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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
601K4E171611D-T1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 5V, 4K cycle de rafraîchissement.Samsung Electronic
602K4E171612DRAM dynamique du 1M X 16Bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
603K4E171612D-J1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 4K.Samsung Electronic
604K4E171612D-T1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 4K.Samsung Electronic
605K4E640412DRAM dynamique de 16M x 4bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
606K4E640412D-JC_L16M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. 3.3V, 4K rafraîchir cycle.Samsung Electronic
607K4E640412D-TC_L16M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. 3.3V, 4K rafraîchir cycle.Samsung Electronic
608K4E640812BRAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
609K4E640812B-JC-45RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45nsSamsung Electronic
610K4E640812B-JC-5RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
611K4E640812B-JC-6RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
612K4E640812B-JCL-45RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45nsSamsung Electronic
613K4E640812B-JCL-5RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
614K4E640812B-JCL-6RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
615K4E640812B-TC-45RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45nsSamsung Electronic
616K4E640812B-TC-5RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
617K4E640812B-TC-6RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
618K4E640812B-TCL-45RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45nsSamsung Electronic
619K4E640812B-TCL-5RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
620K4E640812B-TCL-6RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
621K4E640812CRAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
622K4E640812C-JC-45RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45nsSamsung Electronic
623K4E640812C-JC-5RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
624K4E640812C-JC-6RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
625K4E640812C-JCL-45RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45nsSamsung Electronic
626K4E640812C-JCL-5RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
627K4E640812C-JCL-6RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
628K4E640812C-TC-45RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45nsSamsung Electronic
629K4E640812C-TC-5RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
630K4E640812C-TC-6RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
631K4E640812C-TCL-45RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45nsSamsung Electronic
632K4E640812C-TCL-5RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
633K4E640812C-TCL-6RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
634K4E640812ERAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
635K4E640812E-JC/LRAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
636K4E640812E-TC/LRAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
637K4E641612BRAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
638K4E641612B-LRAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
639K4E641612B-TCRAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
640K4E641612B-TC45RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 45nsSamsung Electronic
641K4E641612B-TC50RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 50nsSamsung Electronic
642K4E641612B-TC60RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 60nsSamsung Electronic
643K4E641612B-TL45RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 45ns, de faible puissanceSamsung Electronic
644K4E641612B-TL50RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 50 ns, de faible puissanceSamsung Electronic
645K4E641612B-TL60RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 60ns, de faible puissanceSamsung Electronic
646K4E641612CRAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
647K4E641612C-45RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
648K4E641612C-50RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
649K4E641612C-60RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
650K4E641612C-LRAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
651K4E641612C-TRAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
652K4E641612C-T45RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
653K4E641612C-T50RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
654K4E641612C-T60RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
655K4E641612C-TCRAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
656K4E641612C-TC45RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
657K4E641612C-TC50RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic



658K4E641612C-TC60RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
659K4E641612C-TL45RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
660K4E641612C-TL50RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
661K4E641612C-TL60RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
662K4E641612DDRACHME DE CMOSSamsung Electronic
663K4E660411D, K4E640411DRAM dynamique de 16MB x de 4bit CMOS avec des données prolongées hors de fiche techniqueSamsung Electronic
664K4E660412DRAM dynamique de 16M x 4bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
665K4E660412D, K4E640412DRAM dynamique de 16MB x de 4bit CMOS avec des données prolongées hors de fiche techniqueSamsung Electronic
666K4E660412D, K4E640412DRAM dynamique de 16MB x de 4bit CMOS avec des données prolongées hors de fiche techniqueSamsung Electronic
667K4E660412D-JC_L16M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. 3.3V, 8K rafraîchir cycle.Samsung Electronic
668K4E660412D-TC_L16M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. 3.3V, 8K rafraîchir cycle.Samsung Electronic
669K4E660412E, K4E640412ERAM dynamique de 16M x 4bit CMOS avec des données prolongées hors de fiche techniqueSamsung Electronic
670K4E660412E, K4E640412ERAM dynamique de 16M x 4bit CMOS avec des données prolongées hors de fiche techniqueSamsung Electronic
671K4E660811D, K4E640811DRAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec des données prolongées hors de fiche techniqueSamsung Electronic
672K4E660812BRAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
673K4E660812B-JC-45RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45nsSamsung Electronic
674K4E660812B-JC-5RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
675K4E660812B-JC-6RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
676K4E660812B-JCL-45RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45nsSamsung Electronic
677K4E660812B-JCL-5RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
678K4E660812B-JCL-6RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
679K4E660812B-TC-45RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45nsSamsung Electronic
680K4E660812B-TC-5RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
681K4E660812B-TC-6RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
682K4E660812B-TCL-45RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45nsSamsung Electronic
683K4E660812B-TCL-5RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
684K4E660812B-TCL-6RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
685K4E660812CRAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
686K4E660812C-JC-45RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45nsSamsung Electronic
687K4E660812C-JC-5RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
688K4E660812C-JC-6RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
689K4E660812C-JCL-45RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45nsSamsung Electronic
690K4E660812C-JCL-5RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
691K4E660812C-JCL-6RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
692K4E660812C-TC-45RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45nsSamsung Electronic
693K4E660812C-TC-5RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
694K4E660812C-TC-6RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
695K4E660812C-TCL-45RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45nsSamsung Electronic
696K4E660812C-TCL-5RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
697K4E660812C-TCL-6RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
698K4E660812D, K4E640812DRAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec des données prolongées hors de fiche techniqueSamsung Electronic
699K4E660812D, K4E640812DRAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec des données prolongées hors de fiche techniqueSamsung Electronic
700K4E660812ERAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic

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