|   Première page   |   Tous les fabricants   |   Par fonction   |

Le numéro de la pièce, la description ou le fabricant des:

Saut rapide à:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA

Les fiches techniques ont trouvé :: 10329

Nr.	Nom de partie	Description	Fabricant
2801	K4T51163QC-ZCD5	512Mb C-meurent DDR2 SDRAM	Samsung Electronic
2802	K4T51163QC-ZCD6	512Mb C-meurent DDR2 SDRAM	Samsung Electronic
2803	K4T51163QC-ZCE6	512Mb C-meurent DDR2 SDRAM	Samsung Electronic
2804	K4T51163QC-ZCLCC	512Mb C-meurent DDR2 SDRAM	Samsung Electronic
2805	K4T51163QC-ZCLD5	512Mb C-meurent DDR2 SDRAM	Samsung Electronic
2806	K4T51163QC-ZCLD6	512Mb C-meurent DDR2 SDRAM	Samsung Electronic
2807	K4T51163QC-ZCLE6	512Mb C-meurent DDR2 SDRAM	Samsung Electronic
2808	K4T56043QF	256Mb F-meurent DDR2 SDRAM	Samsung Electronic
2809	K4T56043QF-GCD5	256Mb F-meurent DDR2 SDRAM	Samsung Electronic
2810	K4T56043QF-ZCD5	256Mb F-meurent DDR2 SDRAM	Samsung Electronic
2811	K4T56083QF	256Mb F-meurent DDR2 SDRAM	Samsung Electronic
2812	K4T56083QF-GCD5	256Mb F-meurent DDR2 SDRAM	Samsung Electronic
2813	K4T56083QF-GCE6	256Mb F-meurent DDR2 SDRAM	Samsung Electronic
2814	K4T56083QF-ZCD5	256Mb F-meurent DDR2 SDRAM	Samsung Electronic
2815	K4T56083QF-ZCE6	256Mb F-meurent DDR2 SDRAM	Samsung Electronic
2816	K4X56163PE	16M x16 DDR Mobile SDRAM	Samsung Electronic
2817	K4X56163PE-LFG	16M x16 DDR Mobile SDRAM	Samsung Electronic
2818	K4X56163PE-LG	16M x16 DDR Mobile SDRAM	Samsung Electronic
2819	K5A3240YBC-T755	Mémoire Duelle De Banque NI D'Instantané Du Bit de la MÉMOIRE 32M De Paquet De Multi-Morceau (4Mx8/2Mx16)/4M(512Kx8/256Kx16) Plein CMOS SRAM	Samsung Electronic
2820	K5A3240YBC-T855	Mémoire Duelle De Banque NI D'Instantané Du Bit de la MÉMOIRE 32M De Paquet De Multi-Morceau (4Mx8/2Mx16)/4M(512Kx8/256Kx16) Plein CMOS SRAM	Samsung Electronic
2821	K5A3240YT	Mémoire Duelle De Banque NI D'Instantané Du Bit de la MÉMOIRE 32M De Paquet De Multi-Morceau (4Mx8/2Mx16)/4M(512Kx8/256Kx16) Plein CMOS SRAM	Samsung Electronic
2822	K5A3240YTC-T755	Mémoire Duelle De Banque NI D'Instantané Du Bit de la MÉMOIRE 32M De Paquet De Multi-Morceau (4Mx8/2Mx16)/4M(512Kx8/256Kx16) Plein CMOS SRAM	Samsung Electronic
2823	K5A3240YTC-T855	Mémoire Duelle De Banque NI D'Instantané Du Bit de la MÉMOIRE 32M De Paquet De Multi-Morceau (4Mx8/2Mx16)/4M(512Kx8/256Kx16) Plein CMOS SRAM	Samsung Electronic
2824	K5A3280YBC-T755	MÉMOIRE DE MCP	Samsung Electronic
2825	K5A3280YBC-T855	MÉMOIRE DE MCP	Samsung Electronic
2826	K5A3280YTC-T755	MÉMOIRE DE MCP	Samsung Electronic
2827	K5A3280YTC-T855	MÉMOIRE DE MCP	Samsung Electronic
2828	K5A3340YBC-T755	Mémoire Duelle De Banque NI D'Instantané Du Bit de la MÉMOIRE 32M De Paquet De Multi-Morceau (4Mx8/2Mx16)/4M(512Kx8/256Kx16) Plein CMOS SRAM	Samsung Electronic
2829	K5A3340YBC-T855	Mémoire Duelle De Banque NI D'Instantané Du Bit de la MÉMOIRE 32M De Paquet De Multi-Morceau (4Mx8/2Mx16)/4M(512Kx8/256Kx16) Plein CMOS SRAM	Samsung Electronic
2830	K5A3340YT	Mémoire Duelle De Banque NI D'Instantané Du Bit de la MÉMOIRE 32M De Paquet De Multi-Morceau (4Mx8/2Mx16)/4M(512Kx8/256Kx16) Plein CMOS SRAM	Samsung Electronic
2831	K5A3340YTA, K5A3340YBA	Mémoire Duelle De Banque NI D'Instantané Du Bit De 32M (4Mx8/2Mx16)/Fiche technique	Samsung Electronic
2832	K5A3340YTC-T755	Mémoire Duelle De Banque NI D'Instantané Du Bit de la MÉMOIRE 32M De Paquet De Multi-Morceau (4Mx8/2Mx16)/4M(512Kx8/256Kx16) Plein CMOS SRAM	Samsung Electronic
2833	K5A3340YTC-T855	Mémoire Duelle De Banque NI D'Instantané Du Bit de la MÉMOIRE 32M De Paquet De Multi-Morceau (4Mx8/2Mx16)/4M(512Kx8/256Kx16) Plein CMOS SRAM	Samsung Electronic
2834	K5A3380YBC-T755	MÉMOIRE DE MCP	Samsung Electronic
2835	K5A3380YBC-T855	MÉMOIRE DE MCP	Samsung Electronic
2836	K5A3380YTA, K5A3380YBA	Mémoire Duelle De Banque NI D'Instantané Du Bit De 32M (4Mx8/2Mx16)/Fiche technique	Samsung Electronic
2837	K5A3380YTC-T755	MÉMOIRE DE MCP	Samsung Electronic
2838	K5A3380YTC-T855	MÉMOIRE DE MCP	Samsung Electronic
2839	K5A3B41YTA, K5A3B41YBA	Mémoire Duelle De Banque NI D'Instantané Du Bit De 32M (2Mx16)/Fiche technique	Samsung Electronic
2840	K5A3X40YTC	Mémoire Duelle De Banque NI D'Instantané Du Bit de la MÉMOIRE 32M De Paquet De Multi-Morceau (4Mx8/2Mx16)/4M(512Kx8/256Kx16) Plein CMOS SRAM	Samsung Electronic
2841	K5A3X80YTC	MÉMOIRE DE MCP	Samsung Electronic
2842	K5C6417YTM/K5C6417YBM	Bit De 64M (4Mx16) Quatre Banque NI Fiche technique De Mémoire D'Instantané	Samsung Electronic
2843	K5C6481NT(B)M	Fiche technique de MÉMOIRE De Paquet De Multi-Morceau	Samsung Electronic
2844	K5D5657ACM	256Mb non-et et 256Mb SDRAM mobile	Samsung Electronic
2845	K5D5657ACM-F015	256Mb non-et et 256Mb SDRAM mobile	Samsung Electronic
2846	K5P2880YCM	Bit Instantané 1Mx8/512Kx16 Plein CMOS SRAM De la Mémoire De Non-et Du Bit 16Mx8 de la MÉMOIRE 128M De Paquet De Multi-Morceau/8M	Samsung Electronic
2847	K5P2880YCM - T085	Mémoire Instantanée De Non-et Du Bit De 128M (16Mx8)/Fiche technique	Samsung Electronic
2848	K5P2880YCM-T085	128M bit (16Mx8) mémoire flash NAND / 8M bits (1Mx8 / 512Kx16) CMOS plein SRAM	Samsung Electronic
2849	K5P6480YCM - T085	Mémoire Instantanée De Non-et Du Bit De 64M (8Mx8)/Fiche technique	Samsung Electronic
2850	K5Q6432YCM - T010	De 64M De Bit Pleine CMOS Fiche technique Statique de RAM De la Tension	Samsung Electronic
2851	K5T6432YBM-T310	64Mbit (4Mx16) fours banques ni Mémoire Flash / 32Mbit (2Mx16) Utram, 100ns	Samsung Electronic
2852	K5T6432YT	Le Bit 4Mx16 Quatre de la MÉMOIRE 64M De Paquet De Multi-Morceau Encaissent NI Clignotent Le Bit 2Mx16 UtRAM De la Mémoire/32M	Samsung Electronic
2853	K5T6432YTM-T310	64Mbit (4Mx16) fours banques ni Mémoire Flash / 32Mbit (2Mx16) Utram, 100ns	Samsung Electronic
2854	K64004C1D	Charge statique À grande vitesse RAM(5.0v Du Peu 1Mx4 Fonctionnant). Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles.	Samsung Electronic
2855	K6E0808C1C	32Kx8 RAM À grande vitesse De Charge statique Du Peu CMOS	Samsung Electronic
2856	K6E0808C1C-12	32Kx8 RAM À grande vitesse De Charge statique Du Peu CMOS	Samsung Electronic
2857	K6E0808C1C-15	32Kx8 RAM À grande vitesse De Charge statique Du Peu CMOS	Samsung Electronic
2858	K6E0808C1C-20	32Kx8 RAM À grande vitesse De Charge statique Du Peu CMOS	Samsung Electronic

2859	K6E0808C1C-C	32Kx8 RAM À grande vitesse De Charge statique Du Peu CMOS	Samsung Electronic
2860	K6E0808C1E	32K X RAM à grande vitesse de charge statique de 8 bits CMOS	Samsung Electronic
2861	K6E0808C1E-C	32K X RAM à grande vitesse de charge statique de 8 bits CMOS	Samsung Electronic
2862	K6E0808C1E-C10	32K X RAM à grande vitesse de charge statique de 8 bits CMOS	Samsung Electronic
2863	K6E0808C1E-C12	32K X RAM à grande vitesse de charge statique de 8 bits CMOS	Samsung Electronic
2864	K6E0808C1E-C15	32K X RAM à grande vitesse de charge statique de 8 bits CMOS	Samsung Electronic
2865	K6E0808C1E-I	32K X RAM à grande vitesse de charge statique de 8 bits CMOS	Samsung Electronic
2866	K6E0808C1E-I10	32K X RAM à grande vitesse de charge statique de 8 bits CMOS	Samsung Electronic
2867	K6E0808C1E-I12	32K X RAM à grande vitesse de charge statique de 8 bits CMOS	Samsung Electronic
2868	K6E0808C1E-I15	32K X RAM à grande vitesse de charge statique de 8 bits CMOS	Samsung Electronic
2869	K6E0808C1E-L	32K X RAM à grande vitesse de charge statique de 8 bits CMOS	Samsung Electronic
2870	K6E0808C1E-P	32K X RAM à grande vitesse de charge statique de 8 bits CMOS	Samsung Electronic
2871	K6F1008V2C	RAM de charge statique de basse puissance superbe du peu 128Kx8 et de basse tension CMOS	Samsung Electronic
2872	K6F1008V2C-F	RAM de charge statique de basse puissance superbe du peu 128Kx8 et de basse tension CMOS	Samsung Electronic
2873	K6F1008V2C-YF55	RAM de charge statique de basse puissance superbe du peu 128Kx8 et de basse tension CMOS	Samsung Electronic
2874	K6F1008V2C-YF70	RAM de charge statique de basse puissance superbe du peu 128Kx8 et de basse tension CMOS	Samsung Electronic
2875	K6F1016U4C-EF55	RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 64K x16 etde basse tension pleine CMOS	Samsung Electronic
2876	K6F1016U4C-EF70	RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 64K x16 etde basse tension pleine CMOS	Samsung Electronic
2877	K6F1616R6M FAMILY	1M X fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 16 bits et de basse tension pleine CMOS	Samsung Electronic
2878	K6F1616T6B	RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu du 1M x16 et de basse tension pleine CMOS	Samsung Electronic
2879	K6F1616T6B-EF55	RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu du 1M x16 et de basse tension pleine CMOS	Samsung Electronic
2880	K6F1616T6B-EF70	RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu du 1M x16 et de basse tension pleine CMOS	Samsung Electronic
2881	K6F1616T6B-F	RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu du 1M x16 et de basse tension pleine CMOS	Samsung Electronic
2882	K6F1616T6B-TF55	RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu du 1M x16 et de basse tension pleine CMOS	Samsung Electronic
2883	K6F1616T6B-TF70	RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu du 1M x16 et de basse tension pleine CMOS	Samsung Electronic
2884	K6F1616T6C	RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu du 1M x16 et de basse tension pleine CMOS	Samsung Electronic
2885	K6F1616T6C-F	RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu du 1M x16 et de basse tension pleine CMOS	Samsung Electronic
2886	K6F1616T6C-FF55	RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu du 1M x16 et de basse tension pleine CMOS	Samsung Electronic
2887	K6F1616T6C-FF70	RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu du 1M x16 et de basse tension pleine CMOS	Samsung Electronic
2888	K6F1616U6A FAMILY	1M X fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 16 bits et de basse tension pleine CMOS	Samsung Electronic
2889	K6F1616U6C	basse puissance SRAM de 16Mb(1M x 16 bits)	Samsung Electronic
2890	K6F1616U6M	1M X RAM de charge statique de basse puissance superbe de 16 bits et de basse tension pleine CMOS	Samsung Electronic
2891	K6F1616U6M FAMILY	1M X fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 16 bits et de basse tension pleine CMOS	Samsung Electronic
2892	K6F1616U6M-F	1M X RAM de charge statique de basse puissance superbe de 16 bits et de basse tension pleine CMOS	Samsung Electronic
2893	K6F2008S2E	RAM de charge statique de basse puissance superbe du peu 256Kx8 et de basse tension pleine CMOS	Samsung Electronic
2894	K6F2008S2E FAMILY	fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe du peu 256Kx8 et de basse tension pleine CMOS	Samsung Electronic
2895	K6F2008S2E-F	RAM de charge statique de basse puissance superbe du peu 256Kx8 et de basse tension pleine CMOS	Samsung Electronic
2896	K6F2008U2E FAMILY	fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe du peu 256Kx8 et de basse tension pleine CMOS	Samsung Electronic
2897	K6F2008U2E-EF55	RAM de charge statique de basse puissance superbe du peu 256Kx8 et de basse tension pleine CMOS	Samsung Electronic
2898	K6F2008U2E-EF70	RAM de charge statique de basse puissance superbe du peu 256Kx8 et de basse tension pleine CMOS	Samsung Electronic
2899	K6F2008U2E-YF55	RAM de charge statique de basse puissance superbe du peu 256Kx8 et de basse tension pleine CMOS	Samsung Electronic
2900	K6F2008U2E-YF70	RAM de charge statique de basse puissance superbe du peu 256Kx8 et de basse tension pleine CMOS	Samsung Electronic

Page: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 | 57 | 58 | 59 | 60 | 61 | 62 | 63 | 64 | 65 | 66 | 67 | 68 | 69 | 70 | 71 | 72 | 73 | 74 | 75 | 76 | 77 | 78 | 79 | 80 | 81 | 82 | 83 | 84 | 85 | 86 | 87 | 88 | 89 | 90 | 91 | 92 | 93 | 94 | 95 | 96 | 97 | 98 | 99 | 100 | 101 | 102 | 103 | 104 |

© 2023    www.datasheetcatalog.net/samsungelectronic/1/