| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 3001 | HN3C13FU | Транзисторы Гибрида Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 3002 | HN3C14 | ТИП NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ
(ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ ШУМА ПОЛОСЫ VHF~UHF НИЗКИЕ) | TOSHIBA |
| 3003 | HN3C14F | Транзисторы Гибрида Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 3004 | HN3C14FT | ПОЛОСЫ ТИПА VHF~UHF КРЕМНИЯ NPN ТРАНЗИСТОРА
ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ ШУМА ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛОСКОСТНОЙ НИЗКИЕ | TOSHIBA |
| 3005 | HN3C14FU | Транзисторы Гибрида Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 3006 | HN3C15F | Транзисторы Гибрида Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 3007 | HN3C15FU | Транзисторы Гибрида Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 3008 | HN3C16F | Транзисторы Гибрида Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 3009 | HN3C16FT | Нового изделие Rf | TOSHIBA |
| 3010 | HN3C16FU | Транзисторы Гибрида Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 3011 | HN3C17F | Транзисторы Гибрида Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 3012 | HN3C17FU | Транзисторы Гибрида Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 3013 | HN3C18F | Транзисторы Гибрида Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 3014 | HN3C18FT | Нового изделие Rf | TOSHIBA |
| 3015 | HN3C18FU | Транзисторы Гибрида Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 3016 | HN3C51F | Транзистор для низкой частоты слабого сигнала усиления 2 в 1 | TOSHIBA |
| 3017 | HN3C56FU | Транзистор для низкой частоты слабого сигнала усиления 2 в 1 | TOSHIBA |
| 3018 | HN3C67FE | Транзистор для низкой частоты слабого сигнала усиления 2 в 1 | TOSHIBA |
| 3019 | HN3G01 | ТРАНЗИСТОР ТИПА КРЕМНИЯ NPN Fet ТИПА
СОЕДИНЕНИЯ КАНАЛА Н ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ | TOSHIBA |
| 3020 | HN3G01J | ТРАНЗИСТОР ТИПА КРЕМНИЯ NPN Fet ТИПА
СОЕДИНЕНИЯ КАНАЛА Н ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ | TOSHIBA |
| 3021 | HN4A06J | Транзистор для низкой частоты слабого сигнала усиления 2 в 1 | TOSHIBA |
| 3022 | HN4A08J | Транзистор для низкой частоты слабого сигнала усиления 2 в 1 | TOSHIBA |
| 3023 | HN4A51J | Транзистор для низкой частоты слабого сигнала усиления 2 в 1 | TOSHIBA |
| 3024 | HN4A56JU | Транзистор для низкой частоты слабого сигнала усиления 2 в 1 | TOSHIBA |
| 3025 | HN4B01JE | Транзистор для низкой частоты слабого сигнала усиления 2 в 1 | TOSHIBA |
| 3026 | HN4B04J | Транзистор для низкой частоты слабого сигнала усиления 2 в 1 | TOSHIBA |
| 3027 | HN4B06J | Транзистор для низкой частоты слабого сигнала усиления 2 в 1 | TOSHIBA |
| 3028 | HN4B101J | Мощность транзистор для применения коммутации высокоскоростных | TOSHIBA |
| 3029 | HN4B102J | Мощность транзистор для применения коммутации высокоскоростных | TOSHIBA |
| 3030 | HN4C05JU | Multi применения усилителя тональнозвуковой
частоты приспособления обломока дискретные общего назначения для
приглушая и переключая применений | TOSHIBA |
| 3031 | HN4C06J | Транзистор для низкой частоты слабого сигнала усиления 2 в 1 | TOSHIBA |
| 3032 | HN4C51J | Транзистор для низкой частоты слабого сигнала усиления 2 в 1 | TOSHIBA |
| 3033 | HN4D01JU | Переключение диода | TOSHIBA |
| 3034 | HN4D02JU | Переключение диода | TOSHIBA |
| 3035 | HN4K03JU | Применений Переключения Типа Mos Канала Н Кремния
Транзистора Влияния Поля Применения Переключателя Высокоскоростных
Сетноые-аналогов | TOSHIBA |
| 3036 | HN7G01FU | Multi Отколите Дискретное Применение Цепи
Поверхности стыка Применения Цепи Водителя Применения Переключателя
Управления Силы Приспособления | TOSHIBA |
| 3037 | HN7G02FU | Multi применение переключателя управления силы
приспособления обломока дискретное, применение цепи инвертора,
применение цепи водителя и применение цепи поверхности стыка. | TOSHIBA |
| 3038 | HN9C01FE | ПОЛОСЫ ТИПА VHF~UHF КРЕМНИЯ NPN ТРАНЗИСТОРА
ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ ШУМА ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛОСКОСТНОЙ НИЗКИЕ | TOSHIBA |
| 3039 | HN9C01FT | ПОЛОСЫ ТИПА VHF~UHF КРЕМНИЯ NPN ТРАНЗИСТОРА
ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ ШУМА ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛОСКОСТНОЙ НИЗКИЕ | TOSHIBA |
| 3040 | HN9C09FT | ПОЛОСЫ ТИПА VHF~UHF КРЕМНИЯ NPN ТРАНЗИСТОРА
ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ ШУМА ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛОСКОСТНОЙ НИЗКИЕ | TOSHIBA |
| 3041 | HN9C14FT | ПОЛОСЫ ТИПА VHF~UHF КРЕМНИЯ NPN ТРАНЗИСТОРА
ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ ШУМА ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛОСКОСТНОЙ НИЗКИЕ | TOSHIBA |
| 3042 | HN9C15FT | ПОЛОСЫ ТИПА VHF~UHF КРЕМНИЯ NPN ТРАНЗИСТОРА
ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ ШУМА ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛОСКОСТНОЙ НИЗКИЕ | TOSHIBA |
| 3043 | HN9C22FT | ПОЛОСЫ ТИПА VHF~UHF КРЕМНИЯ NPN ТРАНЗИСТОРА
ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ ШУМА ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛОСКОСТНОЙ НИЗКИЕ | TOSHIBA |
| 3044 | IK-540A | Камера Toshiba IK-540A | TOSHIBA |
| 3045 | JBT6K47-AS | Водитель источника для панелей TFT lcd | TOSHIBA |
| 3046 | JBT6K48-AS | Водитель строба для панели TFT lcd | TOSHIBA |
| 3047 | JBT6K49-AS | IC источника питания для панелей TFT
lcd | TOSHIBA |
| 3048 | JBT6L77-AS | Водитель источника для панелей TFT lcd | TOSHIBA |
| 3049 | JBT6L78-AS | Водитель строба для панели TFT lcd | TOSHIBA |
| 3050 | JBT6N81S | Single-Chip система lsi для карточки
RFID | TOSHIBA |
| 3051 | JBTC94B12-AS | Микрофон для цифровой ECM | TOSHIBA |
| 3052 | JDH2S01FS | Высокая частота барьер Шоттки диод | TOSHIBA |
| 3053 | JDH2S01T | Типа Барьера Schottky Кремния Диода Применения
Смесителя Полосы Эпитаксиального UHF | TOSHIBA |
| 3054 | JDH2S02FS | Высокая частота барьер Шоттки диод | TOSHIBA |
| 3055 | JDH2S02SC | Высокая частота барьер Шоттки диод | TOSHIBA |
| 3056 | JDH3D01FV | Высокая частота барьер Шоттки диод | TOSHIBA |
| 3057 | JDH3D01S | Высокая частота барьер Шоттки диод | TOSHIBA |
| 3058 | JDP2S01AFS | Применения Переключателя Rf Полосы Типа
UHF~VHF ШТЫРЯ Кремния ДИОДА Эпитаксиальные | TOSHIBA |
| 3059 | JDP2S01E | Применения Радиочастотного аттенуатора Полосы Типа
UHF~VHF Штыря Кремния Диода Эпитаксиальные | TOSHIBA |
| 3060 | JDP2S01S | Применения Радиочастотного аттенуатора Полосы Типа
UHF~VHF Штыря Кремния Диода Эпитаксиальные | TOSHIBA |
| 3061 | JDP2S01T | Применения Радиочастотного аттенуатора Полосы Типа
UHF~VHF Штыря Кремния Диода Эпитаксиальные | TOSHIBA |
| 3062 | JDP2S01U | Применения Радиочастотного аттенуатора Полосы Типа
UHF~VHF Штыря Кремния Диода Эпитаксиальные | TOSHIBA |
| 3063 | JDP2S02ACT | Переключение диода Радиочастотная | TOSHIBA |
| 3064 | JDP2S02AFS | Применения Радиочастотного аттенуатора Полосы Типа
UHF~VHF Штыря Кремния Диода Эпитаксиальные | TOSHIBA |
| 3065 | JDP2S02S | Применения Радиочастотного аттенуатора Полосы Типа
UHF~VHF Штыря Кремния Диода Эпитаксиальные | TOSHIBA |
| 3066 | JDP2S02T | Применения Радиочастотного аттенуатора Полосы Типа
UHF~VHF Штыря Кремния Диода Эпитаксиальные | TOSHIBA |
| 3067 | JDP2S04E | Применения Радиочастотного аттенуатора Полосы Типа
UHF~VHF Штыря Кремния Диода Эпитаксиальные | TOSHIBA |
| 3068 | JDP2S05SC | Переключение диода Радиочастотная | TOSHIBA |
| 3069 | JDP2S08SC | Переключение диода Радиочастотная | TOSHIBA |
| 3070 | JDP2S12CR | Переключение диода Радиочастотная | TOSHIBA |
| 3071 | JDP3C02AU | Переключение диода Радиочастотная | TOSHIBA |
| 3072 | JDP3C04TU | Переключение диода Радиочастотная | TOSHIBA |
| 3073 | JDP4P02AT | Переключение диода Радиочастотная | TOSHIBA |
| 3074 | JDP4P02U | Применения Радиочастотного аттенуатора Полосы Типа
UHF~VHF Штыря Кремния Диода Эпитаксиальные | TOSHIBA |
| 3075 | JDS2S03S | Применения Переключателя Полосы Тюнера Vhf Типа
Кремния Диода Эпитаксиальные Плоскостные | TOSHIBA |
| 3076 | JDV2S01E | Тип VCO кремния диода эпитаксиальный плоскостной
для UHF полосы | TOSHIBA |
| 3077 | JDV2S01S | Тип VCO кремния диода эпитаксиальный плоскостной
для UHF полосы | TOSHIBA |
| 3078 | JDV2S02E | Тип кремния диода эпитаксиальный плоскостной, VCO
для UHF полосы | TOSHIBA |
| 3079 | JDV2S02S | Тип VCO кремния диода эпитаксиальный плоскостной
для UHF полосы | TOSHIBA |
| 3080 | JDV2S05E | Тип VCO кремния диода эпитаксиальный плоскостной
для UHF полосы | TOSHIBA |
| 3081 | JDV2S05S | Тип VCO кремния диода эпитаксиальный плоскостной
для UHF полосы | TOSHIBA |
| 3082 | JDV2S06S | Тип кремния диода эпитаксиальный плоскостной, VCO
для UHF радиоего полосы | TOSHIBA |
| 3083 | JDV2S07FS | Переменная емкость диод для применения в электронике тюнинга | TOSHIBA |
| 3084 | JDV2S07S | Тип VCO кремния диода эпитаксиальный плоскостной
для UHF радиоего полосы | TOSHIBA |
| 3085 | JDV2S08S | Тип VCO кремния диода эпитаксиальный плоскостной
для UHF радиоего полосы | TOSHIBA |
| 3086 | JDV2S09FS | Переменная емкость диод для применения в электронике тюнинга | TOSHIBA |
| 3087 | JDV2S09S | Тип VCO кремния диода эпитаксиальный плоскостной
для UHF радиоего полосы | TOSHIBA |
| 3088 | JDV2S10FS | Переменная емкость диод для применения в электронике тюнинга | TOSHIBA |
| 3089 | JDV2S10S | Тип VCO кремния диода эпитаксиальный плоскостной
для UHF радиоего полосы | TOSHIBA |
| 3090 | JDV2S10T | Тип VCO кремния диода эпитаксиальный плоскостной
для UHF радиоего полосы | TOSHIBA |
| 3091 | JDV2S13S | Тип VCO кремния диода эпитаксиальный плоскостной
для UHF радиоего полосы | TOSHIBA |
| 3092 | JDV2S14E | Тип кремния диода эпитаксиальный плоскостной полезный
для VCO/TCXO | TOSHIBA |
| 3093 | JDV2S36E | Переменная емкость диод для применения в электронике тюнинга | TOSHIBA |
| 3094 | JDV2S41FS | Переменная емкость диод для применения в электронике тюнинга | TOSHIBA |
| 3095 | JDV3C11 | Применения эпитаксиального плоскостного типа кремния
диода электронные настраивая приемников FM | TOSHIBA |
| 3096 | JDV4P08U | Тип VCO кремния диода эпитаксиальный плоскостной
для UHF радиоего полосы | TOSHIBA |
| 3097 | JT6A11AX-AS | LSI ОБЛОМОКА CMOS 1 ДЛЯ LCD
SLECTRONIC CALCUTATOR | TOSHIBA |
| 3098 | JT6A36X-AS | T6ЈA36S, lsi JT6ЈA36X-AS cmos
single-Chip для чалькулятора lcd | TOSHIBA |
| 3099 | JT6F18-AS | T6F18, lsi JT6F18-AS cmos
single-Chip для чалькулятора lcd | TOSHIBA |
| 3100 | JT6F19-AS | T6F19, lsi JT6F19-AS cmos
single-Chip для чалькулятора lcd | TOSHIBA |
| | | |
