Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
701 | K4E660812E, K4E640812E | RAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec des données prolongées hors de fiche technique | Samsung Electronic |
702 | K4E660812E, K4E640812E | RAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec des données prolongées hors de fiche technique | Samsung Electronic |
703 | K4E660812E-JC/L | RAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
704 | K4E660812E-TC/L | RAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
705 | K4E661611D, K4E641611D | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées hors de fiche technique | Samsung Electronic |
706 | K4E661612B | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
707 | K4E661612B-L | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
708 | K4E661612B-TC | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
709 | K4E661612B-TC45 | RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 45ns | Samsung Electronic |
710 | K4E661612B-TC50 | RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 50ns | Samsung Electronic |
711 | K4E661612B-TC60 | RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 60ns | Samsung Electronic |
712 | K4E661612B-TL45 | RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 45ns, de faible puissance | Samsung Electronic |
713 | K4E661612B-TL50 | RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 50 ns, de faible puissance | Samsung Electronic |
714 | K4E661612B-TL60 | RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 60ns, de faible puissance | Samsung Electronic |
715 | K4E661612C | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
716 | K4E661612C-45 | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
717 | K4E661612C-50 | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
718 | K4E661612C-60 | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
719 | K4E661612C-L | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
720 | K4E661612C-L45 | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
721 | K4E661612C-L50 | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
722 | K4E661612C-L60 | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
723 | K4E661612C-T | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
724 | K4E661612C-T45 | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
725 | K4E661612C-T50 | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
726 | K4E661612C-T60 | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
727 | K4E661612C-TC | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
728 | K4E661612C-TC45 | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
729 | K4E661612C-TC50 | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
730 | K4E661612C-TC60 | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
731 | K4E661612C-TL45 | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
732 | K4E661612C-TL50 | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
733 | K4E661612C-TL60 | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
734 | K4E661612D | DRACHME DE CMOS | Samsung Electronic |
735 | K4E661612D, K4E641612D | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées hors de fiche technique | Samsung Electronic |
736 | K4E661612D, K4E641612D | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées hors de fiche technique | Samsung Electronic |
737 | K4E661612E, K4E641612E | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées hors de fiche technique | Samsung Electronic |
738 | K4E661612E, K4E641612E | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées hors de fiche technique | Samsung Electronic |
739 | K4F151611 | RAM dynamique du 1M X 16Bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
740 | K4F151611D | RAM dynamique du 1M X 16Bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
741 | K4F151611D-J | 1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 5V, 1K cycle de rafraîchissement. | Samsung Electronic |
742 | K4F151611D-T | 1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 5V, 1K cycle de rafraîchissement. | Samsung Electronic |
743 | K4F151612D | RAM dynamique du 1M X 16Bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
744 | K4F151612D-J | 1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 1K. | Samsung Electronic |
745 | K4F151612D-T | 1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 1K. | Samsung Electronic |
746 | K4F16(7)0811(2)D | RAM dynamique de 2M x 8Bit CMOS avec la fiche technique rapide de mode de page | Samsung Electronic |
747 | K4F160411C-B50 | RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
748 | K4F160411C-B60 | RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
749 | K4F160411C-F50 | RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
750 | K4F160411C-F60 | RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
751 | K4F160411D | RAM dynamique de 4M x 4Bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
752 | K4F160411D-B | 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 5V, 2K cycle de rafraîchissement. | Samsung Electronic |
753 | K4F160411D-F | 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 5V, 2K cycle de rafraîchissement. | Samsung Electronic |
754 | K4F160412C-B50 | RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
755 | K4F160412C-B60 | RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
756 | K4F160412C-F50 | RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
757 | K4F160412C-F60 | RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
758 | K4F160412D | RAM dynamique de 4M x 4Bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
759 | K4F160412D-B | 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 2K. | Samsung Electronic |
760 | K4F160412D-F | 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 2K. | Samsung Electronic |
761 | K4F160811D | RAM dynamique de 2M x 8Bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
762 | K4F160811D-B | 2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 5V, 2K cycle de rafraîchissement. | Samsung Electronic |
763 | K4F160811D-F | 2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 5V, 2K cycle de rafraîchissement. | Samsung Electronic |
764 | K4F160812D | RAM dynamique de 2M x 8Bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
765 | K4F160812D-B | 2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 2K. | Samsung Electronic |
766 | K4F160812D-F | 2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 2K. | Samsung Electronic |
767 | K4F170411C-B50 | RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
768 | K4F170411C-B60 | RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
769 | K4F170411C-F50 | RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
770 | K4F170411C-F60 | RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
771 | K4F170411D | RAM dynamique de 4M x 4Bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
772 | K4F170411D-B | 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 5V, 4K cycle de rafraîchissement. | Samsung Electronic |
773 | K4F170411D-F | 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 5V, 4K cycle de rafraîchissement. | Samsung Electronic |
774 | K4F170412C-B50 | RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
775 | K4F170412C-B60 | RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
776 | K4F170412C-F50 | RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
777 | K4F170412C-F60 | RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
778 | K4F170412D | RAM dynamique de 4M x 4Bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
779 | K4F170412D-B | 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 4K. | Samsung Electronic |
780 | K4F170412D-F | 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 4K. | Samsung Electronic |
781 | K4F170811D | RAM dynamique de 2M x 8Bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
782 | K4F170811D-B | 2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 5V, 4K cycle de rafraîchissement. | Samsung Electronic |
783 | K4F170811D-F | 2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 5V, 4K cycle de rafraîchissement. | Samsung Electronic |
784 | K4F170812D | RAM dynamique de 2M x 8Bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
785 | K4F170812D-B | 2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 4K. | Samsung Electronic |
786 | K4F170812D-F | 2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 4K. | Samsung Electronic |
787 | K4F171611D | RAM dynamique du 1M X 16Bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
788 | K4F171611D-J | 1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 5V, 4K cycle de rafraîchissement. | Samsung Electronic |
789 | K4F171611D-T | 1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 5V, 4K cycle de rafraîchissement. | Samsung Electronic |
790 | K4F171612D | RAM dynamique du 1M X 16Bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
791 | K4F171612D-J | 1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 4K. | Samsung Electronic |
792 | K4F171612D-T | 1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 4K. | Samsung Electronic |
793 | K4F640412D | RAM dynamique de 16M x 4bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
794 | K4F640412D-JC_L | RAM dynamique 16M x 4 bits CMOS avec mode page rapide. 3.3V, 4K rafraîchir cycle. | Samsung Electronic |
795 | K4F640412D-TC_L | RAM dynamique 16M x 4 bits CMOS avec mode page rapide. 3.3V, 4K rafraîchir cycle. | Samsung Electronic |
796 | K4F640811B | RAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
797 | K4F640811B-JC-45 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 45ns | Samsung Electronic |
798 | K4F640811B-JC-50 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
799 | K4F640811B-JC-60 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
800 | K4F640811B-TC-45 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 45ns | Samsung Electronic |
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