Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
5801 | KM416C1204CJ-50 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными из, 50 нс, VCC = 5.0V, обновите период = 16мс | Samsung Electronic |
5802 | KM416C1204CJ-6 | 5V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
5803 | KM416C1204CJ-60 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными из, 60 нс, VCC = 5.0V, обновите период = 16мс | Samsung Electronic |
5804 | KM416C1204CJ-L45 | 5V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 45ns | Samsung Electronic |
5805 | KM416C1204CJ-L5 | 5V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
5806 | KM416C1204CJ-L6 | 5V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
5807 | KM416C1204CJL-45 | 1M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45ns, VCC = 5,0 В, само-регенерации | Samsung Electronic |
5808 | KM416C1204CJL-50 | 1M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нс, VCC = 5,0 В, само-регенерации | Samsung Electronic |
5809 | KM416C1204CJL-60 | 1M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нс, VCC = 5,0 В, само-регенерации | Samsung Electronic |
5810 | KM416C1204CT-45 | 5V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 45ns | Samsung Electronic |
5811 | KM416C1204CT-5 | 5V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
5812 | KM416C1204CT-50 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными из, 50 нс, VCC = 5.0V, обновите период = 16мс | Samsung Electronic |
5813 | KM416C1204CT-6 | 5V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
5814 | KM416C1204CT-60 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными из, 60 нс, VCC = 5.0V, обновите период = 16мс | Samsung Electronic |
5815 | KM416C1204CT-L45 | 5V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 45ns | Samsung Electronic |
5816 | KM416C1204CT-L5 | 5V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
5817 | KM416C1204CT-L6 | 5V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
5818 | KM416C1204CTL-45 | 1M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45ns, VCC = 5,0 В, само-регенерации | Samsung Electronic |
5819 | KM416C1204CTL-50 | 1M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нс, VCC = 5,0 В, само-регенерации | Samsung Electronic |
5820 | KM416C1204CTL-60 | 1M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нс, VCC = 5,0 В, само-регенерации | Samsung Electronic |
5821 | KM416C254D | ШТОССЕЛЬ 256K х 16Bit cmos динамический
с выдвинутыми данными вне | Samsung Electronic |
5822 | KM416C254DJ-5 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 5,0 В, 50 нс, 8ms период обновления | Samsung Electronic |
5823 | KM416C254DJ-6 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 5,0 В, 60 нс, 8ms период обновления | Samsung Electronic |
5824 | KM416C254DJ-7 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 5,0 В, 70ns, 8ms период обновления | Samsung Electronic |
5825 | KM416C254DJL-5 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 5,0 В, 50 нс, само-обновления | Samsung Electronic |
5826 | KM416C254DJL-6 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 5,0 В, 60 нс, само-обновления | Samsung Electronic |
5827 | KM416C254DJL-7 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 5,0 В, 70ns, само-обновления | Samsung Electronic |
5828 | KM416C254DT-5 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 5,0 В, 50 нс, 8ms период обновления | Samsung Electronic |
5829 | KM416C254DT-6 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 5,0 В, 60 нс, 8ms период обновления | Samsung Electronic |
5830 | KM416C254DT-7 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 5,0 В, 70ns, 8ms период обновления | Samsung Electronic |
5831 | KM416C254DTL-5 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 5,0 В, 50 нс, само-обновления | Samsung Electronic |
5832 | KM416C254DTL-6 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 5,0 В, 60 нс, само-обновления | Samsung Electronic |
5833 | KM416C254DTL-7 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 5,0 В, 70ns, само-обновления | Samsung Electronic |
5834 | KM416C256D | ШТОССЕЛЬ 256K х 16Bit cmos динамический
с быстрым режимом страницы | Samsung Electronic |
5835 | KM416C256DJ-5 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницы, 50 нс, 5В | Samsung Electronic |
5836 | KM416C256DJ-6 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницы, 60 нс, 5В | Samsung Electronic |
5837 | KM416C256DJ-7 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 70ns, 5В | Samsung Electronic |
5838 | KM416C256DLJ-5 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницы, 50 нс, 5В, само-обновления возможностей | Samsung Electronic |
5839 | KM416C256DLJ-6 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницы, 60 нс, 5В, само-обновления возможностей | Samsung Electronic |
5840 | KM416C256DLJ-7 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 70ns, 5В, само-обновления возможностей | Samsung Electronic |
5841 | KM416C256DLT-5 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницы, 50 нс, 5В, само-обновления возможностей | Samsung Electronic |
5842 | KM416C256DLT-6 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницы, 60 нс, 5В, само-обновления возможностей | Samsung Electronic |
5843 | KM416C256DLT-7 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 70ns, 5В, само-обновления возможностей | Samsung Electronic |
5844 | KM416C256DT-5 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницы, 50 нс, 5В | Samsung Electronic |
5845 | KM416C256DT-6 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницы, 60 нс, 5В | Samsung Electronic |
5846 | KM416C256DT-7 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 70ns, 5В | Samsung Electronic |
5847 | KM416C4000B | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
быстрым листом данным по режима страницы | Samsung Electronic |
5848 | KM416C4000BS-45 | 4M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 8K обновления, 45ns | Samsung Electronic |
5849 | KM416C4000BS-5 | 4M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 8K обновления, 50 нс | Samsung Electronic |
5850 | KM416C4000BS-6 | 4M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 8K обновления, 60 нс | Samsung Electronic |
5851 | KM416C4000C | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
быстрым листом данным по режима страницы | Samsung Electronic |
5852 | KM416C4000CS-5 | 4M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 8K обновления, 50 нс | Samsung Electronic |
5853 | KM416C4000CS-6 | 4M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 8K обновления, 60 нс | Samsung Electronic |
5854 | KM416C4004C | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
5855 | KM416C4004CS-5 | 4M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 5V, 8K освежают, 50 нс | Samsung Electronic |
5856 | KM416C4004CS-6 | 4M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 5V, 8K освежают, 60 нс | Samsung Electronic |
5857 | KM416C4100B | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
быстрым листом данным по режима страницы | Samsung Electronic |
5858 | KM416C4100BS-45 | 4M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 4К обновления, 45ns | Samsung Electronic |
5859 | KM416C4100BS-5 | 4M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 4К обновления, 50 нс | Samsung Electronic |
5860 | KM416C4100BS-6 | 4M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 4К обновления, 60 нс | Samsung Electronic |
5861 | KM416C4100C | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
быстрым листом данным по режима страницы | Samsung Electronic |
5862 | KM416C4100CS-5 | 4M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 4К обновления, 50 нс | Samsung Electronic |
5863 | KM416C4100CS-6 | 4M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 4К обновления, 60 нс | Samsung Electronic |
5864 | KM416C4104C | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
5865 | KM416C4104CS-5 | 4M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 5V, 4K освежают, 50 нс | Samsung Electronic |
5866 | KM416C4104CS-6 | 4M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 5V, 4K освежают, 60 нс | Samsung Electronic |
5867 | KM416L8031BT | Лист Данным по 128Mb DDR SDRAM | Samsung Electronic |
5868 | KM416L8031BT-F0 | 128 Мб DDR SDRAM. Версия 0.61, Операционная частота. 100 МГц, скорость 10 нс. | Samsung Electronic |
5869 | KM416L8031BT-FY | 128 Мб DDR SDRAM. Версия 0.61, Операционная частота. 133 МГц, скорость 7.5ns. | Samsung Electronic |
5870 | KM416L8031BT-FZ | 128 Мб DDR SDRAM. Версия 0.61, Операционная частота. 133 МГц, скорость 7.5ns. | Samsung Electronic |
5871 | KM416L8031BT-G(F)0 | Вариант 0.61 Спецификации DDR SDRAM | Samsung Electronic |
5872 | KM416L8031BT-G(F)Y | Вариант 0.61 Спецификации DDR SDRAM | Samsung Electronic |
5873 | KM416L8031BT-G(F)Z | Вариант 0.61 Спецификации DDR SDRAM | Samsung Electronic |
5874 | KM416L8031BT-G(L)0 | Вариант 1.0 Спецификации DDR SDRAM | Samsung Electronic |
5875 | KM416L8031BT-G(L)Y | Вариант 1.0 Спецификации DDR SDRAM | Samsung Electronic |
5876 | KM416L8031BT-G(L)Z | Вариант 1.0 Спецификации DDR SDRAM | Samsung Electronic |
5877 | KM416L8031BT-G0 | 128 Мб DDR SDRAM. Версия 0.61, Операционная частота. 100 МГц, скорость 10 нс. | Samsung Electronic |
5878 | KM416L8031BT-GY | 128 Мб DDR SDRAM. Версия 0.61, Операционная частота. 133 МГц, скорость 7,5 нс. | Samsung Electronic |
5879 | KM416L8031BT-GZ | 128 Мб DDR SDRAM. Версия 0.61, Операционная частота. 133 МГц, скорость 7,5 нс. | Samsung Electronic |
5880 | KM416RD | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
5881 | KM416RD16AC | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
5882 | KM416RD16AD | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
5883 | KM416RD16C | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
5884 | KM416RD2AC | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
5885 | KM416RD2AD | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
5886 | KM416RD2C | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
5887 | KM416RD2D | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
5888 | KM416RD32AC | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
5889 | KM416RD32AD | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
5890 | KM416RD32C | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
5891 | KM416RD32D | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
5892 | KM416RD4AC | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
5893 | KM416RD4AD | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
5894 | KM416RD4C | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
5895 | KM416RD4D | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
5896 | KM416RD8AC | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
5897 | KM416RD8AC(D)-RK70 | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
5898 | KM416RD8AC(D)-RK80 | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
5899 | KM416RD8AC(DB)-RCG60 | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
5900 | KM416RD8AC-RG60 | 256K х 16 х 32s зависимые банки прямым RDRAM. Время доступа: 53.3 нс, скорость: 600 Мбит (300 МГц). | Samsung Electronic |
| | | |