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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
701K4E660812E, K4E640812ERAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec des données prolongées hors de fiche techniqueSamsung Electronic
702K4E660812E, K4E640812ERAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec des données prolongées hors de fiche techniqueSamsung Electronic
703K4E660812E-JC/LRAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
704K4E660812E-TC/LRAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
705K4E661611D, K4E641611DRAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées hors de fiche techniqueSamsung Electronic
706K4E661612BRAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
707K4E661612B-LRAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
708K4E661612B-TCRAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
709K4E661612B-TC45RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 45nsSamsung Electronic
710K4E661612B-TC50RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 50nsSamsung Electronic
711K4E661612B-TC60RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 60nsSamsung Electronic
712K4E661612B-TL45RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 45ns, de faible puissanceSamsung Electronic
713K4E661612B-TL50RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 50 ns, de faible puissanceSamsung Electronic
714K4E661612B-TL60RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 60ns, de faible puissanceSamsung Electronic
715K4E661612CRAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
716K4E661612C-45RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
717K4E661612C-50RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
718K4E661612C-60RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
719K4E661612C-LRAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
720K4E661612C-L45RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
721K4E661612C-L50RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
722K4E661612C-L60RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
723K4E661612C-TRAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
724K4E661612C-T45RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
725K4E661612C-T50RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
726K4E661612C-T60RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
727K4E661612C-TCRAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
728K4E661612C-TC45RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
729K4E661612C-TC50RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
730K4E661612C-TC60RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
731K4E661612C-TL45RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
732K4E661612C-TL50RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
733K4E661612C-TL60RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
734K4E661612DDRACHME DE CMOSSamsung Electronic
735K4E661612D, K4E641612DRAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées hors de fiche techniqueSamsung Electronic
736K4E661612D, K4E641612DRAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées hors de fiche techniqueSamsung Electronic
737K4E661612E, K4E641612ERAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées hors de fiche techniqueSamsung Electronic
738K4E661612E, K4E641612ERAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées hors de fiche techniqueSamsung Electronic
739K4F151611RAM dynamique du 1M X 16Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
740K4F151611DRAM dynamique du 1M X 16Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
741K4F151611D-J1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 5V, 1K cycle de rafraîchissement.Samsung Electronic
742K4F151611D-T1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 5V, 1K cycle de rafraîchissement.Samsung Electronic
743K4F151612DRAM dynamique du 1M X 16Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
744K4F151612D-J1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 1K.Samsung Electronic
745K4F151612D-T1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 1K.Samsung Electronic
746K4F16(7)0811(2)DRAM dynamique de 2M x 8Bit CMOS avec la fiche technique rapide de mode de pageSamsung Electronic
747K4F160411C-B50RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
748K4F160411C-B60RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
749K4F160411C-F50RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
750K4F160411C-F60RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
751K4F160411DRAM dynamique de 4M x 4Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
752K4F160411D-B4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 5V, 2K cycle de rafraîchissement.Samsung Electronic
753K4F160411D-F4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 5V, 2K cycle de rafraîchissement.Samsung Electronic
754K4F160412C-B50RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
755K4F160412C-B60RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
756K4F160412C-F50RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
757K4F160412C-F60RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic



758K4F160412DRAM dynamique de 4M x 4Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
759K4F160412D-B4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 2K.Samsung Electronic
760K4F160412D-F4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 2K.Samsung Electronic
761K4F160811DRAM dynamique de 2M x 8Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
762K4F160811D-B2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 5V, 2K cycle de rafraîchissement.Samsung Electronic
763K4F160811D-F2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 5V, 2K cycle de rafraîchissement.Samsung Electronic
764K4F160812DRAM dynamique de 2M x 8Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
765K4F160812D-B2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 2K.Samsung Electronic
766K4F160812D-F2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 2K.Samsung Electronic
767K4F170411C-B50RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
768K4F170411C-B60RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
769K4F170411C-F50RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
770K4F170411C-F60RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
771K4F170411DRAM dynamique de 4M x 4Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
772K4F170411D-B4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 5V, 4K cycle de rafraîchissement.Samsung Electronic
773K4F170411D-F4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 5V, 4K cycle de rafraîchissement.Samsung Electronic
774K4F170412C-B50RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
775K4F170412C-B60RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
776K4F170412C-F50RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
777K4F170412C-F60RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
778K4F170412DRAM dynamique de 4M x 4Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
779K4F170412D-B4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 4K.Samsung Electronic
780K4F170412D-F4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 4K.Samsung Electronic
781K4F170811DRAM dynamique de 2M x 8Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
782K4F170811D-B2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 5V, 4K cycle de rafraîchissement.Samsung Electronic
783K4F170811D-F2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 5V, 4K cycle de rafraîchissement.Samsung Electronic
784K4F170812DRAM dynamique de 2M x 8Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
785K4F170812D-B2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 4K.Samsung Electronic
786K4F170812D-F2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 4K.Samsung Electronic
787K4F171611DRAM dynamique du 1M X 16Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
788K4F171611D-J1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 5V, 4K cycle de rafraîchissement.Samsung Electronic
789K4F171611D-T1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 5V, 4K cycle de rafraîchissement.Samsung Electronic
790K4F171612DRAM dynamique du 1M X 16Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
791K4F171612D-J1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 4K.Samsung Electronic
792K4F171612D-T1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 4K.Samsung Electronic
793K4F640412DRAM dynamique de 16M x 4bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
794K4F640412D-JC_LRAM dynamique 16M x 4 bits CMOS avec mode page rapide. 3.3V, 4K rafraîchir cycle.Samsung Electronic
795K4F640412D-TC_LRAM dynamique 16M x 4 bits CMOS avec mode page rapide. 3.3V, 4K rafraîchir cycle.Samsung Electronic
796K4F640811BRAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
797K4F640811B-JC-45RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 45nsSamsung Electronic
798K4F640811B-JC-50RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
799K4F640811B-JC-60RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
800K4F640811B-TC-45RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 45nsSamsung Electronic

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