| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 1201 | BF722 | Transistors à haute tension de silicium de NPN (appropriés aux étapes visuelles de rendement dans la tension claque élevée d'alimentations d'ensembles de TV et d'énergie de commutation) | Siemens |
| 1202 | BF723 | Transistors à haute tension de silicium de PNP (appropriés aux étapes visuelles de rendement dans la tension claque élevée d'alimentations d'ensembles de TV et d'énergie de commutation) | Siemens |
| 1203 | BF767 | TRANSISTOR PLANAIRE DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 1204 | BF770A | Transistor du silicium rf de NPN (pour SI amplificateurs dans des tuners TV-reposés et pour des modulateurs de magnétoscope) | Siemens |
| 1205 | BF771 | Transistor du silicium rf de NPN (pour des modulateurs et des amplificateurs dans des tuners de TV et de magnétoscope) | Siemens |
| 1206 | BF771W | Transistor du silicium rf de NPN (pour des modulateurs et des amplificateurs dans des tuners de TV et de magnétoscope) | Siemens |
| 1207 | BF772 | Transistor du silicium rf de NPN (pour l'application dans des tuners TV-reposés) | Siemens |
| 1208 | BF775 | Transistor du silicium rf de NPN (particulièrement approprié aux tuners TV-reposés et À FRÉQUENCE ULTRA-haute) | Siemens |
| 1209 | BF775A | Transistor du silicium rf de NPN (particulièrement approprié aux amplificateurs et aux tuners TV-reposés) | Siemens |
| 1210 | BF775W | Transistor du silicium rf de NPN (particulièrement approprié aux tuners TV-reposés et À FRÉQUENCE ULTRA-haute) | Siemens |
| 1211 | BF777 | TRANSISTOR DU SILICIUM RF DE NPN (POUR DES CONVERTISSEURS DE FRÉQUENCE D'CUhf/vhf ET DES OSCILLATEURS LOCAUX) | Siemens |
| 1212 | BF799 | TRANSISTOR du SILICIUM rf de NPN (pour des applications à bande large linéaires d'amplificateur conducteur de filtre de SCIE de jusqu'à 500 mégahertz dans des tuners de TV) | Siemens |
| 1213 | BF799W | Transistor du silicium rf de NPN (pour des applications à bande large linéaires d'amplificateur jusqu'au conducteur de filtre de SCIE 500MHz dans des tuners de TV) | Siemens |
| 1214 | BF840 | Transistors du silicium rf de NPN (appropriés à émetteur commun rf, SI basse capacité de collecteur-base d'amplificateurs due à la diffusion de bouclier de contact) | Siemens |
| 1215 | BF841 | Transistors du silicium rf de NPN (appropriés à émetteur commun rf, SI basse capacité de collecteur-base d'amplificateurs due à la diffusion de bouclier de contact) | Siemens |
| 1216 | BF847 | TRANSISTORS DU SILICIUM RF DE PNP | Siemens |
| 1217 | BF848 | TRANSISTORS DU SILICIUM RF DE PNP | Siemens |
| 1218 | BF849 | TRANSISTORS DU SILICIUM RF DE PNP | Siemens |
| 1219 | BF881 | Transistors De Silicium de NPN | Siemens |
| 1220 | BF926 | TRANSISTOR PLANAIRE DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 1221 | BF939 | TRANSISTOR PLANAIRE DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 1222 | BF959 | Transistor du silicium rf de NPN (pour des applications de conducteur de filtre de SCIE dans des tuners de TV pour les étapes à bande large linéaires d'amplificateur de VHF) | Siemens |
| 1223 | BF967 | TRANSISTOR PLANAIRE DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 1224 | BF968 | TRANSISTOR PLANAIRE DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 1225 | BF979S | TRANSISTOR PLANAIRE DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 1226 | BF987 | TRIODE de transistor MOSFET de la MANCHE du SILICIUM N (pour les étapes à haute fréquence jusqu'à 300 mégahertz, de préférence dans des possibilités élevées de surcharge d'applications de FM) | Siemens |
| 1227 | BF994 | Tétrode de transistor MOSFET de la Manche du silicium N (pour demandes de VHF/particulièrement d'étapes d'entrée et de mélangeur avec un grand choix d'accord/par exemple dans des tuners de CATV) | Siemens |
| 1228 | BF994S | Tétrode de transistor MOSFET de la Manche du silicium N (pour des demandes de VHF, particulièrement d'entrée et d'étapes de mélangeur avec un grand choix d'accord, par exemple dans des tuners de CATV) | Siemens |
| 1229 | BF995 | Tétrode de transistor MOSFET de la Manche du silicium N (pour des étapes d'entrée et de mélangeur dans des tuners de FM et de VHF TV) | Siemens |
| 1230 | BF996S | Tétrode de transistor MOSFET de la Manche du silicium N (pour des étapes d'entrée dans le chiffre bas de bruit de TV de transconductance élevé À FRÉQUENCE ULTRA-haute de tuners) | Siemens |
| 1231 | BF997 | Tétrode de transistor MOSFET de la Manche du silicium N (réseau intégré de suppression contre de fausses oscillations de VHF) | Siemens |
| 1232 | BF998 | Tétrode de transistor MOSFET de la Manche du silicium N (le transistor de Court-canal avec le facteur de qualité élevé de S/c pour l'entrée à faible bruit et gagner-commandée met en scène jusqu'à 1 gigahertz) | Siemens |
| 1233 | BF998R | Tétrode de transistor MOSFET de N-Canal de silicium (transistor de Court-canal avec le facteur de qualité élevé de S/c) | Siemens |
| 1234 | BF998W | Tétrode de transistor MOSFET de N-Canal de silicium (transistor de Court-canal avec le facteur de qualité élevé de S/c) | Siemens |
| 1235 | BF999 | Triode de transistor MOSFET de la Manche du silicium N (pour les étapes à haute fréquence jusqu'à 300 mégahertz, de préférence dans des applications de FM) | Siemens |
| 1236 | BFG135A | Transistor du silicium rf de NPN (pour les étapes à bande large d'amplificateur de rendement de bas-déformation dans l'antenne et les télécommunications) | Siemens |
| 1237 | BFG19 | Transistor du silicium rf de NPN (pour de bas amplificateurs à bande large de bruit/bas de déformation dans l'antenne) | Siemens |
| 1238 | BFG193 | Transistor du silicium rf de NPN (pour le bas bruit, les amplificateurs à gain élevé jusqu'à 2GHz pour les amplificateurs à bande large linéaires) | Siemens |
| 1239 | BFG194 | Transistor du silicium rf de PNP (pour les amplificateurs à bande large de basse déformation dans l'antenne et les télécommunications) | Siemens |
| 1240 | BFG196 | Transistor du silicium rf de NPN (pour le bas bruit, les amplificateurs à bande large de basse déformation dans l'antenne et les télécommunications) | Siemens |
| 1241 | BFG19S | Transistor du silicium rf de NPN (pour le bas bruit, les amplificateurs à bande large de basse déformation dans l'antenne) | Siemens |
| 1242 | BFG235 | Transistor du silicium rf de NPN (pour les étapes à bande large d'amplificateur de rendement de bas-déformation dans l'antenne et les télécommunications) | Siemens |
| 1243 | BFN 39 | Transistors à haute tension de silicium de PNP (appropriés aux étapes visuelles de rendement dans la tension claque élevée d'alimentations d'ensembles de TV et d'énergie de commutation) | Siemens |
| 1244 | BFN20 | Transistor à haute tension de silicium de NPN (approprié aux étapes visuelles de rendement dans la tension claque élevée d'alimentations d'ensembles de TV et d'énergie de commutation) | Siemens |
| 1245 | BFN20 | Transistor à haute tension de silicium de NPN (approprié aux étapes visuelles de rendement dans la tension claque élevée d'alimentations d'ensembles de TV et d'énergie de commutation) | Siemens |
| 1246 | BFN21 | Transistor à haute tension de silicium de PNP (approprié aux étapes visuelles de rendement dans la tension claque élevée d'alimentations d'ensembles de TV et d'énergie de commutation) | Siemens |
| 1247 | BFN21 | Transistor à haute tension de silicium de PNP (approprié aux étapes visuelles de rendement dans la tension claque élevée d'alimentations d'ensembles de TV et d'énergie de commutation) | Siemens |
| 1248 | BFN26 | Transistors à haute tension de silicium de NPN (appropriés aux étapes visuelles de rendement dans la tension claque élevée d'alimentations d'ensembles de TV et d'énergie de commutation) | Siemens |
| 1249 | BFN27 | Transistors à haute tension de silicium de PNP (appropriés aux étapes visuelles de rendement dans la tension claque élevée d'alimentations d'ensembles de TV et d'énergie de commutation) | Siemens |
| 1250 | BFN36 | Transistors à haute tension de silicium de NPN (appropriés aux étapes visuelles de rendement dans la tension claque élevée d'alimentations d'ensembles de TV et d'énergie de commutation) | Siemens |
| 1251 | BFN37 | Transistors à haute tension de silicium de PNP (appropriés aux étapes visuelles de rendement dans la tension claque élevée d'alimentations d'ensembles de TV et d'énergie de commutation) | Siemens |
| 1252 | BFN38 | Transistors à haute tension de silicium de NPN (appropriés aux étapes visuelles de rendement dans la tension claque élevée d'alimentations d'ensembles de TV et d'énergie de commutation) | Siemens |
| 1253 | BFP136 | Transistor du silicium rf de NPN (pour l'amplificateur de puissance dans des systèmes de DECT et de PCN) | Siemens |
| 1254 | BFP136W | Transistor du silicium rf de NPN (pour l'amplificateur de puissance dans des systèmes de DECT et de PCN) | Siemens |
| 1255 | BFP180 | Transistor du silicium rf de NPN (pour les amplificateurs de basse puissance dans le pagineur mobile de systèmes de communication aux courants de collecteur de 0,2 à 2.5mA) | Siemens |
| 1256 | BFP180W | Transistor du silicium rf de NPN (pour les amplificateurs de basse puissance dans le pagineur mobile de systèmes de communication aux courants de collecteur de 0,2 à 2.5mA) | Siemens |
| 1257 | BFP181 | De NPN transistor du silicium rf (pour le bas de bruit, amplificateurs à bande large à gain élevé aux courants de collecteur de 0.5mA à 12mA) | Siemens |
| 1258 | BFP181R | De NPN transistor du silicium rf (pour le bas de bruit, amplificateurs à bande large à gain élevé aux courants de collecteur de 0.5mA à 12mA) | Siemens |
| 1259 | BFP181W | De NPN transistor du silicium rf (pour le bas de bruit, amplificateurs à bande large à gain élevé aux courants de collecteur de 0.5mA à 12mA) | Siemens |
| 1260 | BFP182 | Transistor du silicium rf de NPN (pour le bas bruit, les amplificateurs à bande large à gain élevé aux courants de collecteur de 1mA à 20mA) | Siemens |
| 1261 | BFP182R | Transistor du silicium rf de NPN (pour le bas bruit, les amplificateurs à bande large à gain élevé aux courants de collecteur de 1mA à 20mA) | Siemens |
| 1262 | BFP182W | Transistor du silicium rf de NPN (pour le bas bruit, les amplificateurs à bande large à gain élevé aux courants de collecteur de 1mA à 20mA) | Siemens |
| 1263 | BFP183 | Transistor du silicium rf de NPN (pour le bas bruit, les amplificateurs à bande large à gain élevé aux courants de collecteur de 2 mA à 30 mA) | Siemens |
| 1264 | BFP183R | Transistor du silicium rf de NPN (pour le bas bruit, les amplificateurs à bande large à gain élevé aux courants de collecteur de 2 mA à 28 mA) | Siemens |
| 1265 | BFP183W | Transistor du silicium rf de NPN (pour le bas bruit, les amplificateurs à bande large à gain élevé aux courants de collecteur de 2 mA à 30 mA) | Siemens |
| 1266 | BFP193 | Transistor du silicium rf de NPN (pour le bas bruit, les amplificateurs à gain élevé jusqu'à 2GHz pour les amplificateurs à bande large linéaires) | Siemens |
| 1267 | BFP193W | Transistor du silicium rf de NPN (pour le bas bruit, les amplificateurs à gain élevé jusqu'à 2GHz pour les amplificateurs à bande large linéaires) | Siemens |
| 1268 | BFP194 | Transistor du silicium rf de PNP (pour les amplificateurs à bande large de basse déformation dans l'antenne et les systèmes de télécommunications jusqu'à 1,5 gigahertz aux courants de collecteur) | Siemens |
| 1269 | BFP196 | Transistor du silicium rf de NPN (pour le bas bruit, les amplificateurs à bande large de basse déformation dans l'antenne et les télécommunications) | Siemens |
| 1270 | BFP196W | Bruit du silicium rf Transistor(For de NPN bas, amplificateurs à bande large de basse déformation dans l'antenne et télécommunications) | Siemens |
| 1271 | BFP22 | Transistors de silicium de NPN (tension claque élevée l basse tension de saturation de collecteur-émetteur) | Siemens |
| 1272 | BFP23 | Transistors de silicium de PNP (tension élevée de saturation de collecteur-émetteur de tension claque basse) | Siemens |
| 1273 | BFP25 | Transistors de silicium de NPN (tension claque élevée l basse tension de saturation de collecteur-émetteur) | Siemens |
| 1274 | BFP280 | Transistor du silicium rf de NPN (pour le bas bruit, les amplificateurs de basse puissance dans les systèmes de communication mobiles) | Siemens |
| 1275 | BFP280W | Transistor du silicium rf de NPN (pour le bas bruit, les amplificateurs de basse puissance dans les systèmes de communication mobiles) | Siemens |
| 1276 | BFP405 | Transistor du silicium rf de NPN (pour de basses demandes courantes d'oscillateurs jusqu'à 12 gigahertz) | Siemens |
| 1277 | BFP420 | Transistor du silicium rf de NPN (pour de bas amplificateurs de bruit de gain élevé pour des oscillateurs jusqu'à 10 gigahertz) | Siemens |
| 1278 | BFP450 | Transistor du silicium rf de NPN (pour les amplificateurs de puissance moyens) | Siemens |
| 1279 | BFP490 | Transistor Du Silicium Rf de NPN (Q62702-f1721) | Siemens |
| 1280 | BFP520 | Transistor du silicium rf de NPN (pour le bas amplificateur de bruit du gain le plus élevé à 1,8 gigahertz et 2 V) mA/2 | Siemens |
| 1281 | BFP81 | Transistor du silicium rf de NPN (pour les amplificateurs à faible bruit jusqu'à 2GHz aux courants de collecteur de 0,5 mA à 20 mA.) | Siemens |
| 1282 | BFP93 | Transistor du silicium rf de NPN (pour les amplificateurs à bande large et les oscillateurs de basse déformation jusqu'à 2GHz aux courants de collecteur de 5 mA à 30 mA) | Siemens |
| 1283 | BFP93A | Transistor du silicium rf de NPN (pour les amplificateurs à bande large et les oscillateurs de basse déformation jusqu'à 2GHz aux courants de collecteur de 5 mA à 30 mA) | Siemens |
| 1284 | BFQ193 | Transistor du silicium rf de NPN (pour le bas bruit, les amplificateurs à gain élevé jusqu'à 2GHz pour les amplificateurs à bande large linéaires) | Siemens |
| 1285 | BFQ19S | Transistor du silicium rf de NPN (pour le bas bruit, les amplificateurs à bande large de basse déformation dans l'antenne et) | Siemens |
| 1286 | BFQ28 | BAS TRANSISTOR À MICRO-ondes DE SILICIUM DU BRUIT NPN JUSQU'À 4CGcHz | Siemens |
| 1287 | BFQ29 | Transistor du silicium rf de NPN (pour à faible bruit SI et amplificateurs à bande large jusqu'à 1 gigahertz aux courants de collecteur de 1 mA à 20 mA.) | Siemens |
| 1288 | BFQ29P | Transistor du silicium rf de NPN (pour à faible bruit SI et amplificateurs à bande large jusqu'à 1 gigahertz aux courants de collecteur de 1 mA à 20 mA.) | Siemens |
| 1289 | BFQ60 | BAS TRANSISTOR du SILICIUM MICROVAVE du BRUIT NPN JUSQU'À 2 Gigahertz | Siemens |
| 1290 | BFQ70 | Transistor du silicium rf de NPN (pour à faible bruit SI et les amplificateurs à bande large dans l'antenne et les systèmes de télécommunications aux courants de collecteur de 2mA à 20mA) | Siemens |
| 1291 | BFQ71 | Transistor du silicium rf de NPN (pour les amplificateurs à bande large jusqu'à 2 gigahertz et à commutateurs non saturés rapides aux courants de collecteur de 1 mA à 20 mA.) | Siemens |
| 1292 | BFQ72 | Transistor du silicium rf de NPN (pour les amplificateurs à bande large de bas-déformation jusqu'à 2 gigahertz aux courants de collecteur de 10 mA à 30 mA.) | Siemens |
| 1293 | BFQ73 | TRANSISTOR du SILICIUM Rf de NPN (POUR LES AMPLIFICATEURS À BANDE LARGE À faible bruit/Bas-déformation DANS L'CAntenne ET LES SYSTÈMES de TÉLÉCOMMUNICATIONS JUSQU'À 2GHz) | Siemens |
| 1294 | BFQ73S | TRANSISTOR du SILICIUM Rf de NPN (POUR LES AMPLIFICATEURS À BANDE LARGE À faible bruit, De Bas-déformation DANS L'CAntenne ET LES SYSTÈMES de TÉLÉCOMMUNICATIONS JUSQU'À 2GHz) | Siemens |
| 1295 | BFQ74 | Transistor du silicium rf de NPN (pour les amplificateurs à faible bruit dans la chaîne de gigahertz, et les applications analogues et numériques à bande large) | Siemens |
| 1296 | BFQ75 | Transistor du silicium rf de PNP (pour les amplificateurs à bande large jusqu'à 2 gigahertz aux courants de collecteur de 5 mA à 30 mA.) | Siemens |
| 1297 | BFQ76 | Transistor du silicium rf de PNP (pour les amplificateurs à bande large jusqu'à 2 gigahertz aux courants de collecteur jusqu'à 20 mA.) | Siemens |
| 1298 | BFQ81 | Transistor du silicium rf de NPN (pour jusqu'les amplificateurs à à faible bruit 2GHz et applications analogues et numériques à bande large) | Siemens |
| 1299 | BFQ82 | Transistor du silicium rf de NPN (pour les amplificateurs à faible bruit et à gain élevé jusqu'à 2 gigahertz. Applications à bande large linéaires aux courants de collecteur jusqu'à 40 mA.) | Siemens |
| 1300 | BFR106 | Transistor du silicium rf de NPN (pour le bas bruit, les amplificateurs à gain élevé pour les amplificateurs à bande large linéaires) | Siemens |
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