Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
1101 | 2SC2230A | AMPLIFICATEUR GÉNÉRAL À HAUTE TENSION Diffus Triple De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT) ET APPLICATIONS SAINES de RENDEMENT de la CLASSE B de la COULEUR TV | TOSHIBA |
1102 | 2SC2231 | SILICIUM NPN TYPE(PCT DIFFUS TRIPLE DE PROCESSUS) | TOSHIBA |
1103 | 2SC2231 | SILICIUM NPN TYPE(PCT DIFFUS TRIPLE DE PROCESSUS) | TOSHIBA |
1104 | 2SC2231A | SILICIUM NPN TYPE(PCT DIFFUS TRIPLE DE PROCESSUS) | TOSHIBA |
1105 | 2SC2231A | SILICIUM NPN TYPE(PCT DIFFUS TRIPLE DE PROCESSUS) | TOSHIBA |
1106 | 2SC2235 | AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE AUDIO ÉPITAXIAL DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT), APPLICATIONS D'CAmplificateur D'CÉtape DE CONDUCTEUR | TOSHIBA |
1107 | 2SC2236 | APPLICATIONS AUDIO ÉPITAXIALES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT) | TOSHIBA |
1108 | 2SC2240 | Applications audio d'amplificateur bruit épitaxial de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) de bas | TOSHIBA |
1109 | 2SC2242 | SILICIUM NPN TYPE(PCT DIFFUS TRIPLE DE PROCESSUS) | TOSHIBA |
1110 | 2SC2242 | SILICIUM NPN TYPE(PCT DIFFUS TRIPLE DE PROCESSUS) | TOSHIBA |
1111 | 2SC2270 | Applications Instantanées De Strobo | TOSHIBA |
1112 | 2SC2290 | APPLICATIONS LINÉAIRES PLANAIRES ÉPITAXIALES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DU TYPE 2~30cMcHz SSB DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (BASSE UTILISATION DE TENSION D'CAlimentation) | TOSHIBA |
1113 | 2SC2347 | Applications À FRÉQUENCE ULTRA-haute Planaires Épitaxiales De Mélangeur de VHF Des Applications TV D'Oscillateur Du Type TV Du Silicium NPN De Transistor | TOSHIBA |
1114 | 2SC2349 | Applications Planaires Épitaxiales D'Oscillateur de VHF Du Type TV Du Silicium NPN De Transistor | TOSHIBA |
1115 | 2SC2380 | Type Planaire Épitaxial Du Silicium NPN | TOSHIBA |
1116 | 2SC2383 | COULEUR ÉPITAXIALE TV VERT DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR. APPLICATIONS SAINES De RENDEMENT De RENDEMENT De DÉBATTEMENT ET De CLASSE B De la COULEUR TV | TOSHIBA |
1117 | 2SC2395 | TRANSISTOR (UTILISATION LINÉAIRE DE TENSION D'CAlimentation D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE 2~30cMcHz SSB APPLICATIONS)(low) | TOSHIBA |
1118 | 2SC2420 | APPLICATIONS D'AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE DE BANDE DE VHF | TOSHIBA |
1119 | 2SC2458 | Applications audio épitaxiales d'amplificateur de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) | TOSHIBA |
1120 | 2SC2458(L) | Applications audio d'amplificateur de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) d'amplificateur bruit audio épitaxial d'applications de bas | TOSHIBA |
1121 | 2SC2458L | TRANSISTOR (AUDIO/ÉBRUITEZ BAS LES APPLICATIONS AUDIO D'CAmplificateur) | TOSHIBA |
1122 | 2SC2459 | Applications audio épitaxiales d'amplificateur de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) | TOSHIBA |
1123 | 2SC2461A | PROCESSUS ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN TYPE(PCT) | TOSHIBA |
1124 | 2SC2461A | PROCESSUS ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN TYPE(PCT) | TOSHIBA |
1125 | 2SC2482 | COMMUTATION À HAUTE TENSION DIFFUSE TRIPLE DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR ET AMPLIFICATEUR, COULEUR TV HORIZ. CONDUCTEUR ET APPLICATIONS DE RENDEMENT DE CHROMA DE LA COULEUR TV | TOSHIBA |
1126 | 2SC2498 | Application D'Amplificateur De Bruit De Bande Planaire Épitaxiale Du Type VHF~uhf Du Silicium NPN De Transistor Basse | TOSHIBA |
1127 | 2SC2500 | APPLICATIONS MOYENNES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT) DE STROBOSCOPE D'CApplications ÉPITAXIALES D'CInstantané | TOSHIBA |
1128 | 2SC2510 | APPLICATIONS LINÉAIRES PLANAIRES ÉPITAXIALES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DU TYPE 2~30cMcHz SSB DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (UTILISATION DE TENSION D'CAlimentation 28CV) | TOSHIBA |
1129 | 2SC2525 | TRANSISTOR (APPLICATIONS D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE FRÉQUENCE SONORE) | TOSHIBA |
1130 | 2SC2532 | Étape de conducteur épitaxiale d'applications d'amplificateur de fréquence sonore de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) pour des applications de compensation de température d'actions de lampe de LED | TOSHIBA |
1131 | 2SC2551 | Affichage de plasma épitaxial d'applications de commande de tension de Hight de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT), applications de contrôle de luminosité de tube cathodique d'applications de conducteur de tube de Nixie | TOSHIBA |
1132 | 2SC2552 | Le SILICIUM NPN de TRANSISTOR TRIPLENT LE RÉGULATEUR de COMMUTATION DIFFUS de TYPE (PROCESSUS de PCT) ET LA COMMUTATION de HAUTE TENSION, APPLICATIONS À GRANDE VITESSE du CONVERTISSEUR C.c-C.c. | TOSHIBA |
1133 | 2SC2555 | Le SILICIUM NPN de TRANSISTOR TRIPLENT LA COMMUTATION DIFFUSE de RÉGULATEUR ET de HAUTE TENSION de COMMUTATION de TYPE ET LES APPLICATIONS À GRANDE VITESSE du CONVERTISSEUR C.c-C.c | TOSHIBA |
1134 | 2SC2563 | Série De Paquet De To-3p | TOSHIBA |
1135 | 2SC2565 | 2SC2565 | TOSHIBA |
1136 | 2SC2565 | 2SC2565 | TOSHIBA |
1137 | 2SC2638 | TRANSISTOR (APPLICATIONS D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE BANDE DE VHF) | TOSHIBA |
1138 | 2SC2639 | TRANSISTOR (APPLICATIONS D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE BANDE DE VHF) | TOSHIBA |
1139 | 2SC2640 | TRANSISTOR (APPLICATIONS D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE BANDE DE VHF) | TOSHIBA |
1140 | 2SC2641 | TRANSISTOR (APPLICATIONS À FRÉQUENCE ULTRA-haute D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE BANDE) | TOSHIBA |
1141 | 2SC2642 | TRANSISTOR (APPLICATIONS À FRÉQUENCE ULTRA-haute D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE BANDE) | TOSHIBA |
1142 | 2SC2643 | TRANSISTOR (APPLICATIONS À FRÉQUENCE ULTRA-haute D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE BANDE) | TOSHIBA |
1143 | 2SC2644 | Applications À large bande D'Amplificateur De Bande Planaire Épitaxiale Du Type VHF~uhf Du Silicium NPN De Transistor (fT=4GHz) | TOSHIBA |
1144 | 2SC2652 | V (CBO): 85V; V (CES): 85V; V (CEO): 55V; V (EBO): 4V; 20A; 300W; NPN transistor de silicium épitaxiale planaire. Pour 2-30 MHz SSB amplificateurs de puissance de la linéarité des applications | TOSHIBA |
1145 | 2SC2655 | Les applications épitaxiales d'amplificateur de puissance de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) actionnent des applications de commutation | TOSHIBA |
1146 | 2SC2668 | Applications à haute fréquence planaires épitaxiales FM, rf d'amplificateur de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT), SI applications d'amplificateur | TOSHIBA |
1147 | 2SC2669 | Applications à haute fréquence planaires épitaxiales d'amplificateur de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) | TOSHIBA |
1148 | 2SC2670 | Applications à haute fréquence à haute fréquence épitaxiales de convertisseur de fréquence des applications AM d'amplificateur des applications AM d'amplificateur de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) | TOSHIBA |
1149 | 2SC2703 | APPLICATIONS AUDIO ÉPITAXIALES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT) | TOSHIBA |
1150 | 2SC2705 | APPLICATIONS ÉPITAXIALES D'CAmplificateur DE FRÉQUENCE SONORE DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT) | TOSHIBA |
1151 | 2SC2710 | Type épitaxial du silicium NPN de transistor (processus de PCT) pour des applications audio d'amplificateur | TOSHIBA |
1152 | 2SC2712 | Applications tout usage épitaxiales d'amplificateur de fréquence sonore de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) | TOSHIBA |
1153 | 2SC2713 | Applications tout usage épitaxiales d'amplificateur de fréquence sonore de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) | TOSHIBA |
1154 | 2SC2714 | Applications à haute fréquence planaires épitaxiales FM, rf, MÉLANGE d'amplificateur de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT), si applications d'amplificateur | TOSHIBA |
1155 | 2SC2715 | Applications à haute fréquence planaires épitaxiales d'amplificateur de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) | TOSHIBA |
1156 | 2SC2716 | Applications à haute fréquence à haute fréquence épitaxiales de convertisseur de fréquence des applications AM d'amplificateur des applications AM d'amplificateur de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) | TOSHIBA |
1157 | 2SC2717 | Image Finale Planaire Épitaxiale Du Type TV Du Silicium NPN De Transistor SI Applications D'Amplificateur | TOSHIBA |
1158 | 2SC2753 | Application D'Amplificateur De Bruit De Bande Planaire Épitaxiale Du Type VHF~uhf Du Silicium NPN De Transistor Basse | TOSHIBA |
1159 | 2SC2782 | APPLICATIONS PLANAIRES ÉPITAXIALES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE BANDE DE VHF DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR | TOSHIBA |
1160 | 2SC2783 | TRANSISTOR (APPLICATIONS À FRÉQUENCE ULTRA-haute D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE BANDE) | TOSHIBA |
1161 | 2SC2790 | TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPN | TOSHIBA |
1162 | 2SC2791 | TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPN | TOSHIBA |
1163 | 2SC2792 | TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR. RÉGULATEUR DE COMMUTATION ET HAUTE TENSION, APPLICATIONS DE COMMUTATION. APPLICATIONS À GRANDE VITESSE du CONVERTISSEUR C.c-C.c. | TOSHIBA |
1164 | 2SC2793 | TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPN | TOSHIBA |
1165 | 2SC2824 | PROCESSUS ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN TYPE(PCT) | TOSHIBA |
1166 | 2SC2824 | PROCESSUS ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN TYPE(PCT) | TOSHIBA |
1167 | 2SC2859 | Applications épitaxiales d'amplificateur d'étape de conducteur d'applications d'amplificateur de puissance de fréquence sonore du silicium NPN de transistor (processus de PCT) basses commutant des applications | TOSHIBA |
1168 | 2SC2873 | Les applications épitaxiales d'amplificateur de puissance de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) actionnent des applications de commutation | TOSHIBA |
1169 | 2SC2878 | Type épitaxial du silicium NPN de transistor pour des applications assourdissantes et de changements | TOSHIBA |
1170 | 2SC2879 | APPLICATIONS LINÉAIRES PLANAIRES ÉPITAXIALES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DU TYPE 2~30cMcHz SSB DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (BASSE UTILISATION DE TENSION D'CAlimentation) | TOSHIBA |
1171 | 2SC2880 | Le silicium NPN de transistor triplent des applications à haute tension diffuses de commutation de type (processus de PCT) | TOSHIBA |
1172 | 2SC2881 | Applications épitaxiales d'amplificateur de puissance d'applications d'amplificateur de tension de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) | TOSHIBA |
1173 | 2SC2882 | Applications épitaxiales d'amplificateur de tension d'applications d'amplificateur de puissance de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) | TOSHIBA |
1174 | 2SC2883 | APPLICATIONS AUDIO ÉPITAXIALES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT) | TOSHIBA |
1175 | 2SC2884 | APPLICATIONS AUDIO ÉPITAXIALES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT) | TOSHIBA |
1176 | 2SC2982 | Applications moyennes d'amplificateur de puissance de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) d'applications instantanées épitaxiales de Storobo | TOSHIBA |
1177 | 2SC2983 | Applications épitaxiales d'amplificateur d'étape de conducteur d'applications d'amplificateur de puissance de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) | TOSHIBA |
1178 | 2SC2995 | Type épitaxial du silicium NPN de transistor (processus de PCT) FM/am rf, MÉLANGE, OSCILLATEUR, SI applications à haute fréquence d'amplificateur | TOSHIBA |
1179 | 2SC2996 | Type épitaxial du silicium NPN de transistor (processus de PCT) FM/am rf, MÉLANGE, local, SI applications à haute fréquence d'amplificateur | TOSHIBA |
1180 | 2SC3006 | TRANSISTOR (APPLICATIONS À FRÉQUENCE ULTRA-haute D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE BANDE) | TOSHIBA |
1181 | 2SC3007 | TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN (PROCESSUS DE PCT) | TOSHIBA |
1182 | 2SC3007 | TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN (PROCESSUS DE PCT) | TOSHIBA |
1183 | 2SC3007 | TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN (PROCESSUS DE PCT) | TOSHIBA |
1184 | 2SC3011 | Applications D'Amplificateur De Bruit De Bande Planaire Épitaxiale Du Type UHF~c Du Silicium NPN De Transistor Basses | TOSHIBA |
1185 | 2SC3072 | Applications moyennes d'amplificateur de puissance de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) de stroboscope d'applications épitaxiales d'instantané | TOSHIBA |
1186 | 2SC3073 | PROCESSUS ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN TYPE(PCT) | TOSHIBA |
1187 | 2SC3073 | PROCESSUS ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN TYPE(PCT) | TOSHIBA |
1188 | 2SC3073 | PROCESSUS ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN TYPE(PCT) | TOSHIBA |
1189 | 2SC3074 | Applications courantes élevées épitaxiales de commutation de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) | TOSHIBA |
1190 | 2SC3075 | Le silicium NPN de transistor triplent applications diffuss de convertisseur de C.c-C.a. d'applications de convertisseur de C.c-C.c d'applications de commutation de régulateur de commutation de type (processus de PCT) et de haute tension | TOSHIBA |
1191 | 2SC3076 | Les applications épitaxiales d'amplificateur de puissance de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) actionnent des applications de commutation | TOSHIBA |
1192 | 2SC3098 | Applications D'Amplificateur De Bruit De Bande Planaire Épitaxiale Du Type UHF~c Du Silicium NPN De Transistor Basses | TOSHIBA |
1193 | 2SC3099 | Applications D'Amplificateur De Bruit De Bande Planaire Épitaxiale Du Type VHF~uhf Du Silicium NPN De Transistor Basses | TOSHIBA |
1194 | 2SC3112 | Type épitaxial du silicium NPN de transistor (processus de PCT) pour des applications audio d'amplificateur et de commutation | TOSHIBA |
1195 | 2SC3113 | Type épitaxial du silicium NPN de transistor pour des applications audio d'amplificateur et de commutation | TOSHIBA |
1196 | 2SC3120 | Transistor | TOSHIBA |
1197 | 2SC3121 | Tuner planaire épitaxial du type TV du silicium NPN de transistor, tuner À FRÉQUENCE ULTRA-haute d'applications d'oscillateur (base commune) TV, applications À FRÉQUENCE ULTRA-haute de convertisseur (base commune) | TOSHIBA |
1198 | 2SC3122 | Applications Planaires Épitaxiales D'Amplificateur de VHF Rf Du Type TV Du Silicium NPN De Transistor | TOSHIBA |
1199 | 2SC3123 | Applications Planaires Épitaxiales De Mélangeur de VHF Du Type TV Du Silicium NPN De Transistor | TOSHIBA |
1200 | 2SC3124 | Tuner Planaire Épitaxial Du Type TV Du Silicium NPN De Transistor, Applications D'Oscillateur de VHF | TOSHIBA |
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