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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
6101KM416V256DJ-7256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 70ns, 3.3VSamsung Electronic
6102KM416V256DLJ-5256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec le mode rapide de la page, 50ns, 3.3V, capacité d'auto-rafraîchissementSamsung Electronic
6103KM416V256DLJ-6256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec le mode rapide de la page, 60ns, 3.3V, capacité d'auto-rafraîchissementSamsung Electronic
6104KM416V256DLJ-7256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec le mode rapide de la page, 70ns, 3.3V, capacité d'auto-rafraîchissementSamsung Electronic
6105KM416V256DLT-5256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec le mode rapide de la page, 50ns, 3.3V, capacité d'auto-rafraîchissementSamsung Electronic
6106KM416V256DLT-6256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec le mode rapide de la page, 60ns, 3.3V, capacité d'auto-rafraîchissementSamsung Electronic
6107KM416V256DLT-7256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec le mode rapide de la page, 70ns, 3.3V, capacité d'auto-rafraîchissementSamsung Electronic
6108KM416V256DT-5256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 50ns, 3.3VSamsung Electronic
6109KM416V256DT-6256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 60ns, 3.3VSamsung Electronic
6110KM416V256DT-7256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 70ns, 3.3VSamsung Electronic
6111KM416V4000BRAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
6112KM416V4000BS-454M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 45nsSamsung Electronic
6113KM416V4000BS-54M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 50nsSamsung Electronic
6114KM416V4000BS-64M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 60nsSamsung Electronic
6115KM416V4000BS-L454M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 45ns, de faible puissanceSamsung Electronic
6116KM416V4000BS-L54M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 50 ns, de faible puissanceSamsung Electronic
6117KM416V4000BS-L64M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 60ns, de faible puissanceSamsung Electronic
6118KM416V4000CRAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
6119KM416V4000CS-454M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 45nsSamsung Electronic
6120KM416V4000CS-54M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 50nsSamsung Electronic
6121KM416V4000CS-64M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 60nsSamsung Electronic
6122KM416V4000CS-L454M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 45ns, de faible puissanceSamsung Electronic
6123KM416V4000CS-L54M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 50 ns, de faible puissanceSamsung Electronic
6124KM416V4000CS-L64M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 60ns, de faible puissanceSamsung Electronic
6125KM416V4004BRAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
6126KM416V4004BS-45RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 45nsSamsung Electronic
6127KM416V4004BS-5RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 50nsSamsung Electronic
6128KM416V4004BS-6RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 60nsSamsung Electronic
6129KM416V4004BSL-45RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 50 ns, de faible puissanceSamsung Electronic
6130KM416V4004BSL-5RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 50 ns, de faible puissanceSamsung Electronic
6131KM416V4004BSL-6RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 60ns, de faible puissanceSamsung Electronic
6132KM416V4004CRAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
6133KM416V4004CS-45RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 45nsSamsung Electronic
6134KM416V4004CS-50RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 50nsSamsung Electronic
6135KM416V4004CS-60RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 60nsSamsung Electronic
6136KM416V4004CS-L45RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 45ns, de faible puissanceSamsung Electronic
6137KM416V4004CS-L50RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 50 ns, de faible puissanceSamsung Electronic
6138KM416V4004CS-L60RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 60ns, de faible puissanceSamsung Electronic
6139KM416V4100BRAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
6140KM416V4100BS-454M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 45nsSamsung Electronic
6141KM416V4100BS-54M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 50nsSamsung Electronic
6142KM416V4100BS-64M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 60nsSamsung Electronic
6143KM416V4100BS-L454M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 45ns, de faible puissanceSamsung Electronic
6144KM416V4100BS-L54M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 50 ns, de faible puissanceSamsung Electronic
6145KM416V4100BS-L64M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 60ns, de faible puissanceSamsung Electronic
6146KM416V4100CRAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
6147KM416V4100CS-454M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 45nsSamsung Electronic
6148KM416V4100CS-54M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 50nsSamsung Electronic
6149KM416V4100CS-64M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 60nsSamsung Electronic
6150KM416V4100CS-L454M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 45ns, de faible puissanceSamsung Electronic
6151KM416V4100CS-L54M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 50 ns, de faible puissanceSamsung Electronic
6152KM416V4100CS-L64M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 60ns, de faible puissanceSamsung Electronic
6153KM416V4104BRAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
6154KM416V4104BS-45RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 45nsSamsung Electronic
6155KM416V4104BS-5RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 50nsSamsung Electronic
6156KM416V4104BS-6RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 60nsSamsung Electronic



6157KM416V4104BSL-45RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 45ns, de faible puissanceSamsung Electronic
6158KM416V4104BSL-5RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 50 ns, de faible puissanceSamsung Electronic
6159KM416V4104BSL-6RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 60ns, de faible puissanceSamsung Electronic
6160KM416V4104CRAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
6161KM416V4104CS-45RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
6162KM416V4104CS-50RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 50nsSamsung Electronic
6163KM416V4104CS-60RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 60nsSamsung Electronic
6164KM416V4104CS-L45RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 45ns, de faible puissanceSamsung Electronic
6165KM416V4104CS-L50RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 50 ns, de faible puissanceSamsung Electronic
6166KM416V4104CS-L60RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 60ns, de faible puissanceSamsung Electronic
6167KM418RD128/144Mbit RDRAM 256K X 16/18 les banques dépendantes du bit X 2*16 dirigent RDRAMTMSamsung Electronic
6168KM418RD16AC128/144Mbit RDRAM 256K X 16/18 les banques dépendantes du bit X 2*16 dirigent RDRAMTMSamsung Electronic
6169KM418RD16AD128/144Mbit RDRAM 256K X 16/18 les banques dépendantes du bit X 2*16 dirigent RDRAMTMSamsung Electronic
6170KM418RD16C128/144Mbit RDRAM 256K X 16/18 les banques dépendantes du bit X 2*16 dirigent RDRAMTMSamsung Electronic
6171KM418RD16D128/144Mbit RDRAM 256K X 16/18 les banques dépendantes du bit X 2*16 dirigent RDRAMTMSamsung Electronic
6172KM418RD2AC128/144Mbit RDRAM 256K X 16/18 les banques dépendantes du bit X 2*16 dirigent RDRAMTMSamsung Electronic
6173KM418RD2AD128/144Mbit RDRAM 256K X 16/18 les banques dépendantes du bit X 2*16 dirigent RDRAMTMSamsung Electronic
6174KM418RD2C128/144Mbit RDRAM 256K X 16/18 les banques dépendantes du bit X 2*16 dirigent RDRAMTMSamsung Electronic
6175KM418RD2D128/144Mbit RDRAM 256K X 16/18 les banques dépendantes du bit X 2*16 dirigent RDRAMTMSamsung Electronic
6176KM418RD32AC128/144Mbit RDRAM 256K X 16/18 les banques dépendantes du bit X 2*16 dirigent RDRAMTMSamsung Electronic
6177KM418RD32AD128/144Mbit RDRAM 256K X 16/18 les banques dépendantes du bit X 2*16 dirigent RDRAMTMSamsung Electronic
6178KM418RD32C128/144Mbit RDRAM 256K X 16/18 les banques dépendantes du bit X 2*16 dirigent RDRAMTMSamsung Electronic
6179KM418RD32D128/144Mbit RDRAM 256K X 16/18 les banques dépendantes du bit X 2*16 dirigent RDRAMTMSamsung Electronic
6180KM418RD4AC128/144Mbit RDRAM 256K X 16/18 les banques dépendantes du bit X 2*16 dirigent RDRAMTMSamsung Electronic
6181KM418RD4AD128/144Mbit RDRAM 256K X 16/18 les banques dépendantes du bit X 2*16 dirigent RDRAMTMSamsung Electronic
6182KM418RD4C128/144Mbit RDRAM 256K X 16/18 les banques dépendantes du bit X 2*16 dirigent RDRAMTMSamsung Electronic
6183KM418RD4D128/144Mbit RDRAM 256K X 16/18 les banques dépendantes du bit X 2*16 dirigent RDRAMTMSamsung Electronic
6184KM418RD8AC128/144Mbit RDRAMSamsung Electronic
6185KM418RD8AC(D)-RG60128/144Mbit RDRAM 256K X 16/18 les banques dépendantes du bit X 2*16 dirigent RDRAMTMSamsung Electronic
6186KM418RD8AC(D)-RK70128/144Mbit RDRAM 256K X 16/18 les banques dépendantes du bit X 2*16 dirigent RDRAMTMSamsung Electronic
6187KM418RD8AC(D)-RK80128/144Mbit RDRAM 256K X 16/18 les banques dépendantes du bit X 2*16 dirigent RDRAMTMSamsung Electronic
6188KM418RD8AC-RG60256K x 18 x 32s banques dépendantes de RDRAM directes. Temps d'accès: 53,3 ns, vitesse: 600 Mbps (300 MHz).Samsung Electronic
6189KM418RD8AC-RK70256K x 18 x 32s banques dépendantes de RDRAM directes. Temps d'accès: 45 ns, vitesse: 711 Mbps (356 MHz).Samsung Electronic
6190KM418RD8AC-RK80256K x 18 x 32s banques dépendantes de RDRAM directes. Temps d'accès: 45 ns, vitesse: 800 Mbps (400 MHz).Samsung Electronic
6191KM418RD8AD128/144Mbit RDRAMSamsung Electronic
6192KM418RD8AD-RG60256K x 18 x 32s banques dépendantes de RDRAM directes. Temps d'accès: 53,3 ns, vitesse: 600 Mbps (300 MHz).Samsung Electronic
6193KM418RD8AD-RK70256K x 18 x 32s banques dépendantes de RDRAM directes. Temps d'accès: 45 ns, vitesse: 711 Mbps (356 MHz).Samsung Electronic
6194KM418RD8AD-RK80256K x 18 x 32s banques dépendantes de RDRAM directes. Temps d'accès: 45 ns, vitesse: 800 Mbps (400 MHz).Samsung Electronic
6195KM418RD8C128/144Mbit RDRAM 256K X 16/18 les banques dépendantes du bit X 2*16 dirigent RDRAMTMSamsung Electronic
6196KM418RD8D128/144Mbit RDRAM 256K X 16/18 les banques dépendantes du bit X 2*16 dirigent RDRAMTMSamsung Electronic
6197KM41C4000DRAM dynamique du 1Bit CMOS de 4M x avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
6198KM41C4000DJ-54m x RAM dynamique 1Bit CMOS avec mode page rapide, 5V, 16ms de rafraîchissement, 50nsSamsung Electronic
6199KM41C4000DJ-64m x RAM dynamique 1Bit CMOS avec mode page rapide, 5V, 16ms de rafraîchissement, 60nsSamsung Electronic
6200KM41C4000DJ-74m x RAM dynamique 1Bit CMOS avec mode page rapide, 5V, 16ms de rafraîchissement, 70nsSamsung Electronic

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