| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 19901 | STB19NB20 | N-canal 200V - 0,150 OHMS - Transistor MOSFET De 19A D2PAK POWERMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 19902 | STB200NF03 | N-canal 30V - 0,0032 ohm - 120A D2PAK / I2PAK / TO-220 PUISSANCE MOSFET STripFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 19903 | STB200NF03-1 | N-canal 30V - 0,0032 ohm - 120A D2PAK / I2PAK / TO-220 PUISSANCE MOSFET STripFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 19904 | STB200NF03T4 | N-canal 30V - 0,0032 ohm - © ÷ 120A de Pak / I © ÷ PAK / TO-220 PUISSANCE MOSFET STripFET A II | SGS Thomson Microelectronics |
| 19905 | STB20NE06 | N-canal 60V -0,06 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 20A D2PAK STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 19906 | STB20NE06 | N - la MANCHE 60V - 0,06 Ohms - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 20A D 2 PAK STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 19907 | STB20NE06L | N - la MANCHE 60V - 0,06 Ohms - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 20A To-263 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 19908 | STB20NE06L | N-canal 60V - 0,06 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 20A D2PAK STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 19909 | STB20NM50 | Transistor MOSFET de PUISSANCE de l'cOhm 20A To-220/to-220fp/d2pak/i2pak MDMESH Du N-canal 500V 0,20 | SGS Thomson Microelectronics |
| 19910 | STB20NM50-1 | Transistor MOSFET de PUISSANCE de l'cOhm 20A To-220/to-220fp/d2pak/i2pak MDMESH Du N-canal 500V 0,20 | SGS Thomson Microelectronics |
| 19911 | STB20NM50FD | Transistor MOSFET de PUISSANCE de l'cOhm 20A D2PAK FDMESH Du N-canal 500V 0,20 | SGS Thomson Microelectronics |
| 19912 | STB20NM50FD-1 | Transistor MOSFET de PUISSANCE de l'cOhm 20A To-220/i2pak FDMESH Du N-canal 500V 0,22 | SGS Thomson Microelectronics |
| 19913 | STB20NM60 | Transistor MOSFET de PUISSANCE de l'cOhm 20A To-220/to-220fp/d2pak/i2pak MDMESH Du N-canal 600V 0,25 | SGS Thomson Microelectronics |
| 19914 | STB20NM60-1 | Transistor MOSFET de PUISSANCE de l'cOhm 20A To-220/to-220fp/d2pak/i2pak MDMESH Du N-canal 600V 0,25 | SGS Thomson Microelectronics |
| 19915 | STB210NF02 | N-canal 20V - 0,0026 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 120A D2pak/i2pak/to-220 STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 19916 | STB210NF02-1 | N-canal 20V - 0,0026 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 120A D2pak/i2pak/to-220 STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 19917 | STB22NE03L | N-canal 30V - 0,034 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 2À D2PAK STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 19918 | STB22NE03L | N - la MANCHE 30V - 0,034 Ohms - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 2À To-263 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 19919 | STB24NF10 | N - la MANCHE 100V - 0.07Ohm - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE De STripFET de CHARGE de PORTE De 2Â To-263 | SGS Thomson Microelectronics |
| 19920 | STB24NF10 | N-canal 100V - 0,07 OHMS - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET de PORTE De 2Â D2PAK | SGS Thomson Microelectronics |
| 19921 | STB3015L | N - la MANCHE 30V - 0,013 W - 40A - Transistor MOSFET de PUISSANCE De D 2 Pak/to-220 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 19922 | STB3015L | N-canal 30V - 0,013 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 40A D2pak/to-220 STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 19923 | STB3020L | N-canal 30V - 0,013 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 40A D2pak/to-220 STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 19924 | STB30N10 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 19925 | STB30N10 | N - La MANCHE 100V - 0.0Õhm - 30A - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De D 2 PAK | SGS Thomson Microelectronics |
| 19926 | STB30NE06L | N-canal 60V - 0,35 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 30A D2PAK STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 19927 | STB30NE06L | N - la MANCHE 60V - 0,35 Ohms - 30A - Transistor MOSFET de PUISSANCE De D 2 PAK STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 19928 | STB30NF10 | Transistor MOSFET de la PUISSANCE II de la CHARGE STRIPFET de PORTE de l'cOhm 3Ä To-220/to-220fp/d2pak Du N-canal 100V 0,038 BAS | SGS Thomson Microelectronics |
| 19929 | STB35NF10 | Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET de PORTE de l'cOhm 40A To-220/d2pak Du N-canal 100V 0.030 BAS | SGS Thomson Microelectronics |
| 19930 | STB36NF02L | N-canal 20V - 0,016 W - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE De STripFET de CHARGE de PORTE De 3Ã D 2 PAK | SGS Thomson Microelectronics |
| 19931 | STB36NF03L | N - la MANCHE 30V - 0,015 Ohms - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE De STripFET de CHARGE de PORTE De 3Ã D 2 PAK | SGS Thomson Microelectronics |
| 19932 | STB36NF03L | N-canal 30V - 0,015 OHMS - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET de PORTE De 3Ã D2PAK | SGS Thomson Microelectronics |
| 19933 | STB3N60-1 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 19934 | STB3NA60-1 | N - TRANSISTOR RAPIDE De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 19935 | STB3NA80 | N - TRANSISTOR RAPIDE De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 19936 | STB3NB60 | N - la MANCHE 600V - 3,3 Ohms - 3.Á - Transistor MOSFET De D 2 PAK/i 2 PAK PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 19937 | STB3NC60 | N - la MANCHE 600V - Transistor MOSFET De 3.Óhm -á-d 2 PAK/i 2 PAK PowerMESH II | SGS Thomson Microelectronics |
| 19938 | STB3NC90Z | l'cOhm 3.Ä D2PAK Du N-canal 900V 3,2 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de POWERMESH III | SGS Thomson Microelectronics |
| 19939 | STB3NC90Z-1 | l'cOhm 3.Ä To-220/to-220fp/i2pak Du N-canal 900V 3,2 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de POWERMESH III | SGS Thomson Microelectronics |
| 19940 | STB40NE03L-20 | N - Transistor MOSFET SIMPLE De PUISSANCE De ö De TAILLE De DISPOSITIF De ö De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE ] | SGS Thomson Microelectronics |
| 19941 | STB40NE03L-20 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 19942 | STB40NF03L | N-canal 30V - 0,020 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 40A D2PAK STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 19943 | STB40NF03L | N - la MANCHE 30V - 0,020 Ohms - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 40A D 2 PAK STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 19944 | STB40NF10 | N-canal 100V - 0,025 OHMS - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET de PORTE De 40A D2PAK | SGS Thomson Microelectronics |
| 19945 | STB40NF10 | N - la MANCHE 100V - 0.030Ohm - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE De STripFET de CHARGE de PORTE De 40A To-263 | SGS Thomson Microelectronics |
| 19946 | STB40NF10 | N-canal 100V - 0,024 OHMS - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET II de PORTE De 50A To-220/d2pak | SGS Thomson Microelectronics |
| 19947 | STB40NF10L | Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET de PORTE de l'cOhm 40A D2PAK Du N-canal 100V 0,028 BAS | SGS Thomson Microelectronics |
| 19948 | STB40NS15 | Transistor MOSFET de RECOUVREMENT de MAILLE de l'cOhm 40A D2PAK Du N-canal 150V 0,042 | SGS Thomson Microelectronics |
| 19949 | STB4395 | CT2 RECEIVER/transmitter | SGS Thomson Microelectronics |
| 19950 | STB45N10L | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 19951 | STB45N10L | N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 19952 | STB45NF06 | Transistor MOSFET de PUISSANCE Du N-canal 60V 0.02òhm 3Å D2PAK STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 19953 | STB45NF06L | N-canal 60V - 0,022 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 3Å D2PAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 19954 | STB45NF3LL | Transistor MOSFET de PUISSANCE de l'cOhm 4Ä D2PAK STRIPFET II Du N-canal 30V 0,014 | SGS Thomson Microelectronics |
| 19955 | STB4NB50 | N - la MANCHE 500V - 2,5 Ohms - 3.Å - Transistor MOSFET de D2PAK/i2pak PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 19956 | STB4NB80 | N - la MANCHE 800V - 3 Ohms - Transistor MOSFET De  - De PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 19957 | STB4NC50 | Transistor MOSFET Du N-canal 500V 2.òhm  D2PAK POWERMESH II | SGS Thomson Microelectronics |
| 19958 | STB4NC60 | Transistor MOSFET de l'cOhm 4.À D2PAK POWERMESH II Du N-canal 600V 1,8 | SGS Thomson Microelectronics |
| 19959 | STB4NC60-1 | N-canal 600V - 1,8 OHMS - Transistor MOSFET De 4.À To-220/to-220fp/i2pak POWERMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 19960 | STB4NC60A-1 | Transistor MOSFET de l'cOhm 4.À To-220/to-220fp/i2pak POWERMESH II Du N-canal 600V 1,8 | SGS Thomson Microelectronics |
| 19961 | STB4NC80Z-1 | l'cOhm  To-220 To-220fp I2PAK ZENER Du N-canal 800V 2,4 A PROTÉGÉ LE Transistor MOSFET de POWERMESH III | SGS Thomson Microelectronics |
| 19962 | STB50NE08 | N - Transistor MOSFET SIMPLE De PUISSANCE De ö De TAILLE De DISPOSITIF De ö De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 19963 | STB50NE10 | N - la MANCHE 100V - 0.021Ohm - 50A - Transistor MOSFET de PUISSANCE De D 2 PAK STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 19964 | STB50NE10 | N-canal 100V - 0,021 OHMS - 50A - Transistor MOSFET de PUISSANCE de D2PAK STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 19965 | STB50NE10L | N - la MANCHE 100V - 0.020Ohm - 50A - Transistor MOSFET de PUISSANCE De D 2 PAK STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 19966 | STB55NE06 | N - Transistor MOSFET SIMPLE De PUISSANCE De ö De TAILLE De DISPOSITIF De ö De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 19967 | STB55NE06L | N - Transistor MOSFET De PUISSANCE "De TAILLE SIMPLE De DISPOSITIF" De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 19968 | STB55NF03L | N-canal 30V - 0,01 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 5Ä D2PAK STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 19969 | STB55NF03L | N-canal 30V - 0,01 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 5Ä TO220/d2pak/i2pak STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 19970 | STB55NF03L | N - la MANCHE 30V - 0,01 Ohms - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 5Ä D 2 PAK STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 19971 | STB55NF03L-1 | N-canal 30V - 0,01 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 5Ä TO220/d2pak/i2pak STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 19972 | STB55NF06 | Transistor MOSFET de PUISSANCE de l'cOhm 50A D2PAK STRIPFET Du N-canal 60V 0,018 | SGS Thomson Microelectronics |
| 19973 | STB55NF06-1 | Transistor MOSFET de PUISSANCE de l'cOhm 50A To-220/to-220fp/i2pak STRIPFET II Du N-canal 60V 0,017 | SGS Thomson Microelectronics |
| 19974 | STB55NF06L | N-canal 60V - 0,014 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 5Ä T0-220/d2pak/i2pak STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 19975 | STB55NF06L-1 | N-canal 60V - 0,014 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 5Ä T0-220/d2pak/i2pak STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 19976 | STB5600 | IC D'entrée de GPS Rf | SGS Thomson Microelectronics |
| 19977 | STB5610 | IC D'entrée de GPS Rf | SGS Thomson Microelectronics |
| 19978 | STB5NA50 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 19979 | STB5NA50 | N - TRANSISTOR RAPIDE De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 19980 | STB5NA80 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 19981 | STB5NA80 | N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 19982 | STB5NB60 | N - la MANCHE 600V - -Ä De 1,8 Ohms - Transistor MOSFET De I 2 PAK/d 2 PAK PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 19983 | STB5NB80 | N - la MANCHE 800V - -Ä De 1,8 Ohms - Transistor MOSFET De D 2 PAK PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 19984 | STB5NC70Z-1 | l'cOhm 4.Ã To-220/to-220fp/i2pak Du N-canal 700V 1,8 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de POWERMESH III | SGS Thomson Microelectronics |
| 19985 | STB5NC90Z-1 | l'cOhm 4.Ã To-220 To-220fp I2PAK Du N-canal 900V 2,1 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de POWERMESH III | SGS Thomson Microelectronics |
| 19986 | STB60N03L-10 | N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 19987 | STB60N06-14 | N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 19988 | STB60N06-14 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 19989 | STB60NE03L-10 | N - Transistor MOSFET SIMPLE De PUISSANCE De ö De TAILLE De DISPOSITIF De ö De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE ] | SGS Thomson Microelectronics |
| 19990 | STB60NE03L-10 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 19991 | STB60NE03L-12 | N - la MANCHE 30V - 0,009 Ohms - 60A - Transistor MOSFET de PUISSANCE "de TAILLE SIMPLE de DISPOSITIF" De D 2 PAK | SGS Thomson Microelectronics |
| 19992 | STB60NE03L-12 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 19993 | STB60NE06-16 | N - Transistor MOSFET SIMPLE De PUISSANCE De ö De TAILLE De DISPOSITIF De ö De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 19994 | STB60NE06-16 | N-canal 60V - 0,013 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 60A D2PAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 19995 | STB60NE06L-16 | N - la MANCHE 60V - 0,014 Ohms - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 60A D 2 PAK STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 19996 | STB60NE06L-16 | N-canal 60V - 0,014 OMH - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 60A D2PAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 19997 | STB60NF03L | N-canal 30V - 0,008 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 60A D2PAK STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 19998 | STB60NF03L | N - la MANCHE 30V - 0,008 Ohms - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 60A D 2 PAK STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 19999 | STB60NF06 | Transistor MOSFET de PUISSANCE de l'cOhm 60A D2PAK STRIPFET Du N-canal 60V 0,014 | SGS Thomson Microelectronics |
| 20000 | STB60NF06L | N-canal 60V - 0,014 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 60A D2pak/to-220 STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
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