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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
64101STGW45NC60VD45 A, 600 V, IGBT très rapideST Microelectronics
64102STGW45NC60WDSérie ultra rapide "W"ST Microelectronics
64103STGW50H60DF50 A, 600 V domaine arrêt tranchée porte IGBT avec la diode ultrarapideST Microelectronics
64104STGW50HF60S60 A, 600 V, très faible IGBT de chuteST Microelectronics
64105STGW50HF60SD60 A, 600 V, très faible IGBT de chute avec diode de récupération logicielle et rapideST Microelectronics
64106STGW50HF65SD60 A, 650 V, très faible IGBT de chute avec diode de récupération logicielle et rapideST Microelectronics
64107STGW50NB60HN-canal 50A - 600V To-247 POWERMESH IGBTST Microelectronics
64108STGW50NB60MN-canal 50A - 600V - To-247 POWERMESH IGBTST Microelectronics
64109STGW50NC60WSérie ultra rapide "W"ST Microelectronics
64110STGW60H60DLFBTranchée de grille IGBT terrain arrêt, série HB 600 V, 60 A haute vitesseST Microelectronics
64111STGW60H65DF60 A, 650 V domaine arrêt tranchée porte IGBT avec la diode très rapideST Microelectronics
64112STGW60H65DFBTranchée de grille IGBT terrain arrêt, série HB 650 V, 60 A haute vitesseST Microelectronics
64113STGW60H65DRF60 A, 650 V domaine arrêt tranchée porte IGBT avec la diode ultrarapideST Microelectronics
64114STGW60H65F60 A, 650 V de portes arrêt de tranchée IGBTST Microelectronics
64115STGW60H65FBTranchée de grille IGBT terrain arrêt, série HB 650 V, 60 A haute vitesseST Microelectronics
64116STGW60V60DFgrille en tranchée IGBT terrain arrêt, série V 600 V, 60 A très grande vitesseST Microelectronics
64117STGW60V60Fgrille en tranchée IGBT terrain arrêt, série V 600 V, 60 A très grande vitesseST Microelectronics
64118STGW80H65DFBTranchée de grille IGBT terrain arrêt, série HB 650 V, 80 A haute vitesseST Microelectronics
64119STGW80H65FBTranchée de grille IGBT terrain arrêt, série HB 650 V, 80 A haute vitesseST Microelectronics
64120STGW80V60DFgrille en tranchée IGBT terrain arrêt, série V 600 V, 80 A très grande vitesseST Microelectronics
64121STGW80V60Fgrille en tranchée IGBT terrain arrêt, série V 600 V, 80 A très grande vitesseST Microelectronics
64122STGWA15M120DF3grille en tranchée IGBT terrain arrêt, série M 1200 V, 15 A faible perteST Microelectronics
64123STGWA19NC60HD31 A, 600 V, IGBT très rapide avec diode ultrarapideST Microelectronics
64124STGWA25M120DF3grille en tranchée IGBT terrain arrêt, série M 1200 V, 25 A faible perteST Microelectronics
64125STGWA30N120KD30 A, 1 200 V court-circuit IGBT robuste avec diode ultrarapideST Microelectronics
64126STGWA35HF60WDI35 A, 600 V ultrarapide IGBT avec la diode de faible chuteST Microelectronics
64127STGWA40M120DF3grille en tranchée IGBT terrain arrêt, série M 1200 V, 40 A faible perteST Microelectronics
64128STGWA40N120KD40 A, 1 200 V court-circuit IGBT robuste avec diode ultrarapideST Microelectronics
64129STGWA60NC60WDR60 A, 600 V, IGBT ultra-rapideST Microelectronics
64130STGWA80H65FBTranchée de grille IGBT terrain arrêt, série HB 650 V, 80 A haute vitesseST Microelectronics
64131STGWF30NC60S30 A, 600 V, IGBT rapideST Microelectronics
64132STGWT20H60DF600 V, 20 A grille en tranchée terrain arrêt IGBT à haute vitesseST Microelectronics
64133STGWT20H65FBTranchée de grille IGBT terrain arrêt, série HB 650 V, 20 A haute vitesseST Microelectronics
64134STGWT20IH125DF1250 V, 20 A IH porte série de tranchées terrain arrêt IGBTST Microelectronics
64135STGWT20V60DFgrille en tranchée IGBT terrain arrêt, série V 600 V, 20 A très grande vitesseST Microelectronics
64136STGWT20V60Fgrille en tranchée IGBT terrain arrêt, série V 600 V, 20 A très grande vitesseST Microelectronics
64137STGWT28IH125DF1250 V, 25 A IH porte série de tranchées terrain arrêt IGBTST Microelectronics
64138STGWT30H60DFBTranchée de grille IGBT terrain arrêt, série HB 600 V, 30 A haute vitesseST Microelectronics
64139STGWT30H65FBTranchée de grille IGBT terrain arrêt, série HB 650 V, 30 A haute vitesseST Microelectronics
64140STGWT30V60DFgrille en tranchée IGBT terrain arrêt, série V 600 V, 30 A très grande vitesseST Microelectronics
64141STGWT30V60Fgrille en tranchée IGBT terrain arrêt, série V 600 V, 30 A très grande vitesseST Microelectronics
64142STGWT38IH130D33 A - 1300 V - IGBT très rapideST Microelectronics
64143STGWT40H60DLFBTranchée de grille IGBT terrain arrêt, série HB 600 V, 40 A haute vitesseST Microelectronics
64144STGWT40H65DFBTranchée de grille IGBT terrain arrêt, série HB 650 V, 40 A haute vitesseST Microelectronics
64145STGWT40H65FBTranchée de grille IGBT terrain arrêt, série HB 650 V, 40 A haute vitesseST Microelectronics
64146STGWT40V60DFgrille en tranchée IGBT terrain arrêt, série V 600 V, 40 A très grande vitesseST Microelectronics
64147STGWT40V60DLFgrille en tranchée IGBT terrain arrêt, série V 600 V, 40 A très grande vitesseST Microelectronics
64148STGWT50HF65SD60 A, 650 V, très faible IGBT de chute avec diode de récupération logicielle et rapideST Microelectronics
64149STGWT60H60DLFBTranchée de grille IGBT terrain arrêt, série HB 600 V, 60 A haute vitesseST Microelectronics
64150STGWT60H65DFBTranchée de grille IGBT terrain arrêt, série HB 650 V, 60 A haute vitesseST Microelectronics
64151STGWT60H65FBTranchée de grille IGBT terrain arrêt, série HB 650 V, 60 A haute vitesseST Microelectronics
64152STGWT60V60DFgrille en tranchée IGBT terrain arrêt, série V 600 V, 60 A très grande vitesseST Microelectronics
64153STGWT80H65DFBTranchée de grille IGBT terrain arrêt, série HB 650 V, 80 A haute vitesseST Microelectronics
64154STGWT80H65FBTranchée de grille IGBT terrain arrêt, série HB 650 V, 80 A haute vitesseST Microelectronics
64155STGWT80V60DFgrille en tranchée IGBT terrain arrêt, série V 600 V, 80 A très grande vitesseST Microelectronics
64156STGWT80V60Fgrille en tranchée IGBT terrain arrêt, série V 600 V, 80 A très grande vitesseST Microelectronics
64157STGY40NC60VN-CHANNEL 50A - 600V - Max247 PowerMESH Très Rapide ? ? IGBTST Microelectronics
64158STGY40NC60VN-CHANNEL 50A - 600V - Max247 PowerMESH Très Rapide ? ? IGBTST Microelectronics
64159STGY40NC60VDN-canal 50A - 600V MAX247 POWERMESH TRÈS RAPIDE "IGBTST Microelectronics
64160STGY50NB60N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBTST Microelectronics
64161STGY50NB60N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBTST Microelectronics
64162STGY50NB60HDN-canal 50A - 600V MAX247 POWERMESH IGBTST Microelectronics
64163STGY50NC60WDSérie ultra rapide "W"ST Microelectronics
64164STGY80H65DFBTranchée de grille IGBT terrain arrêt, série HB 650 V, 80 A haute vitesseST Microelectronics
64165STH10NA50FIVIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dansST Microelectronics
64166STH10NC60FIN-canal 600V - 0,6 OHMS - 10A - Transistor MOSFET De To-247/isowatt218 POWERMESHST Microelectronics
64167STH110N10F7-2N-canal 100 V, 4,9 mOhm typ., 110 A, STripFET (TM) VII DeepGATE MOSFET de puissance dans H2PAK-2 paquetST Microelectronics
64168STH110N10F7-6N-canal 100 V, 4,9 mOhm typ., 110 A, STripFET (TM) VII DeepGATE MOSFET de puissance dans H2PAK-6 paquetST Microelectronics
64169STH12N120K5-2Canal N 1200 V, 0,58 Ohm typ., 12 Zener protégées SuperMESH (TM) 5 MOSFET de puissance dans H2PAK-2 paquetST Microelectronics
64170STH12NA60FIVIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dansST Microelectronics
64171STH130N10F3-2N-canal 100 V, 7,8 mOhm typ., 120 A STripFET (TM) MOSFET de puissance dans H2PAK-2 paquetST Microelectronics
64172STH13NB60N - La MANCHE 600V - 0.48ohm - 13A - Transistor MOSFET deTO-247/ISOWATT218 PowerMESHST Microelectronics
64173STH13NB60N - La MANCHE 600V - 0.48ohm - 13A - Transistor MOSFET deTO-247/ISOWATT218 PowerMESHST Microelectronics
64174STH13NB60FIN-canal 600V - 0,48 OHMS - 1Á - Transistor MOSFET De To-247/isowatt218 POWERMESHST Microelectronics
64175STH140N8F7-2N-canal 80 V, 3,3 mOhm typ., 90 A STripFET F7 MOSFET de puissance dans H2PAK-2 paquetST Microelectronics
64176STH150N10F7-2N-canal 100 V, 0,0038 Ohm typ., 90 A STripFET F7 MOSFET de puissance dans H2PAK-2 paquetST Microelectronics
64177STH15NA50FIVIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dansST Microelectronics
64178STH15NB50FITRANSISTOR TRÈS BAS de MOS de PUISSANCE de CHARGE de PORTE de MODE de PERFECTIONNEMENT De N-channleST Microelectronics
64179STH16NA40FIVIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dansST Microelectronics
64180STH180N10F3-2N-canal 100 V, 3,9 mOhm, 180 A STripFET (TM) III MOSFET de puissance H2PAK-2ST Microelectronics
64181STH180N10F3-6N-canal 100 V, 3,9 mOhm, 180 A, H2PAK-six STripFET (TM) III MOSFET de puissanceST Microelectronics
64182STH185N10F3-2Automobile qualité à canal N 100 V, 3,9 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) III MOSFET de puissance package H2PAK-2ST Microelectronics
64183STH18NB40Transistor MOSFET de l'cOhm 18. To-247/isowatt218 POWERMESH Du N-canal 400V 0,19ST Microelectronics
64184STH18NB40FITransistor MOSFET de l'cOhm 18. To-247/isowatt218 POWERMESH Du N-canal 400V 0,19ST Microelectronics
64185STH210N75F6-2N-canal 75 V, 0,0027 Ohm typ., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans H2PAK-2 paquetST Microelectronics
64186STH240N10F7-2N-canal 100 V, 0,002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 MOSFET de puissance dans un paquet H2PAK-2ST Microelectronics
64187STH240N10F7-6N-canal 100 V, 0,002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 MOSFET de puissance dans un paquet H2PAK-6ST Microelectronics
64188STH240N75F3-2N-canal 75 V, 2,6 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) III MOSFET de puissance dans H2PAK-2 paquetST Microelectronics
64189STH240N75F3-6N-canal 75 V, 2,6 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) III MOSFET de puissance dans H2PAK-6 paquetST Microelectronics
64190STH245N75F3-6Automobile qualité à canal N 75 V, 2,6 mOhm typ., 180 A STripFET F3 MOSFET de puissance dans H2PAK-6 paquetST Microelectronics
64191STH250N55F3-6N-canal 55 V, 2,2 mOhm, 180 A, H2PAK, STripFET III MOSFET de puissanceST Microelectronics
64192STH260N6F6-2N-canal 60 V, 1,7 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans H2PAK-2 paquetST Microelectronics
64193STH260N6F6-6N-canal 60 V, 1,7 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans H2PAK-6 paquetST Microelectronics
64194STH270N4F3-2N-canal 40 V, 1,4 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) III MOSFET de puissance dans H2PAK-2 paquetST Microelectronics
64195STH270N4F3-6N-canal 40 V, 1,4 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) III MOSFET de puissance dans H2PAK-6 paquetST Microelectronics
64196STH270N8F7-2N-canal 80 V, 1,7 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans H2PAK-2 paquetST Microelectronics
64197STH270N8F7-6N-canal 80 V, 1,7 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans H2PAK-6 paquetST Microelectronics
64198STH300NH02L-6N-canal 24 V, 0,95 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) MOSFET de puissance dans un paquet H2PAK-6ST Microelectronics
64199STH310N10F7-2N-canal 100 V, 1,9 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans H2PAK-2 paquetST Microelectronics
64200STH310N10F7-6N-canal 100 V, 1,9 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans H2PAK-6 paquetST Microelectronics

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