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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
6001KM416V1004BJ-L73.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns,Samsung Electronic
6002KM416V1004BT-53.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
6003KM416V1004BT-63.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
6004KM416V1004BT-73.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns,Samsung Electronic
6005KM416V1004BT-L53.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
6006KM416V1004BT-L63.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
6007KM416V1004BT-L73.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns,Samsung Electronic
6008KM416V1004CRAM dynamique du 1M X 16Bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
6009KM416V1004CJ-451m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, 45ns, VCC = 3.3V, période de rafraîchissement = 64msSamsung Electronic
6010KM416V1004CJ-53.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
6011KM416V1004CJ-501m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, 50ns, VCC = 3.3V, période de rafraîchissement = 64msSamsung Electronic
6012KM416V1004CJ-63.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
6013KM416V1004CJ-601m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, 60ns, VCC = 3.3V, période de rafraîchissement = 64msSamsung Electronic
6014KM416V1004CJ-L53.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
6015KM416V1004CJ-L63.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
6016KM416V1004CJL-451m x 16Bit CMOS RAM dynamique avec des données sur de longues, 45ns, VCC = 3.3V, auto-rafraîchissementSamsung Electronic
6017KM416V1004CJL-501m x 16Bit CMOS RAM dynamique avec des données sur de longues, 50ns, VCC = 3.3V, auto-rafraîchissementSamsung Electronic
6018KM416V1004CJL-601m x 16Bit CMOS RAM dynamique avec des données sur de longues, 60ns, VCC = 3.3V, auto-rafraîchissementSamsung Electronic
6019KM416V1004CT-451m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, 45ns, VCC = 3.3V, période de rafraîchissement = 64msSamsung Electronic
6020KM416V1004CT-53.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
6021KM416V1004CT-501m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, 50ns, VCC = 3.3V, période de rafraîchissement = 64msSamsung Electronic
6022KM416V1004CT-63.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
6023KM416V1004CT-601m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, 60ns, VCC = 3.3V, période de rafraîchissement = 64msSamsung Electronic
6024KM416V1004CT-L53.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
6025KM416V1004CT-L63.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
6026KM416V1004CTL-451m x 16Bit CMOS RAM dynamique avec des données sur de longues, 45ns, VCC = 3.3V, auto-rafraîchissementSamsung Electronic
6027KM416V1004CTL-501m x 16Bit CMOS RAM dynamique avec des données sur de longues, 50ns, VCC = 3.3V, auto-rafraîchissementSamsung Electronic
6028KM416V1004CTL-601m x 16Bit CMOS RAM dynamique avec des données sur de longues, 60ns, VCC = 3.3V, auto-rafraîchissementSamsung Electronic
6029KM416V1200BRAM dynamique du 1M X 16Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
6030KM416V1200BJ-51m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
6031KM416V1200BJ-61m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6032KM416V1200BJ-71m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
6033KM416V1200BJL-51m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
6034KM416V1200BJL-61m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6035KM416V1200BJL-71m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
6036KM416V1200BT-51m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
6037KM416V1200BT-61m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6038KM416V1200BT-71m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
6039KM416V1200BTL-51m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
6040KM416V1200BTL-61m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6041KM416V1200BTL-71m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
6042KM416V1200CRAM dynamique du 1M X 16Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
6043KM416V1200CJ-51m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
6044KM416V1200CJ-61m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6045KM416V1200CJL-51m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
6046KM416V1200CJL-61m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6047KM416V1200CT-51m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
6048KM416V1200CT-61m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6049KM416V1200CTL-51m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
6050KM416V1200CTL-61m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6051KM416V1204BJRAM du 1M X 16BIT CMOS DYNAMIT AVEC DES DONNÉES PROLONGÉES DEHORSSamsung Electronic
6052KM416V1204BJ-53.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
6053KM416V1204BJ-63.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
6054KM416V1204BJ-73.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns,Samsung Electronic
6055KM416V1204BJ-L53.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
6056KM416V1204BJ-L63.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
6057KM416V1204BJ-L73.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns,Samsung Electronic



6058KM416V1204BT-53.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
6059KM416V1204BT-63.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
6060KM416V1204BT-73.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns,Samsung Electronic
6061KM416V1204BT-L53.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
6062KM416V1204BT-L63.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
6063KM416V1204BT-L73.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns,Samsung Electronic
6064KM416V1204CRAM dynamique du 1M X 16Bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
6065KM416V1204CJ-451m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, 45ns, VCC = 3.3V, période de rafraîchissement = 16 msSamsung Electronic
6066KM416V1204CJ-53.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
6067KM416V1204CJ-501m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, 50ns, VCC = 3.3V, période de rafraîchissement = 16 msSamsung Electronic
6068KM416V1204CJ-63.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
6069KM416V1204CJ-601m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, 60ns, VCC = 3.3V, période de rafraîchissement = 16 msSamsung Electronic
6070KM416V1204CJ-L53.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
6071KM416V1204CJ-L63.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
6072KM416V1204CJL-451m x 16Bit CMOS RAM dynamique avec des données sur de longues, 45ns, VCC = 3.3V, auto-rafraîchissementSamsung Electronic
6073KM416V1204CJL-501m x 16Bit CMOS RAM dynamique avec des données sur de longues, 50ns, VCC = 3.3V, auto-rafraîchissementSamsung Electronic
6074KM416V1204CJL-601m x 16Bit CMOS RAM dynamique avec des données sur de longues, 60ns, VCC = 3.3V, auto-rafraîchissementSamsung Electronic
6075KM416V1204CT-451m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, 45ns, VCC = 3.3V, période de rafraîchissement = 16 msSamsung Electronic
6076KM416V1204CT-53.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
6077KM416V1204CT-501m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, 50ns, VCC = 3.3V, période de rafraîchissement = 16 msSamsung Electronic
6078KM416V1204CT-63.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
6079KM416V1204CT-601m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, 60ns, VCC = 3.3V, période de rafraîchissement = 16 msSamsung Electronic
6080KM416V1204CT-L53.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
6081KM416V1204CT-L63.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
6082KM416V1204CTL-451m x 16Bit CMOS RAM dynamique avec des données sur de longues, 45ns, VCC = 3.3V, auto-rafraîchissementSamsung Electronic
6083KM416V1204CTL-501m x 16Bit CMOS RAM dynamique avec des données sur de longues, 50ns, VCC = 3.3V, auto-rafraîchissementSamsung Electronic
6084KM416V1204CTL-601m x 16Bit CMOS RAM dynamique avec des données sur de longues, 60ns, VCC = 3.3V, auto-rafraîchissementSamsung Electronic
6085KM416V254DRAM dynamique de 256K x de 16Bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
6086KM416V254DJ-5256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, Vcc = 3,3V, 50ns, période de rafraîchissement de 8msSamsung Electronic
6087KM416V254DJ-6256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, Vcc = 3,3V, 60ns, période de rafraîchissement de 8msSamsung Electronic
6088KM416V254DJ-7256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, Vcc = 3,3V, 70ns, période de rafraîchissement de 8msSamsung Electronic
6089KM416V254DJL-5256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, Vcc = 3,3V, 50ns, auto-refreshSamsung Electronic
6090KM416V254DJL-6256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, Vcc = 3,3V, 60ns, auto-refreshSamsung Electronic
6091KM416V254DJL-7256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, Vcc = 3,3V, 70ns, auto-refreshSamsung Electronic
6092KM416V254DT-5256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, Vcc = 3,3V, 50ns, période de rafraîchissement de 8msSamsung Electronic
6093KM416V254DT-6256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, Vcc = 3,3V, 60ns, période de rafraîchissement de 8msSamsung Electronic
6094KM416V254DT-7256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, Vcc = 3,3V, 70ns, période de rafraîchissement de 8msSamsung Electronic
6095KM416V254DTL-5256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, Vcc = 3,3V, 50ns, auto-refreshSamsung Electronic
6096KM416V254DTL-6256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, Vcc = 3,3V, 60ns, auto-refreshSamsung Electronic
6097KM416V254DTL-7256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, Vcc = 3,3V, 70ns, auto-refreshSamsung Electronic
6098KM416V256DRAM dynamique de 256K x de 16Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
6099KM416V256DJ-5256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 50ns, 3.3VSamsung Electronic
6100KM416V256DJ-6256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 60ns, 3.3VSamsung Electronic

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