Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
6001 | KM416V1004BJ-L7 | 3,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 70ns | Samsung Electronic |
6002 | KM416V1004BT-5 | 3,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
6003 | KM416V1004BT-6 | 3,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
6004 | KM416V1004BT-7 | 3,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 70ns | Samsung Electronic |
6005 | KM416V1004BT-L5 | 3,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
6006 | KM416V1004BT-L6 | 3,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
6007 | KM416V1004BT-L7 | 3,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 70ns | Samsung Electronic |
6008 | KM416V1004C | ШТОССЕЛЬ 1M x 16Bit cmos
динамический с выдвинутыми данными вне | Samsung Electronic |
6009 | KM416V1004CJ-45 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными из, 45ns, VCC = 3,3 В, обновите период = 64 мс | Samsung Electronic |
6010 | KM416V1004CJ-5 | 3,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
6011 | KM416V1004CJ-50 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными из, 50 нс, VCC = 3,3 В, обновите период = 64 мс | Samsung Electronic |
6012 | KM416V1004CJ-6 | 3,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
6013 | KM416V1004CJ-60 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными из, 60 нс, VCC = 3,3 В, обновите период = 64 мс | Samsung Electronic |
6014 | KM416V1004CJ-L5 | 3,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
6015 | KM416V1004CJ-L6 | 3,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
6016 | KM416V1004CJL-45 | 1M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45ns, VCC = 3,3 В, само-регенерации | Samsung Electronic |
6017 | KM416V1004CJL-50 | 1M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нс, VCC = 3,3 В, само-регенерации | Samsung Electronic |
6018 | KM416V1004CJL-60 | 1M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нс, VCC = 3,3 В, само-регенерации | Samsung Electronic |
6019 | KM416V1004CT-45 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными из, 45ns, VCC = 3,3 В, обновите период = 64 мс | Samsung Electronic |
6020 | KM416V1004CT-5 | 3,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
6021 | KM416V1004CT-50 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными из, 50 нс, VCC = 3,3 В, обновите период = 64 мс | Samsung Electronic |
6022 | KM416V1004CT-6 | 3,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
6023 | KM416V1004CT-60 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными из, 60 нс, VCC = 3,3 В, обновите период = 64 мс | Samsung Electronic |
6024 | KM416V1004CT-L5 | 3,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
6025 | KM416V1004CT-L6 | 3,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
6026 | KM416V1004CTL-45 | 1M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45ns, VCC = 3,3 В, само-регенерации | Samsung Electronic |
6027 | KM416V1004CTL-50 | 1M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нс, VCC = 3,3 В, само-регенерации | Samsung Electronic |
6028 | KM416V1004CTL-60 | 1M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нс, VCC = 3,3 В, само-регенерации | Samsung Electronic |
6029 | KM416V1200B | ШТОССЕЛЬ 1M x 16Bit cmos
динамический с быстрым режимом страницы | Samsung Electronic |
6030 | KM416V1200BJ-5 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нс | Samsung Electronic |
6031 | KM416V1200BJ-6 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нс | Samsung Electronic |
6032 | KM416V1200BJ-7 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 70ns | Samsung Electronic |
6033 | KM416V1200BJL-5 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нс | Samsung Electronic |
6034 | KM416V1200BJL-6 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нс | Samsung Electronic |
6035 | KM416V1200BJL-7 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 70ns | Samsung Electronic |
6036 | KM416V1200BT-5 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нс | Samsung Electronic |
6037 | KM416V1200BT-6 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нс | Samsung Electronic |
6038 | KM416V1200BT-7 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 70ns | Samsung Electronic |
6039 | KM416V1200BTL-5 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нс | Samsung Electronic |
6040 | KM416V1200BTL-6 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нс | Samsung Electronic |
6041 | KM416V1200BTL-7 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 70ns | Samsung Electronic |
6042 | KM416V1200C | ШТОССЕЛЬ 1M x 16Bit cmos
динамический с быстрым режимом страницы | Samsung Electronic |
6043 | KM416V1200CJ-5 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нс | Samsung Electronic |
6044 | KM416V1200CJ-6 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нс | Samsung Electronic |
6045 | KM416V1200CJL-5 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нс | Samsung Electronic |
6046 | KM416V1200CJL-6 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нс | Samsung Electronic |
6047 | KM416V1200CT-5 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нс | Samsung Electronic |
6048 | KM416V1200CT-6 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нс | Samsung Electronic |
6049 | KM416V1200CTL-5 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нс | Samsung Electronic |
6050 | KM416V1200CTL-6 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нс | Samsung Electronic |
6051 | KM416V1204BJ | ШТОССЕЛЬ 1M x 16BIT cmos
DYNAMIT С ВЫДВИНУТЫМИ ДАННЫМИ ВНЕ | Samsung Electronic |
6052 | KM416V1204BJ-5 | 3,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
6053 | KM416V1204BJ-6 | 3,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
6054 | KM416V1204BJ-7 | 3,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 70ns | Samsung Electronic |
6055 | KM416V1204BJ-L5 | 3,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
6056 | KM416V1204BJ-L6 | 3,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
6057 | KM416V1204BJ-L7 | 3,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 70ns | Samsung Electronic |
6058 | KM416V1204BT-5 | 3,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
6059 | KM416V1204BT-6 | 3,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
6060 | KM416V1204BT-7 | 3,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 70ns | Samsung Electronic |
6061 | KM416V1204BT-L5 | 3,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
6062 | KM416V1204BT-L6 | 3,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
6063 | KM416V1204BT-L7 | 3,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 70ns | Samsung Electronic |
6064 | KM416V1204C | ШТОССЕЛЬ 1M x 16Bit cmos
динамический с выдвинутыми данными вне | Samsung Electronic |
6065 | KM416V1204CJ-45 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными из, 45ns, VCC = 3,3 В, обновите период = 16мс | Samsung Electronic |
6066 | KM416V1204CJ-5 | 3,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
6067 | KM416V1204CJ-50 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными из, 50 нс, VCC = 3,3 В, обновите период = 16мс | Samsung Electronic |
6068 | KM416V1204CJ-6 | 3,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
6069 | KM416V1204CJ-60 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными из, 60 нс, VCC = 3,3 В, обновите период = 16мс | Samsung Electronic |
6070 | KM416V1204CJ-L5 | 3,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
6071 | KM416V1204CJ-L6 | 3,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
6072 | KM416V1204CJL-45 | 1M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45ns, VCC = 3,3 В, само-регенерации | Samsung Electronic |
6073 | KM416V1204CJL-50 | 1M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нс, VCC = 3,3 В, само-регенерации | Samsung Electronic |
6074 | KM416V1204CJL-60 | 1M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нс, VCC = 3,3 В, само-регенерации | Samsung Electronic |
6075 | KM416V1204CT-45 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными из, 45ns, VCC = 3,3 В, обновите период = 16мс | Samsung Electronic |
6076 | KM416V1204CT-5 | 3,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
6077 | KM416V1204CT-50 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными из, 50 нс, VCC = 3,3 В, обновите период = 16мс | Samsung Electronic |
6078 | KM416V1204CT-6 | 3,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
6079 | KM416V1204CT-60 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными из, 60 нс, VCC = 3,3 В, обновите период = 16мс | Samsung Electronic |
6080 | KM416V1204CT-L5 | 3,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
6081 | KM416V1204CT-L6 | 3,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
6082 | KM416V1204CTL-45 | 1M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45ns, VCC = 3,3 В, само-регенерации | Samsung Electronic |
6083 | KM416V1204CTL-50 | 1M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нс, VCC = 3,3 В, само-регенерации | Samsung Electronic |
6084 | KM416V1204CTL-60 | 1M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нс, VCC = 3,3 В, само-регенерации | Samsung Electronic |
6085 | KM416V254D | ШТОССЕЛЬ 256K х 16Bit cmos динамический
с выдвинутыми данными вне | Samsung Electronic |
6086 | KM416V254DJ-5 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 3,3 В, 50 нс, 8ms период обновления | Samsung Electronic |
6087 | KM416V254DJ-6 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 3,3 В, 60 нс, 8ms период обновления | Samsung Electronic |
6088 | KM416V254DJ-7 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 3,3 В, 70ns, 8ms период обновления | Samsung Electronic |
6089 | KM416V254DJL-5 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 3,3 В, 50 нс, само-обновления | Samsung Electronic |
6090 | KM416V254DJL-6 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 3,3 В, 60 нс, само-обновления | Samsung Electronic |
6091 | KM416V254DJL-7 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 3,3 В, 70ns, само-обновления | Samsung Electronic |
6092 | KM416V254DT-5 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 3,3 В, 50 нс, 8ms период обновления | Samsung Electronic |
6093 | KM416V254DT-6 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 3,3 В, 60 нс, 8ms период обновления | Samsung Electronic |
6094 | KM416V254DT-7 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 3,3 В, 70ns, 8ms период обновления | Samsung Electronic |
6095 | KM416V254DTL-5 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 3,3 В, 50 нс, само-обновления | Samsung Electronic |
6096 | KM416V254DTL-6 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 3,3 В, 60 нс, само-обновления | Samsung Electronic |
6097 | KM416V254DTL-7 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 3,3 В, 70ns, само-обновления | Samsung Electronic |
6098 | KM416V256D | ШТОССЕЛЬ 256K х 16Bit cmos динамический
с быстрым режимом страницы | Samsung Electronic |
6099 | KM416V256DJ-5 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницы, 50 нс, 3,3 | Samsung Electronic |
6100 | KM416V256DJ-6 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницы, 60 нс, 3,3 | Samsung Electronic |
| | | |