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Les fiches techniques ont trouvé :: 10329

Nr.	Nom de partie	Description	Fabricant
501	K4D263238F-QC50	le 1M X 32Bit X 4 banques doublent la DRACHME synchrone de débit avec le stroboscope de données et le DLL bi-directionnels	Samsung Electronic
502	K4D263238G-GC	128CMbit GDDR SDRAM	Samsung Electronic
503	K4D263238G-GC2A	128CMbit GDDR SDRAM	Samsung Electronic
504	K4D263238G-GC33	128CMbit GDDR SDRAM	Samsung Electronic
505	K4D263238G-VC	128CMbit GDDR SDRAM	Samsung Electronic
506	K4D263238M	le 1M X 32Bit X 4 banques doublent la RAM synchrone de débit avec la fiche technique bi-directionnelle de stroboscope de données et de DLL	Samsung Electronic
507	K4D263238M-QC45	le 1M X 32Bit X 4 banques doublent la RAM synchrone de débit avec le stroboscope de données et le DLL bi-directionnels	Samsung Electronic
508	K4D263238M-QC50	le 1M X 32Bit X 4 banques doublent la RAM synchrone de débit avec le stroboscope de données et le DLL bi-directionnels	Samsung Electronic
509	K4D263238M-QC55	le 1M X 32Bit X 4 banques doublent la RAM synchrone de débit avec le stroboscope de données et le DLL bi-directionnels	Samsung Electronic
510	K4D263238M-QC60	le 1M X 32Bit X 4 banques doublent la RAM synchrone de débit avec le stroboscope de données et le DLL bi-directionnels	Samsung Electronic
511	K4D26323AA-GL	le 1M X 32Bit X 4 banques doublent la RAM synchrone de débit avec la fiche technique bi-directionnelle de stroboscope de données et de DLL	Samsung Electronic
512	K4D26323RA	le 1M X 32Bit X 4 banques doublent la RAM synchrone de débit avec le stroboscope de données et le DLL bi-directionnels	Samsung Electronic
513	K4D26323RA-GC	le 1M X 32Bit X 4 banques doublent la RAM synchrone de débit avec la fiche technique bi-directionnelle de stroboscope de données et de DLL	Samsung Electronic
514	K4D26323RA-GC2A	le 1M X 32Bit X 4 banques doublent la RAM synchrone de débit avec le stroboscope de données et le DLL bi-directionnels	Samsung Electronic
515	K4D26323RA-GC33	le 1M X 32Bit X 4 banques doublent la RAM synchrone de débit avec le stroboscope de données et le DLL bi-directionnels	Samsung Electronic
516	K4D26323RA-GC36	le 1M X 32Bit X 4 banques doublent la RAM synchrone de débit avec le stroboscope de données et le DLL bi-directionnels	Samsung Electronic
517	K4D28163HD	avec 2M 4 banques doublent la RAM synchrone de débit le stroboscope x 16Bit X bi-directionnel de données et fiche technique de DLL	Samsung Electronic
518	K4D28163HD-TC36	128MBIT DDR SDRAM	Samsung Electronic
519	K4D28163HD-TC40	128MBIT DDR SDRAM	Samsung Electronic
520	K4D28163HD-TC50	128MBIT DDR SDRAM	Samsung Electronic
521	K4D28163HD-TC60	128MBIT DDR SDRAM	Samsung Electronic
522	K4D551638D	256CMbit GDDR SDRAM	Samsung Electronic
523	K4D551638D-TC	256CMbit GDDR SDRAM	Samsung Electronic
524	K4D551638D-TC2A	256CMbit GDDR SDRAM	Samsung Electronic
525	K4D551638D-TC33	256CMbit GDDR SDRAM	Samsung Electronic
526	K4D551638D-TC36	256CMbit GDDR SDRAM	Samsung Electronic
527	K4D551638D-TC40	256CMbit GDDR SDRAM	Samsung Electronic
528	K4D551638D-TC45	256CMbit GDDR SDRAM	Samsung Electronic
529	K4D551638D-TC50	256CMbit GDDR SDRAM	Samsung Electronic
530	K4D551638F-TC	256CMbit GDDR SDRAM	Samsung Electronic
531	K4D551638F-TC33	256CMbit GDDR SDRAM	Samsung Electronic
532	K4D551638F-TC36	256CMbit GDDR SDRAM	Samsung Electronic
533	K4D551638F-TC40	256CMbit GDDR SDRAM	Samsung Electronic
534	K4D551638F-TC50	256CMbit GDDR SDRAM	Samsung Electronic
535	K4D551638F-TC60	256CMbit GDDR SDRAM	Samsung Electronic
536	K4D553235F-GC	256M GDDR SDRAM	Samsung Electronic
537	K4D553235F-GC25	256M GDDR SDRAM	Samsung Electronic
538	K4D553235F-GC2A	256M GDDR SDRAM	Samsung Electronic
539	K4D553235F-GC33	256M GDDR SDRAM	Samsung Electronic
540	K4D553238F	256CMbit GDDR SDRAM	Samsung Electronic
541	K4D553238F-GC	256CMbit GDDR SDRAM	Samsung Electronic
542	K4D553238F-GC2A	256CMbit GDDR SDRAM	Samsung Electronic
543	K4D553238F-GC33	256CMbit GDDR SDRAM	Samsung Electronic
544	K4D553238F-GC36	256CMbit GDDR SDRAM	Samsung Electronic
545	K4D553238F-JC	256CMbit GDDR SDRAM	Samsung Electronic
546	K4D553238F-JC2A	256CMbit GDDR SDRAM	Samsung Electronic
547	K4D553238F-JC33	256CMbit GDDR SDRAM	Samsung Electronic
548	K4D553238F-JC36	256CMbit GDDR SDRAM	Samsung Electronic
549	K4D553238F-JC40	256CMbit GDDR SDRAM	Samsung Electronic
550	K4D553238F-JC50	256CMbit GDDR SDRAM	Samsung Electronic
551	K4D623237	512K x 32Bit X 4 banques doublent la fiche technique synchrone de DRACHME de débit	Samsung Electronic
552	K4D623238B-G(Q)C	512K x 32Bit X 4 banques doublent des données prolongées par wi synchrone de RAM de débit hors de fiche technique	Samsung Electronic
553	K4D623238B-GC	64CMbit DDR SDRAM	Samsung Electronic
554	K4D623238B-GC/L33	64CMbit DDR SDRAM	Samsung Electronic
555	K4D623238B-GC/L40	64CMbit DDR SDRAM	Samsung Electronic
556	K4D623238B-GC/L45	64CMbit DDR SDRAM	Samsung Electronic
557	K4D623238B-GC/L50	64CMbit DDR SDRAM	Samsung Electronic
558	K4D623238B-GC/L55	64CMbit DDR SDRAM	Samsung Electronic
559	K4D623238B-GC/L60	64CMbit DDR SDRAM	Samsung Electronic

560	K4D64163HF	le 1M X 16Bit X 4 banques doublent la DRACHME synchronede débit	Samsung Electronic
561	K4D64163HF-TC33	le 1M X 16Bit X 4 banques doublent la DRACHME synchronede débit	Samsung Electronic
562	K4D64163HF-TC36	le 1M X 16Bit X 4 banques doublent la DRACHME synchronede débit	Samsung Electronic
563	K4D64163HF-TC40	le 1M X 16Bit X 4 banques doublent la DRACHME synchronede débit	Samsung Electronic
564	K4D64163HF-TC50	le 1M X 16Bit X 4 banques doublent la DRACHME synchronede débit	Samsung Electronic
565	K4D64163HF-TC60	le 1M X 16Bit X 4 banques doublent la DRACHME synchronede débit	Samsung Electronic
566	K4E151611	RAM dynamique du 1M X 16Bit CMOS avec des données prolongées dehors	Samsung Electronic
567	K4E151611D	RAM dynamique du 1M X 16Bit CMOS avec des données prolongées dehors	Samsung Electronic
568	K4E151611D-J	1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 5V, 1K cycle de rafraîchissement.	Samsung Electronic
569	K4E151611D-T	1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 5V, 1K cycle de rafraîchissement.	Samsung Electronic
570	K4E151612D	RAM dynamique du 1M X 16Bit CMOS avec des données prolongées dehors	Samsung Electronic
571	K4E151612D-J	1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 1K.	Samsung Electronic
572	K4E151612D-T	1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 1K.	Samsung Electronic
573	K4E16(7)0411(2)D	RAM dynamique de 4M x 4Bit CMOS avec des données prolongées hors de fiche technique	Samsung Electronic
574	K4E16(7)0811(2)D	RAM dynamique de 2M x 8Bit CMOS avec des données prolongées hors de fiche technique	Samsung Electronic
575	K4E160411D	RAM dynamique de 4M x 4Bit CMOS avec des données prolongées dehors	Samsung Electronic
576	K4E160411D-B	4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 5V, 2K cycle de rafraîchissement.	Samsung Electronic
577	K4E160411D-F	4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 5V, 2K cycle de rafraîchissement.	Samsung Electronic
578	K4E160412D	RAM dynamique de 4M x 4Bit CMOS avec des données prolongées dehors	Samsung Electronic
579	K4E160412D-B	4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 2K.	Samsung Electronic
580	K4E160412D-F	4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 2K.	Samsung Electronic
581	K4E160811D	RAM dynamique de 2M x 8Bit CMOS avec des données prolongées dehors	Samsung Electronic
582	K4E160811D-B	2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 5V, 2K cycle de rafraîchissement.	Samsung Electronic
583	K4E160811D-F	2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 5V, 2K cycle de rafraîchissement.	Samsung Electronic
584	K4E160812D	RAM dynamique de 2M x 8Bit CMOS avec des données prolongées dehors	Samsung Electronic
585	K4E160812D-B	2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 2K.	Samsung Electronic
586	K4E160812D-F	2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 2K.	Samsung Electronic
587	K4E170411D	RAM dynamique de 4M x 4Bit CMOS avec des données prolongées dehors	Samsung Electronic
588	K4E170411D-B	4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 5V, 4K cycle de rafraîchissement.	Samsung Electronic
589	K4E170411D-F	4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 5V, 4K cycle de rafraîchissement.	Samsung Electronic
590	K4E170412D	RAM dynamique de 4M x 4Bit CMOS avec des données prolongées dehors	Samsung Electronic
591	K4E170412D-B	4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 4K.	Samsung Electronic
592	K4E170412D-F	4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 4K.	Samsung Electronic
593	K4E170811D	RAM dynamique de 2M x 8Bit CMOS avec des données prolongées dehors	Samsung Electronic
594	K4E170811D-B	2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 5V, 4K cycle de rafraîchissement.	Samsung Electronic
595	K4E170811D-F	2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 5V, 4K cycle de rafraîchissement.	Samsung Electronic
596	K4E170812D	RAM dynamique de 2M x 8Bit CMOS avec des données prolongées dehors	Samsung Electronic
597	K4E170812D-B	2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 4K.	Samsung Electronic
598	K4E170812D-F	2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 4K.	Samsung Electronic
599	K4E171611D	RAM dynamique du 1M X 16Bit CMOS avec des données prolongées dehors	Samsung Electronic
600	K4E171611D-J	1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 5V, 4K cycle de rafraîchissement.	Samsung Electronic

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