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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
61901STB20N95K5N-canal 950 V, 0,275 Ohm typ., 17,5 Zener protégées SuperMESH (TM) 5 MOSFET de puissance dans le paquet de D2PAKST Microelectronics
61902STB20NE06N-canal 60V -0,06 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 20A D2PAK STRIPFETST Microelectronics
61903STB20NE06LN-canal 60V - 0,06 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 20A D2PAK STRIPFETST Microelectronics
61904STB20NE06LT4N-canal 60V - 0,06 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 20A D2PAK STRIPFETST Microelectronics
61905STB20NK50ZLe N-canal 500V - 0,23 OHMS - 17A To-220/D2PAK/I2SPAK/To-247 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de SUPERMESHST Microelectronics
61906STB20NK50Z-SLe N-canal 500V - 0,23 OHMS - 17A To-220/D2PAK/I2SPAK/To-247 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de SUPERMESHST Microelectronics
61907STB20NK50ZT4Le N-canal 500V - 0,23 OHMS - 17A To-220/D2PAK/I2SPAK/To-247 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de SUPERMESHST Microelectronics
61908STB20NM50N-canal 500V - 0,20 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 20A To-220/to-220fp/d2pak/i2pak MDMESHST Microelectronics
61909STB20NM50-1N-canal 500V - 0,20 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 20A To-220/to-220fp/d2pak/i2pak MDMESHST Microelectronics
61910STB20NM50FDTransistor MOSFET de PUISSANCE de l'cOhm 20A D2PAK FDMESH Du N-canal 500V 0,20ST Microelectronics
61911STB20NM50FD-1Transistor MOSFET de PUISSANCE de l'cOhm 20A To-220/i2pak FDMESH Du N-canal 500V 0,22ST Microelectronics
61912STB20NM50FDT4Transistor MOSFET de PUISSANCE de l'cOhm 20A To-220/to-220fp/d2pak FDMESH Du N-canal 500V 0,22ST Microelectronics
61913STB20NM50T4N-canal 550V @ Tjmax - 0,20 OHMS - Transistor MOSFET De 20A To-220/to-220fp/d2pak/i2pak MDMESHST Microelectronics
61914STB20NM60N-canal 600V - 0,25 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 20A To-220/to-220fp/d2pak/i2pak MDMESHST Microelectronics
61915STB20NM60-1N-canal 600V - 0,25 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 20A To-220/to-220fp/d2pak/i2pak MDMESHST Microelectronics
61916STB20NM60AN-canal 600V - 0,25 OHMS - Transistor MOSFET De 20A I2pak/to-220/to-220fp MDMESHST Microelectronics
61917STB20NM60A-1N-canal 600V - 0,25 OHMS - Transistor MOSFET De 20A I2pak/to-220/to-220fp MDMESHST Microelectronics
61918STB20NM60DCanal N 600V - 0.26Y - 20A - D2PAKST Microelectronics
61919STB20NM60T4N-canal 600V - 0,25 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 20A To-220/to-220fp/d2pak/i2pak MDMESHST Microelectronics
61920STB20PF75P-canal 75V - 0,10 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 20A DPAK STripFET™IIST Microelectronics
61921STB20PF75T4P-canal 75V - 0,10 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 20A DPAK STripFET™IIST Microelectronics
61922STB210NF02N-canal 20V - 0,0026 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 120A D2pak/i2pak/to-220 STRIPFET IIST Microelectronics
61923STB210NF02-1N-canal 20V - 0,0026 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 120A D2pak/i2pak/to-220 STRIPFET IIST Microelectronics
61924STB210NF02T4N-canal 20V - 0,0026 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 120A D2pak/i2pak/to-220 STRIPFET IIST Microelectronics
61925STB21N65M5N-canal 650 V, 0,150 Ohm, 17 A MDmesh (TM) V MOSFET de puissance dans D2PAKST Microelectronics
61926STB21N90K5N-canal 900 V, 0,25 Ohm, 18,5 Un D2PAK Zener protégé SuperMESH (TM) 5 MOSFET de puissanceST Microelectronics
61927STB21NK50ZN-canal 500 V - 0,23 Y - 17 A - D2PAK Zener protégé superMESHTM MOSFETST Microelectronics
61928STB21NM60NDN-canal 600 V, 0,17 Ohm, 17 A, FDmesh (TM) II MOSFET de puissance (de diode rapide de Pentecôte) dans le paquet de D2PAK typ.ST Microelectronics
61929STB22NE03LN-canal 30V - 0,034 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 2À D2PAK STRIPFETST Microelectronics
61930STB22NM50N-canal 500 V - 0,16 OHMS - 20 Un Transistor MOSFET de PUISSANCE De To-220/fp/d2pak/i2pak MDMESHST Microelectronics
61931STB22NM50-1N-canal 500 V - 0,16 OHMS - 20 Un Transistor MOSFET de PUISSANCE De To-220/fp/d2pak/i2pak MDMESHST Microelectronics
61932STB22NM60N-canal 600 V - 0,19 OHMS - 22 Un Transistor MOSFET de PUISSANCE De To-220/fp/d2pak/i2pak MDMESHST Microelectronics
61933STB22NM60-1N-canal 600 V - 0,19 OHMS - 22 Un Transistor MOSFET de PUISSANCE De To-220/fp/d2pak/i2pak MDMESHST Microelectronics
61934STB22NM60NN-canal 600 V, 0,2 Ohm, 16 A MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans D2PAKST Microelectronics
61935STB22NS25Zl'cOhm 2À To-220/D2PAK Du N-canal 250V 0,13 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de RECOUVREMENT de MAILLEST Microelectronics
61936STB22NS25ZT4l'cOhm 2À To-220/D2PAK Du N-canal 250V 0,13 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de RECOUVREMENT de MAILLEST Microelectronics
61937STB23NM50NN-canal 500 V, 0,162 Ohm, 17 A, D2PAK MDmesh (TM) II MOSFET de puissanceST Microelectronics
61938STB23NM60NDN-canal 600 V, 0,150 Ohm, 19,5 A, FDmesh (TM) II MOSFET de puissance (avec diode rapide) D2PAKST Microelectronics
61939STB24N60DM2N-canal 600 V, 0,175 Ohm typ., 18 A FDmesh II Plus (TM) à faible Qg MOSFET de puissance dans le paquet de D2PAKST Microelectronics
61940STB24N60M2N-canal 600 V, 0,168 Ohm typ., 18 A MDmesh II Plus (TM) à faible Qg MOSFET de puissance dans le paquet de D2PAKST Microelectronics
61941STB24NF10N-canal 100V - 0,055 OHMS - 2Ã To-220/BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET II PORTE de D2PAKST Microelectronics
61942STB24NF10T4N-canal 100V - 0,055 OHMS - 2Ã To-220/BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET II PORTE de D2PAKST Microelectronics
61943STB24NM60NN-canal 600 V, 0,168 Ohm, 17 A MDmesh (TM) II MOSFET de puissance D2PAKST Microelectronics
61944STB24NM65NN-canal 650 V - 0,16 Y - 19 A - A-220 / FP - D2 / I2PAK - TO-247 de deuxième génération MDmesh ™ MOSFET de puissanceST Microelectronics
61945STB25N80K5N-canal 800 V, 0,19 Ohm typ., 19,5 Un SuperMESH (TM) 5 MOSFET de puissance dans le paquet de D2PAKST Microelectronics
61946STB25NM50NN-canal 550V @ TjMAX - 0,12 Ohms - 21,5 Transistor MOSFET De MDmesh de GÉNÉRATION De A To-220/to-220fp/d2pak/i2pak/to-247 DEUXIÈMEST Microelectronics
61947STB25NM50N-1N-canal 550V @ TjMAX - 0,12 Ohms - 21,5 Transistor MOSFET De MDmesh de GÉNÉRATION De A To-220/to-220fp/d2pak/i2pak/to-247 DEUXIÈMEST Microelectronics
61948STB25NM50NT4N-canal 550V @ TjMAX - 0,12 Ohms - 21,5 Transistor MOSFET De MDmesh de GÉNÉRATION De A To-220/to-220fp/d2pak/i2pak/to-247 DEUXIÈMEST Microelectronics
61949STB25NM60NTransistor MOSFET De MDmesh de GÉNÉRATION Du N-canal 650 @Tjmax-0.140&-20A To-220/to-220fp/d2pak/i2pak/to-247 DEUXIÈMEST Microelectronics
61950STB25NM60N-1Transistor MOSFET De MDmesh de GÉNÉRATION Du N-canal 650 @Tjmax-0.140&-20A To-220/to-220fp/d2pak/i2pak/to-247 DEUXIÈMEST Microelectronics
61951STB25NM60NDN-canal 600 V, 0,13 Ohm typ., 21 A FDmesh (TM) II MOSFET de puissance (avec diode rapide) dans le paquet de D2PAKST Microelectronics
61952STB25NM60NT4Transistor MOSFET De MDmesh de GÉNÉRATION Du N-canal 650 @Tjmax-0.140&-20A To-220/to-220fp/d2pak/i2pak/to-247 DEUXIÈMEST Microelectronics
61953STB26NM60NN-canal 600 V, 0,135 Ohm typ., 20 A MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans le paquet de D2PAKST Microelectronics
61954STB26NM60NDN-canal 600 V, 0,145 Ohm typ., 21 A FDmesh (TM) II MOSFET de puissance (avec diode rapide) dans le paquet de D2PAKST Microelectronics
61955STB270N4F3N-canal 40 V, 1,6 mOhm typ., 160 A STripFET (TM) III PowerMOSFET dans le package de D2PAKST Microelectronics
61956STB27NM60NDN-canal 600 V, 0,13 Ohm, 21 A FDmesh (TM) II MOSFET de puissance (avec diode rapide) dans D2PAKST Microelectronics
61957STB28N60M2N-canal 600 V, 0,135 Ohm typ., 22 A MDmesh II Plus (TM) faible puissance MOSFET Qg en conditionnement D2PAKST Microelectronics
61958STB28NM50NN-canal 500 V, 0,135 Ohm typ., 21 A MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans le paquet de D2PAKST Microelectronics
61959STB28NM60NDN-canal 600 V, 0,120 Ohm typ., 24 A FDmesh (TM) II MOSFET de puissance (avec diode rapide) dans le paquet de D2PAKST Microelectronics
61960STB2N62K3N-canal 620 V, 3 Ohm, 2.2 A, D2PAK SuperMESH3 (TM) MOSFET de puissanceST Microelectronics
61961STB3015N - La MANCHE 30V - 0.013 ohm - 40A - transistor MOSFET de PUISSANCE de D2PAK/TO-220 STripFETOST Microelectronics
61962STB3015N - La MANCHE 30V - 0.013 ohm - 40A - transistor MOSFET de PUISSANCE de D2PAK/TO-220 STripFETOST Microelectronics
61963STB3015LN-canal 30V - 0,013 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 40A D2pak/to-220 STRIPFETST Microelectronics
61964STB30N10VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dansST Microelectronics
61965STB30N65M5N-canal 650 V, 0,125 Ohm, 22 A, MDmesh (TM) V MOSFET de puissance D2PAKST Microelectronics
61966STB30NE06LN-canal 60V - 0,35 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 30A D2PAK STRIPFETST Microelectronics
61967STB30NF10Transistor MOSFET de la PUISSANCE II de la CHARGE STRIPFET de PORTE de l'cOhm 3Ä To-220/to-220fp/d2pak Du N-canal 100V 0,038 BASST Microelectronics
61968STB30NF10T4Transistor MOSFET de la PUISSANCE II de la CHARGE STRIPFET de PORTE de l'cOhm 3Ä To-220/to-220fp/d2pak Du N-canal 100V 0,038 BASST Microelectronics
61969STB30NF20N-canal 200 V, 0,065 Ohm, 30 A, D2PAK STripFET (TM) MOSFET de puissanceST Microelectronics
61970STB30NF20LN-canal 200 V, 0,065 Ohm, 30 A, D2PAK STripFET (TM) MOSFET de puissanceST Microelectronics
61971STB30NS15N-canal 150V - 0,075 OHMS - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET de PORTE De 30A D2PAKST Microelectronics
61972STB31N65M5N-canal 650 V, 0,124 Ohm, 22 A MDmesh (TM) V MOSFET de puissance dans le paquet de D2PAKST Microelectronics
61973STB32N65M5N-canal 650 V, 0,095 Ohm, 24 A, MDmesh (TM) V MOSFET de puissance dans D2PAKST Microelectronics
61974STB32NM50NN-canal 500 V, 0,1 Ohm typ., 22 A MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans le paquet de D2PAKST Microelectronics
61975STB33N60M2N-canal 600 V, 0,108 Ohm typ., 26 A MDmesh II Plus (TM) faible puissance MOSFET Qg en conditionnement D2PAKST Microelectronics
61976STB34N65M5N-canal 650 V, 0,09 Ohm, 28 A MDmesh (TM) V MOSFET de puissance dans le paquet de D2PAKST Microelectronics
61977STB34NM60NN-canal 600 V, 0,092 Ohm, 29 A, MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans D2PAKST Microelectronics
61978STB34NM60NDN-canal 600 V, 0,097 Ohm, 29 A FDmesh (TM) II MOSFET de puissance (avec diode rapide) D2PAKST Microelectronics
61979STB35N65M5N-canal 650 V, 0,085 Ohm, 27 A, MDmesh (TM) V MOSFET de puissance dans D2PAKST Microelectronics
61980STB35NF10Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET de PORTE de l'cOhm 40A To-220/d2pak Du N-canal 100V 0.030 BASST Microelectronics
61981STB35NF10T4Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET de PORTE de l'cOhm 40A To-220/d2pak Du N-canal 100V 0.030 BASST Microelectronics
61982STB36NF02LN-canal 20V - 0,016 OHMS - 3Ã - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET de PORTE de D2PAKST Microelectronics
61983STB36NF03LN-canal 30V - 0,015 OHMS - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET de PORTE De 3Ã D2PAKST Microelectronics
61984STB36NF03LT4N-canal 30V - 0,015 OHMS - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET de PORTE De 3Ã D2PAKST Microelectronics
61985STB36NF06LN-canal 60V - 0,032 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 30A D2pak/to-220 STRIPFET IIST Microelectronics
61986STB36NF06LT4N-canal 60V - 0,032 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 30A D2pak/to-220 STRIPFET IIST Microelectronics
61987STB36NM60NAutomobile qualité à canal N 600 V, 0,092 Ohm typ., 29 A MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans le paquet de D2PAKST Microelectronics
61988STB36NM60NDAutomobile qualité à canal N 600 V, 0,097 Ohm typ., 29 A FDmesh (TM) II MOSFET de puissance (avec diode rapide) dans le paquet de D2PAKST Microelectronics
61989STB38N65M5N-canal 650 V, 0,073 Ohm typ., 30 A MDmesh (TM) V MOSFET de puissance dans le paquet de D2PAKST Microelectronics
61990STB3N60-1VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dansST Microelectronics
61991STB3NA80TRANSISTOR RAPIDE de MOS de PUISSANCE de MODE de PERFECTIONNEMENT De N-canalST Microelectronics
61992STB3NB60N-canal 600V - 3,3 OHMS - 3,3 A - Transistor MOSFET de D2PAK/i2pak POWERMESHST Microelectronics
61993STB3NB60T4N-canal 600V - 3,3 OHMS - 3,3 A - Transistor MOSFET de D2PAK/i2pak POWERMESHST Microelectronics
61994STB3NC60N-canal 600V - 3,3 OHMS - Á - Transistor MOSFET de D2PAK/i2pak POWERMESH IIST Microelectronics
61995STB3NC60T4N-canal 600V - 3,3 OHMS - Á - Transistor MOSFET de D2PAK/i2pak POWERMESH IIST Microelectronics
61996STB3NC90N-CHANNEL 900V - 3.2W - Transistor MOSFET Zener-Protégé par D2PAK De 3.5A PowerMESH.?IST Microelectronics
61997STB3NC90N-CHANNEL 900V - 3.2W - Transistor MOSFET Zener-Protégé par D2PAK De 3.5A PowerMESH.?IST Microelectronics
61998STB3NC90Zl'cOhm 3.Ä D2PAK Du N-canal 900V 3,2 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de POWERMESH IIIST Microelectronics
61999STB3NC90Z-1l'cOhm 3.Ä To-220/to-220fp/i2pak Du N-canal 900V 3,2 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de POWERMESH IIIST Microelectronics
62000STB3NK60ZLe N-canal 600V - 3,3 OHMS - 2. To-220/to-220fp/d2pak/dpak/ipak Zener-a protégé le Transistor MOSFET de PUISSANCE de SUPERMESHST Microelectronics

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