|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 39056 English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
36501NTHS4166NNTHS4166NON Semiconductor
36502NTHS4501NPower MOSFET 30 В, 6,7 А, Н-Kanala ChipFET ™ ПакетON Semiconductor
36503NTHS5402Mosfet 20 В Силы, 4.9 А, Н-Kanal ChipFET™ON Semiconductor
36504NTHS5402Mosfet 20 В Силы, 4.9 А, Н-Kanal ChipFET™ON Semiconductor
36505NTHS5402T1УСТАРЕЛО - Power MOSFET N-канал ChipFET ™ON Semiconductor
36506NTHS5402T1-DН-Kanal ChipFET Mosfet Силы 4.9 Ампера, 30 ВольтовON Semiconductor
36507NTHS5404Mosfet 20V Силы, 5.2ЈA, Н-Kanal ChipFET™ON Semiconductor
36508NTHS5404Mosfet 20V Силы, 5.2ЈA, Н-Kanal ChipFET™ON Semiconductor
36509NTHS5404T1Mosfet 20V Силы, 5.2ЈA, Н-Kanal ChipFET™ON Semiconductor
36510NTHS5404T1Mosfet 20V Силы, 5.2ЈA, Н-Kanal ChipFET™ON Semiconductor
36511NTHS5404T1-DН-Kanal ChipFET Mosfet Силы 5.2 Ампера, 20 ВольтовON Semiconductor
36512NTHS5404T1GMosfet 20V Силы, 5.2ЈA, Н-Kanal ChipFET™ON Semiconductor
36513NTHS5404T1GMosfet 20V Силы, 5.2ЈA, Н-Kanal ChipFET™ON Semiconductor
36514NTHS5441−20 V, −5.3 А, P−Channel ChipFETON Semiconductor
36515NTHS5441T1П-Kanal ChipFET™ Mosfet Силы; -3.9 А, -20 ВON Semiconductor
36516NTHS5441T1П-Kanal ChipFET™ Mosfet Силы; -3.9 А, -20 ВON Semiconductor
36517NTHS5441T1-DП-Kanal ChipFET Mosfet Силы 3.9 Ампера, 20 ВольтовON Semiconductor
36518NTHS5441T1GП-Kanal ChipFET™ Mosfet Силы; -3.9 А, -20 ВON Semiconductor
36519NTHS5441T1GП-Kanal ChipFET™ Mosfet Силы; -3.9 А, -20 ВON Semiconductor
36520NTHS5443Mosfet 20V Силы, 3.6ЈA, П-Kanal ChipFET™ON Semiconductor
36521NTHS5443Mosfet 20V Силы, 3.6ЈA, П-Kanal ChipFET™ON Semiconductor
36522NTHS5443T1Mosfet 20V Силы, 3.6ЈA, П-Kanal ChipFET™ON Semiconductor
36523NTHS5443T1Mosfet 20V Силы, 3.6ЈA, П-Kanal ChipFET™ON Semiconductor
36524NTHS5443T1-DП-Kanal ChipFET Mosfet Силы 3.6 Ампера, 20 ВольтовON Semiconductor
36525NTHS5443T1GMosfet 20V Силы, 3.6ЈA, П-Kanal ChipFET™ON Semiconductor
36526NTHS5443T1GMosfet 20V Силы, 3.6ЈA, П-Kanal ChipFET™ON Semiconductor
36527NTHS5445Mosfet 8 В Силы, 5.2 А, П-Kanal ChipFET™ON Semiconductor
36528NTHS5445Mosfet 8 В Силы, 5.2 А, П-Kanal ChipFET™ON Semiconductor
36529NTHS5445T1УСТАРЕЛО - Power MOSFET P-канальный ChipFET ™ON Semiconductor
36530NTHS5445T1-DП-Kanal ChipFET Mosfet Силы 5.2 Ампера, 8 ВольтовON Semiconductor
36531NTJD1155LPower MOSFET 8 В, ± 1.3, High Side переключатель нагрузки с Уровень-Shift P-Channel, SC-88ON Semiconductor
36532NTJD2152PMosfet 8 В Сигнала Шанца Малый Удваивает П-Kanal, Предохранение от ESDON Semiconductor
36533NTJD2152PT1Mosfet 8 В Сигнала Шанца Малый Удваивает П-Kanal, Предохранение от ESDON Semiconductor
36534NTJD2152PT1GMosfet 8 В Сигнала Шанца Малый Удваивает П-Kanal, Предохранение от ESDON Semiconductor
36535NTJD2152PT2Mosfet 8 В Сигнала Шанца Малый Удваивает П-Kanal, Предохранение от ESDON Semiconductor
36536NTJD2152PT2GMosfet 8 В Сигнала Шанца Малый Удваивает П-Kanal, Предохранение от ESDON Semiconductor
36537NTJD2152PT4Mosfet 8 В Сигнала Шанца Малый Удваивает П-Kanal, Предохранение от ESDON Semiconductor
36538NTJD2152PT4GMosfet 8 В Сигнала Шанца Малый Удваивает П-Kanal, Предохранение от ESDON Semiconductor
36539NTJD3158CДополнительные Полевые транзисторыON Semiconductor
36540NTJD4001NМалый mosfet 30 в сигнала, 250 mA, двойной н - канал, sc - 88ON Semiconductor
36541NTJD4001NT1Малый mosfet 30 в сигнала, 250 mA, двойной н - канал, sc - 88ON Semiconductor
36542NTJD4001NT1GМалый mosfet 30 в сигнала, 250 mA, двойной н - канал, sc - 88ON Semiconductor
36543NTJD4105CМалый Mosfet 20V/-8V Сигнала, Комплиментарное +0.63ЈA/-0.775ЈA SC-88ON Semiconductor
36544NTJD4105CT1Малый Mosfet 20V/-8V Сигнала, Комплиментарное +0.63ЈA/-0.775ЈA SC-88ON Semiconductor
36545NTJD4105CT1GМалый Mosfet 20V/-8V Сигнала, Комплиментарное +0.63ЈA/-0.775ЈA SC-88ON Semiconductor
36546NTJD4105CT2Малый Mosfet 20V/-8V Сигнала, Комплиментарное +0.63ЈA/-0.775ЈA SC-88ON Semiconductor
36547NTJD4105CT2GМалый Mosfet 20V/-8V Сигнала, Комплиментарное +0.63ЈA/-0.775ЈA SC-88ON Semiconductor
36548NTJD4105CT4Малый Mosfet 20V/-8V Сигнала, Комплиментарное +0.63ЈA/-0.775ЈA SC-88ON Semiconductor
36549NTJD4105CT4GМалый Mosfet 20V/-8V Сигнала, Комплиментарное +0.63ЈA/-0.775ЈA SC-88ON Semiconductor
36550NTJD4152PСлабый сигнал MOSFET, 20 В, 0,88 А, двойной P-канальный, с ОУР защитеON Semiconductor
36551NTJD4158CСлабый сигнал MOSFET 30 В / -20 В, 0,25 / -0,88, комплементарной, SC-88ON Semiconductor
36552NTJD4401NСлабый сигнал MOSFET 20 В, двойной N-канал, SC-88 ESD защитаON Semiconductor
36553NTJD5121NЛист NTJD5121N данныхON Semiconductor
36554NTJS3151PТренч Power MOSFET 12 В, 3.3A, один Р-канальный ОУР Защищенный SC-88ON Semiconductor
36555NTJS3157NТренч Power MOSFET, 20 В, 4,0 А, Н-KanalaON Semiconductor
36556NTJS4151PТраншеи Power MOSFET -20 В, -4.2, один Р-канальный, SC-88ON Semiconductor
36557NTJS4160NPower MOSFET 30 В, 3,2 А, Н-Kanala SC-88ON Semiconductor
36558NTJS4405NСлабый сигнал MOSFET 25 В, 1,2 А Н-Kanala SC-88ON Semiconductor
36559NTK3043NPower MOSFET 20 В, 285 мА, N-канал с ОУР защите, СОТ-723ON Semiconductor
36560NTK3134NPower MOSFET, 20 В, 890 мА, Н-Kanala, СОТ-723 Пакет, с ОУР защитеON Semiconductor
36561NTK3139PPower MOSFET 20 В, 780 мА, один P-канальныйON Semiconductor
36562NTK3142PСлабый сигнал Power MOSFET -20 В, -280 мА, Р-канальный с ОУР защите, СОТ-723ON Semiconductor
36563NTL4502NКвад PInPAK Н-Kanala Mosfet 24V СилыON Semiconductor
36564NTL4502NT1Квад PInPAK Н-Kanala Mosfet 24V СилыON Semiconductor
36565NTLGD3502NPower MOSFET, 20 В, двойной N-каналON Semiconductor
36566NTLGF3402PPower MOSFET и Шоттки диод, -20 В, -3.9, P-канальныйON Semiconductor
36567NTLJD2104PPower MOSFET, 12 В, 4.3A, 90mOhm Dual P Канал WDFN2x2ON Semiconductor
36568NTLJD2105LPower MOSFET, 8 В, 4,3 А, μCool ™ High Side переключатель нагрузки с сдвиг уровняON Semiconductor
36569NTLJD3115PPower MOSFET -20 В, -4.1, μCool ¿Dual P-канальный, 2x2 мм WDFN ПакетON Semiconductor
36570NTLJD3119CPower MOSFET μCool ¿20 В, 4,6ON Semiconductor
36571NTLJD3181PZPower MOSFET, -20 В, -4.0, uCool ™, Dual P-канальный, ОУР, 2x2 мм WDFN ПакетON Semiconductor
36572NTLJD3182FZPower MOSFET и Шоттки диод, -20 В, -4.0, uCool ¿, один Р-канальный и Диод Шотки, ОУРON Semiconductor
36573NTLJD3183CZPower MOSFET, 20 V/-20 В, 4.7 A/-4.0, uCool ¿, комплементарной, 2x2 мм, WDFN ПакетON Semiconductor
36574NTLJD4116NPower MOSFET, 30 В, 4,6 А, двойной N-каналON Semiconductor
36575NTLJD4150PPower MOSFET 30 В, 3,4 А, μCool ™ Dual P-канальныйON Semiconductor
36576NTLJF1103PPower MOSFET и диод Шоттки -8 В, -4.3, μCool ¿Р-канальный, с 2,0 барьером Шоттки диод, 2 х 2 мм, WDFNON Semiconductor



36577NTLJF3117PPower MOSFET и Шоттки диод, -20 В, -4.1, P-канальныйON Semiconductor
36578NTLJF3118NPower MOSFET и Шоттки диод 20 В, 4,6 А, μCool ™ N-канал, с 2,0 A Диод ШоткиON Semiconductor
36579NTLJF4156NPower MOSFET и Шоттки диод, 30 В, 4,6 А, N-каналON Semiconductor
36580NTLJS1102PPower MOSFET 8V 8.1A 36 МОм Одноместный P-канальный WDFN2x2ON Semiconductor
36581NTLJS2103PNTLJS2103PON Semiconductor
36582NTLJS3113PPower MOSFET -20 В, -9.5, μCool ¿Одноместный P-канальныйON Semiconductor
36583NTLJS3A18PZPower MOSFET, -20 В, -8.2, uCool, один Р-канальный, 2.0x2.0x0.8 мм WDFN ПакетON Semiconductor
36584NTLJS4114NPower MOSFET, 30 В, 7,8 А, Н-KanalaON Semiconductor
36585NTLJS4149NTLJS4149P μCool ™ON Semiconductor
36586NTLJS4159NPower MOSFET 30 В, 7,8 А, μCool ™ Н-KanalaON Semiconductor
36587NTLLD4901NFPower MOSFET и интегрированный Шоттки диод, 30 В, двойной N-каналON Semiconductor
36588NTLMS4501NMosfet 30 В Силы, 14.7 А, Н-Kanal, Пакет SO-8 LeadlessON Semiconductor
36589NTLMS4507NMosfet 30 В Силы, 24 А, Н-Kanal, Пакет SO-8 LeadlessON Semiconductor
36590NTLTD7900NPower MOSFET 8,5 А, 20 В Логический уровень N-канал Micro8 ™ LeadlessON Semiconductor
36591NTLTD7900Z9A, 20V, 26mOhm, Предохранение от Строба Zener, 4000V HBMON Semiconductor
36592NTLTD7900Z-DMosfet Силы 9 Амперов, 20 Вольтов, Н-Kanal Micro-8 Leadless Логики РовныйON Semiconductor
36593NTLTD7900ZR29A, 20V, 26mOhm, Предохранение от Строба Zener, 4000V HBMON Semiconductor
36594NTLTS3107PPower MOSFET -20 В, -8.3, один Р-канальный Микро-8 безвыводномON Semiconductor
36595NTLUD3191PZДвойной P-канальный 20 В MOSFETON Semiconductor
36596NTLUD3A260PZОдноместный P-канальный 20 В MOSFETON Semiconductor
36597NTLUD3A50PZPower MOSFET, Dual P-канальный, 20 В, -5.6, 2.0x2.0x0.55 мм UDFN ПакетON Semiconductor
36598NTLUF4189NZН-Kanala 30 В MOSFET плюс Диод ШоткиON Semiconductor
36599NTLUS3192PZОдноместный P-канальный 20 В MOSFETON Semiconductor
36600NTLUS3A18PZPower MOSFET, -20 В, -8.2, Одноместный Pch, ОУР, 2.0x2.0x0.55 мм, uCool, UDFN ПакетON Semiconductor

Страница: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 | 57 | 58 | 59 | 60 | 61 | 62 | 63 | 64 | 65 | 66 | 67 | 68 | 69 | 70 | 71 | 72 | 73 | 74 | 75 | 76 | 77 | 78 | 79 | 80 | 81 | 82 | 83 | 84 | 85 | 86 | 87 | 88 | 89 | 90 | 91 | 92 | 93 | 94 | 95 | 96 | 97 | 98 | 99 | 100 | 101 | 102 | 103 | 104 | 105 | 106 | 107 | 108 | 109 | 110 | 111 | 112 | 113 | 114 | 115 | 116 | 117 | 118 | 119 | 120 | 121 | 122 | 123 | 124 | 125 | 126 | 127 | 128 | 129 | 130 | 131 | 132 | 133 | 134 | 135 | 136 | 137 | 138 | 139 | 140 | 141 | 142 | 143 | 144 | 145 | 146 | 147 | 148 | 149 | 150 | 151 | 152 | 153 | 154 | 155 | 156 | 157 | 158 | 159 | 160 | 161 | 162 | 163 | 164 | 165 | 166 | 167 | 168 | 169 | 170 | 171 | 172 | 173 | 174 | 175 | 176 | 177 | 178 | 179 | 180 | 181 | 182 | 183 | 184 | 185 | 186 | 187 | 188 | 189 | 190 | 191 | 192 | 193 | 194 | 195 | 196 | 197 | 198 | 199 | 200 | 201 | 202 | 203 | 204 | 205 | 206 | 207 | 208 | 209 | 210 | 211 | 212 | 213 | 214 | 215 | 216 | 217 | 218 | 219 | 220 | 221 | 222 | 223 | 224 | 225 | 226 | 227 | 228 | 229 | 230 | 231 | 232 | 233 | 234 | 235 | 236 | 237 | 238 | 239 | 240 | 241 | 242 | 243 | 244 | 245 | 246 | 247 | 248 | 249 | 250 | 251 | 252 | 253 | 254 | 255 | 256 | 257 | 258 | 259 | 260 | 261 | 262 | 263 | 264 | 265 | 266 | 267 | 268 | 269 | 270 | 271 | 272 | 273 | 274 | 275 | 276 | 277 | 278 | 279 | 280 | 281 | 282 | 283 | 284 | 285 | 286 | 287 | 288 | 289 | 290 | 291 | 292 | 293 | 294 | 295 | 296 | 297 | 298 | 299 | 300 | 301 | 302 | 303 | 304 | 305 | 306 | 307 | 308 | 309 | 310 | 311 | 312 | 313 | 314 | 315 | 316 | 317 | 318 | 319 | 320 | 321 | 322 | 323 | 324 | 325 | 326 | 327 | 328 | 329 | 330 | 331 | 332 | 333 | 334 | 335 | 336 | 337 | 338 | 339 | 340 | 341 | 342 | 343 | 344 | 345 | 346 | 347 | 348 | 349 | 350 | 351 | 352 | 353 | 354 | 355 | 356 | 357 | 358 | 359 | 360 | 361 | 362 | 363 | 364 | 365 | 366 | 367 | 368 | 369 | 370 | 371 | 372 | 373 | 374 | 375 | 376 | 377 | 378 | 379 | 380 | 381 | 382 | 383 | 384 | 385 | 386 | 387 | 388 | 389 | 390 | 391 |


© 2023    www.datasheetcatalog.net/ru/onsemiconductor/1/