Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
101 | BA887 | Diode de GOUPILLE De Silicium | Siemens |
102 | BA887 | Diode de GOUPILLE De Silicium | Siemens |
103 | BA892 | Diode de commutation RF Silicon | Siemens |
104 | BAR14 | Diodes de GOUPILLE De Silicium | Siemens |
105 | BAR17 | Diode de GOUPILLE De Silicium | Siemens |
106 | BAR17 | Diode de GOUPILLE De Silicium | Siemens |
107 | BAR60 | Diodes de GOUPILLE de silicium (atténuateur de commutateur rf de rf pour des fréquences au-dessus de 10 mégahertz) | Siemens |
108 | BAR60 | Diodes de GOUPILLE de silicium (atténuateur de commutateur rf de rf pour des fréquences au-dessus de 10 mégahertz) | Siemens |
109 | BAR61 | Diodes de GOUPILLE de silicium (atténuateur de commutateur rf de rf pour des fréquences au-dessus de 10 mégahertz) | Siemens |
110 | BAR63 | Diode de GOUPILLE de silicium (la diode de GOUPILLE pour la commutation à grande vitesse du rf signale la basse capacité très basse vers l'avant de résistance pour des fréquences jusqu'à 3 gigahertz) | Siemens |
111 | BAR63-02W | Diode de GOUPILLE de silicium (diode de GOUPILLE pour la commutation à grande vitesse des signaux de rf, de la basse résistance vers l'avant, inductance de petite capacité de la petite) | Siemens |
112 | BAR63-03 | Diode de GOUPILLE de silicium (la diode de GOUPILLE pour la commutation à grande vitesse du rf signale la basse capacité très basse vers l'avant de résistance pour des fréquences jusqu'à 3 gigahertz) | Siemens |
113 | BAR63-03W | Diode de GOUPILLE de silicium (la diode de GOUPILLE pour la commutation à grande vitesse du rf signale la basse capacité très basse vers l'avant de résistance pour des fréquences jusqu'à 3 gigahertz) | Siemens |
114 | BAR63-04 | Diode de GOUPILLE de silicium (la diode de GOUPILLE pour la commutation à grande vitesse du rf signale la basse capacité très basse vers l'avant de résistance pour des fréquences jusqu'à 3 gigahertz) | Siemens |
115 | BAR63-04W | Diode de GOUPILLE de silicium (diode de GOUPILLE pour la commutation à grande vitesse capacité très basse vers l'avant de résistance de signal de rf de la basse pour des fréquences jusqu'à 3 gigahertz) | Siemens |
116 | BAR63-05 | Diode de GOUPILLE de silicium (la diode de GOUPILLE pour la commutation à grande vitesse du rf signale la basse capacité très basse vers l'avant de résistance pour des fréquences jusqu'à 3 gigahertz) | Siemens |
117 | BAR63-05W | Diode de GOUPILLE de silicium (diode de GOUPILLE pour la commutation à grande vitesse capacité très basse vers l'avant de résistance de signal de rf de la basse pour des fréquences jusqu'à 3 gigahertz) | Siemens |
118 | BAR63-06 | Diode de GOUPILLE de silicium (la diode de GOUPILLE pour la commutation à grande vitesse du rf signale la basse capacité très basse vers l'avant de résistance pour des fréquences jusqu'à 3 gigahertz) | Siemens |
119 | BAR63-06W | Diode de GOUPILLE de silicium (diode de GOUPILLE pour la commutation à grande vitesse capacité très basse vers l'avant de résistance de signal de rf de la basse pour des fréquences jusqu'à 3 gigahertz) | Siemens |
120 | BAR63-W | Diode de GOUPILLE de silicium (diode de GOUPILLE pour la commutation à grande vitesse capacité très basse vers l'avant de résistance de signal de rf de la basse pour des fréquences jusqu'à 3 gigahertz) | Siemens |
121 | BAR64 | Diode de GOUPILLE de silicium (résistance commandée courante à haute tension de rf pour l'atténuateur de rf et chaîne de Freqency de swirches au-dessus de 1 mégahertz) | Siemens |
122 | BAR64-02 | Diode de GOUPILLE de silicium (résistance commandée courante à haute tension de rf pour l'atténuateur de rf et chaîne de fréquence de commutateurs au-dessus de 1 mégahertz) | Siemens |
123 | BAR64-02W | Diode de GOUPILLE de silicium (résistance commandée courante à haute tension de rf pour l'atténuateur de rf et chaîne de fréquence de commutateurs au-dessus de 1 mégahertz) | Siemens |
124 | BAR64-03 | Diode de GOUPILLE De Silicium | Siemens |
125 | BAR64-03W | Diode de GOUPILLE De Silicium | Siemens |
126 | BAR64-04 | Diode de GOUPILLE de silicium (résistance commandée courante à haute tension de rf pour l'atténuateur de rf et chaîne de Freqency de swirches au-dessus de 1 mégahertz) | Siemens |
127 | BAR64-04W | Diode de GOUPILLE de silicium (résistance commandée courante à haute tension de rf pour l'atténuateur de rf et chaîne de fréquence de commutateurs au-dessus de 1 mégahertz) | Siemens |
128 | BAR64-05 | Diode de GOUPILLE de silicium (résistance commandée courante à haute tension de rf pour l'atténuateur de rf et chaîne de Freqency de swirches au-dessus de 1 mégahertz) | Siemens |
129 | BAR64-05W | Diode de GOUPILLE de silicium (résistance commandée courante à haute tension de rf pour l'atténuateur de rf et chaîne de fréquence de commutateurs au-dessus de 1 mégahertz) | Siemens |
130 | BAR64-06 | Diode de GOUPILLE de silicium (résistance commandée courante à haute tension de rf pour l'atténuateur de rf et chaîne de Freqency de swirches au-dessus de 1 mégahertz) | Siemens |
131 | BAR64-06W | Diode de GOUPILLE de silicium (résistance commandée courante à haute tension de rf pour l'atténuateur de rf et chaîne de fréquence de commutateurs au-dessus de 1 mégahertz) | Siemens |
132 | BAR64-07 | Diode de GOUPILLE de silicium (résistance commandée courante à haute tension de rf pour l'atténuateur de rf et chaîne de Freqency de swirches au-dessus de 1 mégahertz) | Siemens |
133 | BAR64-W | Diode de GOUPILLE de silicium (résistance commandée courante à haute tension de rf pour l'atténuateur de rf et chaîne de fréquence de commutateurs au-dessus de 1 mégahertz) | Siemens |
134 | BAR65-02 | Données préliminaires de diode de commutation du silicium rf (bas passage de bande de Goupille-diode de perte/bas de capacité pour des TV-tuners) | Siemens |
135 | BAR65-02W | Données préliminaires de diode de commutation du silicium rf (basse perte, bas passage de bande de Goupille-diode de capacité pour des TV-tuners) | Siemens |
136 | BAR65-03 | Diode préliminaire de commutation du silicium rf de données (bas passage de bande de Goupille-diode de perte/bas de capacité pour des TV-tuners) | Siemens |
137 | BAR65-03W | Diode préliminaire de commutation du silicium rf de données (basse perte, bas passage de bande de Goupille-diode de capacité pour des TV-tuners) | Siemens |
138 | BAR65-07 | Données préliminaires de diode de commutation du silicium rf (basse perte, bas passage de bande de Goupille-Diode de capacité pour des TV-tuners) | Siemens |
139 | BAR66 | Rangée de diode de GOUPILLE de silicium (diodes de GOUPILLE de dispositif deux de protection de montée subite, configuration de série) | Siemens |
140 | BAR74 | Diode de commutation de silicium (pour la commutation élevée de vitesse) | Siemens |
141 | BAR80 | Diode de commutation du silicium rf (conception pour l'usage dans perte d'insertion de shunt d'isolement de signal de shunt de Hight de configuration de shunt la basse) | Siemens |
142 | BAR81 | Diode préliminaire de commutation du silicium rf de données (conception pour l'usage dans perte d'insertion de shunt de shunt de configuration de shunt la basse d'isolement élevé de signal) | Siemens |
143 | BAR81W | Données préliminaires de diode de commutation du silicium rf (conception pour l'usage dans perte d'insertion de shunt de shunt de configuration de shunt la basse d'isolement élevé de signal) | Siemens |
144 | BAR99 | Diode de commutation de silicium (pour la commutation élevée de vitesse) | Siemens |
145 | BAS116 | Basse diode de fuite de silicium (la commutation moyenne de vitesse d'applications de Bas-fuite chronomètre la diode simple) | Siemens |
146 | BAS125 | Diodes de Schottky de silicium (pour low-loss, le rapide-rétablissement, la protection de mètre, l'isolement polarisé et les applications de retenue) | Siemens |
147 | BAS125-04 | Diodes de Schottky de silicium (pour low-loss, le rapide-rétablissement, la protection de mètre, l'isolement polarisé et les applications de retenue) | Siemens |
148 | BAS125-04W | Diodes préliminaires de Schottky de silicium de données (pour low-loss, le rapide-rétablissement, la protection de mètre, l'isolement polarisé et l'application de retenue) | Siemens |
149 | BAS125-05 | Diodes de Schottky de silicium (pour low-loss, le rapide-rétablissement, la protection de mètre, l'isolement polarisé et les applications de retenue) | Siemens |
150 | BAS125-05W | Diodes préliminaires de Schottky de silicium de données (pour low-loss, le rapide-rétablissement, la protection de mètre, l'isolement polarisé et l'application de retenue) | Siemens |
151 | BAS125-06 | Diodes de Schottky de silicium (pour low-loss, le rapide-rétablissement, la protection de mètre, l'isolement polarisé et les applications de retenue) | Siemens |
152 | BAS125-06W | Diodes préliminaires de Schottky de silicium de données (pour low-loss, le rapide-rétablissement, la protection de mètre, l'isolement polarisé et l'application de retenue) | Siemens |
153 | BAS125-07 | Diode de Schottky de silicium (pour la protection low-loss/rapide-rétablissement/mètre/l'isolement et applications polarisés de retenue) | Siemens |
154 | BAS125-07W | Diode de Schottky de silicium (pour low-loss, le rapide-rétablissement, la protection de mètre, l'isolement polarisé et les applications de retenue) | Siemens |
155 | BAS125W | Diodes préliminaires de Schottky de silicium de données (pour low-loss, le rapide-rétablissement, la protection de mètre, l'isolement polarisé et l'application de retenue) | Siemens |
156 | BAS140 | Diode de Schottky de silicium (diodes tout usage pour détecter à niveau élevé de retenue de vitesse de commutation de circuit de tension élevée de protection et se mélanger) | Siemens |
157 | BAS140W | Diode de Schottky de silicium (diodes tout usage pour détecter à niveau élevé de retenue de vitesse de commutation de circuit de tension élevée de protection et se mélanger) | Siemens |
158 | BAS16 | Diode de commutation de silicium (pour la commutation élevée de vitesse) | Siemens |
159 | BAS16-02W | Données préliminaires de diode de commutation de silicium (pour des applications élevées de commutation de vitesse) | Siemens |
160 | BAS16-03W | Données préliminaires de diode de commutation de silicium (pour des applications élevées de commutation de vitesse) | Siemens |
161 | BAS16S | Rangée de diode de commutation de silicium (pour les diodes d'isolement (galvaniques) internes de vitesse d'applications élevées de commutation en un paquet) | Siemens |
162 | BAS16W | Diode de commutation de silicium (pour des applications à grande vitesse de commutation) | Siemens |
163 | BAS170 | Diode de Schottky de silicium (diodes d'usage universel pour la tension élevée de protection de circuit de commutation de vitesse maintenant) | Siemens |
164 | BAS170W | Diode de Schottky de silicium (diodes d'usage universel pour la tension élevée de protection de circuit de commutation de vitesse maintenant) | Siemens |
165 | BAS19 | Diodes de commutation de silicium (vitesse élevée, commutateur à haute tension) | Siemens |
166 | BAS20 | Diodes de commutation de silicium (vitesse élevée, commutateur à haute tension) | Siemens |
167 | BAS21 | Diodes de commutation de silicium (vitesse élevée, commutateur à haute tension) | Siemens |
168 | BAS28 | Rangée de diode de commutation de silicium (pour de hautes diodes électriquement isolées de commutation de vitesse) | Siemens |
169 | BAS28W | Rangée de diode de commutation de silicium (pour les diodes isolées électriques de vitesse d'applications élevées de commutation) | Siemens |
170 | BAS40 | Diodes de Schottky de silicium (diodes d'usage universel pour la tension élevée de protection de circuit de commutation de vitesse maintenant) | Siemens |
171 | BAS40 | Diodes de Schottky de silicium (diodes d'usage universel pour la tension élevée de protection de circuit de commutation de vitesse maintenant) | Siemens |
172 | BAS40 | Diode de Schottky de silicium de HiRel (HiRel discret et diodes d'usage universel de semi-conducteur de micro-onde pour la protection élevée de circuit de commutation de vitesse) | Siemens |
173 | BAS40 | - diodes de Schottky de silicium (diodes d'usage universel pour la tension élevée de protection de circuit de commutation de vitesse maintenant) | Siemens |
174 | BAS40 | - diodes de Schottky de silicium (diodes d'usage universel pour la tension élevée de protection de circuit de commutation de vitesse maintenant) | Siemens |
175 | BAS40 | - diodes de Schottky de silicium (diodes d'usage universel pour la tension élevée de protection de circuit de commutation de vitesse maintenant) | Siemens |
176 | BAS40-04 | Diodes de Schottky de silicium (diodes d'usage universel pour la tension élevée de protection de circuit de commutation de vitesse maintenant) | Siemens |
177 | BAS40-04W | Diode de Schottky de silicium (diodes d'usage universel pour la tension élevée de protection de circuit de commutation de vitesse maintenant) | Siemens |
178 | BAS40-05 | Diodes de Schottky de silicium (diodes d'usage universel pour la tension élevée de protection de circuit de commutation de vitesse maintenant) | Siemens |
179 | BAS40-05W | Diode de Schottky de silicium (diodes d'usage universel pour la tension élevée de protection de circuit de commutation de vitesse maintenant) | Siemens |
180 | BAS40-06 | Diodes de Schottky de silicium (diodes d'usage universel pour la tension élevée de protection de circuit de commutation de vitesse maintenant) | Siemens |
181 | BAS40-06W | Diode de Schottky de silicium (diodes d'usage universel pour la tension élevée de protection de circuit de commutation de vitesse maintenant) | Siemens |
182 | BAS40-07W | Données préliminaires de diode de Schottky de silicium (diode d'usage universel pour la tension élevée de protection de circuit de commutation de vitesse maintenant) | Siemens |
183 | BAS40-T1 | Diode de Schottky de silicium de HiRel (HiRel discret et diodes d'usage universel de semi-conducteur de micro-onde pour la protection élevée de circuit de commutation de vitesse) | Siemens |
184 | BAS40W | Diode de Schottky de silicium (diodes d'usage universel pour la tension élevée de protection de circuit de commutation de vitesse maintenant) | Siemens |
185 | BAS70 | - diodes de Schottky de silicium (diodes d'usage universel pour détecter à niveau élevé de retenue de vitesse de commutation de circuit de tension élevée de protection et se mélanger) | Siemens |
186 | BAS70 | Diode de Schottky de silicium de HiRel (HiRel discret et diodes d'usage universel de semi-conducteur de micro-onde pour la commutation élevée de vitesse) | Siemens |
187 | BAS70 | Diodes de Schottky de silicium (diodes d'usage universel pour détecter à niveau élevé de retenue de vitesse de commutation de circuit de tension élevée de protection et se mélanger) | Siemens |
188 | BAS70 | - diodes de Schottky de silicium (diodes d'usage universel pour détecter à niveau élevé de retenue de vitesse de commutation de circuit de tension élevée de protection et se mélanger) | Siemens |
189 | BAS70 | - diodes de Schottky de silicium (diodes d'usage universel pour détecter à niveau élevé de retenue de vitesse de commutation de circuit de tension élevée de protection et se mélanger) | Siemens |
190 | BAS70 | Diodes de Schottky de silicium (diodes d'usage universel pour détecter à niveau élevé de retenue de vitesse de commutation de circuit de tension élevée de protection et se mélanger) | Siemens |
191 | BAS70-04 | Diodes de Schottky de silicium (diodes d'usage universel pour détecter à niveau élevé de retenue de vitesse de commutation de circuit de tension élevée de protection et se mélanger) | Siemens |
192 | BAS70-04S | Rangée de diode de Schottky de silicium (diode d'usage universel pour la tension élevée de protection de circuit de commutation de vitesse maintenant) | Siemens |
193 | BAS70-04W | Diode de Schottky de silicium (diodes d'usage universel pour la tension élevée de protection de circuit de commutation de vitesse maintenant) | Siemens |
194 | BAS70-05 | Diodes de Schottky de silicium (diodes d'usage universel pour détecter à niveau élevé de retenue de vitesse de commutation de circuit de tension élevée de protection et se mélanger) | Siemens |
195 | BAS70-05W | Diode de Schottky de silicium (diodes d'usage universel pour la tension élevée de protection de circuit de commutation de vitesse maintenant) | Siemens |
196 | BAS70-06 | Diodes de Schottky de silicium (diodes d'usage universel pour détecter à niveau élevé de retenue de vitesse de commutation de circuit de tension élevée de protection et se mélanger) | Siemens |
197 | BAS70-06S | Rangée de diode de Schottky de silicium (diode d'usage universel pour la tension élevée de protection de circuit de commutation de vitesse maintenant) | Siemens |
198 | BAS70-06W | Diode de Schottky de silicium (diodes d'usage universel pour la tension élevée de protection de circuit de commutation de vitesse maintenant) | Siemens |
199 | BAS70-07W | Diode de Schottky de silicium (diode d'usage universel pour détecter à niveau élevé de retenue de vitesse de commutation de circuit de tension élevée de protection et se mélanger) | Siemens |
200 | BAS70-T1 | Diode de Schottky de silicium de HiRel (HiRel discret et diodes d'usage universel de semi-conducteur de micro-onde pour la commutation élevée de vitesse) | Siemens |
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