|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 25532 English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
20201STD3NA50СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
20202STD3NA50Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
20203STD3NB30N-CHANNEL 300V - 1.8 ОМА - MOSFET 3.2ЈA DPAK POWERMESHSGS Thomson Microelectronics
20204STD3NB30Н - КАНАЛ 300V - 1.8W - 3.2ЈA - Mosfet DPAK PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
20205STD3NB50Н - КАНАЛ 500V - 2.5ЈOhm - 3ЈA - Mosfet IPAK/DPAK PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
20206STD3NC50Н - КАНАЛ 500V - 2.4 Ома - Mosfet 3ЈA TO-251/TO-252 PowerMESH IISGS Thomson Microelectronics
20207STD3NC60Н - КАНАЛ 600V - 2 Ома - Mosfet 3.2ЈA TO-251/TO-252 PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
20208STD40NE03LН - КАНАЛ 30V - 0.012 Ома - Mosfet СИЛЫ 40A TO-252 STripFETSGS Thomson Microelectronics
20209STD40NF02LN-CHANNEL 20V - 0.0095 ОМА - MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА 40A DPAK НИЗКИЙSGS Thomson Microelectronics
20210STD40NF02LN-CHANNEL 20V - 0.01 Ома - Mosfet СИЛЫ STripFET ОБЯЗАННОСТИ СТРОБА 40A DPAK НИЗКИЙSGS Thomson Microelectronics
20211STD40NF03LN-CHANNEL 30V - 0.0095 ОМА - MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА 40A DPAK НИЗКИЙSGS Thomson Microelectronics
20212STD40NF03LН - КАНАЛ 30V - 0.012 Ома - Mosfet СИЛЫ STripFET ОБЯЗАННОСТИ СТРОБА 40A DPAK НИЗКИЙSGS Thomson Microelectronics
20213STD40NF06LZN-CHANNEL 60V - 0.020 ОМА - MOSFET СИЛЫ 40A DPAK ZENER-PROTECTED STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
20214STD40NF3LLN-CHANNEL 30V - 0.0095 Ома - Mosfet СИЛЫ STripFET ОБЯЗАННОСТИ СТРОБА 40A DPAK НИЗКИЙ ]SGS Thomson Microelectronics
20215STD40NF3LLN-CHANNEL 30V - 0.0095 ОМА - MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА 40A DPAK НИЗКИЙSGS Thomson Microelectronics
20216STD45NF03LН - КАНАЛ 30V - 0.011 Ома - Mosfet СИЛЫ 45ЈA DPAK STripFETSGS Thomson Microelectronics
20217STD4N25Н - ТРАНЗИСТОРЫ Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
20218STD4N25-1ТРАНЗИСТОРЫ MOS СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ N-CHANNELSGS Thomson Microelectronics
20219STD4NA40Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА БЫСТРЫЙSGS Thomson Microelectronics
20220STD4NA40-1ТРАНЗИСТОР MOS СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ N-CHANNEL БЫСТРЫЙSGS Thomson Microelectronics
20221STD4NB25Н - КАНАЛ 250V - 0.95ЈOhm - 4ЈA - Mosfet DPAK/IPAK PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
20222STD4NB40Н - Mosfet PowerMESH РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
20223STD4NB40MOSFET ОМА 4ЈA DPAK/IPAK POWERMESH N-CHANNEL 400V 1.47SGS Thomson Microelectronics
20224STD4NB40-1MOSFET ОМА 4ЈA DPAK/IPAK POWERMESH N-CHANNEL 400V 1.47SGS Thomson Microelectronics
20225STD4NC50N-CHANNEL 500V - 1.3 ОМА - 3.7A - MOSFET IPAK/DPAK POWERMESHSGS Thomson Microelectronics
20226STD4NC50Н - КАНАЛ 500V - 1.3 Ома - 3.7 Mosfet TO-251 PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
20227STD4NS25MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ ОМА 4ЈA DPAK/IPAK N-CHANNEL 250V 0.9SGS Thomson Microelectronics
20228STD5N20Н - КАНАЛ 200V - 0.7W - 5ЈA - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ TO-251/TO-252SGS Thomson Microelectronics
20229STD5NB20Н - КАНАЛ 200V - 0.70 Ома - Mosfet 5ЈA DPAK PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
20230STD5NB30Н - КАНАЛ 300V - 0.75 Ш - 5ЈA - Mosfet DPAK PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
20231STD5NE10Н - КАНАЛ 100V - 0.32 Ома - Mosfet СИЛЫ 5ЈA TO-251/TO-252 STripFETSGS Thomson Microelectronics
20232STD5NE10LН - КАНАЛ 100V - 0.3 Ома - 5ЈA - Mosfet СИЛЫ DPAK/IPAK STripFETSGS Thomson Microelectronics
20233STD5NM50MOSFET СИЛЫ ОМА 5ЈA DPAK/IPAK MDMESH N-CHANNEL 500V 0.7SGS Thomson Microelectronics
20234STD5NM50N-CHANNEL 500V - 0.7 Ома - Mosfet Силы 5ЈA DPAK MdmeshSGS Thomson Microelectronics
20235STD5NM50-1MOSFET СИЛЫ ОМА 5ЈA DPAK/IPAK MDMESH N-CHANNEL 500V 0.7SGS Thomson Microelectronics
20236STD5NM60N-CHANNEL 600V - 0.8Ohm - Mosfet Силы 5ЈA DPAK MdmeshSGS Thomson Microelectronics
20237STD5NM60MOSFET СИЛЫ ОМА 8ЈA TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK MDMESH N-CHANNEL 600V 0.9SGS Thomson Microelectronics
20238STD5NM60-1MOSFET СИЛЫ ОМА 8ЈA TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK MDMESH N-CHANNEL 600V 0.9SGS Thomson Microelectronics
20239STD60NF3LLMOSFET СИЛЫ ОМА 60A DPAK STRIPFET II N-CHANNEL 30V 0.0075SGS Thomson Microelectronics
20240STD60NF55LMOSFET СИЛЫ ОМА 60A DPAK STRIPFET N-CHANNEL 55V 0.012SGS Thomson Microelectronics
20241STD616AВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ТРАНЗИСТОР СИЛЫ NPNSGS Thomson Microelectronics
20242STD616A-1ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ТРАНЗИСТОР СИЛЫ NPNSGS Thomson Microelectronics
20243STD6N10СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
20244STD6N10Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
20245STD7NB20Н - Mosfet PowerMESH РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
20246STD7NS20Н - КАНАЛ 200V - 0.35 Ома - 7A - Mosfet ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ DPAKSGS Thomson Microelectronics
20247STD83003ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ быстрой коммутации NPN СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОРSGS Thomson Microelectronics
20248STD8N06СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
20249STD8N06Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
20250STD8NS25MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ ОМА 8ЈA DPAK N-CHANNEL 250V 0.38SGS Thomson Microelectronics
20251STD93003ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ быстрой коммутации PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОРSGS Thomson Microelectronics
20252STD9N10СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
20253STD9N10Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
20254STD9N10LСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
20255STD9N10LН - КАНАЛ 100V - 0.22ЈOhm - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ 9A IPAK/DPAKSGS Thomson Microelectronics
20256STDELIVПРИКАЗЫВАЯ ИНФОРМАЦИЯ ДЛЯ ПАКЕТА И ПОСТАВКИSGS Thomson Microelectronics
20257STDID5BN-CHANNEL 55V - MOSFET СИЛЫ 0.1 ОМОВ -12ЈA TO-252 STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
20258STE10РЕГУЛЯТОР ETHERNET PCI10/100 С ИНТЕГРИРОВАННЫМ PHY (5V)SGS Thomson Microelectronics
20259STE10РЕГУЛЯТОР ETHERNET PCI 10/100 С ИНТЕГРИРОВАННЫМ PHY (3.3V)SGS Thomson Microelectronics
20260STE10STE10/100A - РЕГУЛЯТОР ETHERNET PCI 10/100 С PHY DATASHEETSGS Thomson Microelectronics
20261STE100РЕГУЛЯТОР ETHERNET PCI10/100 С ИНТЕГРИРОВАННЫМ PHY (5V)SGS Thomson Microelectronics
20262STE100ASTE10/100A - РЕГУЛЯТОР ETHERNET PCI 10/100 С PHY DATASHEETSGS Thomson Microelectronics
20263STE100AРЕГУЛЯТОР ETHERNET PCI 10/100 С ИНТЕГРИРОВАННЫМ PHY (3.3V)SGS Thomson Microelectronics
20264STE100PЙ0/ФАСТ ПРИЕМОПЕРЕДАТЧИК ETHERNET 3.3VSGS Thomson Microelectronics
20265STE100PSTE100P - ОДИНОЧНЫЙ PORT БЫСТРЫЙ ETHERNET PHY/PRIEMOPEREDATCIKSGS Thomson Microelectronics
20266STE10_100PCI 10/100 Ethernet контроллер с интегрированными PHY (5V)SGS Thomson Microelectronics
20267STE10_100APCI 10/100 Ethernet контроллер с интегрированными PHY (3,3)SGS Thomson Microelectronics
20268STE110NA20Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА БЫСТРЫЙSGS Thomson Microelectronics
20269STE110NS20FDMOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ ОМА 110A ISOTOP N-CHANNEL 200V 0.022SGS Thomson Microelectronics
20270STE15NA100Н - РЕЖИМ ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА, БЫСТРЫЙ ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫSGS Thomson Microelectronics



20271STE180N10Н - КАНАЛ 100V - mOhm 5.5 - 180A - mosfet СИЛЫ ISOTOPSGS Thomson Microelectronics
20272STE180N10СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
20273STE180NE10N-CHANNEL 100V - mOhm 4.5 - mosfet СИЛЫ 180A ISOTOP STripFETSGS Thomson Microelectronics
20274STE180NE10N-CHANNEL 100V - 4.5 MOSFET СИЛЫ MOHM -180A ISOTOP STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
20275STE200065 Х 128 ОДИНОЧНЫХ РЕГУЛЯТОРОВ/ВОДИТЕЛЬ Lcd ОБЛОМОКАSGS Thomson Microelectronics
20276STE200165 Х 128 ОДИНОЧНЫХ РЕГУЛЯТОРОВ/ВОДИТЕЛЬ Lcd ОБЛОМОКАSGS Thomson Microelectronics
20277STE2002DIE181 X 128 одной микросхеме контроллер ЖКИ / ВОДИТЕЛЬSGS Thomson Microelectronics
20278STE2002DIE281 X 128 одной микросхеме контроллер ЖКИ / ВОДИТЕЛЬSGS Thomson Microelectronics
20279STE24NA100Н - КАНАЛ 1000V - 0.35W - 24ЈA - ISOTOP, БЫСТРЫЙ Mosfet СИЛЫSGS Thomson Microelectronics
20280STE250N06Длина / Высота 12,2 мм Ширина 25,4 мм Глубина 38 мм рассеиваемая мощность 450 Вт Транзистор полярности N Channel центров крепежных 31,6 мм ТекущSGS Thomson Microelectronics
20281STE250NS10N-CHANNEL 100V - 0.0045 ОМА - MOSFET СИЛЫ 220A ISOTOP STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
20282STE26NA90Н - КАНАЛ 900V - 0.25 Ома - 26ЈA - ISOTOP ГОЛОДАЮТ Mosfet СИЛЫSGS Thomson Microelectronics
20283STE38NB50Н - КАНАЛ 500V - 0.11 Ома - 38ЈA - Mosfet ISOTOP PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
20284STE38NB50FН - КАНАЛ 500V - 0.11 Ома - 38ЈA - Mosfet ISOTOP PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
20285STE400PSTE400P - 4 ПРИЕМОПЕРЕДАТЧИК ETHERNET ПОРТА 10/100 БЫСТРЫЙ/PHY DATASHEETSGS Thomson Microelectronics
20286STE40NA60Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА БЫСТРЫЙSGS Thomson Microelectronics
20287STE40NC60MOSFET СИЛЫ ОМА 40A ISOTOP POWERMESH II N-CHANNEL 600V 0.098SGS Thomson Microelectronics
20288STE48NM50MOSFET СИЛЫ ОМА 48ЈA ISOTOP MDMESH N-CHANNEL 500V 0.08SGS Thomson Microelectronics
20289STE53NA50Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА БЫСТРЫЙSGS Thomson Microelectronics
20290STE800PSTE800P - PORT БЫСТРЫЙ ПРИЕМОПЕРЕДАТЧИК ETHERNET 8SGS Thomson Microelectronics
20291STF2222AМАЛЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИГНАЛА NPNSGS Thomson Microelectronics
20292STF2907AМАЛЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИГНАЛА PNP В TO-5SGS Thomson Microelectronics
20293STF42МАЛЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИГНАЛА NPNSGS Thomson Microelectronics
20294STF715ТРАНЗИСТОРЫ средней мощности NPNSGS Thomson Microelectronics
20295STF715-STN715ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ NPN СРЕДСТВSGS Thomson Microelectronics
20296STF817ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ PNP СРЕДСТВSGS Thomson Microelectronics
20297STF92МАЛЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИГНАЛА PNP В TO-5SGS Thomson Microelectronics
20298STFIVE408ST 5 ЧЕРЕПАШКА 408 СЕРИЙ И WARNING СПИСОКSGS Thomson Microelectronics
20299STFIVE508СЕМЬЯ С TIMER/PWM, ADC 8-BIT ICU, SCI, I2C, SPI, ДО 8K EPROM ИЛИ ВНЕЗАПНОЙ ПАМЯТИSGS Thomson Microelectronics
20300STFLAFM10/SWПРИСПОСОБИТЕЛЬНЫЙ ПУШИСТЫЙ МОДЕЛЬЕР 1.0SGS Thomson Microelectronics

Страница: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 | 57 | 58 | 59 | 60 | 61 | 62 | 63 | 64 | 65 | 66 | 67 | 68 | 69 | 70 | 71 | 72 | 73 | 74 | 75 | 76 | 77 | 78 | 79 | 80 | 81 | 82 | 83 | 84 | 85 | 86 | 87 | 88 | 89 | 90 | 91 | 92 | 93 | 94 | 95 | 96 | 97 | 98 | 99 | 100 | 101 | 102 | 103 | 104 | 105 | 106 | 107 | 108 | 109 | 110 | 111 | 112 | 113 | 114 | 115 | 116 | 117 | 118 | 119 | 120 | 121 | 122 | 123 | 124 | 125 | 126 | 127 | 128 | 129 | 130 | 131 | 132 | 133 | 134 | 135 | 136 | 137 | 138 | 139 | 140 | 141 | 142 | 143 | 144 | 145 | 146 | 147 | 148 | 149 | 150 | 151 | 152 | 153 | 154 | 155 | 156 | 157 | 158 | 159 | 160 | 161 | 162 | 163 | 164 | 165 | 166 | 167 | 168 | 169 | 170 | 171 | 172 | 173 | 174 | 175 | 176 | 177 | 178 | 179 | 180 | 181 | 182 | 183 | 184 | 185 | 186 | 187 | 188 | 189 | 190 | 191 | 192 | 193 | 194 | 195 | 196 | 197 | 198 | 199 | 200 | 201 | 202 | 203 | 204 | 205 | 206 | 207 | 208 | 209 | 210 | 211 | 212 | 213 | 214 | 215 | 216 | 217 | 218 | 219 | 220 | 221 | 222 | 223 | 224 | 225 | 226 | 227 | 228 | 229 | 230 | 231 | 232 | 233 | 234 | 235 | 236 | 237 | 238 | 239 | 240 | 241 | 242 | 243 | 244 | 245 | 246 | 247 | 248 | 249 | 250 | 251 | 252 | 253 | 254 | 255 | 256 |


© 2023    www.datasheetcatalog.net/ru/sgsthomsonmicroelectronics/1/