|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 10329 English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
6001KM416V1004BJ-L73,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 70nsSamsung Electronic
6002KM416V1004BT-53,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
6003KM416V1004BT-63,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
6004KM416V1004BT-73,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 70nsSamsung Electronic
6005KM416V1004BT-L53,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
6006KM416V1004BT-L63,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
6007KM416V1004BT-L73,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 70nsSamsung Electronic
6008KM416V1004CШТОССЕЛЬ 1M x 16Bit cmos динамический с выдвинутыми данными внеSamsung Electronic
6009KM416V1004CJ-451M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными из, 45ns, VCC = 3,3 В, обновите период = 64 мсSamsung Electronic
6010KM416V1004CJ-53,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
6011KM416V1004CJ-501M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными из, 50 нс, VCC = 3,3 В, обновите период = 64 мсSamsung Electronic
6012KM416V1004CJ-63,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
6013KM416V1004CJ-601M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными из, 60 нс, VCC = 3,3 В, обновите период = 64 мсSamsung Electronic
6014KM416V1004CJ-L53,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
6015KM416V1004CJ-L63,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
6016KM416V1004CJL-451M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45ns, VCC = 3,3 В, само-регенерацииSamsung Electronic
6017KM416V1004CJL-501M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нс, VCC = 3,3 В, само-регенерацииSamsung Electronic
6018KM416V1004CJL-601M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нс, VCC = 3,3 В, само-регенерацииSamsung Electronic
6019KM416V1004CT-451M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными из, 45ns, VCC = 3,3 В, обновите период = 64 мсSamsung Electronic
6020KM416V1004CT-53,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
6021KM416V1004CT-501M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными из, 50 нс, VCC = 3,3 В, обновите период = 64 мсSamsung Electronic
6022KM416V1004CT-63,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
6023KM416V1004CT-601M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными из, 60 нс, VCC = 3,3 В, обновите период = 64 мсSamsung Electronic
6024KM416V1004CT-L53,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
6025KM416V1004CT-L63,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
6026KM416V1004CTL-451M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45ns, VCC = 3,3 В, само-регенерацииSamsung Electronic
6027KM416V1004CTL-501M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нс, VCC = 3,3 В, само-регенерацииSamsung Electronic
6028KM416V1004CTL-601M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нс, VCC = 3,3 В, само-регенерацииSamsung Electronic
6029KM416V1200BШТОССЕЛЬ 1M x 16Bit cmos динамический с быстрым режимом страницыSamsung Electronic
6030KM416V1200BJ-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нсSamsung Electronic
6031KM416V1200BJ-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нсSamsung Electronic
6032KM416V1200BJ-71M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 70nsSamsung Electronic
6033KM416V1200BJL-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нсSamsung Electronic
6034KM416V1200BJL-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нсSamsung Electronic
6035KM416V1200BJL-71M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 70nsSamsung Electronic
6036KM416V1200BT-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нсSamsung Electronic
6037KM416V1200BT-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нсSamsung Electronic
6038KM416V1200BT-71M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 70nsSamsung Electronic
6039KM416V1200BTL-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нсSamsung Electronic
6040KM416V1200BTL-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нсSamsung Electronic
6041KM416V1200BTL-71M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 70nsSamsung Electronic
6042KM416V1200CШТОССЕЛЬ 1M x 16Bit cmos динамический с быстрым режимом страницыSamsung Electronic
6043KM416V1200CJ-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нсSamsung Electronic
6044KM416V1200CJ-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нсSamsung Electronic
6045KM416V1200CJL-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нсSamsung Electronic
6046KM416V1200CJL-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нсSamsung Electronic
6047KM416V1200CT-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нсSamsung Electronic
6048KM416V1200CT-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нсSamsung Electronic
6049KM416V1200CTL-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нсSamsung Electronic
6050KM416V1200CTL-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нсSamsung Electronic
6051KM416V1204BJШТОССЕЛЬ 1M x 16BIT cmos DYNAMIT С ВЫДВИНУТЫМИ ДАННЫМИ ВНЕSamsung Electronic
6052KM416V1204BJ-53,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
6053KM416V1204BJ-63,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
6054KM416V1204BJ-73,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 70nsSamsung Electronic
6055KM416V1204BJ-L53,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
6056KM416V1204BJ-L63,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
6057KM416V1204BJ-L73,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 70nsSamsung Electronic



6058KM416V1204BT-53,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
6059KM416V1204BT-63,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
6060KM416V1204BT-73,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 70nsSamsung Electronic
6061KM416V1204BT-L53,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
6062KM416V1204BT-L63,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
6063KM416V1204BT-L73,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 70nsSamsung Electronic
6064KM416V1204CШТОССЕЛЬ 1M x 16Bit cmos динамический с выдвинутыми данными внеSamsung Electronic
6065KM416V1204CJ-451M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными из, 45ns, VCC = 3,3 В, обновите период = 16мсSamsung Electronic
6066KM416V1204CJ-53,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
6067KM416V1204CJ-501M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными из, 50 нс, VCC = 3,3 В, обновите период = 16мсSamsung Electronic
6068KM416V1204CJ-63,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
6069KM416V1204CJ-601M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными из, 60 нс, VCC = 3,3 В, обновите период = 16мсSamsung Electronic
6070KM416V1204CJ-L53,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
6071KM416V1204CJ-L63,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
6072KM416V1204CJL-451M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45ns, VCC = 3,3 В, само-регенерацииSamsung Electronic
6073KM416V1204CJL-501M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нс, VCC = 3,3 В, само-регенерацииSamsung Electronic
6074KM416V1204CJL-601M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нс, VCC = 3,3 В, само-регенерацииSamsung Electronic
6075KM416V1204CT-451M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными из, 45ns, VCC = 3,3 В, обновите период = 16мсSamsung Electronic
6076KM416V1204CT-53,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
6077KM416V1204CT-501M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными из, 50 нс, VCC = 3,3 В, обновите период = 16мсSamsung Electronic
6078KM416V1204CT-63,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
6079KM416V1204CT-601M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными из, 60 нс, VCC = 3,3 В, обновите период = 16мсSamsung Electronic
6080KM416V1204CT-L53,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
6081KM416V1204CT-L63,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
6082KM416V1204CTL-451M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45ns, VCC = 3,3 В, само-регенерацииSamsung Electronic
6083KM416V1204CTL-501M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нс, VCC = 3,3 В, само-регенерацииSamsung Electronic
6084KM416V1204CTL-601M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нс, VCC = 3,3 В, само-регенерацииSamsung Electronic
6085KM416V254DШТОССЕЛЬ 256K х 16Bit cmos динамический с выдвинутыми данными внеSamsung Electronic
6086KM416V254DJ-5256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 3,3 В, 50 нс, 8ms период обновленияSamsung Electronic
6087KM416V254DJ-6256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 3,3 В, 60 нс, 8ms период обновленияSamsung Electronic
6088KM416V254DJ-7256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 3,3 В, 70ns, 8ms период обновленияSamsung Electronic
6089KM416V254DJL-5256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 3,3 В, 50 нс, само-обновленияSamsung Electronic
6090KM416V254DJL-6256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 3,3 В, 60 нс, само-обновленияSamsung Electronic
6091KM416V254DJL-7256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 3,3 В, 70ns, само-обновленияSamsung Electronic
6092KM416V254DT-5256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 3,3 В, 50 нс, 8ms период обновленияSamsung Electronic
6093KM416V254DT-6256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 3,3 В, 60 нс, 8ms период обновленияSamsung Electronic
6094KM416V254DT-7256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 3,3 В, 70ns, 8ms период обновленияSamsung Electronic
6095KM416V254DTL-5256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 3,3 В, 50 нс, само-обновленияSamsung Electronic
6096KM416V254DTL-6256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 3,3 В, 60 нс, само-обновленияSamsung Electronic
6097KM416V254DTL-7256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 3,3 В, 70ns, само-обновленияSamsung Electronic
6098KM416V256DШТОССЕЛЬ 256K х 16Bit cmos динамический с быстрым режимом страницыSamsung Electronic
6099KM416V256DJ-5256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницы, 50 нс, 3,3Samsung Electronic
6100KM416V256DJ-6256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницы, 60 нс, 3,3Samsung Electronic

Страница: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 | 57 | 58 | 59 | 60 | 61 | 62 | 63 | 64 | 65 | 66 | 67 | 68 | 69 | 70 | 71 | 72 | 73 | 74 | 75 | 76 | 77 | 78 | 79 | 80 | 81 | 82 | 83 | 84 | 85 | 86 | 87 | 88 | 89 | 90 | 91 | 92 | 93 | 94 | 95 | 96 | 97 | 98 | 99 | 100 | 101 | 102 | 103 | 104 |


© 2023    www.datasheetcatalog.net/ru/samsungelectronic/1/