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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
11012SC2230AAMPLIFICATEUR GÉNÉRAL À HAUTE TENSION Diffus Triple De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT) ET APPLICATIONS SAINES de RENDEMENT de la CLASSE B de la COULEUR TVTOSHIBA
11022SC2231SILICIUM NPN TYPE(PCT DIFFUS TRIPLE DE PROCESSUS)TOSHIBA
11032SC2231SILICIUM NPN TYPE(PCT DIFFUS TRIPLE DE PROCESSUS)TOSHIBA
11042SC2231ASILICIUM NPN TYPE(PCT DIFFUS TRIPLE DE PROCESSUS)TOSHIBA
11052SC2231ASILICIUM NPN TYPE(PCT DIFFUS TRIPLE DE PROCESSUS)TOSHIBA
11062SC2235AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE AUDIO ÉPITAXIAL DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT), APPLICATIONS D'CAmplificateur D'CÉtape DE CONDUCTEURTOSHIBA
11072SC2236APPLICATIONS AUDIO ÉPITAXIALES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT)TOSHIBA
11082SC2240Applications audio d'amplificateur bruit épitaxial de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) de basTOSHIBA
11092SC2242SILICIUM NPN TYPE(PCT DIFFUS TRIPLE DE PROCESSUS)TOSHIBA
11102SC2242SILICIUM NPN TYPE(PCT DIFFUS TRIPLE DE PROCESSUS)TOSHIBA
11112SC2270Applications Instantanées De StroboTOSHIBA
11122SC2290APPLICATIONS LINÉAIRES PLANAIRES ÉPITAXIALES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DU TYPE 2~30cMcHz SSB DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (BASSE UTILISATION DE TENSION D'CAlimentation)TOSHIBA
11132SC2347Applications À FRÉQUENCE ULTRA-haute Planaires Épitaxiales De Mélangeur de VHF Des Applications TV D'Oscillateur Du Type TV Du Silicium NPN De TransistorTOSHIBA
11142SC2349Applications Planaires Épitaxiales D'Oscillateur de VHF Du Type TV Du Silicium NPN De TransistorTOSHIBA
11152SC2380Type Planaire Épitaxial Du Silicium NPNTOSHIBA
11162SC2383COULEUR ÉPITAXIALE TV VERT DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR. APPLICATIONS SAINES De RENDEMENT De RENDEMENT De DÉBATTEMENT ET De CLASSE B De la COULEUR TVTOSHIBA
11172SC2395TRANSISTOR (UTILISATION LINÉAIRE DE TENSION D'CAlimentation D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE 2~30cMcHz SSB APPLICATIONS)(low)TOSHIBA
11182SC2420APPLICATIONS D'AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE DE BANDE DE VHFTOSHIBA
11192SC2458Applications audio épitaxiales d'amplificateur de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT)TOSHIBA
11202SC2458(L)Applications audio d'amplificateur de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) d'amplificateur bruit audio épitaxial d'applications de basTOSHIBA
11212SC2458LTRANSISTOR (AUDIO/ÉBRUITEZ BAS LES APPLICATIONS AUDIO D'CAmplificateur)TOSHIBA
11222SC2459Applications audio épitaxiales d'amplificateur de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT)TOSHIBA
11232SC2461APROCESSUS ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN TYPE(PCT)TOSHIBA
11242SC2461APROCESSUS ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN TYPE(PCT)TOSHIBA
11252SC2482COMMUTATION À HAUTE TENSION DIFFUSE TRIPLE DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR ET AMPLIFICATEUR, COULEUR TV HORIZ. CONDUCTEUR ET APPLICATIONS DE RENDEMENT DE CHROMA DE LA COULEUR TVTOSHIBA
11262SC2498Application D'Amplificateur De Bruit De Bande Planaire Épitaxiale Du Type VHF~uhf Du Silicium NPN De Transistor BasseTOSHIBA
11272SC2500APPLICATIONS MOYENNES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT) DE STROBOSCOPE D'CApplications ÉPITAXIALES D'CInstantanéTOSHIBA
11282SC2510APPLICATIONS LINÉAIRES PLANAIRES ÉPITAXIALES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DU TYPE 2~30cMcHz SSB DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (UTILISATION DE TENSION D'CAlimentation 28CV)TOSHIBA
11292SC2525TRANSISTOR (APPLICATIONS D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE FRÉQUENCE SONORE)TOSHIBA
11302SC2532Étape de conducteur épitaxiale d'applications d'amplificateur de fréquence sonore de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) pour des applications de compensation de température d'actions de lampe de LEDTOSHIBA
11312SC2551Affichage de plasma épitaxial d'applications de commande de tension de Hight de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT), applications de contrôle de luminosité de tube cathodique d'applications de conducteur de tube de NixieTOSHIBA
11322SC2552Le SILICIUM NPN de TRANSISTOR TRIPLENT LE RÉGULATEUR de COMMUTATION DIFFUS de TYPE (PROCESSUS de PCT) ET LA COMMUTATION de HAUTE TENSION, APPLICATIONS À GRANDE VITESSE du CONVERTISSEUR C.c-C.c.TOSHIBA
11332SC2555Le SILICIUM NPN de TRANSISTOR TRIPLENT LA COMMUTATION DIFFUSE de RÉGULATEUR ET de HAUTE TENSION de COMMUTATION de TYPE ET LES APPLICATIONS À GRANDE VITESSE du CONVERTISSEUR C.c-C.cTOSHIBA
11342SC2563Série De Paquet De To-3pTOSHIBA
11352SC25652SC2565TOSHIBA
11362SC25652SC2565TOSHIBA
11372SC2638TRANSISTOR (APPLICATIONS D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE BANDE DE VHF)TOSHIBA
11382SC2639TRANSISTOR (APPLICATIONS D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE BANDE DE VHF)TOSHIBA
11392SC2640TRANSISTOR (APPLICATIONS D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE BANDE DE VHF)TOSHIBA
11402SC2641TRANSISTOR (APPLICATIONS À FRÉQUENCE ULTRA-haute D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE BANDE)TOSHIBA
11412SC2642TRANSISTOR (APPLICATIONS À FRÉQUENCE ULTRA-haute D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE BANDE)TOSHIBA
11422SC2643TRANSISTOR (APPLICATIONS À FRÉQUENCE ULTRA-haute D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE BANDE)TOSHIBA
11432SC2644Applications À large bande D'Amplificateur De Bande Planaire Épitaxiale Du Type VHF~uhf Du Silicium NPN De Transistor (fT=4GHz)TOSHIBA
11442SC2652V (CBO): 85V; V (CES): 85V; V (CEO): 55V; V (EBO): 4V; 20A; 300W; NPN transistor de silicium épitaxiale planaire. Pour 2-30 MHz SSB amplificateurs de puissance de la linéarité des applicationsTOSHIBA
11452SC2655Les applications épitaxiales d'amplificateur de puissance de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) actionnent des applications de commutationTOSHIBA
11462SC2668Applications à haute fréquence planaires épitaxiales FM, rf d'amplificateur de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT), SI applications d'amplificateurTOSHIBA
11472SC2669Applications à haute fréquence planaires épitaxiales d'amplificateur de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT)TOSHIBA
11482SC2670Applications à haute fréquence à haute fréquence épitaxiales de convertisseur de fréquence des applications AM d'amplificateur des applications AM d'amplificateur de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT)TOSHIBA
11492SC2703APPLICATIONS AUDIO ÉPITAXIALES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT)TOSHIBA
11502SC2705APPLICATIONS ÉPITAXIALES D'CAmplificateur DE FRÉQUENCE SONORE DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT)TOSHIBA
11512SC2710Type épitaxial du silicium NPN de transistor (processus de PCT) pour des applications audio d'amplificateurTOSHIBA
11522SC2712Applications tout usage épitaxiales d'amplificateur de fréquence sonore de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT)TOSHIBA
11532SC2713Applications tout usage épitaxiales d'amplificateur de fréquence sonore de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT)TOSHIBA
11542SC2714Applications à haute fréquence planaires épitaxiales FM, rf, MÉLANGE d'amplificateur de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT), si applications d'amplificateurTOSHIBA
11552SC2715Applications à haute fréquence planaires épitaxiales d'amplificateur de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT)TOSHIBA
11562SC2716Applications à haute fréquence à haute fréquence épitaxiales de convertisseur de fréquence des applications AM d'amplificateur des applications AM d'amplificateur de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT)TOSHIBA
11572SC2717Image Finale Planaire Épitaxiale Du Type TV Du Silicium NPN De Transistor SI Applications D'AmplificateurTOSHIBA
11582SC2753Application D'Amplificateur De Bruit De Bande Planaire Épitaxiale Du Type VHF~uhf Du Silicium NPN De Transistor BasseTOSHIBA
11592SC2782APPLICATIONS PLANAIRES ÉPITAXIALES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE BANDE DE VHF DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTORTOSHIBA



11602SC2783TRANSISTOR (APPLICATIONS À FRÉQUENCE ULTRA-haute D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE BANDE)TOSHIBA
11612SC2790TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPNTOSHIBA
11622SC2791TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPNTOSHIBA
11632SC2792TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR. RÉGULATEUR DE COMMUTATION ET HAUTE TENSION, APPLICATIONS DE COMMUTATION. APPLICATIONS À GRANDE VITESSE du CONVERTISSEUR C.c-C.c.TOSHIBA
11642SC2793TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPNTOSHIBA
11652SC2824PROCESSUS ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN TYPE(PCT)TOSHIBA
11662SC2824PROCESSUS ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN TYPE(PCT)TOSHIBA
11672SC2859Applications épitaxiales d'amplificateur d'étape de conducteur d'applications d'amplificateur de puissance de fréquence sonore du silicium NPN de transistor (processus de PCT) basses commutant des applicationsTOSHIBA
11682SC2873Les applications épitaxiales d'amplificateur de puissance de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) actionnent des applications de commutationTOSHIBA
11692SC2878Type épitaxial du silicium NPN de transistor pour des applications assourdissantes et de changementsTOSHIBA
11702SC2879APPLICATIONS LINÉAIRES PLANAIRES ÉPITAXIALES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DU TYPE 2~30cMcHz SSB DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (BASSE UTILISATION DE TENSION D'CAlimentation)TOSHIBA
11712SC2880Le silicium NPN de transistor triplent des applications à haute tension diffuses de commutation de type (processus de PCT)TOSHIBA
11722SC2881Applications épitaxiales d'amplificateur de puissance d'applications d'amplificateur de tension de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT)TOSHIBA
11732SC2882Applications épitaxiales d'amplificateur de tension d'applications d'amplificateur de puissance de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT)TOSHIBA
11742SC2883APPLICATIONS AUDIO ÉPITAXIALES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT)TOSHIBA
11752SC2884APPLICATIONS AUDIO ÉPITAXIALES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT)TOSHIBA
11762SC2982Applications moyennes d'amplificateur de puissance de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) d'applications instantanées épitaxiales de StoroboTOSHIBA
11772SC2983Applications épitaxiales d'amplificateur d'étape de conducteur d'applications d'amplificateur de puissance de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT)TOSHIBA
11782SC2995Type épitaxial du silicium NPN de transistor (processus de PCT) FM/am rf, MÉLANGE, OSCILLATEUR, SI applications à haute fréquence d'amplificateurTOSHIBA
11792SC2996Type épitaxial du silicium NPN de transistor (processus de PCT) FM/am rf, MÉLANGE, local, SI applications à haute fréquence d'amplificateurTOSHIBA
11802SC3006TRANSISTOR (APPLICATIONS À FRÉQUENCE ULTRA-haute D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE BANDE)TOSHIBA
11812SC3007TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN (PROCESSUS DE PCT)TOSHIBA
11822SC3007TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN (PROCESSUS DE PCT)TOSHIBA
11832SC3007TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN (PROCESSUS DE PCT)TOSHIBA
11842SC3011Applications D'Amplificateur De Bruit De Bande Planaire Épitaxiale Du Type UHF~c Du Silicium NPN De Transistor BassesTOSHIBA
11852SC3072Applications moyennes d'amplificateur de puissance de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) de stroboscope d'applications épitaxiales d'instantanéTOSHIBA
11862SC3073PROCESSUS ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN TYPE(PCT)TOSHIBA
11872SC3073PROCESSUS ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN TYPE(PCT)TOSHIBA
11882SC3073PROCESSUS ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN TYPE(PCT)TOSHIBA
11892SC3074Applications courantes élevées épitaxiales de commutation de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT)TOSHIBA
11902SC3075Le silicium NPN de transistor triplent applications diffuss de convertisseur de C.c-C.a. d'applications de convertisseur de C.c-C.c d'applications de commutation de régulateur de commutation de type (processus de PCT) et de haute tensionTOSHIBA
11912SC3076Les applications épitaxiales d'amplificateur de puissance de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) actionnent des applications de commutationTOSHIBA
11922SC3098Applications D'Amplificateur De Bruit De Bande Planaire Épitaxiale Du Type UHF~c Du Silicium NPN De Transistor BassesTOSHIBA
11932SC3099Applications D'Amplificateur De Bruit De Bande Planaire Épitaxiale Du Type VHF~uhf Du Silicium NPN De Transistor BassesTOSHIBA
11942SC3112Type épitaxial du silicium NPN de transistor (processus de PCT) pour des applications audio d'amplificateur et de commutationTOSHIBA
11952SC3113Type épitaxial du silicium NPN de transistor pour des applications audio d'amplificateur et de commutationTOSHIBA
11962SC3120TransistorTOSHIBA
11972SC3121Tuner planaire épitaxial du type TV du silicium NPN de transistor, tuner À FRÉQUENCE ULTRA-haute d'applications d'oscillateur (base commune) TV, applications À FRÉQUENCE ULTRA-haute de convertisseur (base commune)TOSHIBA
11982SC3122Applications Planaires Épitaxiales D'Amplificateur de VHF Rf Du Type TV Du Silicium NPN De TransistorTOSHIBA
11992SC3123Applications Planaires Épitaxiales De Mélangeur de VHF Du Type TV Du Silicium NPN De TransistorTOSHIBA
12002SC3124Tuner Planaire Épitaxial Du Type TV Du Silicium NPN De Transistor, Applications D'Oscillateur de VHFTOSHIBA

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