Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
1 | T14L256A-8J | 8ns; -0,5 До 4,6 В; 1,0 Вт; 32 х 8 высокоскоростной CMOS статическое ОЗУ | TM Technology |
2 | T14L256A-8P | 8ns; -0,5 До 4,6 В; 1,0 Вт; 32 х 8 высокоскоростной CMOS статическое ОЗУ | TM Technology |
3 | T14M1024-10H | 10 нс; -0,5 До 7.0V; 1,0 Вт; 50 мА; 128 х 8 высокоскоростной CMOS статическое ОЗУ | TM Technology |
4 | T14M1024-10J | 10 нс; -0,5 До 7.0V; 1,0 Вт; 50 мА; 128 х 8 высокоскоростной CMOS статическое ОЗУ | TM Technology |
5 | T14M1024-10P | 10 нс; -0,5 До 7.0V; 1,0 Вт; 50 мА; 128 х 8 высокоскоростной CMOS статическое ОЗУ | TM Technology |
6 | T14M256A-8J | 8ns; -0,5 До 7.0V; 1,0 Вт; 50 мА; 32 х 8 высокоскоростной CMOS статическое ОЗУ | TM Technology |
7 | T14M256A-8P | 8ns; -0,5 До 7.0V; 1,0 Вт; 50 мА; 32 х 8 высокоскоростной CMOS статическое ОЗУ | TM Technology |
8 | T15L256A-35J | 35ns; -0,5 До 4,6 В; 0,5 Вт; 32 х 8 высокоскоростной CMOS статическое ОЗУ | TM Technology |
9 | T15L256A-70D | 70 нс; -0,5 До 4,6 В; 0,5 Вт; 32 х 8 высокоскоростной CMOS статическое ОЗУ | TM Technology |
10 | T15L256A-70P | 70 нс; -0,5 До 4,6 В; 0,5 Вт; 32 х 8 высокоскоростной CMOS статическое ОЗУ | TM Technology |
11 | T15M1024A-100DI | -0,5 До 7В; 0,7 Вт; 128 х 8 низкие CMOS питания статического ОЗУ | TM Technology |
12 | T15M1024A-100HI | -0,5 До 7В; 0,7 Вт; 128 х 8 низкие CMOS питания статического ОЗУ | TM Technology |
13 | T15M1024A-100N | -0,5 До 7В; 0,7 Вт; 128 х 8 низкие CMOS питания статического ОЗУ | TM Technology |
14 | T15M1024A-100NI | -0,5 До 7В; 0,7 Вт; 128 х 8 низкие CMOS питания статического ОЗУ | TM Technology |
15 | T15M1024A-100P | -0,5 До 7В; 0,7 Вт; 128 х 8 низкие CMOS питания статического ОЗУ | TM Technology |
16 | T15M1024A-100PI | -0,5 До 7В; 0,7 Вт; 128 х 8 низкие CMOS питания статического ОЗУ | TM Technology |
17 | T15M1024A-55D | 70 нс; -0,5 7В; 0,7 Вт; 128 х 8 Low Power CMOS Static RAM | TM Technology |
18 | T15M1024A-70H | -0,5 До 7В; 0,7 Вт; 128 х 8 низкие CMOS питания статического ОЗУ | TM Technology |
19 | T15M256A-35J | -0,5 До 6 В; 0,5 Вт; 32 х 8 низкие CMOS питания статического ОЗУ | TM Technology |
20 | T15M256A-70D | -0,5 До 6 В; 0,5 Вт; 32 х 8 низкие CMOS питания статического ОЗУ | TM Technology |
21 | T15M256A-70P | -0,5 До 6 В; 0,5 Вт; 32 х 8 низкие CMOS питания статического ОЗУ | TM Technology |
22 | T15M256B-70D | -0,5 До 7В; 0,7 Вт; 32 х 8 низкие CMOS питания статического ОЗУ | TM Technology |
23 | T15M256B-70J | -0,5 До 7В; 0,7 Вт; 32 х 8 низкие CMOS питания статического ОЗУ | TM Technology |
24 | T15M256B-70JI | -0,5 До 7В; 0,7 Вт; 32 х 8 низкие CMOS питания статического ОЗУ | TM Technology |
25 | T15M256B-70N | -0,5 До 7В; 0,7 Вт; 32 х 8 низкие CMOS питания статического ОЗУ | TM Technology |
26 | T15M256B-70NI | -0,5 До 7В; 0,7 Вт; 32 х 8 низкие CMOS питания статического ОЗУ | TM Technology |
27 | T15M256B-85DI | -0,5 До 7В; 0,7 Вт; 32 х 8 низкие CMOS питания статического ОЗУ | TM Technology |
28 | T15M256B-85P | -0,5 До 7В; 0,7 Вт; 32 х 8 низкие CMOS питания статического ОЗУ | TM Technology |
29 | T15M256B-85PI | -0,5 До 7В; 0,7 Вт; 32 х 8 низкие CMOS питания статического ОЗУ | TM Technology |
30 | T15M256B-85R | -0,5 До 7В; 0,7 Вт; 32 х 8 низкие CMOS питания статического ОЗУ | TM Technology |
31 | T15M256B-85RI | -0,5 До 7В; 0,7 Вт; 32 х 8 низкие CMOS питания статического ОЗУ | TM Technology |
32 | T15M64A-100D | 100 нс; -0,5 7В; 0,7 Вт; 8K х 8 Low Power CMOS Static RAM | TM Technology |
33 | T15M64A-100J | 100 нс; -0,5 7В; 0,7 Вт; 8K х 8 Low Power CMOS Static RAM | TM Technology |
34 | T15M64A-100N | 100 нс; -0,5 7В; 0,7 Вт; 8K х 8 Low Power CMOS Static RAM | TM Technology |
35 | T15M64A-100P | 100 нс; -0,5 7В; 0,7 Вт; 8K х 8 Low Power CMOS Static RAM | TM Technology |
36 | T15N1024A-100C | -0,5 Для 4,6 В; 0,7 Вт; 128K х 8 Low Power CMOS Static RAM | TM Technology |
37 | T15N1024A-100CI | -0,5 Для 4,6 В; 0,7 Вт; 128K х 8 Low Power CMOS Static RAM | TM Technology |
38 | T15N1024A-100HI | -0,5 Для 4,6 В; 0,7 Вт; 128K х 8 Low Power CMOS Static RAM | TM Technology |
39 | T15N1024A-100P | -0,5 Для 4,6 В; 0,7 Вт; 128K х 8 Low Power CMOS Static RAM | TM Technology |
40 | T15N1024A-100PI | -0,5 Для 4,6 В; 0,7 Вт; 128K х 8 Low Power CMOS Static RAM | TM Technology |
41 | T15N1024A-55D | -0,5 Для 4,6 В; 0,7 Вт; 128K х 8 Low Power CMOS Static RAM | TM Technology |
42 | T15N1024A-55DI | -0,5 Для 4,6 В; 0,7 Вт; 128K х 8 Low Power CMOS Static RAM | TM Technology |
43 | T15N1024A-70H | -0,5 Для 4,6 В; 0,7 Вт; 128K х 8 Low Power CMOS Static RAM | TM Technology |
44 | T15N1024A-70HI | -0,5 Для 4,6 В; 0,7 Вт; 128K х 8 Low Power CMOS Static RAM | TM Technology |
45 | T15V256A-70D | -0,5 До 4,6 В; 0,7 Вт; 32K х 8 низкие CMOS питания статического ОЗУ | TM Technology |
46 | T15V256A-85DI | -0,5 До 4,6 В; 0,7 Вт; 32K х 8 низкие CMOS питания статического ОЗУ | TM Technology |
47 | T15V256A-85P | -0,5 До 4,6 В; 0,7 Вт; 32K х 8 низкие CMOS питания статического ОЗУ | TM Technology |
48 | T15V256A-85PI | -0,5 До 4,6 В; 0,7 Вт; 32K х 8 низкие CMOS питания статического ОЗУ | TM Technology |
49 | T15V256A-85R | -0,5 До 4,6 В; 0,7 Вт; 32K х 8 низкие CMOS питания статического ОЗУ | TM Technology |
50 | T15V256A-85RI | -0,5 До 4,6 В; 0,7 Вт; 32K х 8 низкие CMOS питания статического ОЗУ | TM Technology |
51 | T221160A-30J | 30ns; От 4,5 до 5,5; 1,0 Вт; 64K х 16 Dynamic RAM: Быстрая мода Page | TM Technology |
52 | T221160A-30S | 30ns; От 4,5 до 5,5; 1,0 Вт; 64K х 16 Dynamic RAM: Быстрая мода Page | TM Technology |
53 | T221160A-35J | 35ns; От 4,5 до 5,5; 1,0 Вт; 64K х 16 Dynamic RAM: Быстрая мода Page | TM Technology |
54 | T221160A-35S | 35ns; От 4,5 до 5,5; 1,0 Вт; 64K х 16 Dynamic RAM: Быстрая мода Page | TM Technology |
55 | T224160B | От 4,5 до 5,5; 1,2 Вт; 256 х 16 Dynamic RAM: Быстрая мода Page | TM Technology |
56 | T224162-22J | 256K х 16 ОКБ Page драматическим образом, 22ns | TM Technology |
57 | T224162-22S | 256K х 16 ОКБ Page драматическим образом, 22ns | TM Technology |
58 | T224162-25J | 256K х 16 ОКБ Page драматическим образом, 25 нс | TM Technology |
59 | T224162-25S | 256K х 16 ОКБ Page драматическим образом, 25 нс | TM Technology |
60 | T224162-28J | 256K х 16 ОКБ Page драматическим образом, 28Н | TM Technology |
61 | T224162-28S | 256K х 16 ОКБ Page драматическим образом, 28Н | TM Technology |
62 | T224162-35J | 256K х 16 ОКБ Page драматическим образом, 35ns | TM Technology |
63 | T224162-35S | 256K х 16 ОКБ Page драматическим образом, 35ns | TM Technology |
64 | T224162-45J | 256K х 16 ОКБ Page драматическим образом, 45ns | TM Technology |
65 | T224162-45S | 256K х 16 ОКБ Page драматическим образом, 45ns | TM Technology |
66 | T224162-50J | 256K х 16 ОКБ Page драматическим образом, 50 нс | TM Technology |
67 | T224162-50S | 256K х 16 ОКБ Page драматическим образом, 50 нс | TM Technology |
68 | T224162B | От 4,5 до 5,5; 1,0 Вт; 256 х 16 Dynamic RAM: ОКБ Page моды | TM Technology |
69 | T2316160A | От 4,5 до 5,5; 1,2 Вт; 1024k х 16 Dynamic RAM: Быстрая мода Page | TM Technology |
70 | T2316162A | От 4,5 до 5,5; 1,2 Вт; 1024k х 16 Dynamic RAM: ОКБ Page моды | TM Technology |
71 | T2316405A | От 0,5 до 4,6 В; 1,0 Вт; 4M х 4 Динамическая оперативная память: ОКБ Page моды | TM Technology |
72 | T2316407A | От 0,5 до 4,6 В; 1,0 Вт; 4M х 4 Динамическая оперативная память: ОКБ Page моды | TM Technology |
73 | T35L3232B-3.8Q | От 0,5 до 4,6 В; 1,0 Вт; 32K х 32 SRAM: конвейерный и проточного пакетном режиме | TM Technology |
74 | T35L3232B-4T | От 0,5 до 4,6 В; 1,0 Вт; 32K х 32 SRAM: конвейерный и проточного пакетном режиме | TM Technology |
75 | T35L6432A-5Q | От 0,5 до 4,6 В; 1,6 Вт; 64K х 32 SRAM: 3,3 питания, полностью зарегистрированные входы и выходы, ворвались счетчик | TM Technology |
76 | T35L6432A-5T | От 0,5 до 4,6 В; 1,6 Вт; 64K х 32 SRAM: 3,3 питания, полностью зарегистрированные входы и выходы, ворвались счетчик | TM Technology |
77 | T35L6432B-10Q | От 0,5 до 4,6 В; 1,6 Вт; 64K х 32 SRAM: 3,3 питания, полностью зарегистрированные входы и выходы, ворвались счетчик | TM Technology |
78 | T35L6432B-12T | От 0,5 до 4,6 В; 1,6 Вт; 64K х 32 SRAM: 3,3 питания, полностью зарегистрированные входы и выходы, ворвались счетчик | TM Technology |
79 | T35L6464A-5L | От 0,5 до 4,6 В; 1,6 Вт; 64K х 64 SRAM: 3,3 питания, полностью зарегистрированные входы и выходы, ворвались счетчик | TM Technology |
80 | T35L6464A-5Q | От 0,5 до 4,6 В; 1,6 Вт; 64K х 64 SRAM: 3,3 питания, полностью зарегистрированные входы и выходы, ворвались счетчик | TM Technology |
81 | T4312816A-10S | 100 МГц; От 1,0 до 4,6 В; 1,0 Вт; 8 х 16 SDRAM: 2M х 16 бит х 4banks синхронный ДРАМА | TM Technology |
82 | T4312816A-6S | 166 МГц; От 1,0 до 4,6 В; 1,0 Вт; 8 х 16 SDRAM: 2M х 16 бит х 4banks синхронный ДРАМА | TM Technology |
83 | T4312816A-7.5S | 133; От 1,0 до 4,6 В; 1,0 Вт; 8 х 16 SDRAM: 2M х 16 бит х 4banks синхронный ДРАМА | TM Technology |
84 | T4312816A-7S | 143 МГц; От 1,0 до 4,6 В; 1,0 Вт; 8 х 16 SDRAM: 2M х 16 бит х 4banks синхронный ДРАМА | TM Technology |
85 | T4312816A-8S | 125MHz; От 1,0 до 4,6 В; 1,0 Вт; 8 х 16 SDRAM: 2M х 16 бит х 4banks синхронный ДРАМА | TM Technology |
86 | T431616A-7C | 7ns; От 1,0 до 4,6 В; 1,0 Вт; 1M х 16 SDRAM: 512 х 16 бит х 2banks синхронный ДРАМА | TM Technology |
87 | T431616A-7CI | 7ns; От 1,0 до 4,6 В; 1,0 Вт; 1M х 16 SDRAM: 512 х 16 бит х 2banks синхронный ДРАМА | TM Technology |
88 | T431616A-7S | 7ns; От 1,0 до 4,6 В; 1,0 Вт; 1M х 16 SDRAM: 512 х 16 бит х 2banks синхронный ДРАМА | TM Technology |
89 | T431616A-7SI | 7ns; От 1,0 до 4,6 В; 1,0 Вт; 1M х 16 SDRAM: 512 х 16 бит х 2banks синхронный ДРАМА | TM Technology |
| | | |