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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
2011N5818BAS REDRESSEUR DE SCHOTTKY DE PUISSANCE DE BAISSEST Microelectronics
2021N5818RLBAS REDRESSEUR DE SCHOTTKY DE PUISSANCE DE BAISSEST Microelectronics
2031N5819BAS REDRESSEUR DE SCHOTTKY DE PUISSANCE DE BAISSEST Microelectronics
2041N5819RLBAS REDRESSEUR DE SCHOTTKY DE PUISSANCE DE BAISSEST Microelectronics
2051N5819UAerospace 45 V puissance Schottky redresseurST Microelectronics
2061N5819U01BAerospace 45 V puissance Schottky redresseurST Microelectronics
2071N5819U02BAerospace 45 V puissance Schottky redresseurST Microelectronics
2081N5819UB1Aerospace 45 V puissance Schottky redresseurST Microelectronics
2091N581XBAS REDRESSEUR DE SCHOTTKY DE PUISSANCE DE BAISSEST Microelectronics
2101N5820BAS REDRESSEUR DE SCHOTTKY DE PUISSANCE DE BAISSEST Microelectronics
2111N5820RLBAS REDRESSEUR DE SCHOTTKY DE PUISSANCE DE BAISSEST Microelectronics
2121N5821BAS REDRESSEUR DE SCHOTTKY DE PUISSANCE DE BAISSEST Microelectronics
2131N5821RLBAS REDRESSEUR DE SCHOTTKY DE PUISSANCE DE BAISSEST Microelectronics
2141N5822BAS REDRESSEUR DE SCHOTTKY DE PUISSANCE DE BAISSEST Microelectronics
2151N5822RLBAS REDRESSEUR DE SCHOTTKY DE PUISSANCE DE BAISSEST Microelectronics
2161N5822UAerospace 40 V puissance Schottky redresseurST Microelectronics
2171N5822U01BAerospace 40 V puissance Schottky redresseurST Microelectronics
2181N582XBAS REDRESSEUR DE SCHOTTKY DE PUISSANCE DE BAISSEST Microelectronics
2191N582XRLBAS REDRESSEUR DE SCHOTTKY DE PUISSANCE DE BAISSEST Microelectronics
2201N5908TRANSILST Microelectronics
2211N5908RLTRANSILST Microelectronics
2221N6263PETITE DIODE DE SCHOTTKY DE SIGNALST Microelectronics
2231N6640UAéronautique 0,3 Une diode de commutation de 75 VST Microelectronics
2241N6640U01DAéronautique 0,3 Une diode de commutation de 75 VST Microelectronics
2251N6640U02DAéronautique 0,3 Une diode de commutation de 75 VST Microelectronics
2261N6640UD1Aéronautique 0,3 Une diode de commutation de 75 VST Microelectronics
2271N6642UAéronautique 0,3 Une diode de commutation de -100 VST Microelectronics
2281N6642U01DAéronautique 0,3 Une diode de commutation de -100 VST Microelectronics
2291N6642U02DAéronautique 0,3 Une diode de commutation de -100 VST Microelectronics
2301N6642UD1Aéronautique 0,3 Une diode de commutation de -100 VST Microelectronics
2312028-771196-000Le redressement synchrone avec verrouillage, 0,7 A, régulateur à découpage abaisseur 1,7 MHz réglableST Microelectronics
23224C02SERIAL2K(256x8)EEPROMST Microelectronics
23324C044KbitSerialI2CBusEEPROMwithUser-DefinedBlockWriteProtectionST Microelectronics
23424C088KbitSerialI2CBusEEPROMwithUser-DefinedBlockWriteProtectionST Microelectronics
23524C1616/8/4/2/1KbitSerialICBusEEPROMST Microelectronics
23624C6464/32KbitSerialICBusEEPROMST Microelectronics
23724W_POWER_PLUGLA PRISE DE PUISSANCE AC/dc SMPS, MUR BRANCHENT, 24 WATTSST Microelectronics
23827128NMOS 128K 16K X 8 EPROM UVST Microelectronics
23927256NMOS 256K 32K X 8 EPROM UVST Microelectronics
24027512NMOS 512K 64K X 8 EPROM UVST Microelectronics
2412764A64K (8K X 8) ROM UV d'cEprom et d'cOtpST Microelectronics
24227C10011 Mbit 128Kb x8 EPROM UV et OTP EPROMST Microelectronics
24327C10241 Mbit 64Kb x16 EPROM et OTP UV EPROMST Microelectronics
24427C16016 Mbit 2Mb x8 ou 1Mb x16 EPROM UV et OTP EPROMST Microelectronics
24527C20011 Mbit 128Kb x8 EPROM UV et OTP EPROMST Microelectronics
24627C40014 Mbit 512Kb X 8 EPROM et OTP UV EPROMST Microelectronics
24727C40024 Mbit 256Kb x16 EPROM et OTP UV EPROMST Microelectronics
24827C512512 Kbit 64Kb x8 EPROM et OTP UV EPROMST Microelectronics
24927C512-120512 Kbit 64Kb x8 EPROM et OTP UV EPROMST Microelectronics
25027C6464 Kbit 8Kb X 8 EPROM et OTP UV EPROMST Microelectronics
25127C64-15064 Kbit 8Kb X 8 EPROM et OTP UV EPROMST Microelectronics
25227C64-20064 Kbit 8Kb X 8 EPROM et OTP UV EPROMST Microelectronics
25327C8001Mb x8 ou 512Kb x16 EPROM UV et OTP EPROM de 8 MbitST Microelectronics
25427C8011Mb X de 8 Mbit 8 EPROM et OTP UV EPROMST Microelectronics
25528C1616K 2K X 8 EEPROM PARALLÈLES avec la PROTECTION de DONNÉES de LOGICIELST Microelectronics
25628F256512 Kbit (Mémoire En bloc De 64Kb x8 Erase)FlasxhST Microelectronics
25729F0022 Mbit 256Kb x8/Mémoire Simple D'Instantané D'Approvisionnement Bloc De BotteST Microelectronics
25829F0101 Mbit 128Kb x8/Mémoire Simple D'Instantané D'Approvisionnement Bloc UniformeST Microelectronics
25929F0404 Mbit 512Kb x8/Mémoire Simple D'Instantané D'Approvisionnement Bloc UniformeST Microelectronics
26029F102BB1 Mbit 64Kb x16, Mémoire Simple D'Instantané D'Approvisionnement DeBloc D'InitialisationST Microelectronics
26129F102BB1 Mbit (64Kb x16, Bloc De Botte) Choisissent La Mémoire Instantanée D'ApprovisionnementST Microelectronics
26229F2002 Mbit 256Kb x8 ou 128Kb x16/mémoire simple d'instantané d'approvisionnement bloc de botteST Microelectronics
26329F8001Mb x8 ou 512Kb x16 de 8 Mbit/mémoire simple d'instantané d'approvisionnement bloc de botteST Microelectronics
26429W0404 Mbit 512Kb x8/Mémoire Simple Uniforme D'Instantané D'Approvisionnement De Basse Tension De BlocST Microelectronics
2652N1613COMMUTATEURS ET AMPLIFICATEURS UNIVERSELSST Microelectronics
2662N1711NPN PLANAIRE ÉPITAXIALST Microelectronics
2672N1893PETIT TRANSISTOR DU SIGNAL NPNST Microelectronics
2682N2102NPN PLANAIRE ÉPITAXIALST Microelectronics
2692N2218COMMUTATEURS Élevés De VitesseST Microelectronics
2702N2218-2N2219COMMUTATEURS Élevés De VitesseST Microelectronics
2712N2219COMMUTATEURS Élevés De VitesseST Microelectronics
2722N2219ACOMMUTATEURS À GRANDE VITESSEST Microelectronics
2732N2221COMMUTATEURS Élevés De VitesseST Microelectronics
2742N2221-2N2222COMMUTATEURS Élevés De VitesseST Microelectronics
2752N2222COMMUTATEURS Élevés De VitesseST Microelectronics
2762N2222ACOMMUTATEURS À GRANDE VITESSEST Microelectronics
2772N2222AHRRad-résistant transistor bipolaire NPN 40 V, 0,8 AST Microelectronics
2782N2222AHRGRad-résistant transistor bipolaire NPN 40 V, 0,8 AST Microelectronics
2792N2222AHRTRad-résistant transistor bipolaire NPN 40 V, 0,8 AST Microelectronics
2802N2222ARHRGRad-résistant transistor bipolaire NPN 40 V, 0,8 AST Microelectronics
2812N2222ARHRTRad-résistant transistor bipolaire NPN 40 V, 0,8 AST Microelectronics
2822N2222ARUBGRad-résistant transistor bipolaire NPN 40 V, 0,8 AST Microelectronics
2832N2222ARUBTRad-résistant transistor bipolaire NPN 40 V, 0,8 AST Microelectronics
2842N2222AUB1Rad-résistant transistor bipolaire NPN 40 V, 0,8 AST Microelectronics
2852N2222AUBGRad-résistant transistor bipolaire NPN 40 V, 0,8 AST Microelectronics
2862N2222AUBTRad-résistant transistor bipolaire NPN 40 V, 0,8 AST Microelectronics
2872N2369COMMUTATEUR SATURÉ À haute fréquenceST Microelectronics
2882N2369ACOMMUTATEUR SATURÉ Par Vitesse ÉlevéeST Microelectronics
2892N2484DISPOSITIF de SEMI-conducteur/TRANSISTOR/NPN/SILICIUM/TYPES De basse puissance 2N2484/2N248ÛA/2N248ÛB/JANV./JANTX/JANTXV/JANS/JANHC/ET JANKCST Microelectronics
2902N2484HRSalut-Rel transistor bipolaire NPN 60 V, 0,05 AST Microelectronics
2912N2484HRGSalut-Rel transistor bipolaire NPN 60 V, 0,05 AST Microelectronics
2922N2484HRTSalut-Rel transistor bipolaire NPN 60 V, 0,05 AST Microelectronics
2932N2484UADISPOSITIF de SEMI-conducteur/TRANSISTOR/NPN/SILICIUM/TYPES De basse puissance 2N2484/2N248ÛA/2N248ÛB/JANV./JANTX/JANTXV/JANS/JANHC/ET JANKCST Microelectronics
2942N2484UBDISPOSITIF de SEMI-conducteur/TRANSISTOR/NPN/SILICIUM/TYPES De basse puissance 2N2484/2N248ÛA/2N248ÛB/JANV./JANTX/JANTXV/JANS/JANHC/ET JANKCST Microelectronics
2952N2484UB1Salut-Rel transistor bipolaire NPN 60 V, 0,05 AST Microelectronics
2962N2484UBGSalut-Rel transistor bipolaire NPN 60 V, 0,05 AST Microelectronics
2972N2484UBTSalut-Rel transistor bipolaire NPN 60 V, 0,05 AST Microelectronics
2982N2894COMMUTATEURS SATURÉS Par Vitesse ÉlevéeST Microelectronics
2992N2905AMPLIFICATEURS ET COMMUTATEURS TOUT USAGEST Microelectronics
3002N2905APETITS TRANSISTORS DU SIGNAL PNPST Microelectronics

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