| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 2901 | K6F2008V2E | RAM de charge statique de basse puissance superbe du peu 256Kx8 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2902 | K6F2008V2E FAMILY | fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe du peu 256Kx8 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2903 | K6F2008V2E-LF55 | RAM de charge statique de basse puissance superbe du peu 256Kx8 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2904 | K6F2008V2E-LF70 | RAM de charge statique de basse puissance superbe du peu 256Kx8 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2905 | K6F2008V2E-YF55 | RAM de charge statique de basse puissance superbe du peu 256Kx8 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2906 | K6F2008V2E-YF70 | RAM de charge statique de basse puissance superbe du peu 256Kx8 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2907 | K6F2016R4D FAMILY | fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 128K x de 16bit et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2908 | K6F2016R4D FAMILY | fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 128K x de 16bit et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2909 | K6F2016S4D FAMILY | fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 128K x de 16bit et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2910 | K6F2016S4E FAMILY | fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de peu de 128K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2911 | K6F2016U4D FAMILY | fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 128K x de 16bit et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2912 | K6F2016U4E | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 128K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2913 | K6F2016U4E FAMILY | fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de peu de 128K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2914 | K6F2016U4E-F | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 128K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2915 | K6F2016V4D FAMILY | 128K X fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 16 bits et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2916 | K6F2016V4E | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 128K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2917 | K6F2016V4E-EF55 | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 128K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2918 | K6F2016V4E-EF70 | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 128K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2919 | K6F2016V4E-F | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 128K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2920 | K6F3216T6M | RAM de charge statique de basse puissance superbe du peu x16 de 2M et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2921 | K6F3216T6M-F | RAM de charge statique de basse puissance superbe du peu x16 de 2M et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2922 | K6F3216U6M | RAM de charge statique de basse puissance superbe du peu x16 de 2M et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2923 | K6F3216U6M-F | RAM de charge statique de basse puissance superbe du peu x16 de 2M et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2924 | K6F4008R2C FAMILY | fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 512K x de 8bit et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2925 | K6F4008R2D FAMILY | fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 512K x de 8bit et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2926 | K6F4008S2C FAMILY | fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 512K x de 8bit et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2927 | K6F4008S2D FAMILY | fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 512K x de 8bit et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2928 | K6F4008U1C FAMILY | fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 512K x de 8bit et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2929 | K6F4008U1D FAMILY | fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 512K x de 8bit et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2930 | K6F4008U2C FAMILY | fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 512K x de 8bit et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2931 | K6F4008U2D FAMILY | fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 512K x de 8bit et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2932 | K6F4008U2E | 512K X RAM de charge statique de basse puissance superbe de 8 bits et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2933 | K6F4008U2E-EF55 | 512K X RAM de charge statique de basse puissance superbe de 8 bits et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2934 | K6F4008U2E-EF70 | 512K X RAM de charge statique de basse puissance superbe de 8 bits et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2935 | K6F4008U2E-F | 512K X RAM de charge statique de basse puissance superbe de 8 bits et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2936 | K6F4008U2G | 512K X RAM de charge statique de basse puissance superbe de 8 bits et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2937 | K6F4008U2G-F | 512K X RAM de charge statique de basse puissance superbe de 8 bits et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2938 | K6F4016R4D FAMILY | fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 256K x de 16bit et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2939 | K6F4016R4E | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 256K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2940 | K6F4016R4E FAMILY | fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 256K x de 16bit et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2941 | K6F4016R4E-EF70 | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 256K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2942 | K6F4016R4E-EF85 | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 256K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2943 | K6F4016R4E-F | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 256K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2944 | K6F4016R6C FAMILY | fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 256K x de 16bit et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2945 | K6F4016R6D FAMILY | fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 256K x de 16bit et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2946 | K6F4016R6E FAMILY | fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 256K x de 16bit et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2947 | K6F4016S4D FAMILY | fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 256K x de 16bit et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2948 | K6F4016S6D FAMILY | fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 256K x de 16bit et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2949 | K6F4016U4D FAMILY | fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 256K x de 16bit et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2950 | K6F4016U4E FAMILY | fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 256K x de 16bit et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2951 | K6F4016U4G | RAM de charge statique de basse puissance superbe du peu 256Kx16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2952 | K6F4016U4G-EF55 | RAM de charge statique de basse puissance superbe du peu 256Kx16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2953 | K6F4016U4G-EF70 | RAM de charge statique de basse puissance superbe du peu 256Kx16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2954 | K6F4016U6C FAMILY | fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 256K x de 16bit et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2955 | K6F4016U6D FAMILY | fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 256K x de 16bit et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2956 | K6F4016U6E FAMILY | fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 256K x de 16bit et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2957 | K6F4016U6G | RAM de charge statique de basse puissance superbe du peu 256Kx16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2958 | K6F4016U6G-F | RAM de charge statique de basse puissance superbe du peu 256Kx16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2959 | K6F4016V6C FAMILY | fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 256K x de 16bit et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2960 | K6F4016V6D FAMILY | fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 256K x de 16bit et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2961 | K6F8008S2M FAMILY | 1M X fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 8 bits et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2962 | K6F8008U2M FAMILY | 1M X fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 8 bits et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2963 | K6F8016R6A FAMILY | 512K X fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 16 bits et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2964 | K6F8016R6B | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 512K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2965 | K6F8016R6B FAMILY | 512K X fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 16 bits et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2966 | K6F8016R6B-F | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 512K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2967 | K6F8016R6D | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 512K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2968 | K6F8016R6D-F | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 512K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2969 | K6F8016R6M FAMILY | fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 512K x de 16bit et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2970 | K6F8016S6A FAMILY | 512K X fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 16 bits et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2971 | K6F8016S6M FAMILY | fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 512K x de 16bit et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2972 | K6F8016T6C | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 512K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2973 | K6F8016T6C-FF55 | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 512K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2974 | K6F8016T6C-FF70 | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 512K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2975 | K6F8016U6 | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 512K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2976 | K6F8016U6D | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 512K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2977 | K6F8016U6D-FF55 | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 512K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2978 | K6F8016U6D-FF70 | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 512K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2979 | K6F8016U6D-XF55 | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 512K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2980 | K6F8016U6D-XF70 | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 512K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2981 | K6F8016V3A | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 512K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2982 | K6F8016V3A FAMILY | fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de peu de 512K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2983 | K6F8016V3A-F | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 512K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 2984 | K6F8016V3A-RF55 | 55ns; V (cc): -0,2 ŕ + 4,0 V; 1W; 512K x 16 bits ultra faible puissance et basse tension plein RAM statique CMOS | Samsung Electronic |
| 2985 | K6F8016V3A-RF70 | 70ns; V (cc): -0,2 ŕ + 4,0 V; 1W; 512K x 16 bits ultra faible puissance et basse tension plein RAM statique CMOS | Samsung Electronic |
| 2986 | K6F8016V3A-TF55 | 55ns; V (cc): -0,2 ŕ + 4,0 V; 1W; 512K x 16 bits ultra faible puissance et basse tension plein RAM statique CMOS | Samsung Electronic |
| 2987 | K6F8016V3A-TF70 | 70ns; V (cc): -0,2 ŕ + 4,0 V; 1W; 512K x 16 bits ultra faible puissance et basse tension plein RAM statique CMOS | Samsung Electronic |
| 2988 | K6L0908C2A | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 64Kx8 | Samsung Electronic |
| 2989 | K6L0908C2A-B | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 64Kx8 | Samsung Electronic |
| 2990 | K6L0908C2A-F | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 64Kx8 | Samsung Electronic |
| 2991 | K6L0908C2A-GB55 | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 64Kx8 | Samsung Electronic |
| 2992 | K6L0908C2A-GB70 | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 64Kx8 | Samsung Electronic |
| 2993 | K6L0908C2A-GF70 | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 64Kx8 | Samsung Electronic |
| 2994 | K6L0908C2A-GL55 | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 64Kx8 | Samsung Electronic |
| 2995 | K6L0908C2A-GL70 | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 64Kx8 | Samsung Electronic |
| 2996 | K6L0908C2A-L | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 64Kx8 | Samsung Electronic |
| 2997 | K6L0908C2A-P | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 64Kx8 | Samsung Electronic |
| 2998 | K6L0908C2A-TB55 | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 64Kx8 | Samsung Electronic |
| 2999 | K6L0908C2A-TB70 | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 64Kx8 | Samsung Electronic |
| 3000 | K6R1004C1D | 256K X fiche technique 4 de bit (avec/OE) CMOS statique ŕ grande vitesse de RAM | Samsung Electronic |
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