|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 25532 English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
20701STP22NE03LН - РАЗМЕРА ХАРАКТЕРИСТИКИ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА "Mosfet СИЛЫ ОДИНОЧНОГО"SGS Thomson Microelectronics
20702STP22NE10LН - КАНАЛ 100V - 0.07 Ома - Mosfet СИЛЫ 22ЈA TO-220 STripFETSGS Thomson Microelectronics
20703STP22NF03LMOSFET СИЛЫ ОМА 22ЈA TO-220 STRIPFET N-CHANNEL 30V 0.038SGS Thomson Microelectronics
20704STP24NF10Н - КАНАЛ 100V - 0.07Ohm - Mosfet СИЛЫ STripFET ОБЯЗАННОСТИ СТРОБА 24ЈA TO-220 НИЗКИЙSGS Thomson Microelectronics
20705STP25N06Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
20706STP25N06FIН - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
20707STP2HNC60MOSFET ОМА 2.2ЈA TO-220/TO-220FP POWERMESH II N-CHANNEL 600V 4SGS Thomson Microelectronics
20708STP2HNC60FPMOSFET ОМА 2.2ЈA TO-220/TO-220FP POWERMESH II N-CHANNEL 600V 4SGS Thomson Microelectronics
20709STP2N60Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
20710STP2N60СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
20711STP2N60FIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
20712STP2N60FIН - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
20713STP2N80СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
20714STP2N80Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
20715STP2N80FIН - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
20716STP2N80FIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
20717STP2NA50Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
20718STP2NA50СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
20719STP2NA50FIН - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
20720STP2NA50FIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
20721STP2NC60MOSFET ОМА 1.9A TO-220/TO-220FP POWERMESH II N-CHANNEL 600V 7SGS Thomson Microelectronics
20722STP2NC60FPMOSFET ОМА 1.9A TO-220/TO-220FP POWERMESH II N-CHANNEL 600V 7SGS Thomson Microelectronics
20723STP2NC70ZMOSFET ОМА 1.4ЈA TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED POWERMESH III N-CHANNEL 700V 7.3SGS Thomson Microelectronics
20724STP2NC70ZFPMOSFET ОМА 1.4ЈA TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED POWERMESH III N-CHANNEL 700V 7.3SGS Thomson Microelectronics
20725STP3015LN-CHANNEL 30V - 0.013 ОМА - MOSFET СИЛЫ 40A D2PAK/TO-220 STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
20726STP3015LН - КАНАЛ 30V - 0.013 Ш - 40A - Mosfet СИЛЫ Д 2 PAK/TO-220 STripFETSGS Thomson Microelectronics
20727STP3020LН - КАНАЛ 30V - 0.019W - 40A - Mosfet СИЛЫ TO-220 STripFETSGS Thomson Microelectronics
20728STP30N05Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
20729STP30N05СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
20730STP30N05FIН - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
20731STP30N05FIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
20732STP30N06Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
20733STP30N06СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
20734STP30N06FIН - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
20735STP30N06FIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
20736STP30NE03LН - КАНАЛ 30V - 0.028 Ома - Mosfet СИЛЫ 30A TO-220/TO-220FP STripFETSGS Thomson Microelectronics
20737STP30NE03LFPН - КАНАЛ 30V - 0.028 Ома - Mosfet СИЛЫ 30A TO-220/TO-220FP STripFETSGS Thomson Microelectronics
20738STP30NE06Н - КАНАЛ 60V - 0.042 Ома - 30A - Mosfet СИЛЫ TO-220/TO-220FP STripFETSGS Thomson Microelectronics
20739STP30NE06N-CHANNEL 60V - 0.042 ОМА - 30A - MOSFET СИЛЫ TO-220/TO-220FP STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
20740STP30NE06FPН - КАНАЛ 60V - 0.042 Ома - 30A - Mosfet СИЛЫ TO-220/TO-220FP STripFETSGS Thomson Microelectronics
20741STP30NE06FPN-CHANNEL 60V - 0.042 ОМА - 30A - MOSFET СИЛЫ TO-220/TO-220FP STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
20742STP30NE06LN-CHANNEL 60V - 0.035 ОМА - 30A - MOSFET СИЛЫ TO-220/TO-220FP STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
20743STP30NE06LН - КАНАЛ 60V - 0.035 Ома - 30A - Mosfet СИЛЫ TO-220/TO-220FP STripFETSGS Thomson Microelectronics
20744STP30NE06LFPN-CHANNEL 60V - 0.035 ОМА - 30A - MOSFET СИЛЫ TO-220/TO-220FP STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
20745STP30NE06LFPН - КАНАЛ 60V - 0.035 Ома - 30A - Mosfet СИЛЫ TO-220/TO-220FP STripFETSGS Thomson Microelectronics
20746STP30NF10MOSFET СИЛЫ II ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА ОМА 35ЈA TO-220/TO-220FP/D2PAK N-CHANNEL 100V 0.038 НИЗКИЙSGS Thomson Microelectronics
20747STP30NF10FPMOSFET СИЛЫ II ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА ОМА 35ЈA TO-220/TO-220FP/D2PAK N-CHANNEL 100V 0.038 НИЗКИЙSGS Thomson Microelectronics
20748STP32N05LСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
20749STP32N05LН - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
20750STP32N05LFIН - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
20751STP32N06LН - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
20752STP32N06LСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
20753STP32N06LFIН - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
20754STP32N06LFIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
20755STP33N10Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
20756STP33N10СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
20757STP33N10FIН - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
20758STP33N10FIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
20759STP35NF10MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА ОМА 40A TO-220/D2PAK N-CHANNEL 100V 0 030 НИЗКИЙSGS Thomson Microelectronics
20760STP36N05LН - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
20761STP36N05LСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
20762STP36N05LFIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
20763STP36N06Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
20764STP36N06СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
20765STP36N06FIН - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
20766STP36N06FIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
20767STP36N06LН - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
20768STP36N06LСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
20769STP36N06LFIН - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics



20770STP36N06LFIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
20771STP36NE06Н - КАНАЛ 60V - 0.032 Ома - 36ЈA - Mosfet СИЛЫ TO-220/TO-220FP STripFETSGS Thomson Microelectronics
20772STP36NE06N-CHANNEL - 60V - 0.032 ОМА - 36ЈA - MOSFET СИЛЫ TO-220/TO-220FP STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
20773STP36NE06FPN-CHANNEL - 60V - 0.032 ОМА - 36ЈA - MOSFET СИЛЫ TO-220/TO-220FP STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
20774STP36NF03LMOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА ОМА -36ЈA TO-220 N-CHANNEL 30V 0.015 НИЗКИЙSGS Thomson Microelectronics
20775STP36NF03LN-CHANNEL 30V - 0.015 Ома - Mosfet СИЛЫ STripFET ОБЯЗАННОСТИ СТРОБА 36ЈA TO-220 НИЗКИЙSGS Thomson Microelectronics
20776STP38N06СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
20777STP38N06Н - ТРАНЗИСТОР Mos РЕЖИМА ?TRA ВЫСОКИЙ DENSITY?OWER ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
20778STP3N100СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
20779STP3N100Н - РЕЖИМ ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА, ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫSGS Thomson Microelectronics
20780STP3N100FIН - РЕЖИМ ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА, ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫSGS Thomson Microelectronics
20781STP3N100FIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
20782STP3NA100Н - РЕЖИМ ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА, БЫСТРЫЙ ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫSGS Thomson Microelectronics
20783STP3NA100СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
20784STP3NA100FIН - РЕЖИМ ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА, БЫСТРЫЙ ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫSGS Thomson Microelectronics
20785STP3NA100FPСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
20786STP3NA50Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА БЫСТРЫЙSGS Thomson Microelectronics
20787STP3NA50FIН - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА БЫСТРЫЙSGS Thomson Microelectronics
20788STP3NA60Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА БЫСТРЫЙSGS Thomson Microelectronics
20789STP3NA60FIН - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА БЫСТРЫЙSGS Thomson Microelectronics
20790STP3NA80Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА БЫСТРЫЙSGS Thomson Microelectronics
20791STP3NA80FIН - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА БЫСТРЫЙSGS Thomson Microelectronics
20792STP3NA90Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА БЫСТРЫЙSGS Thomson Microelectronics
20793STP3NA90СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
20794STP3NA90FIН - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА БЫСТРЫЙSGS Thomson Microelectronics
20795STP3NA90FIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
20796STP3NB100Н - КАНАЛ 1000V - 5.3 Ш - 3 А - TO-220/TO-220FP, Mosfet PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
20797STP3NB100N-CHANNEL 1000V - 5.3 ОМА - 3ЈA - MOSFET TO-220/TO-220FP POWERMESHSGS Thomson Microelectronics
20798STP3NB100FPN-CHANNEL 1000V - 5.3 ОМА - 3ЈA - MOSFET TO-220/TO-220FP POWERMESHSGS Thomson Microelectronics
20799STP3NB60Н - Mosfet PowerMESH РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
20800STP3NB60MOSFET РЕЖИМА POWERMESH ПОВЫШЕНИЯ N-CHANNELSGS Thomson Microelectronics

Страница: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 | 57 | 58 | 59 | 60 | 61 | 62 | 63 | 64 | 65 | 66 | 67 | 68 | 69 | 70 | 71 | 72 | 73 | 74 | 75 | 76 | 77 | 78 | 79 | 80 | 81 | 82 | 83 | 84 | 85 | 86 | 87 | 88 | 89 | 90 | 91 | 92 | 93 | 94 | 95 | 96 | 97 | 98 | 99 | 100 | 101 | 102 | 103 | 104 | 105 | 106 | 107 | 108 | 109 | 110 | 111 | 112 | 113 | 114 | 115 | 116 | 117 | 118 | 119 | 120 | 121 | 122 | 123 | 124 | 125 | 126 | 127 | 128 | 129 | 130 | 131 | 132 | 133 | 134 | 135 | 136 | 137 | 138 | 139 | 140 | 141 | 142 | 143 | 144 | 145 | 146 | 147 | 148 | 149 | 150 | 151 | 152 | 153 | 154 | 155 | 156 | 157 | 158 | 159 | 160 | 161 | 162 | 163 | 164 | 165 | 166 | 167 | 168 | 169 | 170 | 171 | 172 | 173 | 174 | 175 | 176 | 177 | 178 | 179 | 180 | 181 | 182 | 183 | 184 | 185 | 186 | 187 | 188 | 189 | 190 | 191 | 192 | 193 | 194 | 195 | 196 | 197 | 198 | 199 | 200 | 201 | 202 | 203 | 204 | 205 | 206 | 207 | 208 | 209 | 210 | 211 | 212 | 213 | 214 | 215 | 216 | 217 | 218 | 219 | 220 | 221 | 222 | 223 | 224 | 225 | 226 | 227 | 228 | 229 | 230 | 231 | 232 | 233 | 234 | 235 | 236 | 237 | 238 | 239 | 240 | 241 | 242 | 243 | 244 | 245 | 246 | 247 | 248 | 249 | 250 | 251 | 252 | 253 | 254 | 255 | 256 |


© 2023    www.datasheetcatalog.net/ru/sgsthomsonmicroelectronics/1/