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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
63701STFW3N170Canal N 1700 V, 8 Ohm typ., 2,3 A, PowerMESH (TM) MOSFET de puissance en boîtier TO-3PFST Microelectronics
63702STFW4N1501500 V à canal N, 5 Ohm, 4 A, PowerMESH (TM) MOSFET de puissance pour-3PFST Microelectronics
63703STFW69N65M5N-canal 650 V, 0,037 Ohm, 58 A MDmesh (TM) V MOSFET de puissance en boîtier TO-3PFST Microelectronics
63704STFW6N120K3Canal N 1200 V, 1,95 Ohm, 6 Zener protégées SuperMESH3 (TM) MOSFET de puissance en boîtier TO-3PFST Microelectronics
63705STG3000XACCÉLÉRATEUR DE MULTIMÉDIA DE 128-bit 3CDST Microelectronics
63706STG3005A2SACCÉLÉRATEUR DE MULTIMÉDIA DE 128-bit 3CDST Microelectronics
63707STG3157LA BASSE TENSION BASSE SUR LE COMMUTATEUR DE LA RÉSISTANCE SPDT AVEC LA COUPURE AVANT FONT LE DISPOSITIFST Microelectronics
63708STG3157CTRLA BASSE TENSION BASSE SUR LE COMMUTATEUR DE LA RÉSISTANCE SPDT AVEC LA COUPURE AVANT FONT LE DISPOSITIFST Microelectronics
63709STG3220Low Voltage High Bandwidth double SPDT commutateurST Microelectronics
63710STG3220QTRLow Voltage High Bandwidth double SPDT commutateurST Microelectronics
63711STG3482Low Voltage double SP4T Interrupteur avec break-before-Marque Feat.ST Microelectronics
63712STG3482QTRLow Voltage double SP4T Interrupteur avec break-before-Marque Feat.ST Microelectronics
63713STG3680LE BAS COMMUTATEUR DUEL MAXIMUM DE LA TENSION ÖHM SPDT AVEC LA COUPURE AVANT FONT LE DISPOSITIFST Microelectronics
63714STG3680QTRLE BAS COMMUTATEUR DUEL MAXIMUM DE LA TENSION ÖHM SPDT AVEC LA COUPURE AVANT FONT LE DISPOSITIFST Microelectronics
63715STG3682Low Voltage High Bandwidth double SPDT commutateurST Microelectronics
63716STG3682QTRLow Voltage High Bandwidth double SPDT commutateurST Microelectronics
63717STG3684LA BASSE TENSION COMMUTATEUR DUEL MAXIMUM DE 0,5 OHMS SPD AVEC LA COUPURE AVANT FONT LE DISPOSITIFST Microelectronics
63718STG3684ALow Voltage 0,5 Ohm Max double SPDT Interrupteur avec break-before-make FeatST Microelectronics
63719STG3684AUTRLow Voltage 0,5 Ohm Max double SPDT Interrupteur avec break-before-make FeatST Microelectronics
63720STG3684QTRLA BASSE TENSION COMMUTATEUR DUEL MAXIMUM DE 0,5 OHMS SPD AVEC LA COUPURE AVANT FONT LE DISPOSITIFST Microelectronics
63721STG3685LA BASSE TENSION COMMUTATEUR DUEL MAXIMUM DE 0,5 OHMS SPDT, SIMPLE PERMETTENT AVEC LA COUPURE AVANT FONT LE DISPOSITIFST Microelectronics
63722STG3685BJRLA BASSE TENSION COMMUTATEUR DUEL MAXIMUM DE 0,5 OHMS SPDT, SIMPLE PERMETTENT AVEC LA COUPURE AVANT FONT LE DISPOSITIFST Microelectronics
63723STG3690LE BAS COMMUTATEUR MAXIMUM DU QUADRUPLE SPDT DE LA TENSION ÖHM AVEC LA COUPURE AVANT FONT LE DISPOSITIFST Microelectronics
63724STG3690QTRLE BAS COMMUTATEUR MAXIMUM DU QUADRUPLE SPDT DE LA TENSION ÖHM AVEC LA COUPURE AVANT FONT LE DISPOSITIFST Microelectronics
63725STG3690TTRLE BAS COMMUTATEUR MAXIMUM DU QUADRUPLE SPDT DE LA TENSION 5OHM AVEC LA COUPURE AVANT FONT LE DISPOSITIFST Microelectronics
63726STG3690TTRLE BAS COMMUTATEUR MAXIMUM DU QUADRUPLE SPDT DE LA TENSION 5OHM AVEC LA COUPURE AVANT FONT LE DISPOSITIFST Microelectronics
63727STG3692Low Voltage High Bandwidth Quad SPDTST Microelectronics
63728STG3692QTRLow Voltage High Bandwidth Quad SPDTST Microelectronics
63729STG3693Low Voltage High Bandwidth Quad commutateur inverseurST Microelectronics
63730STG3693QTRLow Voltage High Bandwidth Quad commutateur inverseurST Microelectronics
63731STG3696EBasse tension commutateur double SPDT pour la commutation de signal USB / audioST Microelectronics
63732STG3696EQTRBasse tension commutateur double SPDT pour la commutation de signal USB / audioST Microelectronics
63733STG3699LA BASSE TENSION COMMUTATEUR MAXIMUM DU QUADRUPLE SPD DE 0,5 OHMS AVEC LA COUPURE AVANT FONT LE DISPOSITIFST Microelectronics
63734STG3699ABASSE TENSION 0.5 ? LE COMMUTATEUR MAXIMUM DU QUADRUPLE SPDT AVEC LA COUPURE AVANT FONT LE DISPOSITIFST Microelectronics
63735STG3699ABASSE TENSION 0.5 ? LE COMMUTATEUR MAXIMUM DU QUADRUPLE SPDT AVEC LA COUPURE AVANT FONT LE DISPOSITIFST Microelectronics
63736STG3699AQTRLA BASSE TENSION COMMUTATEUR MAXIMUM DU QUADRUPLE SPDT DE 0,5 OHMS AVEC LA COUPURE AVANT FONT LE DISPOSITIFST Microelectronics
63737STG3699BBasse tension 0,5 Î © max, commutateur inverseur quad avec fonction break-before-makeST Microelectronics
63738STG3699BVTRBasse tension 0,5 Î © max, commutateur inverseur quad avec fonction break-before-makeST Microelectronics
63739STG3699QTRLA BASSE TENSION COMMUTATEUR MAXIMUM DU QUADRUPLE SPD DE 0,5 OHMS AVEC LA COUPURE AVANT FONT LE DISPOSITIFST Microelectronics
63740STG3699TTRLA BASSE TENSION COMMUTATEUR MAXIMUM DU QUADRUPLE SPD DE 0,5 OHMS AVEC LA COUPURE AVANT FONT LE DISPOSITIFST Microelectronics
63741STG3820Basse tension haut débit Switch quad DPDTST Microelectronics
63742STG3820BJRBasse tension haut débit Switch quad DPDTST Microelectronics
63743STG3856Basse tension 1.0i © max double commutateur SP3T avec fonction break-before-makeST Microelectronics
63744STG3856QTRBasse tension 1.0i © max double commutateur SP3T avec fonction break-before-makeST Microelectronics
63745STG4158Basse tension 0,6 Î © typ commutateur inverseur simple avec fonction et 15 kV protection ESD de break-before-makeST Microelectronics
63746STG4158BJRBasse tension 0,6 Î © typ commutateur inverseur simple avec fonction et 15 kV protection ESD de break-before-makeST Microelectronics
63747STG4159Low Voltage 0,3 Ohm Max simple SPDT Interrupteur avec break-before-Assurez-métrage et 10kV Contactez protection ESDST Microelectronics
63748STG4159BJRLow Voltage 0,3 Ohm Max simple SPDT Interrupteur avec break-before-Assurez-métrage et 10kV Contactez protection ESDST Microelectronics
63749STG4160Basse tension 0,5 Ohm commutateur inverseur simple avec fonction break-before-make et 15 kV protection ESDST Microelectronics
63750STG4160BJRBasse tension 0,5 Ohm commutateur inverseur simple avec fonction break-before-make et 15 kV protection ESDST Microelectronics
63751STG4260Basse tension 0,5 Î © double commutateur inverseur avec fonction break-before-make et 15 kV protection ESDST Microelectronics
63752STG4260BJRBasse tension 0,5 Î © double commutateur inverseur avec fonction break-before-make et 15 kV protection ESDST Microelectronics
63753STG5123Basse tension 1 Î © interrupteur SPDT simple avec fonction de break-before-makeST Microelectronics
63754STG5123DTRBasse tension 1 Î © interrupteur SPDT simple avec fonction de break-before-makeST Microelectronics
63755STG5223Basse tension 0,5 Î © double interrupteur SPDT avec break-before-makeST Microelectronics
63756STG5223QTRBasse tension 0,5 Î © double interrupteur SPDT avec break-before-makeST Microelectronics
63757STG5678Basse tension double commutateur inverseur avec une capacité de rail négatifST Microelectronics
63758STG5678BJRBasse tension double commutateur inverseur avec une capacité de rail négatifST Microelectronics
63759STG5678CJRBasse tension double commutateur inverseur avec une capacité de rail négatifST Microelectronics
63760STG5682Basse tension double commutateur inverseur avec une capacité de rail négatifST Microelectronics
63761STG5682QTRBasse tension double commutateur inverseur avec une capacité de rail négatifST Microelectronics
63762STG719COMMUTATEUR DE LA BASSE TENSION ÔHM SPDTST Microelectronics
63763STG719CTRCOMMUTATEUR DE LA BASSE TENSION ÔHM SPDTST Microelectronics
63764STG719FTRCOMMUTATEUR DE LA BASSE TENSION 4OHM SPDTST Microelectronics
63765STG719FTRCOMMUTATEUR DE LA BASSE TENSION 4OHM SPDTST Microelectronics
63766STG719STRCOMMUTATEUR DE LA BASSE TENSION ÔHM SPDTST Microelectronics
63767STGAP1SgapDRIVE: séparation galvanique pilote de grille uniqueST Microelectronics
63768STGAP1STRgapDRIVE: séparation galvanique pilote de grille uniqueST Microelectronics
63769STGB10H60DFTranchée de grille IGBT terrain arrêt, série H 600 V, 10 A haute vitesseST Microelectronics
63770STGB10NB37LZ10A MAINTENU Parcanal - D2PAK INTÉRIEUREMENT A MAINTENU POWERMESH IGBTST Microelectronics
63771STGB10NB37LZT410A MAINTENU Parcanal - D2PAK INTÉRIEUREMENT A MAINTENU POWERMESH IGBTST Microelectronics
63772STGB10NB40LZ20A MAINTENU Parcanal D2PAK INTÉRIEUREMENT A MAINTENU POWERMESH IGBTST Microelectronics
63773STGB10NB40LZT420A MAINTENU Parcanal D2PAK INTÉRIEUREMENT A MAINTENU POWERMESH IGBTST Microelectronics
63774STGB10NB60SN-canal 10A 600V To-220/tp-220fp/dpak PowerMESH"IGBTST Microelectronics
63775STGB10NB60ST4N-canal 10A 600V To-220/tp-220fp/dpak PowerMESH"IGBTST Microelectronics
63776STGB10NC60HDSérie très rapide "H"ST Microelectronics
63777STGB10NC60HDT4Série très rapide "H"ST Microelectronics
63778STGB10NC60KD10 A, 600 V court-circuit IGBT robusteST Microelectronics
63779STGB10NC60KDT410 A, 600 V court-circuit IGBT robusteST Microelectronics
63780STGB12NB60KDN-canal 1Å - PREUVE POWERMESH IGBT de CIRCUIT COURT De 600V To-220/d2pakST Microelectronics
63781STGB12NB60KDT4N-canal 1Å - PREUVE POWERMESH IGBT de CIRCUIT COURT De 600V To-220/d2pakST Microelectronics
63782STGB14NC60KD14 A, 600 V court-circuit IGBT robusteST Microelectronics
63783STGB14NC60KDT414 A, 600 V court-circuit IGBT robusteST Microelectronics
63784STGB15H60DFTranchée de grille IGBT terrain arrêt, série H 600 V, 15 A haute vitesseST Microelectronics
63785STGB18N40LZEAS 180 mJ - 390 V - IGBT serré interneST Microelectronics
63786STGB18N40LZ-1EAS 180 mJ - 390 V - IGBT serré interneST Microelectronics
63787STGB18N40LZT4EAS 180 mJ - 390 V - IGBT serré interneST Microelectronics
63788STGB19NC60H19 A - 600 V - IGBT très rapideST Microelectronics
63789STGB19NC60HD19 A, 600 V, IGBT très rapide avec diode ultrarapideST Microelectronics
63790STGB19NC60HDT419 A, 600 V, IGBT très rapide avec diode ultrarapideST Microelectronics
63791STGB19NC60HT419 A - 600 V - IGBT très rapideST Microelectronics
63792STGB19NC60KDcourt-circuit IGBT robusteST Microelectronics
63793STGB19NC60KDT4court-circuit IGBT robusteST Microelectronics
63794STGB20H60DF600 V, 20 A grille en tranchée terrain arrêt IGBT à haute vitesseST Microelectronics
63795STGB20N40LZAutomobile qualité 390 V serrée interne IGBT ESCIS 300 mJST Microelectronics
63796STGB20NB32LZLe N-canal A MAINTENU 20A - D2PAK/i2pak POWERMESH INTÉRIEUREMENT MAINTENU IGBTST Microelectronics
63797STGB20NB32LZ-1Le N-canal A MAINTENU 20A - D2PAK/i2pak POWERMESH INTÉRIEUREMENT MAINTENU IGBTST Microelectronics
63798STGB20NB32LZT4Le N-canal A MAINTENU 20A - D2PAK/i2pak POWERMESH INTÉRIEUREMENT MAINTENU IGBTST Microelectronics
63799STGB20NB37LZLe N-canal A MAINTENU 20A - D2PAK POWERMESH INTÉRIEUREMENT MAINTENU IGBTST Microelectronics
63800STGB20NB37LZT4Le N-canal A MAINTENU 20A - D2PAK POWERMESH INTÉRIEUREMENT MAINTENU IGBTST Microelectronics

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