FS1 Солнечная / UPSON Semiconductor
35173NGTB50N60FWIGBT 600V 50A Gen MktON Semiconductor
35174NGTB50N60L2WIGBT-IPMON Semiconductor
35175NGTB75N60FL2WIGBT-IPMON Semiconductor
35176NGTB75N65FL2WIGBT-IPMON Semiconductor
35177NGTG15N60S1EIGBT - короткого замыкания НоминальныйON Semiconductor
35178NGTG20N60L2TF1GN-канал IGBT 600V, 20A, VCE (сб); 1,45 сингл-3PF-3LON Semiconductor



35179NGTG30N60FLWIGBT только 600V 30A ПФК ВысокочастотныйON Semiconductor
35180NGTG30N60FWIGBT только 600V 30A PFCON Semiconductor
35181NGTG50N60FLWIGBT-IPMON Semiconductor
35182NGTG50N60FWIGBT только 600V 50A PFCON Semiconductor
35183NHPV08S600SWITCHMODE электротяговыеON Semiconductor
35184NHPV15S600SWITCHMODE электротяговыеON Semiconductor
35185NIB6404-5L-DHDPlus 52 ампера, 40 вольтов собственной личности защищенной с Н-Kanalom D2PAK чувства температурыON Semiconductor
35186NIC9N05TS1Защищенный Power MOSFET 2.6, 52 В, N-канал, Логическая, зажатый MOSFET ж / ESD защитеON Semiconductor
35187NID5001NСобственн-za5i5ennoe SmartDiscrete, струбцина 42V, температура & предельный ток, ESD, DPAKON Semiconductor
35188NID5001NT4Собственн-za5i5ennoe SmartDiscrete, струбцина 42V, температура & предельный ток, ESD, DPAKON Semiconductor
35189NID5001NT4GСобственн-za5i5ennoe SmartDiscrete, струбцина 42V, температура & предельный ток, ESD, DPAKON Semiconductor
35190NID5003NСобственн-Za5i5enny1 fet с температурой и предельным током 42 в, 20 а, одиночный Н-Kanal, DPAKON Semiconductor
35191NID5003NT4Собственн-Za5i5enny1 fet с температурой и предельным током 42 в, 20 а, одиночный Н-Kanal, DPAKON Semiconductor
35192NID5004NSelf-Защищенный FET с температурой и Current Limit 40 В, 6,5 А, Н-Kanala, DPAKON Semiconductor
35193NID6002NSelf-Защищенный FET с температурой и Current Limit 65 В, 6,5 А, Н-Kanala, DPAKON Semiconductor
35194NID9N05CLMosfet 9 а силы, 52 в, Н-Kanal, уровень логики, зажал предохранение от mosfet w/ESD в пакете DPAKON Semiconductor
35195NID9N05CLT4Mosfet 9 а силы, 52 в, Н-Kanal, уровень логики, зажал предохранение от mosfet w/ESD в пакете DPAKON Semiconductor
35196NID9N05CLT4GMosfet 9 а силы, 52 в, Н-Kanal, уровень логики, зажал предохранение от mosfet w/ESD в пакете DPAKON Semiconductor
35197NIF5002NСобственн-Za5i5enny1 fet с температурой и предельным током 42 в 2.0 одиночный канал SOT-223 нON Semiconductor
35198NIF5002NDСобственн-Za5i5enny1 fet с температурой и предельным токомON Semiconductor
35199NIF5002NT1Собственн-Za5i5enny1 fet с температурой и предельным током 42 в 2.0 одиночный канал SOT-223 нON Semiconductor
35200NIF5002NT1GСобственн-Za5i5enny1 fet с температурой и предельным током 42 в 2.0 одиночный канал SOT-223 нON Semiconductor

Страница: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 | 57 | 58 | 59 | 60 | 61 | 62 | 63 | 64 | 65 | 66 | 67 | 68 | 69 | 70 | 71 | 72 | 73 | 74 | 75 | 76 | 77 | 78 | 79 | 80 | 81 | 82 | 83 | 84 | 85 | 86 | 87 | 88 | 89 | 90 | 91 | 92 | 93 | 94 | 95 | 96 | 97 | 98 | 99 | 100 | 101 | 102 | 103 | 104 | 105 | 106 | 107 | 108 | 109 | 110 | 111 | 112 | 113 | 114 | 115 | 116 | 117 | 118 | 119 | 120 | 121 | 122 | 123 | 124 | 125 | 126 | 127 | 128 | 129 | 130 | 131 | 132 | 133 | 134 | 135 | 136 | 137 | 138 | 139 | 140 | 141 | 142 | 143 | 144 | 145 | 146 | 147 | 148 | 149 | 150 | 151 | 152 | 153 | 154 | 155 | 156 | 157 | 158 | 159 | 160 | 161 | 162 | 163 | 164 | 165 | 166 | 167 | 168 | 169 | 170 | 171 | 172 | 173 | 174 | 175 | 176 | 177 | 178 | 179 | 180 | 181 | 182 | 183 | 184 | 185 | 186 | 187 | 188 | 189 | 190 | 191 | 192 | 193 | 194 | 195 | 196 | 197 | 198 | 199 | 200 | 201 | 202 | 203 | 204 | 205 | 206 | 207 | 208 | 209 | 210 | 211 | 212 | 213 | 214 | 215 | 216 | 217 | 218 | 219 | 220 | 221 | 222 | 223 | 224 | 225 | 226 | 227 | 228 | 229 | 230 | 231 | 232 | 233 | 234 | 235 | 236 | 237 | 238 | 239 | 240 | 241 | 242 | 243 | 244 | 245 | 246 | 247 | 248 | 249 | 250 | 251 | 252 | 253 | 254 | 255 | 256 | 257 | 258 | 259 | 260 | 261 | 262 | 263 | 264 | 265 | 266 | 267 | 268 | 269 | 270 | 271 | 272 | 273 | 274 | 275 | 276 | 277 | 278 | 279 | 280 | 281 | 282 | 283 | 284 | 285 | 286 | 287 | 288 | 289 | 290 | 291 | 292 | 293 | 294 | 295 | 296 | 297 | 298 | 299 | 300 | 301 | 302 | 303 | 304 | 305 | 306 | 307 | 308 | 309 | 310 | 311 | 312 | 313 | 314 | 315 | 316 | 317 | 318 | 319 | 320 | 321 | 322 | 323 | 324 | 325 | 326 | 327 | 328 | 329 | 330 | 331 | 332 | 333 | 334 | 335 | 336 | 337 | 338 | 339 | 340 | 341 | 342 | 343 | 344 | 345 | 346 | 347 | 348 | 349 | 350 | 351 | 352 | 353 | 354 | 355 | 356 | 357 | 358 | 359 | 360 | 361 | 362 | 363 | 364 | 365 | 366 | 367 | 368 | 369 | 370 | 371 | 372 | 373 | 374 | 375 | 376 | 377 | 378 | 379 | 380 | 381 | 382 | 383 | 384 | 385 | 386 | 387 | 388 | 389 | 390 | 391 |


© 2023    www.datasheetcatalog.net/ru/onsemiconductor/1/