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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
6501KM48V2100BKL-6RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6502KM48V2100BKL-7RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
6503KM48V2100BS-5RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
6504KM48V2100BS-6RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6505KM48V2100BS-7RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
6506KM48V2100BSL-5RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
6507KM48V2100BSL-6RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6508KM48V2100BSL-7RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
6509KM48V8004BRAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
6510KM48V8004BK-45RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45nsSamsung Electronic
6511KM48V8004BK-5RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
6512KM48V8004BK-6RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
6513KM48V8004BKL-45RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45nsSamsung Electronic
6514KM48V8004BKL-5RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
6515KM48V8004BKL-6RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
6516KM48V8004BS-45RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45nsSamsung Electronic
6517KM48V8004BS-5RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
6518KM48V8004BS-6RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
6519KM48V8004BSL-45RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45nsSamsung Electronic
6520KM48V8004BSL-5RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
6521KM48V8004BSL-6RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
6522KM48V8004CRAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
6523KM48V8004CK-45RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45nsSamsung Electronic
6524KM48V8004CK-5RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
6525KM48V8004CK-6RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
6526KM48V8004CKL-45RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45nsSamsung Electronic
6527KM48V8004CKL-5RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
6528KM48V8004CKL-6RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
6529KM48V8004CS-45RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45nsSamsung Electronic
6530KM48V8004CS-5RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
6531KM48V8004CS-6RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
6532KM48V8004CSL-45RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45nsSamsung Electronic
6533KM48V8004CSL-5RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
6534KM48V8004CSL-6RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
6535KM48V8104BRAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
6536KM48V8104BK-45RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45nsSamsung Electronic
6537KM48V8104BK-5RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
6538KM48V8104BK-6RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
6539KM48V8104BKL-45RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45nsSamsung Electronic
6540KM48V8104BKL-5RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
6541KM48V8104BKL-6RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
6542KM48V8104BS-45RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45nsSamsung Electronic
6543KM48V8104BS-5RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
6544KM48V8104BS-6RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
6545KM48V8104BSL-45RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45nsSamsung Electronic
6546KM48V8104BSL-5RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
6547KM48V8104BSL-6RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
6548KM48V8104CRAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
6549KM48V8104CK-45RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45nsSamsung Electronic
6550KM48V8104CK-5RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
6551KM48V8104CK-6RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
6552KM48V8104CKL-45RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45nsSamsung Electronic
6553KM48V8104CKL-5RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
6554KM48V8104CKL-6RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
6555KM48V8104CS-45RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45nsSamsung Electronic
6556KM48V8104CS-5RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
6557KM48V8104CS-6RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60nsSamsung Electronic



6558KM48V8104CSL-45RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45nsSamsung Electronic
6559KM48V8104CSL-5RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
6560KM48V8104CSL-6RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
6561KM6110011Bit CMOS à grande vitesse SRAM du 1M XSamsung Electronic
6562KM611001L1Bit CMOS à grande vitesse SRAM du 1M XSamsung Electronic
6563KM6161002ACMOS SRAMSamsung Electronic
6564KM6161002BCMOS SRAMSamsung Electronic
6565KM6161002CCMOS SRAMSamsung Electronic
6566KM6164000Bbasse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 256Kx16Samsung Electronic
6567KM6164000BL-Lbasse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 256Kx16Samsung Electronic
6568KM6164000BLI-Lbasse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 256Kx16Samsung Electronic
6569KM6164000BLR-5Lbasse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 256Kx16Samsung Electronic
6570KM6164000BLR-7Lbasse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 256Kx16Samsung Electronic
6571KM6164000BLRI-10Lbasse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 256Kx16Samsung Electronic
6572KM6164000BLRI-7Lbasse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 256Kx16Samsung Electronic
6573KM6164000BLT-5Lbasse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 256Kx16Samsung Electronic
6574KM6164000BLT-7Lbasse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 256Kx16Samsung Electronic
6575KM6164000BLTI-10Lbasse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 256Kx16Samsung Electronic
6576KM6164000BLTI-7Lbasse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 256Kx16Samsung Electronic
6577KM6164002CMOS SRAMSamsung Electronic
6578KM6164002ECMOS SRAMSamsung Electronic
6579KM6164002ICMOS SRAMSamsung Electronic
6580KM616FS4110ZI-10100 ns; V (cc): -2 à + 3V; 1W; 256K x 16 bits ultra faible puissance et basse tension plein RAM statique CMOSSamsung Electronic
6581KM616FS4110ZI-770ns; V (cc): -2 à + 3V; 1W; 256K x 16 bits ultra faible puissance et basse tension plein RAM statique CMOSSamsung Electronic
6582KM62256basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 32Kx8Samsung Electronic
6583KM62256Cbasse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 32Kx8Samsung Electronic
6584KM62256C FAMILYbasse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 32Kx8Samsung Electronic
6585KM62256CLbasse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 32Kx8Samsung Electronic
6586KM62256CLG-4basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 32Kx8Samsung Electronic
6587KM62256CLG-4Lbasse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 32Kx8Samsung Electronic
6588KM62256CLG-5basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 32Kx8Samsung Electronic
6589KM62256CLG-5basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 32Kx8Samsung Electronic
6590KM62256CLG-5Lbasse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 32Kx8Samsung Electronic
6591KM62256CLG-5Lbasse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 32Kx8Samsung Electronic
6592KM62256CLG-7basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 32Kx8Samsung Electronic
6593KM62256CLG-7basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 32Kx8Samsung Electronic
6594KM62256CLG-7Lbasse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 32Kx8Samsung Electronic
6595KM62256CLG-7Lbasse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 32Kx8Samsung Electronic
6596KM62256CLGE-10basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 32Kx8Samsung Electronic
6597KM62256CLGE-10Lbasse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 32Kx8Samsung Electronic
6598KM62256CLGE-7basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 32Kx8Samsung Electronic
6599KM62256CLGE-7basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 32Kx8Samsung Electronic
6600KM62256CLGE-7Lbasse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 32Kx8Samsung Electronic

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