| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 1101 | BD980 | TRANSISTORS DU SILICIUM DARLINGTON DE PNP | Siemens |
| 1102 | BDP947 | Transistors de puissance d'cAf de silicium de NPN (pour des conducteurs d'cAf et le gain courant élevé élevé de courant de collecteur d'étapes de rendement) | Siemens |
| 1103 | BDP948 | Transistor de puissance d'cAf de silicium de PNP (pour des conducteurs d'cAf et le gain courant élevé élevé de courant de collecteur d'étapes de rendement) | Siemens |
| 1104 | BDP949 | Transistors de puissance d'cAf de silicium de NPN (pour des conducteurs d'cAf et le gain courant élevé élevé de courant de collecteur d'étapes de rendement) | Siemens |
| 1105 | BDP950 | Transistor de puissance d'cAf de silicium de PNP (pour des conducteurs d'cAf et le gain courant élevé élevé de courant de collecteur d'étapes de rendement) | Siemens |
| 1106 | BDP951 | Transistors de puissance d'cAf de silicium de NPN (pour des conducteurs d'cAf et le gain courant élevé élevé de courant de collecteur d'étapes de rendement) | Siemens |
| 1107 | BDP952 | Transistor de puissance d'cAf de silicium de PNP (pour des conducteurs d'cAf et le gain courant élevé élevé de courant de collecteur d'étapes de rendement) | Siemens |
| 1108 | BDP953 | Transistors de puissance d'cAf de silicium de NPN (pour des conducteurs d'cAf et le gain courant élevé élevé de courant de collecteur d'étapes de rendement) | Siemens |
| 1109 | BDP954 | Transistor de puissance d'cAf de silicium de PNP (pour des conducteurs d'cAf et le gain courant élevé élevé de courant de collecteur d'étapes de rendement) | Siemens |
| 1110 | BDP955 | Transistors de puissance d'cAf de silicium de NPN (pour des conducteurs d'cAf et le gain courant élevé élevé de courant de collecteur d'étapes de rendement) | Siemens |
| 1111 | BDP956 | Transistor de puissance d'cAf de silicium de PNP (pour des conducteurs d'cAf et le gain courant élevé élevé de courant de collecteur d'étapes de rendement) | Siemens |
| 1112 | BDW25 | Silicium Trnasistors Planaire de NPN | Siemens |
| 1113 | BDW25-10 | Silicium Trnasistors Planaire de NPN | Siemens |
| 1114 | BDW25-4 | Silicium Trnasistors Planaire de NPN | Siemens |
| 1115 | BDW25-6 | Silicium Trnasistors Planaire de NPN | Siemens |
| 1116 | BDX27 | TRANSISTORS PLANAIRES DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 1117 | BDX27-10 | TRANSISTORS PLANAIRES DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 1118 | BDX27-16 | TRANSISTORS PLANAIRES DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 1119 | BDX27-6 | TRANSISTORS PLANAIRES DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 1120 | BDX28 | TRANSISTORS PLANAIRES DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 1121 | BDX28-10 | TRANSISTORS PLANAIRES DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 1122 | BDX28-16 | TRANSISTORS PLANAIRES DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 1123 | BDX28-6 | TRANSISTORS PLANAIRES DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 1124 | BDX29 | TRANSISTORS PLANAIRES DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 1125 | BDX29-10 | TRANSISTORS PLANAIRES DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 1126 | BDX29-6 | TRANSISTORS PLANAIRES DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 1127 | BDX30 | TRANSISTORS PLANAIRES DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 1128 | BDX30-10 | TRANSISTORS PLANAIRES DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 1129 | BDX30-6 | TRANSISTORS PLANAIRES DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 1130 | BDY12 | Silicium Trnasistors Planaire de NPN | Siemens |
| 1131 | BDY12-10 | Silicium Trnasistors Planaire de NPN | Siemens |
| 1132 | BDY12-16 | Silicium Trnasistors Planaire de NPN | Siemens |
| 1133 | BDY12-6 | Silicium Trnasistors Planaire de NPN | Siemens |
| 1134 | BDY13 | Silicium Trnasistors Planaire de NPN | Siemens |
| 1135 | BDY13-10 | Silicium Trnasistors Planaire de NPN | Siemens |
| 1136 | BDY13-16 | Silicium Trnasistors Planaire de NPN | Siemens |
| 1137 | BDY13-6 | Silicium Trnasistors Planaire de NPN | Siemens |
| 1138 | BF1005 | Tétrode de transistor MOSFET de N-Canal de silicium (pour le bas bruit, l'entrée commandée de gain élevé met en scène jusqu'au réseau polarisé stabilisé intégré par 5V de tension de fonctionnement de 1GHz) | Siemens |
| 1139 | BF1005S | Tétrode de transistor MOSFET de N-Canal de silicium (pour le bas bruit, l'entrée commandée de gain élevé met en scène jusqu'au réseau polarisé stabilisé intégré par 5V de tension de fonctionnement de 1GHz) | Siemens |
| 1140 | BF1009 | Tétrode de transistor MOSFET de N-Canal de silicium (pour le bas bruit, le gain élevé a commandé des étapes d'entrée jusqu'au réseau polarisé stabilisé intégré par V de la tension 9 de fonctionnement de 1GHz | Siemens |
| 1141 | BF1009S | Tétrode de transistor MOSFET de N-Canal de silicium (pour le bas bruit, l'entrée commandée de gain élevé met en scène jusqu'au réseau polarisé intégré par 9V de tension de fonctionnement de 1GHz) | Siemens |
| 1142 | BF1012 | Tétrode de transistor MOSFET de N-Canal de silicium (pour le bas bruit, le gain élevé a commandé des étapes d'entrée jusqu'au réseau polarisé stabilisé intégré par 12V de tension de fonctionnement de 1GHz | Siemens |
| 1143 | BF1012S | Tétrode de transistor MOSFET de N-Canal de silicium (pour le bas bruit, l'entrée commandée de gain élevé met en scène jusqu'au réseau polarisé stabilisé intégré par 5V de tension de fonctionnement de 1GHz) | Siemens |
| 1144 | BF1012W | TÉTRODE de transistor MOSFET de N-canal de SILICIUM (pour l'entrée à faible bruit et gagner-commandée met en scène jusqu'à 1 gigahertz) | Siemens |
| 1145 | BF198 | Transistor Du Silicium Rf de NPN | Siemens |
| 1146 | BF2000 | Tétrode de Transistor MOSFET De la Manche Du Silicium N | Siemens |
| 1147 | BF2000W | Tétrode de transistor MOSFET de la Manche du silicium N (le transistor de Court-canal avec le facteur de qualité élevé de S/c pour l'entrée à faible bruit et gagner-commandée met en scène jusqu'à 1 gigahertz) | Siemens |
| 1148 | BF2030 | Tétrode de transistor MOSFET de N-Canal de silicium (pour le bas bruit, l'entrée commandée de gain élevé met en scène jusqu'à la tension 5V de fonctionnement de 1GHz) | Siemens |
| 1149 | BF2030W | Tétrode de transistor MOSFET de N-Canal de silicium (pour le bas bruit, l'entrée commandée de gain élevé met en scène jusqu'à la tension 5V de fonctionnement de 1GHz) | Siemens |
| 1150 | BF2040 | Tétrode de transistor MOSFET de N-Canal de silicium (pour le bas bruit, l'entrée commandée de gain élevé met en scène jusqu'à la tension 5V de fonctionnement de 1GHz) | Siemens |
| 1151 | BF2040W | Tétrode de transistor MOSFET de N-Canal de silicium (pour le bas bruit, l'entrée commandée de gain élevé met en scène jusqu'à la tension 5V de fonctionnement de 1GHz) | Siemens |
| 1152 | BF245 | Transistors d'effet de champ de jonction de N-Canal | Siemens |
| 1153 | BF245A | Transistors d'effet de champ de jonction de N-Canal | Siemens |
| 1154 | BF245B | Transistors d'effet de champ de jonction de N-Canal | Siemens |
| 1155 | BF245C | Transistors d'effet de champ de jonction de N-Canal | Siemens |
| 1156 | BF246 | TRANSISTORS D'Effet de champ de JONCTION De N-canal | Siemens |
| 1157 | BF246A | TRANSISTORS D'Effet de champ de JONCTION De N-canal | Siemens |
| 1158 | BF246B | TRANSISTORS D'Effet de champ de JONCTION De N-canal | Siemens |
| 1159 | BF246C | TRANSISTORS D'Effet de champ de JONCTION De N-canal | Siemens |
| 1160 | BF254 | Transistors Du Silicium Rf de NPN | Siemens |
| 1161 | BF324 | TRANSISTOR DU SILICIUM RF DE PNP | Siemens |
| 1162 | BF362 | TRANSISTORS DU SILICIUM RF DE NPN | Siemens |
| 1163 | BF363 | TRANSISTORS DU SILICIUM RF DE NPN | Siemens |
| 1164 | BF410 | TRANSISTOR À faible bruit D'Effet de champ de JONCTION De N-canal POUR DES APPLICATIONS de Rf | Siemens |
| 1165 | BF410A | TRANSISTOR À faible bruit D'Effet de champ de JONCTION De N-canal POUR DES APPLICATIONS de Rf | Siemens |
| 1166 | BF410B | TRANSISTOR À faible bruit D'Effet de champ de JONCTION De N-canal POUR DES APPLICATIONS de Rf | Siemens |
| 1167 | BF410C | TRANSISTOR À faible bruit D'Effet de champ de JONCTION De N-canal POUR DES APPLICATIONS de Rf | Siemens |
| 1168 | BF410D | TRANSISTOR À faible bruit D'Effet de champ de JONCTION De N-canal POUR DES APPLICATIONS de Rf | Siemens |
| 1169 | BF414 | Transistor du silicium rf de NPN (pour des étapes de VHF de base à faible bruit et commune et de FM) | Siemens |
| 1170 | BF420 | Transistors De Silicium de NPN Avec La Tension Inverse Élevée (Transistors De Silicium de NPN Avec La Tension Inverse Élevée) | Siemens |
| 1171 | BF421 | Transistors de silicium de PNP (tension élevée de saturation de collecteur-émetteur de tension claque basse) | Siemens |
| 1172 | BF422 | Transistors De Silicium de NPN Avec La Tension Inverse Élevée (Transistors De Silicium de NPN Avec La Tension Inverse Élevée) | Siemens |
| 1173 | BF423 | Transistors de silicium de PNP (tension élevée de saturation de collecteur-émetteur de tension claque basse) | Siemens |
| 1174 | BF457 | TRANSISTORS DU SILICIUM RF DE NPN | Siemens |
| 1175 | BF458 | TRANSISTORS DU SILICIUM RF DE NPN | Siemens |
| 1176 | BF459 | TRANSISTORS DU SILICIUM RF DE NPN | Siemens |
| 1177 | BF469 | TRANSISTORS PLANAIRES DE SILICIUM DE NPN | Siemens |
| 1178 | BF470 | TRANSISTORS PLANAIRES DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 1179 | BF471 | TRANSISTORS PLANAIRES DE SILICIUM DE NPN | Siemens |
| 1180 | BF472 | TRANSISTORS PLANAIRES DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 1181 | BF502 | TRANSISTOR DU SILICIUM RF DE NPN | Siemens |
| 1182 | BF503 | TRANSISTOR DU SILICIUM RF DE NPN | Siemens |
| 1183 | BF505 | TRANSISTOR DU SILICIUM RF DE NPN | Siemens |
| 1184 | BF506 | Transistor du silicium rf de PNP (pour des étapes de mélangeur et d'oscillateur de VHF) | Siemens |
| 1185 | BF507 | TRANSISTOR DU SILICIUM RF DE NPN | Siemens |
| 1186 | BF517 | Transistor du silicium rf de NPN (pour des applications d'amplificateur et d'oscillateur dans des TV-tuners) | Siemens |
| 1187 | BF543 | Transistor du silicium rf de NPN (pour des applications d'amplificateur et d'oscillateur dans des TV-tuners) | Siemens |
| 1188 | BF550 | Transistor du silicium rf de PNP (pour les étapes communes d'amplificateur d'émetteur jusqu'à 300 mégahertz pour des applications de mélangeur dans des radios d'cAm/fm et des tuners de VHF TV) | Siemens |
| 1189 | BF554 | Transistor du silicium rf de NPN (pour des applications small-signal générales de rf jusqu'à 300 mégahertz dans des circuits d'amplificateur, de mélangeur et d'oscillateur) | Siemens |
| 1190 | BF562 | transistor du silicium rf de npn | Siemens |
| 1191 | BF568 | TRANSISTOR PLANAIRE DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 1192 | BF569 | Transistor du silicium rf de PNP (pour des OSCILLATEURS, des MÉLANGEURS ET DES ÉTAPES de MÉLANGEUR d'Individu-oscillation DANS DES TUNERS à fréquence ultra-haute de TV) | Siemens |
| 1193 | BF569W | Transistor du silicium rf de PNP (pour les oscillateurs, le mélangeur et les étapes d'individu-oscillation de mélangeur dans le TV-tuner À FRÉQUENCE ULTRA-haute) | Siemens |
| 1194 | BF599 | Transistor du silicium rf de NPN (basse capacité de rétroaction d'amplificateur commun d'émetteur IF/rf due à la diffusion de bouclier) | Siemens |
| 1195 | BF622 | Transistor à haute tension de silicium de NPN (approprié aux étapes visuelles de rendement dans tension élevée de saturation de collecteur-émetteur de tension claque d'ensembles de TV la basse) | Siemens |
| 1196 | BF623 | Transistor à haute tension de silicium de PNP (approprié aux étapes visuelles de rendement dans tension élevée de saturation de collecteur-émetteur de tension claque d'ensembles de TV la basse) | Siemens |
| 1197 | BF660 | Transistor du silicium rf de PNP (pour des applications d'oscillateur de VHF) | Siemens |
| 1198 | BF660W | Transistor du silicium rf de PNP (pour des applications d'oscillateur de VHF) | Siemens |
| 1199 | BF720 | Transistors à haute tension de silicium de NPN (appropriés aux étapes visuelles de rendement dans la tension claque élevée d'alimentations d'ensembles de TV et d'énergie de commutation) | Siemens |
| 1200 | BF721 | Transistors à haute tension de silicium de PNP (appropriés aux étapes visuelles de rendement dans la tension claque élevée d'alimentations d'ensembles de TV et d'énergie de commutation) | Siemens |
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