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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
2801EC4401CTransistors MOSFET Moyens De RendementSANYO
2802EC4402CTransistors MOSFET Moyens De RendementSANYO
2803EC4403CTransistors MOSFET Moyens De RendementSANYO
2804EC4A01CFETS De JonctionSANYO
2805EC4H07CTransistors D'Ultra-haut-FréquenceSANYO
2806ECH8305Transistors MOSFET Moyens De RendementSANYO
2807ECH8401Transistors MOSFET Moyens De RendementSANYO
2808ECH8402Transistors MOSFET Moyens De RendementSANYO
2809ECH8601Nch+NchSANYO
2810ECH8602Nch+NchSANYO
2811ECH8603Pch+PchSANYO
2812ECH8604TRANSISTOR De SILICIUM De MOS De la MANCHE De NSANYO
2813ECH8605Pch+PchSANYO
2814ECH8606Nch+NchSANYO
2815ECH8607TRANSISTOR De SILICIUM De MOS De la MANCHE De NSANYO
2816ECH8608Pch+NchSANYO
2817ECH8609Pch+NchSANYO
2818ECH8611Pch+PchSANYO
2819ECH8613Pch+PchSANYO
2820ECH8621Nch+NchSANYO
2821ECH8622Nch+NchSANYO
2822ECH8631ECH8631SANYO
2823ECSP1006-3EC3A02TSANYO
2824ECSP1006-3TEC3A02TSANYO
2825ECSP1006-TEC3A02TSANYO
2826ENN6612BApplications De Microphone De Condensateur D'ElectretSANYO
2827ENN7385Applications D'Amplificateur De Général-But De Bas-FréquenceSANYO
2828ESGD100Diodes De Barrière De GaAs SchottkySANYO
2829ESVD301Diodes De Varactor De GaAsSANYO
2830F606Transistor de silicium épitaxiale PNP, l'application de commutation à haute intensitéSANYO
2831F607ULTRA-HAUT - COMMUTATION DE VITESSE, APPLICATIONS DE CONDUCTEUR DE MOTEURSANYO
2832FC105Applications Composées De Commutation De Transistor De Silicium Planaire Épitaxial de PNPSANYO
2833FC106Applications Composées De Commutation De Transistor De Silicium Planaire Épitaxial de NPNSANYO
2834FC107Applications Composées De Commutation De Transistor De Silicium Planaire Épitaxial de PNPSANYO
2835FC108Applications Composées De Commutation De Transistor De Silicium Planaire Épitaxial de NPNSANYO
2836FC109Applications Composées De Commutation De Transistor De Silicium Planaire Épitaxial de PNPSANYO
2837FC11FET Ampère D'usage universel De basse fréquence, Applications Différentielles De Silicium De Jonction De N-Canal D'AmpèreSANYO
2838FC110Applications Composées De Commutation De Transistor De Silicium Planaire Épitaxial de NPNSANYO
2839FC111Applications Composées De Commutation De Transistor De Silicium Planaire Épitaxial de PNPSANYO
2840FC112Applications Composées De Commutation De Transistor De Silicium Planaire Épitaxial de NPNSANYO
2841FC113Applications Composées De Commutation De Transistor De Silicium Planaire Épitaxial de PNPSANYO
2842FC114Applications Composées De Commutation De Transistor De Silicium Planaire Épitaxial de NPNSANYO
2843FC115Applications Composées De Commutation De Transistor De Silicium Planaire Épitaxial de PNPSANYO
2844FC116Applications Composées De Commutation De Transistor De Silicium Planaire Épitaxial de NPNSANYO
2845FC117Applications D'Ampère De Général-But De Bas-FréquenceSANYO
2846FC118Ampère À haute fréquence, Applications de AM, Ampère De basse fréquenceSANYO
2847FC119Ampère D'usage universel À haute fréquence, Applications Différentielles D'AmpèreSANYO
2848FC12Ampère À haute fréquence, Applications de AM, Ampère De basse fréquenceSANYO
2849FC120Ampère D'usage universel À haute fréquence, Applications Différentielles D'AmpèreSANYO
2850FC121Applications composées de commutation de transistor de silicium planaire épitaxial de PNP (avec la résistance polarisée)SANYO
2851FC123Applications composées de commutation de transistor de silicium planaire épitaxial de PNP (avec la résistance polarisée)SANYO
2852FC124Applications composées de commutation de transistor de silicium planaire épitaxial de NPN (avec la résistance polarisée)SANYO
2853FC125Applications composées de commutation de transistor de silicium planaire épitaxial de PNP avec la résistance polarisée)SANYO
2854FC126Applications composées de commutation de transistor de silicium planaire épitaxial de NPN (avec la résistance polarisée)SANYO
2855FC127Applications composées de commutation de transistor de silicium planaire épitaxial de PNP (avec la résistance polarisée)SANYO
2856FC128Applications composées de commutation de transistor de silicium planaire épitaxial de NPN (avec la résistance polarisée)SANYO
2857FC129Applications composées de commutation de transistor de silicium planaire épitaxial de PNP (avec la résistance polarisée)SANYO
2858FC13Ampère D'usage universel De basse fréquence, Différentiel Ampère, Applications Analogues De CommutateurSANYO



2859FC130Applications composées de commutation de transistor de silicium planaire épitaxial de NPN (avec la résistance polarisée)SANYO
2860FC131Applications composées de commutation de transistor de silicium planaire épitaxial de PNP (avec la résistance polarisée)SANYO
2861FC132Applications composées de commutation de transistor de silicium planaire épitaxial de NPN (avec la résistance polarisée)SANYO
2862FC133Applications composées de commutation de transistor de silicium planaire épitaxial de PNP (avec la résistance polarisée)SANYO
2863FC134Applications composées de commutation de transistor de silicium planaire épitaxial de NPN (avec la résistance polarisée)SANYO
2864FC135Applications composées de commutation de transistor de silicium planaire épitaxial de PNP (avec la résistance polarisée)SANYO
2865FC136Applications composées de commutation de transistor de silicium planaire épitaxial de NPN (avec la résistance polarisée)SANYO
2866FC137Applications composées de commutation de transistor de silicium planaire épitaxial de PNP (avec la résistance polarisée)SANYO
2867FC138Applications composées de commutation de transistor de silicium planaire épitaxial de NPN (avec la résistance polarisée)SANYO
2868FC139Transistor Composé Ampère D'usage universel De basse fréquence, Le Général Driver Applications De Silicium Planaire Épitaxial de NPNSANYO
2869FC140Applications À grande vitesse De Commutation De Transistor Composé Planaire Épitaxial De Silicium de NPNSANYO
2870FC142Applications composées de commutation de transistor de silicium planaire épitaxial de PNP (avec la résistance polarisée)SANYO
2871FC143Applications composées de commutation de transistor de silicium planaire épitaxial de NPN (avec la résistance polarisée)SANYO
2872FC144Applications composées de commutation de transistor de silicium planaire épitaxial de NPN (avec la résistance polarisée)SANYO
2873FC149Transistor Composé Ampère D'usage universel De basse fréquence, Applications De Silicium Planaire Épitaxial de PNP De ConducteurSANYO
2874FC150Transistor Composé Ampère D'usage universel De basse fréquence, Applications De Silicium Planaire Épitaxial de PNP/npn De ConducteurSANYO
2875FC151Transistor Composé Ampère À haute fréquence, Applications De Silicium Planaire Épitaxial de PNP De Circuit Courantes De MiroirSANYO
2876FC152Transistor Composé Ampère À haute fréquence, Applications Différentielles De Silicium Planaire Épitaxial de PNP D'AmpèreSANYO
2877FC154Commutation À grande vitesse De Transistor Planaire Épitaxial De Silicium de NPN/pnp, Applications À haute fréquence D'AmpèreSANYO
2878FC155Applications de circuit Constant-Courantes de silicium de PNP du transistor (avec les résistances polarisées) PNP Epitaxail de transistor planaire planaire épitaxial de siliciumSANYO
2879FC156Transistor Composé Ampère À faible bruit À haute fréquence, Applications Différentielles De Silicium Planaire Épitaxial de NPN D'AmpèreSANYO
2880FC157Transistor Composé Ampère À faible bruit À haute fréquence, Applications Différentielles De Silicium Planaire Épitaxial de NPN D'AmpèreSANYO
2881FC18FET Planaire Épitaxial Ampère À haute fréquence, AM Ampère, Applications De basse fréquence De Silicium De Jonction Du Transistor FET:N-Channel De Silicium de TR:npn D'AmpèreSANYO
2882FC21TR: FET Planaire Épitaxial De Transistor De Silicium de NPN: Amplificateur à haute fréquence de FET de jonction de silicium de N-Canal, applications d'amplificateur du tuner rf de AMSANYO
2883FC601Applications Planaires Épitaxiales De Convertisseur De C.c-C.c De Diode De Barrière Du Transistor SBD:Schottky De Silicium de TR:pnpSANYO
2884FC801Diode composée pour des applications à grande vitesse de commutationSANYO
2885FC802Diode composée pour des applications à grande vitesse de commutationSANYO
2886FC80330V, Diode De Barrière De Schottky De Silicium Du Redresseur 70mASANYO
2887FC80430V, Diode De Barrière De Schottky De Silicium Du Redresseur 200mASANYO
2888FC80530V, Diode De Barrière De Schottky De Silicium Du Redresseur 500mASANYO
2889FC80650V, Diode De Barrière De Schottky De Silicium Du Redresseur 100mASANYO
2890FC807Terrain communal Composé D'Anode De Diode De Commutation À grande vitesseSANYO
2891FC808Terrain communal Composé De Cathode De Diode De Commutation À grande vitesseSANYO
2892FC80930V, Diode De Barrière De Silicium Du Redresseur 70mASANYO
2893FC81015V, Diode De Barrière De Silicium Du Redresseur 700mASANYO
2894FC903Type Planaire Épitaxial De Commutation De Silicium Composé À grande vitesse De DiodeSANYO
2895FH102Transistor Composé Ampère À faible bruit À haute fréquence, Applications Différentielles De Silicium Planaire Épitaxial de NPN D'AmpèreSANYO
2896FH103Amplificateur À faible bruit À haute fréquence De Transistor Composé Planaire Épitaxial De Silicium de NPN, Applications D'Amplificateur DifférentielSANYO
2897FH104Amplificateur À faible bruit À haute fréquence De Transistor Composé Planaire Épitaxial De Silicium de NPN, Applications D'Amplificateur DifférentielSANYO
2898FH105Amplificateur À faible bruit À haute fréquence De Transistor Composé Planaire Épitaxial De Silicium de NPN, Applications D'Amplificateur DifférentielSANYO
2899FH201Applications De Circuit Composées d'cOscillateur Du Transistor VCO De Silicium Planaire Épitaxial de NPNSANYO
2900FH202Applications De Circuit Composées d'cOscillateur Du Transistor VCO De Silicium Planaire Épitaxial de NPNSANYO

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