|   Première page   |   Tous les fabricants   |   Par fonction   |  

Le numéro de la pièce, la description ou le fabricant des:
Saut rapide à:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Les fiches techniques ont trouvé :: 10329 English Version for this page Deutsche Version für diese Seite Versión española para esta página Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página Russian Version Romanian Version
Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
5901KM416RD8AC-RK70256K x 16 x 32s banques dépendantes de RDRAM directes. Temps d'accès: 45 ns, vitesse: 711 Mbps (356 MHz).Samsung Electronic
5902KM416RD8AC-RK80256K x 16 x 32s banques dépendantes de RDRAM directes. Temps d'accès: 45 ns, vitesse: 800 Mbps (400 MHz).Samsung Electronic
5903KM416RD8AD128/144Mbit RDRAMSamsung Electronic
5904KM416RD8AD-RG60256K x 16 x 32s banques dépendantes de RDRAM directes. Temps d'accès: 53,3 ns, vitesse: 600 Mbps (300 MHz).Samsung Electronic
5905KM416RD8AD-RK70256K x 16 x 32s banques dépendantes de RDRAM directes. Temps d'accès: 45 ns, vitesse: 711 Mbps (356 MHz).Samsung Electronic
5906KM416RD8AD-RK80256K x 16 x 32s banques dépendantes de RDRAM directes. Temps d'accès: 45 ns, vitesse: 800 Mbps (400 MHz).Samsung Electronic
5907KM416RD8ASRDRAM DirectSamsung Electronic
5908KM416RD8AS-RBM80128Mbit RDRAM 256K X 16 banques 2*16 dépendantes du bit X dirigent RDRAMTM pour le paquet du consommateurSamsung Electronic
5909KM416RD8AS-RM80256K x 16 x 32s banques dépendantes pour le paquet des consommateurs. Temps d'accès: 40 ns, vitesse: 800 Mbps (400 MHz).Samsung Electronic
5910KM416RD8AS-SCM80128Mbit RDRAM 256K X 16 banques 2*16 dépendantes du bit X dirigent RDRAMTM pour le paquet du consommateurSamsung Electronic
5911KM416RD8AS-SM80256K x 16 x 32s banques dépendantes pour le paquet des consommateurs. Temps d'accès: 40 ns, vitesse: 800 Mbps (400 MHz).Samsung Electronic
5912KM416RD8C128/144Mbit RDRAM 256K X 16/18 les banques dépendantes du bit X 2*16 dirigent RDRAMTMSamsung Electronic
5913KM416RD8D128/144Mbit RDRAM 256K X 16/18 les banques dépendantes du bit X 2*16 dirigent RDRAMTMSamsung Electronic
5914KM416S4030C1M X 16Bit X DRACHME synchrone de 4 banquesSamsung Electronic
5915KM416S4030CT-F101M X 16Bit X DRACHME synchrone de 4 banquesSamsung Electronic
5916KM416S4030CT-F71M X 16Bit X DRACHME synchrone de 4 banquesSamsung Electronic
5917KM416S4030CT-F81M X 16Bit X DRACHME synchrone de 4 banquesSamsung Electronic
5918KM416S4030CT-FH1M X 16Bit X DRACHME synchrone de 4 banquesSamsung Electronic
5919KM416S4030CT-FL1M X 16Bit X DRACHME synchrone de 4 banquesSamsung Electronic
5920KM416S4030CT-G1M X 16Bit X DRACHME synchrone de 4 banquesSamsung Electronic
5921KM416S4030CT-G764Mbit (1M x 16 bits x 4 banques) bynchronous DRAME LVTTL, 143MHzSamsung Electronic
5922KM416S4030CT-G864Mbit (1M x 16 bits x 4 banques) bynchronous DRAME LVTTL, 125MHzSamsung Electronic
5923KM416S4030CT-GH64Mbit (1M x 16 bits x 4 banques) bynchronous DRAME LVTTL, 100MHzSamsung Electronic
5924KM416S4030CT-GL64Mbit (1M x 16 bits x 4 banques) bynchronous DRAME LVTTL, 100MHzSamsung Electronic
5925KM416S4030CT-L1064Mbit (1M x 16 bits x 4 banques) bynchronous DRAME LVTTL, 100MHzSamsung Electronic
5926KM416S80302M x 16Bit X DRACHME synchrone de 4 banquesSamsung Electronic
5927KM416S8030B2M x 16Bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banquesSamsung Electronic
5928KM416S8030BT-G/F10128Mbit SDRAM 2M x 16Bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banquesSamsung Electronic
5929KM416S8030BT-G/F8128Mbit SDRAM 2M x 16Bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banquesSamsung Electronic
5930KM416S8030BT-G/FA128Mbit SDRAM 2M x 16Bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banquesSamsung Electronic
5931KM416S8030BT-G/FH128Mbit SDRAM 2M x 16Bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banquesSamsung Electronic
5932KM416S8030BT-G/FL128Mbit SDRAM 2M x 16Bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banquesSamsung Electronic
5933KM416S8030T-G/F102M x 16Bit X DRACHME synchrone de 4 banquesSamsung Electronic
5934KM416S8030T-G/F82M x 16Bit X DRACHME synchrone de 4 banquesSamsung Electronic
5935KM416S8030T-G/FH2M x 16Bit X DRACHME synchrone de 4 banquesSamsung Electronic
5936KM416S8030T-G/FL2M x 16Bit X DRACHME synchrone de 4 banquesSamsung Electronic
5937KM416V1000BRAM dynamique du 1M X 16Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
5938KM416V1000BJ-51m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
5939KM416V1000BJ-61m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
5940KM416V1000BJ-71m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
5941KM416V1000BJL-51m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
5942KM416V1000BJL-61m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
5943KM416V1000BJL-71m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
5944KM416V1000BT-51m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
5945KM416V1000BT-61m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
5946KM416V1000BT-71m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
5947KM416V1000BTL-51m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
5948KM416V1000BTL-61m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
5949KM416V1000BTL-71m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
5950KM416V1000CRAM dynamique du 1M X 16Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
5951KM416V1000CJ-51m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
5952KM416V1000CJ-61m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
5953KM416V1000CJL-51m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
5954KM416V1000CJL-61m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
5955KM416V1000CT-51m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
5956KM416V1000CT-61m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
5957KM416V1000CTL-51m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic



5958KM416V1000CTL-61m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
5959KM416V1004A1M X RAM DYNAMIQUE de 16 BITS CMOS AVEC DES DONNÉES PROLONGÉES DEHORSSamsung Electronic
5960KM416V1004A-61M X RAM DYNAMIQUE de 16 BITS CMOS AVEC DES DONNÉES PROLONGÉES DEHORSSamsung Electronic
5961KM416V1004A-71M X RAM DYNAMIQUE de 16 BITS CMOS AVEC DES DONNÉES PROLONGÉES DEHORSSamsung Electronic
5962KM416V1004A-81M X RAM DYNAMIQUE de 16 BITS CMOS AVEC DES DONNÉES PROLONGÉES DEHORSSamsung Electronic
5963KM416V1004A-F61M X RAM DYNAMIQUE de 16 BITS CMOS AVEC DES DONNÉES PROLONGÉES DEHORSSamsung Electronic
5964KM416V1004A-F71M X RAM DYNAMIQUE de 16 BITS CMOS AVEC DES DONNÉES PROLONGÉES DEHORSSamsung Electronic
5965KM416V1004A-F81M X RAM DYNAMIQUE de 16 BITS CMOS AVEC DES DONNÉES PROLONGÉES DEHORSSamsung Electronic
5966KM416V1004A-L61M X RAM DYNAMIQUE de 16 BITS CMOS AVEC DES DONNÉES PROLONGÉES DEHORSSamsung Electronic
5967KM416V1004A-L71M X RAM DYNAMIQUE de 16 BITS CMOS AVEC DES DONNÉES PROLONGÉES DEHORSSamsung Electronic
5968KM416V1004A-L81M X RAM DYNAMIQUE de 16 BITS CMOS AVEC DES DONNÉES PROLONGÉES DEHORSSamsung Electronic
5969KM416V1004AJ-63.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
5970KM416V1004AJ-73.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns,Samsung Electronic
5971KM416V1004AJ-83.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 80 ns,Samsung Electronic
5972KM416V1004AJ-F63.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
5973KM416V1004AJ-F73.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns,Samsung Electronic
5974KM416V1004AJ-F83.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 80 ns,Samsung Electronic
5975KM416V1004AJ-L63.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
5976KM416V1004AJ-L73.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns,Samsung Electronic
5977KM416V1004AJ-L83.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 80 ns,Samsung Electronic
5978KM416V1004AR-63.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
5979KM416V1004AR-73.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns,Samsung Electronic
5980KM416V1004AR-83.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 80 ns,Samsung Electronic
5981KM416V1004AR-F63.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
5982KM416V1004AR-F73.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns,Samsung Electronic
5983KM416V1004AR-F83.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 80 ns,Samsung Electronic
5984KM416V1004AR-L63.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
5985KM416V1004AR-L73.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns,Samsung Electronic
5986KM416V1004AR-L83.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 80 ns,Samsung Electronic
5987KM416V1004AT-63.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
5988KM416V1004AT-73.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns,Samsung Electronic
5989KM416V1004AT-83.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 80 ns,Samsung Electronic
5990KM416V1004AT-F63.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
5991KM416V1004AT-F73.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns,Samsung Electronic
5992KM416V1004AT-F83.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 80 ns,Samsung Electronic
5993KM416V1004AT-L63.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
5994KM416V1004AT-L73.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns,Samsung Electronic
5995KM416V1004AT-L83.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 80 ns,Samsung Electronic
5996KM416V1004BJ-53.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
5997KM416V1004BJ-63.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
5998KM416V1004BJ-73.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns,Samsung Electronic
5999KM416V1004BJ-L53.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
6000KM416V1004BJ-L63.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic

Page: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 | 57 | 58 | 59 | 60 | 61 | 62 | 63 | 64 | 65 | 66 | 67 | 68 | 69 | 70 | 71 | 72 | 73 | 74 | 75 | 76 | 77 | 78 | 79 | 80 | 81 | 82 | 83 | 84 | 85 | 86 | 87 | 88 | 89 | 90 | 91 | 92 | 93 | 94 | 95 | 96 | 97 | 98 | 99 | 100 | 101 | 102 | 103 | 104 |


© 2023    www.datasheetcatalog.net/samsungelectronic/1/