Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
3801 | K7A803601M | лист данным по взрыва SRAM 256K x
36 & 512K х 18-Bit одновременный прокладыванный
трубопровод | Samsung Electronic |
3802 | K7A803608B K7A803208B K7A801808B | 256Kx36 & 256Kx32 & 512Kx18-Bit
Одновременный Прокладыванный трубопровод Лист Данным по Взрыва
SRAM | Samsung Electronic |
3803 | K7A803609A | 256Kx36Bit Одновременный Прокладыванный
трубопровод Лист Данным по Взрыва SRAM | Samsung Electronic |
3804 | K7A803609B | 256Kx36 & 512Kx18-Bit Одновременный
Прокладыванный трубопровод Лист Данным по Взрыва SRAM | Samsung Electronic |
3805 | K7A803609B / K7A801809B | 256Kx36 & 256Kx32 & 512Kx18-Bit
Одновременный Прокладыванный трубопровод Лист Данным по Взрыва
SRAM | Samsung Electronic |
3806 | K7A803609B-QC25 | 256Kx36 & 512Kx18-Bit Одновременный
Прокладыванный трубопровод Лист Данным по Взрыва SRAM | Samsung Electronic |
3807 | K7B161825A | 512Kx36 & 1Mx18 Одновременное SRAM | Samsung Electronic |
3808 | K7B163625A | 512Kx36 & 1Mx18 Одновременное SRAM | Samsung Electronic |
3809 | K7B163625A K7B163225A K7B161825A | 512Kx36/x32 & 1Mx18-Bit Одновременный Лист
Данным по Взрыва SRAM | Samsung Electronic |
3810 | K7B201825A | лист данным по взрыва SRAM 128K х 18-Bit
одновременный | Samsung Electronic |
3811 | K7B203625A | взрыв SRAM rev 64K х 36-Bit
одновременный. 3.0 (Dec 1999) | Samsung Electronic |
3812 | K7B321825M | 1Mx36 & 2Mx18 Одновременное SRAM | Samsung Electronic |
3813 | K7B321825M-QC65 | 1Mx36 & 2Mx18 Одновременное SRAM | Samsung Electronic |
3814 | K7B321825M-QC65 | 1Mx36 & 2Mx18 Одновременное SRAM | Samsung Electronic |
3815 | K7B321825M-QC75 | 1Mx36 & 2Mx18 Одновременное SRAM | Samsung Electronic |
3816 | K7B321825M-QC75 | 1Mx36 & 2Mx18 Одновременное SRAM | Samsung Electronic |
3817 | K7B323625M | 1Mx36 & 2Mx18 Одновременное SRAM | Samsung Electronic |
3818 | K7B323625M-QC65 | 1Mx36 & 2Mx18 Одновременное SRAM | Samsung Electronic |
3819 | K7B323625M-QC65 | 1Mx36 & 2Mx18 Одновременное SRAM | Samsung Electronic |
3820 | K7B323625M-QC6575 | 1Mx36 & 2Mx18 Одновременное SRAM | Samsung Electronic |
3821 | K7B323625M-QC75 | 1Mx36 & 2Mx18 Одновременное SRAM | Samsung Electronic |
3822 | K7B401825B | 128Kx36/x32 & 256Kx18 Одновременное
SRAM | Samsung Electronic |
3823 | K7B401825B-QC | 128Kx36/x32 & 256Kx18 Одновременное
SRAM | Samsung Electronic |
3824 | K7B403225B | 128Kx36/x32 & 256Kx18 Одновременное
SRAM | Samsung Electronic |
3825 | K7B403225B-QC | 128Kx36/x32 & 256Kx18 Одновременное
SRAM | Samsung Electronic |
3826 | K7B403625B | 128Kx36/x32 & 256Kx18 Одновременное
SRAM | Samsung Electronic |
3827 | K7B403625B K7B403225B K7B401825B | 128Kx36 & 128Kx32 & 256Kx18-Bit
Одновременный Лист Данным по Взрыва SRAM | Samsung Electronic |
3828 | K7B403625B-QC | 128Kx36/x32 & 256Kx18 Одновременное
SRAM | Samsung Electronic |
3829 | K7B403625M | лист данным по взрыва SRAM 128K х 36-Bit
одновременный | Samsung Electronic |
3830 | K7B801825A | 512Kx18-Bit Одновременный Лист Данным по Взрыва
SRAM | Samsung Electronic |
3831 | K7B801825B | 256Kx36 & 512Kx18-Bit Одновременный Взрыв
SRAM | Samsung Electronic |
3832 | K7B801825B-QC65 | 256Kx36 & 512Kx18-Bit Одновременный
Прокладыванный трубопровод Лист Данным по Взрыва SRAM | Samsung Electronic |
3833 | K7B801825B-QC75 | 256Kx36 & 512Kx18-Bit Одновременный
Прокладыванный трубопровод Лист Данным по Взрыва SRAM | Samsung Electronic |
3834 | K7B801825M | лист данным по взрыва SRAM 256K x
36 & 512K х 18-Bit одновременный прокладыванный
трубопровод | Samsung Electronic |
3835 | K7B803625 | 256Kx36 & 512Kx18-Bit Одновременный
Прокладыванный трубопровод Лист Данным по Взрыва SRAM | Samsung Electronic |
3836 | K7B803625A | 256Kx36Bit Одновременный Лист Данным по Взрыва
SRAM | Samsung Electronic |
3837 | K7B803625B | 256Kx36 & 512Kx18-Bit Одновременный Взрыв
SRAM | Samsung Electronic |
3838 | K7B803625B K7B803225B K7B801825B | 256Kx36 & 256Kx32 & 512Kx18-Bit
Одновременный Лист Данным по Взрыва SRAM | Samsung Electronic |
3839 | K7B803625B-QC65 | 256Kx36 & 512Kx18-Bit Одновременный
Прокладыванный трубопровод Лист Данным по Взрыва SRAM | Samsung Electronic |
3840 | K7B803625B-QC75 | 256Kx36 & 512Kx18-Bit Одновременный
Прокладыванный трубопровод Лист Данным по Взрыва SRAM | Samsung Electronic |
3841 | K7B803625M | лист данным по взрыва SRAM 256K x
36 & 512K х 18-Bit одновременный прокладыванный
трубопровод | Samsung Electronic |
3842 | K7D801871B-HC25 | 256Kx36 & 512Kx18 SRAM | Samsung Electronic |
3843 | K7D801871B-HC30 | 256Kx36 & 512Kx18 SRAM | Samsung Electronic |
3844 | K7D801871B-HC33 | 256Kx36 & 512Kx18 SRAM | Samsung Electronic |
3845 | K7D801871B-HC35 | 256Kx36 & 512Kx18 SRAM | Samsung Electronic |
3846 | K7D801871B-HC37 | 256Kx36 & 512Kx18 SRAM | Samsung Electronic |
3847 | K7D803671B | 256Kx36 & 512Kx18 SRAM | Samsung Electronic |
3848 | K7D803671B-HC25 | 256Kx36 & 512Kx18 SRAM | Samsung Electronic |
3849 | K7D803671B-HC30 | 256Kx36 & 512Kx18 SRAM | Samsung Electronic |
3850 | K7D803671B-HC33 | 256Kx36 & 512Kx18 SRAM | Samsung Electronic |
3851 | K7D803671B-HC35 | 256Kx36 & 512Kx18 SRAM | Samsung Electronic |
3852 | K7D803671B-HC37 | 256Kx36 & 512Kx18 SRAM | Samsung Electronic |
3853 | K7I161882B-FC16 | 512KX36-BIT, 1MX18-BIT DDRII CIO
B2 SRAM | Samsung Electronic |
3854 | K7I161882B-FC20 | 512KX36-BIT, 1MX18-BIT DDRII CIO
B2 SRAM | Samsung Electronic |
3855 | K7I161882B-FC25 | 512KX36-BIT, 1MX18-BIT DDRII CIO
B2 SRAM | Samsung Electronic |
3856 | K7I161882B-FC30 | 512KX36-BIT, 1MX18-BIT DDRII CIO
B2 SRAM | Samsung Electronic |
3857 | K7I163682B | 512KX36-BIT, 1MX18-BIT DDRII CIO
B2 SRAM | Samsung Electronic |
3858 | K7I163682B-FC16 | 512KX36-BIT, 1MX18-BIT DDRII CIO
B2 SRAM | Samsung Electronic |
3859 | K7I163682B-FC20 | 512KX36-BIT, 1MX18-BIT DDRII CIO
B2 SRAM | Samsung Electronic |
3860 | K7I163682B-FC25 | 512KX36-BIT, 1MX18-BIT DDRII CIO
B2 SRAM | Samsung Electronic |
3861 | K7I163682B-FC30 | 512KX36-BIT, 1MX18-BIT DDRII CIO
B2 SRAM | Samsung Electronic |
3862 | K7I321882M | 1MX36 & 2MX18 DDRII CIO B2
SRAM | Samsung Electronic |
3863 | K7I323682M | 1MX36 & 2MX18 DDRII CIO B2
SRAM | Samsung Electronic |
3864 | K7I323682M K7I321882M K7I320882M | Лист Данным по 1Mx36 & 2Mx18 & 4Mx8
DDRII CIO b2 SRAM | Samsung Electronic |
3865 | K7I323682M K7I321882M K7I320882M | Лист Данным по 1Mx36 & 2Mx18 & 4Mx8
DDRII CIO b2 SRAM | Samsung Electronic |
3866 | K7I323684M, K7I321884M, K7I320884M | 1Mx36-bit, 2Mx18-bit, Лист Данным по
4Mx8-bit DDRII CIO b4 SRAM | Samsung Electronic |
3867 | K7J161882B | 512KX36 & 1MX18 DDR II SIO
B2 SRAM | Samsung Electronic |
3868 | K7J163682B | 512KX36 & 1MX18 DDR II SIO
B2 SRAM | Samsung Electronic |
3869 | K7J321882M | 1MX36 & 2MX18 DDR II SIO
B2 SRAM | Samsung Electronic |
3870 | K7J323682M | 1MX36 & 2MX18 DDR II SIO
B2 SRAM | Samsung Electronic |
3871 | K7M161825A-QC(I)65 | 512Kx36 & Прокладыванное трубопровод 1Mx18
NtRAM | Samsung Electronic |
3872 | K7M161825A-QC(I)65/75 | 512Kx36 & Прокладыванное трубопровод 1Mx18
NtRAM | Samsung Electronic |
3873 | K7M161825A-QC(I)75 | 512Kx36 & Прокладыванное трубопровод 1Mx18
NtRAM | Samsung Electronic |
3874 | K7M161835B-QC65 | 512Kx36 & Прокладыванное трубопровод 1Mx18
NtRAM | Samsung Electronic |
3875 | K7M161835B-QCI65 | 512Kx36 & Прокладыванное трубопровод 1Mx18
NtRAM | Samsung Electronic |
3876 | K7M163625A K7M163235A K7M161825A | 512Kx36/32 & 1Mx18-Bit Flow through
NtRAM. Лист Данных | Samsung Electronic |
3877 | K7M163625A-QC(I)65 | 512Kx36 & Прокладыванное трубопровод 1Mx18
NtRAM | Samsung Electronic |
3878 | K7M163625A-QC(I)75 | 512Kx36 & Прокладыванное трубопровод 1Mx18
NtRAM | Samsung Electronic |
3879 | K7M163625M / K7M161825M | 512Kx36 & 1Mx18 Пропускать-Cerez
NtRAM. Лист Данных | Samsung Electronic |
3880 | K7M163635B-QC65 | 512Kx36 & Прокладыванное трубопровод 1Mx18
NtRAM | Samsung Electronic |
3881 | K7M163635B-QCI65 | 512Kx36 & Прокладыванное трубопровод 1Mx18
NtRAM | Samsung Electronic |
3882 | K7M321825M | 1Mx36 & 2Mx18 Пропускать-Cerez
NtRAM | Samsung Electronic |
3883 | K7M321825M-QC75 | 1Mx36 & Прокладыванное трубопровод 2Mx18-Bit
NtRAM | Samsung Electronic |
3884 | K7M323625M | 1Mx36 & 2Mx18 Пропускать-Cerez
NtRAM | Samsung Electronic |
3885 | K7M323625M K7M321825M | 1Mx36 & 2Mx18-Bit Flow through
NtRAM. Лист Данных | Samsung Electronic |
3886 | K7M323625M-QC75 | 1Mx36 & Прокладыванное трубопровод 2Mx18-Bit
NtRAM | Samsung Electronic |
3887 | K7M403625B K7M403225B K7M401825B | 128Kx36 & 128Kx32 & 256Kx18-Bit
Пропускать-Cerez NtRAM. Лист Данных | Samsung Electronic |
3888 | K7M801825B | 256Kx36 & 512Kx18-Bit Flow through
NtRAM | Samsung Electronic |
3889 | K7M801825B-QC65 | 256Kx36 & Прокладыванное трубопровод
512Kx18-Bit NtRAMTM | Samsung Electronic |
3890 | K7M801825B-QC65/75 | 256Kx36 & 512Kx18-Bit Flow through
NtRAM | Samsung Electronic |
3891 | K7M801825B-QC75 | 256Kx36 & Прокладыванное трубопровод
512Kx18-Bit NtRAMTM | Samsung Electronic |
3892 | K7M801825M | 256Kx36 & 512Kx18 Пропускать-Cerez
NtRAM. Лист Данных | Samsung Electronic |
3893 | K7M803625A | 256Kx36Bit Flow through NtRAM.
Лист Данных | Samsung Electronic |
3894 | K7M803625B | 256Kx36 & 512Kx18-Bit Flow through
NtRAM | Samsung Electronic |
3895 | K7M803625B K7M803225B K7M801825B | 256Kx36 & 256Kx32 & 512Kx18
Пропускать-Cerez NtRAM. Лист Данных | Samsung Electronic |
3896 | K7M803625B-QC65 | 256Kx36 & Прокладыванное трубопровод
512Kx18-Bit NtRAMTM | Samsung Electronic |
3897 | K7M803625B-QC65/75 | 256Kx36 & 512Kx18-Bit Flow through
NtRAM | Samsung Electronic |
3898 | K7M803625B-QC75 | 256Kx36 & Прокладыванное трубопровод
512Kx18-Bit NtRAMTM | Samsung Electronic |
3899 | K7M803625M | NtRAM Прокладыванное трубопровод 256Kx36-Bit.
Лист Данных | Samsung Electronic |
3900 | K7N161801A-Q(F)C(I)13 | 512Kx36 & Прокладыванное трубопровод 1Mx18
NtRAM | Samsung Electronic |
| | | |