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Les fiches techniques ont trouvé :: 188

Nr.	Nom de partie	Description	Fabricant
1	2N6781	60 V, 06 ohms, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance	Topaz Semiconductor
2	2N6782	100 V, 06 ohms, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance	Topaz Semiconductor
3	2N7000	60 V, 5 ohms, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance	Topaz Semiconductor
4	2N7104	30 V, 70 ohms, à canal N à enrichissement commutateur D-MOS FET	Topaz Semiconductor
5	2N7105	30 V, 70 ohms, à canal N à enrichissement commutateur D-MOS FET	Topaz Semiconductor
6	2N7106	10 V, 70 ohms, à canal N à enrichissement commutateur D-MOS FET	Topaz Semiconductor
7	2N7107	10 V, 70 ohms, à canal N à enrichissement commutateur D-MOS FET	Topaz Semiconductor
8	2N7108	20 V, 70 ohms, à canal N à enrichissement commutateur D-MOS FET	Topaz Semiconductor
9	2N7109	20 V, 70 ohms, à canal N à enrichissement commutateur D-MOS FET	Topaz Semiconductor
10	AN0110NA	100 V, 100 om, N-channel enhancement-mode D-MOS FET 8-channel array	Topaz Semiconductor
11	AN0120NA	200 V, 300 om, N-channel enhancement-mode D-MOS FET 8-channel array	Topaz Semiconductor
12	AN0130NA	300 V, 300 om, N-channel enhancement-mode D-MOS FET 8-channel array	Topaz Semiconductor
13	AN0140NA	400 V, 350 om, N-channel enhancement-mode D-MOS FET 8-channel array	Topaz Semiconductor
14	SD1100CHP	450 V, à canal N à mode d'enrichissement à haute tension D-MOS FET de puissance	Topaz Semiconductor
15	SD1100DD	450 V, à canal N à mode d'enrichissement à haute tension D-MOS FET de puissance	Topaz Semiconductor
16	SD1100HD	450 V, à canal N à mode d'enrichissement à haute tension D-MOS FET de puissance	Topaz Semiconductor
17	SD1101BD	400 V, à canal N à mode d'enrichissement à haute tension D-MOS FET de puissance	Topaz Semiconductor
18	SD1101CHP	400 V, à canal N à mode d'enrichissement à haute tension D-MOS FET de puissance	Topaz Semiconductor
19	SD1101DD	400 V, à canal N à mode d'enrichissement à haute tension D-MOS FET de puissance	Topaz Semiconductor
20	SD1101HD	400 V, à canal N à mode d'enrichissement à haute tension D-MOS FET de puissance	Topaz Semiconductor
21	SD1102BD	250 V, de 10 ohms, à canal N à mode d'enrichissement à haute tension D-MOS FET de puissance	Topaz Semiconductor
22	SD1102CHP	250 V, de 10 ohms, à canal N à mode d'enrichissement à haute tension D-MOS FET de puissance	Topaz Semiconductor
23	SD1102DD	250 V, de 10 ohms, à canal N à mode d'enrichissement à haute tension D-MOS FET de puissance	Topaz Semiconductor
24	SD1102HD	250 V, de 10 ohms, à canal N à mode d'enrichissement à haute tension D-MOS FET de puissance	Topaz Semiconductor
25	SD1106AD	60 V, N-channel enhancement-mode D-MOS power FET	Topaz Semiconductor
26	SD1106CHP	60 V, N-channel enhancement-mode D-MOS power FET	Topaz Semiconductor

27	SD1106DD	60 V, N-channel enhancement-mode D-MOS power FET	Topaz Semiconductor
28	SD1107BD	100 V, 4 ohms, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance	Topaz Semiconductor
29	SD1107CHP	100 V, 4 ohms, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance	Topaz Semiconductor
30	SD1107DD	100 V, 4 ohms, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance	Topaz Semiconductor
31	SD1107HD	100 V, 4 ohms, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance	Topaz Semiconductor
32	SD1107N	100 V, 4 ohms, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance	Topaz Semiconductor
33	SD1112BD	200 V, 7 ohms, à canal N à mode d'enrichissement à haute tension D-MOS FET de puissance	Topaz Semiconductor
34	SD1112CHP	200 V, 7 ohms, à canal N à mode d'enrichissement à haute tension D-MOS FET de puissance	Topaz Semiconductor
35	SD1112DD	200 V, 7 ohms, à canal N à mode d'enrichissement à haute tension D-MOS FET de puissance	Topaz Semiconductor
36	SD1112HD	200 V, 7 ohms, à canal N à mode d'enrichissement à haute tension D-MOS FET de puissance	Topaz Semiconductor
37	SD1113BD	200 V, de 10 ohms, à canal N à mode d'enrichissement à haute tension D-MOS FET de puissance	Topaz Semiconductor
38	SD1113CHP	200 V, de 10 ohms, à canal N à mode d'enrichissement à haute tension D-MOS FET de puissance	Topaz Semiconductor
39	SD1113DD	200 V, de 10 ohms, à canal N à mode d'enrichissement à haute tension D-MOS FET de puissance	Topaz Semiconductor
40	SD1113HD	200 V, de 10 ohms, à canal N à mode d'enrichissement à haute tension D-MOS FET de puissance	Topaz Semiconductor
41	SD1117BD	60 V, 2,5 ohm, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance	Topaz Semiconductor
42	SD1117CHP	60 V, 2,5 ohm, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance	Topaz Semiconductor
43	SD1117DD	60 V, 2,5 ohm, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance	Topaz Semiconductor
44	SD1117HD	60 V, 2,5 ohm, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance	Topaz Semiconductor
45	SD1117N	60 V, 2,5 ohm, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance	Topaz Semiconductor
46	SD1122BD	200 V, de 10 ohms, à canal N à mode d'enrichissement à haute tension D-MOS FET de puissance	Topaz Semiconductor
47	SD1122CHP	200 V, de 10 ohms, à canal N à mode d'enrichissement à haute tension D-MOS FET de puissance	Topaz Semiconductor
48	SD1127BD	60 V, 4 ohms, à canal N à enrichissement vertical D-MOS FET ultra faible fuite	Topaz Semiconductor
49	SD1127CHP	60 V, 4 ohms, à canal N à enrichissement vertical D-MOS FET ultra faible fuite	Topaz Semiconductor
50	SD1137BD	60 V, 2,5 ohm, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance	Topaz Semiconductor

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