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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
63601STF6N65K3(045Y)N-canal 650 V, 1,1 Ohm typ., 5,4 A SuperMESH3 (TM) MOSFET de puissance dans TO-220FP paquet pistes étroitesST Microelectronics
63602STF6N65M2N-canal 650 V, 1,2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 MOSFET de puissance en boîtier TO-220FPST Microelectronics
63603STF6N80K5N-canal 800 V, 1,3 Ohm typ., 4,5 Zener protégées SuperMESH (TM) 5 MOSFET de puissance en boîtier TO-220FPST Microelectronics
63604STF6N95K5N-canal 950 V, 1 Ohm typ., 9 Zener protégées SuperMESH (TM) 5 MOSFET de puissance en boîtier TO-220FPST Microelectronics
63605STF6NK50ZLe N-canal 500V - 0,98 OHMS - 5.Ã To-220/To-220fp/DPAK Zener-a protégé SUPERMESH™ Transistor MOSFETST Microelectronics
63606STF6NK70ZN-canal 700V - 1,5 Ohms - Ä - To-220/to-220fp Zener-a protégé le Transistor MOSFET de SUPERMESHST Microelectronics
63607STF715TRANSISTORS DE PUISSANCE MOYENS DE NPNST Microelectronics
63608STF7N52DK3N-canal 525 V, 0,95 Ohm typ., 6 A SuperFREDmesh (TM) 3 MOSFET de puissance en boîtier TO-220FPST Microelectronics
63609STF7N52K3N-canal 525 V, 0,72 Ohm, 6 A, TO-220FP SuperMESH3 (TM) MOSFET de puissanceST Microelectronics
63610STF7N60M2N-canal 600 V, 0,86 Ohm typ., 5 A MDmesh II Plus (TM) à faible MOSFET Qg Puissance en boîtier TO-220FPST Microelectronics
63611STF7N65M2N-canal 650 V, 0,96 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 MOSFET de puissance dans un boîtier TO-220FPST Microelectronics
63612STF7N80K5N-canal 800 V, 0,95 Ohm typ., 6 Zener protégées SuperMESH (TM) 5 MOSFET de puissance en boîtier TO-220FPST Microelectronics
63613STF7N95K3N-canal 950 V, 1,1 Î ©, 7,2 A, TO-220, TO-220FP, TO-247 Zener protégé SuperMESH3Í ?? 2; 2; MOSFET de puissanceST Microelectronics
63614STF7NK30Zl'cOhm Ä To-220 To-220fp Du N-canal 300V 0,80 Zener-a protégé SUPERMESH™ TRANSISTOR MOSFET DE PUISSANCEST Microelectronics
63615STF7NM60NN-canal 600 V, 5 A, 0,84 Ohm MDmesh (TM) II MOSFET de puissance en boîtier TO-220FPST Microelectronics
63616STF7NM80N-canal 800 V, 0,95 Ohm, 6,5 A MDmesh (TM) MOSFET de puissance en boîtier TO-220FPST Microelectronics
63617STF80N10F7N-canal 100 V, 0,0085 Ohm typ., 40 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de puissance en boîtier TO-220FPST Microelectronics
63618STF817TRANSISTORS DE PUISSANCE MOYENS DE PNPST Microelectronics
63619STF8N65M5N-canal 650 V, 0,56 Ohm, 7 A MDmesh (TM) V MOSFET de puissance dans TO-220FPST Microelectronics
63620STF8N80K5N-canal 800 V, 0,8 Ohm typ., 6 Zener protégées SuperMESH (TM) 5 MOSFET de puissance en boîtier TO-220FPST Microelectronics
63621STF8NK100ZN-CHANNEL 1000V - 1.60Ohm - 6.5A - TO-220 - TO-220FPST Microelectronics
63622STF8NK85ZN-canal 850V -1.1Ohm - 8.Ã To-220/to-220fp Zener-A protégé le Transistor MOSFET De SuperMESHST Microelectronics
63623STF8NM50NN-canal 500 V, 0,73 Ohm, 5 A MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans TO-220FPST Microelectronics
63624STF8NM60NDN-canal 600 V, 0,59 Î ©, 7 A, FDmeshÍ ?? 2; 2; II MOSFET de puissance TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAKST Microelectronics
63625STF92PETIT TRANSISTOR DU SIGNAL PNPST Microelectronics
63626STF9N60M2N-canal 600 V, 0,72 Ohm typ., 5,5 A MDmesh II Plus (TM) à faible MOSFET Qg Puissance en boîtier TO-220FPST Microelectronics
63627STF9N65M2N-canal 650 V, 0,79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 MOSFET de puissance en boîtier TO-220FPST Microelectronics
63628STF9NK60ZDLe N-canal 600V - 0,85 OHMS - 7A To-220/to-220fp/d2pak JEÛNENT Transistor MOSFET de la DIODE SUPERMESHST Microelectronics
63629STF9NK80ZN-CHANNEL 800V -0.9ohm - Transistor MOSFET Zener-Protégé par TO-220/TO-220FP De 7.5A SuperMESHST Microelectronics
63630STF9NK80ZN-CHANNEL 800V -0.9ohm - Transistor MOSFET Zener-Protégé par TO-220/TO-220FP De 7.5A SuperMESHST Microelectronics
63631STF9NK90N-CHANNEL 900V - 1.1W - Transistor MOSFET Zener-Protégé par TO-220/TO-220FP/TO-247 De 8A SuperMESH.?werST Microelectronics
63632STF9NK90N-CHANNEL 900V - 1.1W - Transistor MOSFET Zener-Protégé par TO-220/TO-220FP/TO-247 De 8A SuperMESH.?werST Microelectronics
63633STF9NK90Zl'cOhm Å To-220 To-220fp To-247 Du N-canal 900V 1,1 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de PUISSANCE de SUPERMESHST Microelectronics
63634STF9NM60NN-canal 600 V, 0,63 Ohm, 6,5 A TO-220FP MDmesh (TM) II MOSFET de puissanceST Microelectronics
63635STF9NM60N(045Y)N-canal 600 V, 0,63 Ohm, 6,5 A MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans un TO-220FP paquet pistes étroitesST Microelectronics
63636STFC01Limiteur de courant intégréeST Microelectronics
63637STFC01DRLimiteur de courant intégréeST Microelectronics
63638STFI10N60M2N-canal 600 V, 0,55 Ohm typ., 7,5 A MDmesh II Plus (TM) à faible Qg MOSFET de puissance dans le paquet I2PAKFPST Microelectronics
63639STFI10N62K3N-canal 620 V, 0,68 Ohm typ., 8,4 A SuperMESH3 (TM) MOSFET de puissance dans le paquet I2PAKFPST Microelectronics
63640STFI10N65K3N-canal 650 V, 0,75 Ohm typ., 10 Zener protégées SuperMESH3 (TM) MOSFET de puissance dans le paquet I2PAKFPST Microelectronics
63641STFI10NK60ZN-canal 600 V, 0,65 Ohm, 10 A, Zener protégé SuperMESH (TM) MOSFET de puissance dans le paquet I2PAKFPST Microelectronics
63642STFI11N65M2N-canal 650 V, 0,6 Ohm typ., 7 A MDmesh II Plus (TM) à faible Qg MOSFET de puissance dans le paquet I2PAKFPST Microelectronics
63643STFI11NM65NN-canal 650 V, 0,425 Ohm typ., 11 A MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans le paquet I2PAKFPST Microelectronics
63644STFI130N10F3N-canal 100 V, 8 mOhm typ., 46 A STripFET (TM) MOSFET de puissance dans le paquet I2PAKFPST Microelectronics
63645STFI13N60M2N-canal 600 V, 0,35 Ohm typ., 11 A MDmesh II Plus (TM) à faible Qg MOSFET de puissance dans le paquet I2PAKFPST Microelectronics
63646STFI13N95K3N-canal 950 V, 0,68 Ohm typ., SuperMESH3 10 Zener protégée (TM) MOSFET de puissance dans I2PAKFPST Microelectronics
63647STFI13NK60ZN-canal 600 V, 0,48 Ohm, 13 A, Zener protégé SuperMESH (TM) MOSFET de puissance dans le paquet I2PAKFPST Microelectronics
63648STFI13NM60NN-canal 600 V, 0,28 Ohm typ., 11 A MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans le paquet I2PAKFPST Microelectronics
63649STFI15N65M5N-canal 650 V, 0,308 Ohm, 11 A MDmesh (TM) V MOSFET de puissance dans le paquet I2PAKFPST Microelectronics
63650STFI15NM65NN-canal 650 V, 0,35 Ohm typ., 12 A MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans le paquet I2PAKFPST Microelectronics
63651STFI20N65M5N-canal 650 V, 0,160 Ohm typ., 18 A MDmesh (TM) V MOSFET de puissance dans le paquet I2PAKFPST Microelectronics
63652STFI20NK50ZN-canal 500 V, 0,23 Ohm, 17 A, Zener protégé SuperMESH (TM) MOSFET de puissance dans le paquet I2PAKFPST Microelectronics
63653STFI20NM65NN-canal 650 V, 0,25 Ohm typ., 15 A MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans le paquet I2PAKFPST Microelectronics
63654STFI24N60M2N-canal 600 V, 0,168 Ohm typ., 18 A MDmesh II Plus (TM) à faible Qg MOSFET de puissance dans le paquet I2PAKFPST Microelectronics
63655STFI24NM60NN-canal 600 V, 0,168 Ohm, 17 A, MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans le paquet I2PAKFPST Microelectronics
63656STFI260N6F6N-canal 60 V, 0,0024 Ohm, 80 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans le paquet I2PAKFPST Microelectronics
63657STFI26NM60NN-canal 600 V, 0,135 Ohm typ., 20 A MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans le paquet I2PAKFPST Microelectronics
63658STFI28N60M2N-canal 600 V, 0,135 Ohm typ., 22 A MDmesh II Plus (TM) à faible Qg MOSFET de puissance dans le paquet I2PAKFPST Microelectronics
63659STFI31N65M5N-canal 650 V, 0,124 Ohm, 22 A MDmesh (TM) V MOSFET de puissance dans le paquet I2PAKFPST Microelectronics
63660STFI34N65M5N-canal 650 V, 0,09 Ohm, 28 A MDmesh (TM) V MOSFET de puissance dans le paquet I2PAKFPST Microelectronics
63661STFI34NM60NN-canal 600 V, 0,092 Ohm, 29 A, MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans le paquet I2PAKFPST Microelectronics
63662STFI40N60M2N-canal 600 V, 0,078 Ohm typ., 34 A MDmesh II Plus (TM) à faible MOSFET Qg Puissance en boîtier TO-220FPST Microelectronics
63663STFI4N62K3N-canal 620 V, 1,7 Ohm typ., 3,8 A, SuperMESH3 (TM) MOSFET de puissance dans le paquet I2PAKFPST Microelectronics
63664STFI5N95K3N-canal 950 V, 3 Ohm, 4 Zener protégées SuperMESH3 (TM) MOSFET de puissance dans le paquet I2PAKFPST Microelectronics
63665STFI6N62K3N-canal 620 V, 0,95 Ohm, 5.5 A SuperMESH3 (TM) MOSFET de puissance dans le paquet I2PAKFPST Microelectronics
63666STFI6N65K3N-canal 650 V, 1,1 Ohm typ., 5,4 A SuperMESH3 (TM) MOSFET de puissance dans le paquet I2PAKFPST Microelectronics
63667STFI6N80K5N-canal 800 V, 1,3 Ohm typ., 4,5 Zener protégées SuperMESH (TM) 5 MOSFET de puissance dans le paquet I2PAKFPST Microelectronics
63668STFI7N80K5N-canal 800 V, 0,95 Ohm typ., 6 Zener protégées SuperMESH (TM) 5 MOSFET de puissance dans le paquet I2PAKFPST Microelectronics
63669STFI8N80K5N-canal 800 V, 0,8 Ohm typ., 6 Zener protégées SuperMESH (TM) 5 MOSFET de puissance dans le paquet I2PAKFPST Microelectronics
63670STFLAFM10MODELEUR BROUILLÉ ADAPTATIFST Microelectronics
63671STFLAFM10MODELEUR BROUILLÉ ADAPTATIFST Microelectronics
63672STFLAFM10SWMODELEUR BROUILLÉ ADAPTATIFST Microelectronics
63673STFLAFM10SWMODELEUR BROUILLÉ ADAPTATIFST Microelectronics
63674STFLSTUDIO10MODELEUR BROUILLÉ ADAPTATIFST Microelectronics
63675STFLSTUDIO10MODELEUR BROUILLÉ ADAPTATIFST Microelectronics
63676STFLSTUDIO10KITMODELEUR BROUILLÉ ADAPTATIFST Microelectronics
63677STFLSTUDIO10KITMODELEUR BROUILLÉ ADAPTATIFST Microelectronics
63678STFLSTUDIO2MODELEUR BROUILLÉ ADAPTATIFST Microelectronics
63679STFLSTUDIO2MODELEUR BROUILLÉ ADAPTATIFST Microelectronics
63680STFLSTUDIO2KITMODELEUR BROUILLÉ ADAPTATIFST Microelectronics
63681STFLSTUDIO2KITMODELEUR BROUILLÉ ADAPTATIFST Microelectronics
63682STFLWARP11PROCESSEUR ASSOCIATIF DE RÈGLE DE POIDSST Microelectronics
63683STFLWARP11MODELEUR BROUILLÉ ADAPTATIFST Microelectronics
63684STFLWARP11PROCESSEUR ASSOCIATIF DE RÈGLE DE POIDSST Microelectronics
63685STFLWARP11MODELEUR BROUILLÉ ADAPTATIFST Microelectronics
63686STFLWARP11PGPROCESSEUR ASSOCIATIF DE RÈGLE DE POIDSST Microelectronics
63687STFLWARP11PGPROCESSEUR ASSOCIATIF DE RÈGLE DE POIDSST Microelectronics
63688STFLWARP11PG-PLMODELEUR BROUILLÉ ADAPTATIFST Microelectronics
63689STFLWARP11PG-PLMODELEUR BROUILLÉ ADAPTATIFST Microelectronics
63690STFLWARP11PLPROCESSEUR ASSOCIATIF DE RÈGLE DE POIDSST Microelectronics
63691STFLWARP11PLPROCESSEUR ASSOCIATIF DE RÈGLE DE POIDSST Microelectronics
63692STFLWARP20LMODELEUR BROUILLÉ ADAPTATIFST Microelectronics
63693STFLWARP20LMODELEUR BROUILLÉ ADAPTATIFST Microelectronics
63694STFN42Haute tension à commutation rapide transistor de puissance NPNST Microelectronics
63695STFW12N120K5Canal N 1200 V, 0,58 Ohm typ., 12 Zener protégées SuperMESH (TM) 5 MOSFET de puissance pour-3PF packgeST Microelectronics
63696STFW1N105K3Canal N 1050 V, 8 Ohm typ., 1,4 A SuperMESH3 (TM) MOSFET de puissance en boîtier TO-3PFST Microelectronics
63697STFW24N60M2N-canal 600 V, 0,168 Ohm typ., 18 A MDmesh II Plus (TM) à faible MOSFET Qg Puissance en boîtier TO-3PFST Microelectronics
63698STFW24N60M2-N-canal 600 V, 0,168 Ohm typ., 18 A MDmesh II Plus (TM) à faible MOSFET Qg Puissance en boîtier TO-3PFST Microelectronics
63699STFW38N65M5N-canal 650 V, 0,073 Ohm typ., 30 A MDmesh (TM) V MOSFET de puissance en boîtier TO-3PFST Microelectronics
63700STFW3N150Canal N 1500 V, 6 Ohm typ., 2,5 A PowerMESH (TM) MOSFET de puissance en boîtier TO-3PFST Microelectronics

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