| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 6301 | KM44C4103CK-6 | 4M х 4bit CMOS четырехъядерный CAS DRAM в режиме быстрого страницы, 5В, 60 нс | Samsung Electronic |
| 6302 | KM44C4103CKL-5 | 4M х 4bit CMOS четырехъядерный CAS DRAM в режиме быстрого страницы, 5В, 50 нс | Samsung Electronic |
| 6303 | KM44C4103CKL-6 | 4M х 4bit CMOS четырехъядерный CAS DRAM в режиме быстрого страницы, 5В, 60 нс | Samsung Electronic |
| 6304 | KM44C4103CS-5 | 4M х 4bit CMOS четырехъядерный CAS DRAM в режиме быстрого страницы, 5В, 50 нс | Samsung Electronic |
| 6305 | KM44C4103CS-6 | 4M х 4bit CMOS четырехъядерный CAS DRAM в режиме быстрого страницы, 5В, 60 нс | Samsung Electronic |
| 6306 | KM44C4103CSL-5 | 4M х 4bit CMOS четырехъядерный CAS DRAM в режиме быстрого страницы, 5В, 50 нс | Samsung Electronic |
| 6307 | KM44C4103CSL-6 | 4M х 4bit CMOS четырехъядерный CAS DRAM в режиме быстрого страницы, 5В, 60 нс | Samsung Electronic |
| 6308 | KM44C4104A-5 | 50 нс; V (см / вход / выход): -1 до + 7В; 1W; 4M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне | Samsung Electronic |
| 6309 | KM44C4104A-6 | 60 нс; V (см / вход / выход): -1 до + 7В; 1W; 4M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне | Samsung Electronic |
| 6310 | KM44C4104A-7 | 70 нс; V (см / вход / выход): -1 до + 7В; 1W; 4M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне | Samsung Electronic |
| 6311 | KM44C4104A-8 | 80 не; V (см / вход / выход): -1 до + 7В; 1W; 4M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне | Samsung Electronic |
| 6312 | KM44C4104AL-5 | 50 нс; V (см / вход / выход): -1 до + 7В; 1W; 4M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне | Samsung Electronic |
| 6313 | KM44C4104AL-6 | 60 нс; V (см / вход / выход): -1 до + 7В; 1W; 4M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне | Samsung Electronic |
| 6314 | KM44C4104AL-7 | 70 нс; V (см / вход / выход): -1 до + 7В; 1W; 4M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне | Samsung Electronic |
| 6315 | KM44C4104AL-8 | 80 не; V (см / вход / выход): -1 до + 7В; 1W; 4M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне | Samsung Electronic |
| 6316 | KM44C4104ALL-5 | 50 нс; V (см / вход / выход): -1 до + 7В; 1W; 4M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне | Samsung Electronic |
| 6317 | KM44C4104ALL-6 | 60 нс; V (см / вход / выход): -1 до + 7В; 1W; 4M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне | Samsung Electronic |
| 6318 | KM44C4104ALL-7 | 70 нс; V (см / вход / выход): -1 до + 7В; 1W; 4M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне | Samsung Electronic |
| 6319 | KM44C4104ALL-8 | 80 не; V (см / вход / выход): -1 до + 7В; 1W; 4M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне | Samsung Electronic |
| 6320 | KM44C4104ASL-5 | 50 нс; V (см / вход / выход): -1 до + 7В; 1W; 4M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне | Samsung Electronic |
| 6321 | KM44C4104ASL-6 | 60 нс; V (см / вход / выход): -1 до + 7В; 1W; 4M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне | Samsung Electronic |
| 6322 | KM44C4104ASL-7 | 70 нс; V (см / вход / выход): -1 до + 7В; 1W; 4M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне | Samsung Electronic |
| 6323 | KM44C4104ASL-8 | 80 не; V (см / вход / выход): -1 до + 7В; 1W; 4M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне | Samsung Electronic |
| 6324 | KM44C4105C | DRAM cas квада 4M х 4Bit cmos
с выдвинутыми данными вне | Samsung Electronic |
| 6325 | KM44C4105CK-5 | 4M х 4bit CMOS четырехъядерный CAS DRAM с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
| 6326 | KM44C4105CK-6 | 4M х 4bit CMOS четырехъядерный CAS DRAM с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
| 6327 | KM44C4105CKL-5 | 4M х 4bit CMOS четырехъядерный CAS DRAM с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
| 6328 | KM44C4105CKL-6 | 4M х 4bit CMOS четырехъядерный CAS DRAM с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
| 6329 | KM44C4105CS-5 | 4M х 4bit CMOS четырехъядерный CAS DRAM с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
| 6330 | KM44C4105CS-6 | 4M х 4bit CMOS четырехъядерный CAS DRAM с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
| 6331 | KM44C4105CSL-5 | 4M х 4bit CMOS четырехъядерный CAS DRAM с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
| 6332 | KM44C4105CSL-6 | 4M х 4bit CMOS четырехъядерный CAS DRAM с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
| 6333 | KM44L32031BT | Лист Данным по 128Mb DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 6334 | KM44L32031BT-F0 | 128 Мб DDR SDRAM. Версия 0.61, Операционная частота. 100 МГц, скорость 10 нс. | Samsung Electronic |
| 6335 | KM44L32031BT-FY | 128 Мб DDR SDRAM. Версия 0.61, Операционная частота. 133 МГц, скорость 7,5 нс. | Samsung Electronic |
| 6336 | KM44L32031BT-FZ | 128 Мб DDR SDRAM. Версия 0.61, Операционная частота. 133 МГц, скорость 7,5 нс. | Samsung Electronic |
| 6337 | KM44L32031BT-G(F)0 | Вариант 0.61 Спецификации DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 6338 | KM44L32031BT-G(F)Y | Вариант 0.61 Спецификации DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 6339 | KM44L32031BT-G(F)Z | Вариант 0.61 Спецификации DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 6340 | KM44L32031BT-G(L)0 | Вариант 1.0 Спецификации DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 6341 | KM44L32031BT-G(L)Y | Вариант 1.0 Спецификации DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 6342 | KM44L32031BT-G(L)Z | Вариант 1.0 Спецификации DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 6343 | KM44L32031BT-G0 | 128 Мб DDR SDRAM. Версия 0.61, Операционная частота. 100 МГц, скорость 10 нс. | Samsung Electronic |
| 6344 | KM44L32031BT-GY | 128 Мб DDR SDRAM. Версия 0.61, Операционная частота. 133 МГц, скорость 7,5 нс. | Samsung Electronic |
| 6345 | KM44L32031BT-GZ | 128 Мб DDR SDRAM. Версия 0.61, Операционная частота. 133 МГц, скорость 7,5 нс. | Samsung Electronic |
| 6346 | KM44S16030BT-G_F10 | 100 МГц; -1,0 Для 4,6 В; 1W; 50 мА; 4M х 4-битные х 4 Банки синхронный CMOS SDRAM | Samsung Electronic |
| 6347 | KM44S16030BT-G_F8 | 125MHz; -1,0 Для 4,6 В; 1W; 50 мА; 4M х 4-битные х 4 Банки синхронный CMOS SDRAM | Samsung Electronic |
| 6348 | KM44S16030BT-G_FH | 100 МГц; -1,0 Для 4,6 В; 1W; 50 мА; 4M х 4-битные х 4 Банки синхронный CMOS SDRAM | Samsung Electronic |
| 6349 | KM44S16030BT-G_FL | 100 МГц; -1,0 Для 4,6 В; 1W; 50 мА; 4M х 4-битные х 4 Банки синхронный CMOS SDRAM | Samsung Electronic |
| 6350 | KM44S16030CT-G_F10 | 100 МГц; -1,0 Для 4,6 В; 1W; 50 мА; 4M х 4-битные х 4 Банки синхронный CMOS SDRAM | Samsung Electronic |
| 6351 | KM44S16030CT-G_F7 | 143 МГц; -1,0 Для 4,6 В; 1W; 50 мА; 4M х 4-битные х 4 Банки синхронный CMOS SDRAM | Samsung Electronic |
| 6352 | KM44S16030CT-G_F8 | 125MHz; -1,0 Для 4,6 В; 1W; 50 мА; 4M х 4-битные х 4 Банки синхронный CMOS SDRAM | Samsung Electronic |
| 6353 | KM44S16030CT-G_FH | 100 МГц; -1,0 Для 4,6 В; 1W; 50 мА; 4M х 4-битные х 4 Банки синхронный CMOS SDRAM | Samsung Electronic |
| 6354 | KM44S16030CT-G_FL | 100 МГц; -1,0 Для 4,6 В; 1W; 50 мА; 4M х 4-битные х 4 Банки синхронный CMOS SDRAM | Samsung Electronic |
| 6355 | KM44S32030 | 8M х 4Bit x DRAM LVTTL 4
кренов одновременный | Samsung Electronic |
| 6356 | KM44S32030B | 8M х 4Bit x DRAM LVTTL 4
кренов одновременный | Samsung Electronic |
| 6357 | KM44S32030BT-G/F10 | 128Mbit SDRAM 8M х 4Bit x
DRAM LVTTL 4 кренов одновременный | Samsung Electronic |
| 6358 | KM44S32030BT-G/F8 | 128Mbit SDRAM 8M х 4Bit x
DRAM LVTTL 4 кренов одновременный | Samsung Electronic |
| 6359 | KM44S32030BT-G/FA | 128Mbit SDRAM 8M х 4Bit x
DRAM LVTTL 4 кренов одновременный | Samsung Electronic |
| 6360 | KM44S32030BT-G/FH | 128Mbit SDRAM 8M х 4Bit x
DRAM LVTTL 4 кренов одновременный | Samsung Electronic |
| 6361 | KM44S32030BT-G/FL | 128Mbit SDRAM 8M х 4Bit x
DRAM LVTTL 4 кренов одновременный | Samsung Electronic |
| 6362 | KM44S32030T-G/F10 | 8M х 4Bit x DRAM LVTTL 4
кренов одновременный | Samsung Electronic |
| 6363 | KM44S32030T-G/F8 | 8M х 4Bit x DRAM LVTTL 4
кренов одновременный | Samsung Electronic |
| 6364 | KM44S32030T-G/FH | 8M х 4Bit x DRAM LVTTL 4
кренов одновременный | Samsung Electronic |
| 6365 | KM44S32030T-G/FL | 8M х 4Bit x DRAM LVTTL 4
кренов одновременный | Samsung Electronic |
| 6366 | KM44S3203BT-G_F10 | 8M х 4bit х 4 Банки синхронный ДРАМЫ LVTTL. Макс частота. 66 МГц (CL = 2 & 3). | Samsung Electronic |
| 6367 | KM44S3203BT-G_F8 | 8M х 4bit х 4 Банки синхронный ДРАМЫ LVTTL. Макс частота. 125 МГц (CL = 3). | Samsung Electronic |
| 6368 | KM44S3203BT-G_FA | 8M х 4bit х 4 Банки синхронный ДРАМЫ LVTTL. Макс частота. 133 МГц (CL = 3). | Samsung Electronic |
| 6369 | KM44S3203BT-G_FH | 8M х 4bit х 4 Банки синхронный ДРАМЫ LVTTL. Макс частота. 100 МГц (CL = 2). | Samsung Electronic |
| 6370 | KM44S3203BT-G_FL | 8M х 4bit х 4 Банки синхронный ДРАМЫ LVTTL. Макс частота. 100 МГц (CL = 3). | Samsung Electronic |
| 6371 | KM44V1000D | ШТОССЕЛЬ 1M x 4Bit cmos
динамический с быстрым режимом страницы | Samsung Electronic |
| 6372 | KM44V1000DJ-6 | 1M х 4bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нс | Samsung Electronic |
| 6373 | KM44V1000DJ-7 | 1M х 4bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 70ns | Samsung Electronic |
| 6374 | KM44V1000DJL-6 | 1M х 4bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нс | Samsung Electronic |
| 6375 | KM44V1000DJL-7 | 1M х 4bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 70ns | Samsung Electronic |
| 6376 | KM44V1000DT-6 | 1M х 4bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нс | Samsung Electronic |
| 6377 | KM44V1000DT-7 | 1M х 4bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 70ns | Samsung Electronic |
| 6378 | KM44V1000DTL-6 | 1M х 4bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нс | Samsung Electronic |
| 6379 | KM44V1000DTL-7 | 1M х 4bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 70ns | Samsung Electronic |
| 6380 | KM44V4000C | ШТОССЕЛЬ 4M х 4Bit cmos динамический с
быстрым режимом страницы | Samsung Electronic |
| 6381 | KM44V4000CK-5 | 4M х 4bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нс | Samsung Electronic |
| 6382 | KM44V4000CK-6 | 4M х 4bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нс | Samsung Electronic |
| 6383 | KM44V4000CKL-5 | 4M х 4bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нс | Samsung Electronic |
| 6384 | KM44V4000CKL-6 | 4M х 4bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нс | Samsung Electronic |
| 6385 | KM44V4000CS-5 | 4M х 4bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нс | Samsung Electronic |
| 6386 | KM44V4000CS-6 | 4M х 4bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нс | Samsung Electronic |
| 6387 | KM44V4000CSL-5 | 4M х 4bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нс | Samsung Electronic |
| 6388 | KM44V4000CSL-6 | 4M х 4bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нс | Samsung Electronic |
| 6389 | KM44V4100C | ШТОССЕЛЬ 4M х 4Bit cmos динамический с
быстрым режимом страницы | Samsung Electronic |
| 6390 | KM44V4100CK-5 | 4M х 4bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нс | Samsung Electronic |
| 6391 | KM44V4100CK-6 | 4M х 4bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нс | Samsung Electronic |
| 6392 | KM44V4100CKL-5 | 4M х 4bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нс | Samsung Electronic |
| 6393 | KM44V4100CKL-6 | 4M х 4bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нс | Samsung Electronic |
| 6394 | KM44V4100CS-5 | 4M х 4bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нс | Samsung Electronic |
| 6395 | KM44V4100CS-6 | 4M х 4bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нс | Samsung Electronic |
| 6396 | KM44V4100CSL-5 | 4M х 4bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нс | Samsung Electronic |
| 6397 | KM44V4100CSL-6 | 4M х 4bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нс | Samsung Electronic |
| 6398 | KM44V4104BK | V (см): -0,5 до + 4,6 В; 1W; 50 мА; 4M х 4-битный CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне | Samsung Electronic |
| 6399 | KM48C2000B | ШТОССЕЛЬ 2M х 8Bit cmos динамический с
быстрым режимом страницы | Samsung Electronic |
| 6400 | KM48C2000BK-5 | 2M х 8 бит CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 50 нс | Samsung Electronic |
| | | |
