Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
5801 | Q62702-C750 | TRANSISTORS D'CAf DE SILICIUM DE NPN | Siemens |
5802 | Q62702-C821 | TRANSISTORS D'CAf DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
5803 | Q62702-C825 | Transistor de Darlington de silicium de NPN (courant de collecteur élevé élevé de gain courant) | Siemens |
5804 | Q62702-C856 | TRANSISTORS D'CAf DE SILICIUM DE NPN | Siemens |
5805 | Q62702-C905 | Transistors d'Af De Silicium de PNP | Siemens |
5806 | Q62702-C944 | Transistor de Darlington de silicium de PNP (courant de collecteur élevé élevé de gain courant) | Siemens |
5807 | Q62702-C954 | Transistors d'cAf de silicium de NPN (pour le courant élevé de conducteur d'cAf et de collecteur d'étapes de rendement) | Siemens |
5808 | Q62702-D1005 | Diodes de Schottky de silicium (diodes de barrière moyennes pour le paquet en céramique hermétique d'applications de détecteur et de mélangeur) | Siemens |
5809 | Q62702-D1019 | Diodes de Schottky de silicium (diodes de barrière moyennes pour le paquet en céramique hermétique d'applications de détecteur et de mélangeur) | Siemens |
5810 | Q62702-D1026 | Diodes de Schottky de silicium (diodes de barrière moyennes pour le paquet en céramique hermétique d'applications de détecteur et de mélangeur) | Siemens |
5811 | Q62702-D1036 | Diodes de Schottky de silicium (diodes de barrière moyennes pour le paquet en céramique hermétique d'applications de détecteur et de mélangeur) | Siemens |
5812 | Q62702-D1040 | TRANSISTOR PLANAIRE DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
5813 | Q62702-D1041 | Diodes de Schottky de silicium (diodes de barrière moyennes pour le paquet en céramique hermétique d'applications de détecteur et de mélangeur) | Siemens |
5814 | Q62702-D1051 | Diodes de Schottky de silicium (diodes de barrière moyennes pour le paquet en céramique hermétique d'applications de détecteur et de mélangeur) | Siemens |
5815 | Q62702-D1056 | Diodes de Schottky de silicium (diodes de barrière moyennes pour le paquet en céramique hermétique d'applications de détecteur et de mélangeur) | Siemens |
5816 | Q62702-D106 | TRANSISTORS DE SILICIUM DE NPN | Siemens |
5817 | Q62702-D106-P | TRANSISTORS DE SILICIUM DE NPN | Siemens |
5818 | Q62702-D106-V1 | TRANSISTORS DE SILICIUM DE NPN | Siemens |
5819 | Q62702-D106-V2 | TRANSISTORS DE SILICIUM DE NPN | Siemens |
5820 | Q62702-D106-V3 | TRANSISTORS DE SILICIUM DE NPN | Siemens |
5821 | Q62702-D1061 | Diodes de Schottky de silicium (diodes de barrière moyennes pour le paquet en céramique hermétique d'applications de détecteur et de mélangeur) | Siemens |
5822 | Q62702-D1066 | Diodes de Schottky de silicium (diodes de barrière moyennes pour le paquet en céramique hermétique d'applications de détecteur et de mélangeur) | Siemens |
5823 | Q62702-D1068 | TRANSISTOR PLANAIRE DE SILICIUM DE NPN | Siemens |
5824 | Q62702-D1069 | TRANSISTOR PLANAIRE DE SILICIUM DE NPN | Siemens |
5825 | Q62702-D107 | TRANSISTORS DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
5826 | Q62702-D107-P | TRANSISTORS DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
5827 | Q62702-D107-V1 | TRANSISTORS DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
5828 | Q62702-D107-V2 | TRANSISTORS DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
5829 | Q62702-D107-V3 | TRANSISTORS DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
5830 | Q62702-D108 | TRANSISTORS DE SILICIUM DE NPN | Siemens |
5831 | Q62702-D108-P | TRANSISTORS DE SILICIUM DE NPN | Siemens |
5832 | Q62702-D108-V1 | TRANSISTORS DE SILICIUM DE NPN | Siemens |
5833 | Q62702-D108-V2 | TRANSISTORS DE SILICIUM DE NPN | Siemens |
5834 | Q62702-D109 | TRANSISTORS DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
5835 | Q62702-D109-P | TRANSISTORS DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
5836 | Q62702-D109-V1 | TRANSISTORS DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
5837 | Q62702-D109-V2 | TRANSISTORS DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
5838 | Q62702-D110 | TRANSISTORS DE SILICIUM DE NPN | Siemens |
5839 | Q62702-D110-P | TRANSISTORS DE SILICIUM DE NPN | Siemens |
5840 | Q62702-D110-V1 | TRANSISTORS DE SILICIUM DE NPN | Siemens |
5841 | Q62702-D110-V2 | TRANSISTORS DE SILICIUM DE NPN | Siemens |
5842 | Q62702-D1103 | TRANSISTORS DU SILICIUM EPIBASE DE NPN | Siemens |
5843 | Q62702-D1103 | TRANSISTORS DU SILICIUM EPIBASE DE PNP | Siemens |
5844 | Q62702-D1104 | TRANSISTORS DU SILICIUM EPIBASE DE PNP | Siemens |
5845 | Q62702-D1104 | TRANSISTORS DU SILICIUM EPIBASE DE NPN | Siemens |
5846 | Q62702-D1105 | TRANSISTORS DU SILICIUM EPIBASE DE PNP | Siemens |
5847 | Q62702-D1105 | TRANSISTORS DU SILICIUM EPIBASE DE NPN | Siemens |
5848 | Q62702-D1106 | TRANSISTORS DU SILICIUM EPIBASE DE PNP | Siemens |
5849 | Q62702-D1106 | TRANSISTORS DU SILICIUM EPIBASE DE NPN | Siemens |
5850 | Q62702-D1107 | TRANSISTORS DU SILICIUM EPIBASE DE PNP | Siemens |
5851 | Q62702-D1107 | TRANSISTORS DU SILICIUM EPIBASE DE NPN | Siemens |
5852 | Q62702-D111 | TRANSISTORS DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
5853 | Q62702-D111-P | TRANSISTORS DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
5854 | Q62702-D111-V1 | TRANSISTORS DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
5855 | Q62702-D111-V2 | TRANSISTORS DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
5856 | Q62702-D1258 | Diodes de Schottky de silicium (barrière moyenne de rendement élevé de dimension de technologie de fil de faisceau basse) | Siemens |
5857 | Q62702-D1259 | Diodes de Schottky de silicium (barrière moyenne de rendement élevé de dimension de technologie de fil de faisceau basse) | Siemens |
5858 | Q62702-D1262 | Diodes de Schottky de silicium (barrière de rendement élevé de dimension de technologie de fil de faisceau basse basse) | Siemens |
5859 | Q62702-D1263 | Diodes de Schottky de silicium (barrière de rendement élevé de dimension de technologie de fil de faisceau basse basse) | Siemens |
5860 | Q62702-D1264 | Diodes de Schottky de silicium (barrière de rendement élevé de dimension de technologie de fil de faisceau basse basse) | Siemens |
5861 | Q62702-D1267 | Diodes de Schottky de silicium (barrière moyenne de rendement élevé de dimension de technologie de fil de faisceau basse) | Siemens |
5862 | Q62702-D1268 | Diodes de Schottky de silicium (barrière moyenne de rendement élevé de dimension de technologie de fil de faisceau basse) | Siemens |
5863 | Q62702-D1271 | Diodes de Schottky de silicium (barrière de rendement élevé de dimension de technologie de fil de faisceau basse basse) | Siemens |
5864 | Q62702-D1272 | Diodes de Schottky de silicium (barrière de rendement élevé de dimension de technologie de fil de faisceau basse basse) | Siemens |
5865 | Q62702-D1275 | Diodes de Schottky de silicium (barrière moyenne de rendement élevé de dimension de technologie de fil de faisceau basse) | Siemens |
5866 | Q62702-D1276 | Diodes de Schottky de silicium (barrière moyenne de rendement élevé de dimension de technologie de fil de faisceau basse) | Siemens |
5867 | Q62702-D1279 | Diodes de Schottky de silicium (barrière de rendement élevé de dimension de technologie de fil de faisceau basse basse) | Siemens |
5868 | Q62702-D1280 | Diodes de Schottky de silicium (barrière de rendement élevé de dimension de technologie de fil de faisceau basse basse) | Siemens |
5869 | Q62702-D1281 | Diodes de Schottky de silicium (barrière de rendement élevé de dimension de technologie de fil de faisceau basse basse) | Siemens |
5870 | Q62702-D1284 | Diodes de Schottky de silicium (barrière moyenne de rendement élevé de dimension de technologie de fil de faisceau basse) | Siemens |
5871 | Q62702-D1285 | Diodes de Schottky de silicium (barrière moyenne de rendement élevé de dimension de technologie de fil de faisceau basse) | Siemens |
5872 | Q62702-D1288 | Diodes de Schottky de silicium (barrière de rendement élevé de dimension de technologie de fil de faisceau basse basse) | Siemens |
5873 | Q62702-D1289 | Diodes de Schottky de silicium (barrière de rendement élevé de dimension de technologie de fil de faisceau basse basse) | Siemens |
5874 | Q62702-D1290 | Diodes de Schottky de silicium (barrière de rendement élevé de dimension de technologie de fil de faisceau basse basse) | Siemens |
5875 | Q62702-D1316 | Diodes de Schottky de silicium (pour low-loss, le rapide-rétablissement, la protection de mètre, l'isolement polarisé et les applications de retenue) | Siemens |
5876 | Q62702-D1321 | Diodes de Schottky de silicium (pour low-loss, le rapide-rétablissement, la protection de mètre, l'isolement polarisé et les applications de retenue) | Siemens |
5877 | Q62702-D1322 | Diodes de Schottky de silicium (pour low-loss, le rapide-rétablissement, la protection de mètre, l'isolement polarisé et les applications de retenue) | Siemens |
5878 | Q62702-D1323 | Diodes de Schottky de silicium (pour low-loss, le rapide-rétablissement, la protection de mètre, l'isolement polarisé et les applications de retenue) | Siemens |
5879 | Q62702-D1335 | Transistors de puissance d'cAf de silicium de NPN (pour des conducteurs d'cAf et le gain courant élevé élevé de courant de collecteur d'étapes de rendement) | Siemens |
5880 | Q62702-D1336 | Transistor de puissance d'cAf de silicium de PNP (pour des conducteurs d'cAf et le gain courant élevé élevé de courant de collecteur d'étapes de rendement) | Siemens |
5881 | Q62702-D1337 | Transistors de puissance d'cAf de silicium de NPN (pour des conducteurs d'cAf et le gain courant élevé élevé de courant de collecteur d'étapes de rendement) | Siemens |
5882 | Q62702-D1338 | Transistor de puissance d'cAf de silicium de PNP (pour des conducteurs d'cAf et le gain courant élevé élevé de courant de collecteur d'étapes de rendement) | Siemens |
5883 | Q62702-D1339 | Transistors de puissance d'cAf de silicium de NPN (pour des conducteurs d'cAf et le gain courant élevé élevé de courant de collecteur d'étapes de rendement) | Siemens |
5884 | Q62702-D1340 | Transistor de puissance d'cAf de silicium de PNP (pour des conducteurs d'cAf et le gain courant élevé élevé de courant de collecteur d'étapes de rendement) | Siemens |
5885 | Q62702-D1341 | Transistors de puissance d'cAf de silicium de NPN (pour des conducteurs d'cAf et le gain courant élevé élevé de courant de collecteur d'étapes de rendement) | Siemens |
5886 | Q62702-D1342 | Transistor de puissance d'cAf de silicium de PNP (pour des conducteurs d'cAf et le gain courant élevé élevé de courant de collecteur d'étapes de rendement) | Siemens |
5887 | Q62702-D1343 | Transistors de puissance d'cAf de silicium de NPN (pour des conducteurs d'cAf et le gain courant élevé élevé de courant de collecteur d'étapes de rendement) | Siemens |
5888 | Q62702-D1344 | Transistor de puissance d'cAf de silicium de PNP (pour des conducteurs d'cAf et le gain courant élevé élevé de courant de collecteur d'étapes de rendement) | Siemens |
5889 | Q62702-D1347 | Diode de Schottky de silicium (pour low-loss, le rapide-rétablissement, la protection de mètre, l'isolement polarisé et les applications de retenue) | Siemens |
5890 | Q62702-D139-S1 | TRANSISTORS DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
5891 | Q62702-D139-S1 | TRANSISTORS DE SILICIUM DE NPN | Siemens |
5892 | Q62702-D140-S1 | TRANSISTORS DE SILICIUM DE NPN | Siemens |
5893 | Q62702-D140-S1 | TRANSISTORS DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
5894 | Q62702-D141-S1 | TRANSISTORS DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
5895 | Q62702-D141-S1 | TRANSISTORS DE SILICIUM DE NPN | Siemens |
5896 | Q62702-D159 | TRANSISTORS PLANAIRES DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
5897 | Q62702-D159-V10 | TRANSISTORS PLANAIRES DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
5898 | Q62702-D159-V16 | TRANSISTORS PLANAIRES DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
5899 | Q62702-D159-V6 | TRANSISTORS PLANAIRES DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
5900 | Q62702-D160 | TRANSISTORS PLANAIRES DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
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