| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 20101 | STD12N06L | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ НИЗКИЙА ПОРОГ
РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 20102 | STD12N06L | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 20103 | STD12N10L | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 20104 | STD12N10L | Н - КАНАЛ 100V - 0.12 Ома - ТРАНЗИСТОР
Mos СИЛЫ НИЗКИЙА ПОРОГ 12ЈA TO-252 | SGS Thomson Microelectronics |
| 20105 | STD12NE06 | Н - КАНАЛ 60V - 0.08 Ома - 12ЈA -
IPAK/DPAK ОПРЕДЕЛЯЮТ Mosfet СИЛЫ РАЗМЕРА ХАРАКТЕРИСТИКИ | SGS Thomson Microelectronics |
| 20106 | STD12NE06L | N-CHANNEL 60V - 0.09 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 12ЈA IPAK/DPAK STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 20107 | STD12NE06L | Н - КАНАЛ 60V - 0.09 Ома - Mosfet
СИЛЫ 12ЈA TO-251/TO-252 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 20108 | STD12NF06 | N-CHANNEL 60V - 0.08 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 12ЈA IPAK/DPAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 20109 | STD12NF06L | N-CHANNEL 60V - 0.08 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 12ЈA IPAK/DPAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 20110 | STD13003 | ТРАНЗИСТОР СИЛЫ ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ
FAST-SWITCHING NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 20111 | STD150NH02L | N-CHANNEL 24 - 0,0033 Ом - 150A CLIPPAK / IPAK STRIPFET III MOSFET ДЛЯ DC-DC КОНВЕРТАЦИИ | SGS Thomson Microelectronics |
| 20112 | STD15N06 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 20113 | STD15N06 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 20114 | STD15N06L | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 20115 | STD15N06L | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ НИЗКИЙА ПОРОГ
РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 20116 | STD15NF10 | N-CHANNEL 100V - 0.060 ОМА - MOSFET
СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET II СТРОБА 23ЈA DPAK
НИЗКИЙ | SGS Thomson Microelectronics |
| 20117 | STD15NF10 | Н - КАНАЛ 100V - 0.073ЈOhm -
Mosfet СИЛЫ STripFET ОБЯЗАННОСТИ СТРОБА 15ЈA
TO-252 НИЗКИЙ | SGS Thomson Microelectronics |
| 20118 | STD16NE06 | Н - КАНАЛ 60V - 0.07 Ома - Mosfet
СИЛЫ 16ЈA DPAK/IPAK STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 20119 | STD16NE06L | Н - КАНАЛ 60V - 0.07 Ома - 16ЈA -
Mosfet СИЛЫ DPAK STripFET " | SGS Thomson Microelectronics |
| 20120 | STD16NE06L-1 | Н - КАНАЛ 60V - 0.07 Ома - 16ЈA -
Mosfet СИЛЫ TO-251 STripFET " | SGS Thomson Microelectronics |
| 20121 | STD16NE10 | Н - КАНАЛ 100V - 0.07Ohm - 16ЈA -
Mosfet IPAK/DPAK STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 20122 | STD16NE10L | Н - КАНАЛ 100V - 0.07 Ома - Mosfet
СИЛЫ 16ЈA DPAK STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 20123 | STD17N05 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 20124 | STD17N05 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 20125 | STD17N05L | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 20126 | STD17N05L | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ НИЗКИЙА ПОРОГ
РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 20127 | STD17N06 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 20128 | STD17N06 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 20129 | STD17N06L | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ НИЗКИЙА ПОРОГ
РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 20130 | STD17N06L | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 20131 | STD17NE03L | Н - КАНАЛ 30V - 0.034ЈOhms - 17A -
Mosfet СИЛЫ DPAK/IPAK STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 20132 | STD17NF03L | MOSFET СИЛЫ ОМА 17A DPAK/IPAK
STRIFET N-CHANNEL 30V 0.038 | SGS Thomson Microelectronics |
| 20133 | STD17NF03L-1 | MOSFET СИЛЫ ОМА 17A DPAK/IPAK
STRIFET N-CHANNEL 30V 0.038 | SGS Thomson Microelectronics |
| 20134 | STD19NE06 | N-CHANNEL 60V - 0.042 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 19A IPAK/DPAK STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 20135 | STD19NE06L | N-CHANNEL 60V - 0.038 ОМА - 19A -
MOSFET СИЛЫ TO-251/TO-252 STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 20136 | STD19NE06L | Н - КАНАЛ 60V - 0.038 Ома - 19A -
Mosfet СИЛЫ TO-251/TO-252 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 20137 | STD1HNC60 | MOSFET ОМА 2ЈA DPAK/IPAK POWERMESH
II N-CHANNEL 600V 4 | SGS Thomson Microelectronics |
| 20138 | STD1HNC60-1 | MOSFET ОМА 2ЈA DPAK/IPAK POWERMESH
II N-CHANNEL 600V 4 | SGS Thomson Microelectronics |
| 20139 | STD1LNC60 | N-CHANNEL 600V 12 MOSFET 1A
DPAK/IPAK POWERMESH II ОМА | SGS Thomson Microelectronics |
| 20140 | STD1LNC60-1 | N-CHANNEL 600V 12 MOSFET 1A
DPAK/IPAK POWERMESH II ОМА | SGS Thomson Microelectronics |
| 20141 | STD1NA60 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 20142 | STD1NA60 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 20143 | STD1NB50 | Н - КАНАЛ 500V - 7.5ЈOhm - Mosfet
1.4ЈA IPAK PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 20144 | STD1NB60 | Н - КАНАЛ 600V - 7.4ЈOhm - 1A -
Mosfet IPAK/DPAK PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 20145 | STD1NB80 | Н - КАНАЛ 800V - 16 Омов - 1A -
Mosfet DPAK/IPAK PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 20146 | STD1NB80-1 | Н - КАНАЛ 800V - 16 Омов - 1A -
Mosfet IPAK PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 20147 | STD1NC40-1 | Н - КАНАЛ 400V - 8Ohm - 1A -
Mosfet IPAK PowerMESH II | SGS Thomson Microelectronics |
| 20148 | STD1NC60 | MOSFET ОМА 1.4ЈA DPAK/IPAK
POWERMESH II N-CHANNEL 600V 7 | SGS Thomson Microelectronics |
| 20149 | STD1NC70Z | MOSFET ОМА 1.4ЈA
TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED POWERMESH
III N-CHANNEL 700V 7.3 | SGS Thomson Microelectronics |
| 20150 | STD1NC70Z-1 | MOSFET ОМА 1.4ЈA
TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED POWERMESH
III N-CHANNEL 700V 7.3 | SGS Thomson Microelectronics |
| 20151 | STD20NE03L | Н - Mosfet РАЗМЕРА ] ХАРАКТЕРИСТИКИ РЕЖИМА
?INGLE ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА ?OWER | SGS Thomson Microelectronics |
| 20152 | STD20NE03L | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 20153 | STD20NE06 | Н - Mosfet РАЗМЕРА ?OWER ХАРАКТЕРИСТИКИ
РЕЖИМА ?INGLE ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 20154 | STD20NF10 | N-CHANNEL 100V - 0.038 ОМА - MOSFET
СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET II СТРОБА 30A IPAK/DPAK
НИЗКИЙ | SGS Thomson Microelectronics |
| 20155 | STD25NE03L | Н - КАНАЛ 30V - 0.019 Ома - 25ЈA -
Mosfet СИЛЫ TO-251/TO-252 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 20156 | STD25NF10 | MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА ОМА
25ЈA DPAK N-CHANNEL 100V 0.033 НИЗКИЙ | SGS Thomson Microelectronics |
| 20157 | STD29NF03L | Н - КАНАЛ 30V - 0.018 Ома - Mosfet
СИЛЫ STripFET ОБЯЗАННОСТИ СТРОБА 29A DPAK НИЗКИЙ | SGS Thomson Microelectronics |
| 20158 | STD29NF03L | N-CHANNEL 30V - 0.015 ОМА - MOSFET
СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET II СТРОБА 29A IPAK/DPAK
НИЗКИЙ | SGS Thomson Microelectronics |
| 20159 | STD2N50 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 20160 | STD2N50-1 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 20161 | STD2NA50 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 20162 | STD2NA50-1 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 20163 | STD2NA50T4 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 20164 | STD2NA60 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 20165 | STD2NA60 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 20166 | STD2NB25 | Н - КАНАЛ 250V - 1.7Ohm - 2ЈA -
Mosfet IPAK/DPAK PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 20167 | STD2NB40 | Н - КАНАЛ 400V - 3.5ЈOhm - 2ЈA -
Mosfet IPAK/DPAK PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 20168 | STD2NB60 | Н - Mosfet PowerMESH РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 20169 | STD2NB80 | Н - КАНАЛ 800V - 4.6 Ома - 1.9A -
Mosfet IPAK/DPAK PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 20170 | STD2NC40-1 | N-CHANNEL 400V - 4.7Ohm - Mosfet
1.5ЈA IPAK PowerMesh II | SGS Thomson Microelectronics |
| 20171 | STD2NC40-1 | N-CHANNEL 400V - 4.7Ohm - Mosfet
1.5ЈA IPAK PowerMesh II | SGS Thomson Microelectronics |
| 20172 | STD2NC40-1 | MOSFET ОМА 1.5ЈA IPAK POWERMESH
II N-CHANNEL 400V 4.7 | SGS Thomson Microelectronics |
| 20173 | STD2NC50 | MOSFET N-CHANNEL 500V 3ЈOHM
2.2ЈA DPAK/IPAK POWERMESH II | SGS Thomson Microelectronics |
| 20174 | STD2NC50-1 | MOSFET N-CHANNEL 500V 3ЈOHM
2.2ЈA DPAK/IPAK POWERMESH II | SGS Thomson Microelectronics |
| 20175 | STD2NC60 | MOSFET ОМА 2ЈA DPAK/IPAK POWERMESH
II N-CHANNEL 600V 3.3 | SGS Thomson Microelectronics |
| 20176 | STD2NC60-1 | MOSFET ОМА 2ЈA DPAK/IPAK POWERMESH
II N-CHANNEL 600V 3.3 | SGS Thomson Microelectronics |
| 20177 | STD2NC70Z | MOSFET ОМА 2.3ЈA DPAK/IPAK
ZENER-PROTECTED POWERMESH III N-CHANNEL 700V
4.1 | SGS Thomson Microelectronics |
| 20178 | STD2NC70Z-1 | MOSFET ОМА 2.3ЈA DPAK/IPAK
ZENER-PROTECTED POWERMESH III N-CHANNEL 700V
4.1 | SGS Thomson Microelectronics |
| 20179 | STD2NM60 | MOSFET СИЛЫ ОМА 2ЈA DPAK/IPAK
ZENER-PROTECTED MDMESH N-CHANNEL 600V 2.8 | SGS Thomson Microelectronics |
| 20180 | STD2NM60-1 | MOSFET СИЛЫ ОМА 2ЈA DPAK/IPAK
ZENER-PROTECTED MDMESH N-CHANNEL 600V 2.8 | SGS Thomson Microelectronics |
| 20181 | STD30NE06 | Н - КАНАЛ 60V - 0.025 Ома - 30A -
Mosfet СИЛЫ DPAK STripFET " | SGS Thomson Microelectronics |
| 20182 | STD30NE06L | Н - КАНАЛ 60V - 0.025 Ома - Mosfet
СИЛЫ 30A TO-252 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 20183 | STD30NF03L | Н - КАНАЛ 30V - 0.020 Ома - Mosfet
СИЛЫ 30A DPAK STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 20184 | STD30NF03L | N-CHANNEL 30V - 0.020 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 30A DPAK/IPAK STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 20185 | STD30NF06 | N-CHANNEL 60V - 0.020 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 28ЈA IPAK/DPAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 20186 | STD30NF06L | ОМ 35ЈA DPAK N-CHANNEL 60V
0.022/$$ET-MOSFET СИЛЫ IPAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 20187 | STD30PF03L | MOSFET СИЛЫ ОМА 24ЈA DPAK/IPAK
STRIPFET II P-CHANNEL 30V 0.025 | SGS Thomson Microelectronics |
| 20188 | STD30PF03L-1 | MOSFET СИЛЫ ОМА 24ЈA DPAK/IPAK
STRIPFET II P-CHANNEL 30V 0.025 | SGS Thomson Microelectronics |
| 20189 | STD35NF06 | ОМ 55ЈA N-CHANNEL 60V 0.018 -
DPAK - MOSFET СИЛЫ STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 20190 | STD35NF06L | MOSFET ОМА 35ЈA DPAK STRIPFET
II N-CHANNEL 60V 0.014 | SGS Thomson Microelectronics |
| 20191 | STD35NF3LL | N-CHANNEL 30V - 0.014 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 35ЈA IPAK/DPAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 20192 | STD35NF3LL-1 | N-CHANNEL 30V - 0.014 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 35ЈA IPAK/DPAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 20193 | STD38NF03L | Н - КАНАЛ 30V - 0.013 Ома - Mosfet
СИЛЫ 38ЈA TO-252 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 20194 | STD38NF03L | N-CHANNEL 30V - 0.011 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 38ЈA DPAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 20195 | STD3N25 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 20196 | STD3N25 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 20197 | STD3N30 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 20198 | STD3N30-1 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 20199 | STD3N30L | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 20200 | STD3N30L-1 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| | | |
