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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
12012SC3125Image Finale Planaire Épitaxiale Du Type TV Du Silicium NPN De Transistor SI Applications D'AmplificateurTOSHIBA
12022SC3138Le silicium NPN de transistor triplent des applications à haute tension diffuses de commutation de type (processus de PCT)TOSHIBA
12032SC3147NPN ÉPITAXIAL (APPLICATIONS D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE BANDE DE VHF)TOSHIBA
12042SC3148TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR. RÉGULATEUR de COMMUTATION ET HAUTE TENSION, APPLICATIONS de COMMUTATION, APPLICATIONS À GRANDE VITESSE du CONVERTISSEUR C.c-C.c.TOSHIBA
12052SC3180TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPNTOSHIBA
12062SC3180TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPNTOSHIBA
12072SC3180TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPNTOSHIBA
12082SC3181APPLICATION D'AMPLIFICATEUR DE PUISSANCETOSHIBA
12092SC3182Applications D'Amplificateur De PuissanceTOSHIBA
12102SC3225APPLICATIONS ÉPITAXIALES D'CEntraînement DE SOLÉNOÏDE D'CApplications DE COMMUTATION DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTORTOSHIBA
12112SC3233Le silicium NPN de transistor triplent le régulateur de commutation diffus de type et les applications à grande vitesse du convertisseur C.c-C.c d'applications de commutation de haute tensionTOSHIBA
12122SC3257TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPNTOSHIBA
12132SC3257TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPNTOSHIBA
12142SC3257TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPNTOSHIBA
12152SC3258Type Épitaxial Du Silicium NPNTOSHIBA
12162SC3265Les applications de basse fréquence épitaxiales d'amplificateur de puissance de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) actionnent des applications de commutationTOSHIBA
12172SC3266Les applications épitaxiales d'amplificateur de puissance de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) actionnent des applications de commutationTOSHIBA
12182SC3267Les applications épitaxiales d'amplificateur de puissance de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) actionnent des applications de commutationTOSHIBA
12192SC3268Applications D'Amplificateur De Bruit De Bande Planaire Épitaxiale Du Type VHF~uhf Du Silicium NPN De Transistor BassesTOSHIBA
12202SC3269Transistor NPN silicium pour des applications flash stroboscopique et des applications d'amplificateur de puissance moyenneTOSHIBA
12212SC3279Applications moyennes d'amplificateur de puissance de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) de stroboscope d'applications épitaxiales d'instantanéTOSHIBA
12222SC3295Applications épitaxiales d'amplificateur de fréquence sonore de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) commutant des applicationsTOSHIBA
12232SC3298TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPNTOSHIBA
12242SC3298TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPNTOSHIBA
12252SC3298TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPNTOSHIBA
12262SC3298BTYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPNTOSHIBA
12272SC3298BTYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPNTOSHIBA
12282SC3298BTYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPNTOSHIBA
12292SC3299PROCESSUS DU SILICIUM NPNEPITAXIAL TYPE(PCT)TOSHIBA
12302SC3299PROCESSUS DU SILICIUM NPNEPITAXIAL TYPE(PCT)TOSHIBA
12312SC3299PROCESSUS DU SILICIUM NPNEPITAXIAL TYPE(PCT)TOSHIBA
12322SC3302APPLICATION d'cAmplificateur de BRUIT de TYPE du SILICIUM NPN de TRANSISTOR BASSE de BANDE PLANAIRE ÉPITAXIALE De VHF-fréquence ultra-hauteTOSHIBA
12332SC3303Applications courantes élevées épitaxiales de convertisseur de C.c-C.c d'applications de commutation de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT)TOSHIBA
12342SC3306TYPE DIFFUS TRIPLE de NPN (RÉGULATEUR de COMMUTATION ET COMMUTATION de HAUTE TENSION/APPLICATION À GRANDE VITESSE de CONVERTISSEUR C.c-C.c)TOSHIBA
12352SC3307TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR. APPLICATIONS À GRANDE VITESSE ET À HAUTE TENSION DE COMMUTATION. APPLICATIONS DE RÉGULATEUR DE COMMUTATION. APPLICATIONS À GRANDE VITESSE du CONVERTISSEUR C.c-C.c.TOSHIBA
12362SC3309TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPNTOSHIBA
12372SC3309TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPNTOSHIBA
12382SC3309TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPNTOSHIBA
12392SC3310TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPNTOSHIBA
12402SC3310TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPNTOSHIBA
12412SC3310TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPNTOSHIBA
12422SC3324Applications épitaxiales d'amplificateur de bruit de fréquence sonore de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) bassesTOSHIBA
12432SC3325Applications épitaxiales d'amplificateur d'étape de conducteur d'applications d'amplificateur de puissance de fréquence sonore de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) basses commutant des applicationsTOSHIBA
12442SC3326Type épitaxial du silicium NPN de transistor (processus de PCT) pour des applications assourdissantes et de changementsTOSHIBA
12452SC3327TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR POUR DES APPLICATIONS ASSOURDISSANTES ET DE CHANGEMENTSTOSHIBA
12462SC3328Les applications épitaxiales d'amplificateur de puissance de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) actionnent des applications de commutationTOSHIBA
12472SC3329Type épitaxial du silicium NPN de transistor (processus de PCT) pour des applications audio d'amplificateur de bas bruit et recommandé pour les premières étapes des amplificateurs principaux de MCTOSHIBA
12482SC3333Le silicium NPN de transistor triplent des applications à haute tension diffuses de rendement de chroma de la couleur TV d'applications de commutation de type (processus de PCT)TOSHIBA
12492SC3334APPLICATIONS À HAUTE TENSION DIFFUSES TRIPLES DE RENDEMENT DE CHROMA DE COMMUTATION ET DE COULEUR TV DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT)TOSHIBA
12502SC3345TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPNTOSHIBA
12512SC3345TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPNTOSHIBA
12522SC3345TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPNTOSHIBA
12532SC3346Type Épitaxial Du Silicium NPN/Applications Haut Courantes De CommutationTOSHIBA
12542SC3376TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR. RÉGULATEUR DE COMMUTATION ET APPLICATIONS DE COMMUTATION DE HAUTE TENSION. APPLICATIONS À GRANDE VITESSE du CONVERTISSEUR C.c-C.c.TOSHIBA
12552SC3381TYPE ÉPITAXIAL DE NPN (APPLICATIONS AUDIO D'CAmplificateur DE BAS BRUIT RECOMMANDÉES POUR CASCODE/CIRCUIT COURANT DE MIROIR DE LA PREMIÈRE ÉTAPE DE PRÉ/D'CAmplificateurs PRINCIPAUX)TOSHIBA
12562SC3405Le silicium NPN de transistor triplent le régulateur de commutation diffus de type et les applications à grande vitesse du convertisseur C.c-C.c d'applications de commutation de haute tensionTOSHIBA
12572SC3419APPLICATIONS MOYENNES ÉPITAXIALES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT)TOSHIBA
12582SC3420APPLICATIONS MOYENNES D'CAmplificateur DE PUISSANCE D'CApplications INSTANTANÉES ÉPITAXIALES DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT) STROBOTOSHIBA
12592SC3421APPLICATIONS ÉPITAXIALES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE FRÉQUENCE SONORE DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT)TOSHIBA
12602SC3422COMMUTATION À VITESSE RÉDUITE ÉPITAXIALE D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE FRÉQUENCE SONORE DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT)TOSHIBA
12612SC3423APPLICATIONS ÉPITAXIALES D'CAmplificateur DE FRÉQUENCE SONORE DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT)TOSHIBA



12622SC3425Le SILICIUM NPN de TRANSISTOR TRIPLENT LE RÉGULATEUR de COMMUTATION DIFFUS de TYPE (PROCESSUS de PCT) ET LES APPLICATIONS de COMMUTATION de HAUTE TENSION, APPLICATIONS À GRANDE VITESSE du CONVERTISSEUR C.c-C.cTOSHIBA
12632SC3426TYPE DIFFUS TRIPLE de NPN (RÉGULATEUR de COMMUTATION ET COMMUTATION de HAUTE TENSION/APPLICATIONS À GRANDE VITESSE de CONVERTISSEUR C.c-C.c)TOSHIBA
12642SC3429Applications D'Amplificateur De Bruit De Bande Planaire Épitaxiale Du Type VHF~uhf Du Silicium NPN De Transistor BassesTOSHIBA
12652SC3437Ordinateur ultra à grande vitesse épitaxial d'applications de commutation de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT), contre- applicationsTOSHIBA
12662SC3474Applications Épitaxiales D'Entraînement De Solénoïde D'Applications De Commutation De Type Du Silicium NPN De TransistorTOSHIBA
12672SC3474Applications Épitaxiales D'Entraînement De Solénoïde D'Applications De Commutation De Type Du Silicium NPN De TransistorTOSHIBA
12682SC34976A; 30W; V (CEO): 400V; Transistor NPN. Pour passer réglementationTOSHIBA
12692SC3515Le silicium NPN de transistor triplent l'affichage de plasma À HAUTE TENSION diffus d'applications de commande de type (processus de PCT), applications de contrôle de luminosité de tube cathodique d'applications de conducteur de tube de NiTOSHIBA
12702SC3547TYPE PLANAIRE ÉPITAXIAL DE NPN (TUNER DE TV/COLLECTEUR À FRÉQUENCE ULTRA-haute D'COscillateur APPLICATIONS)(common)TOSHIBA
12712SC3547ATuner planaire épitaxial du type TV du silicium NPN de transistor, applications À FRÉQUENCE ULTRA-haute d'oscillateur (collecteur commun)TOSHIBA
12722SC3547BTuner planaire épitaxial du type TV du silicium NPN de transistor, applications À FRÉQUENCE ULTRA-haute d'oscillateur (collecteur commun)TOSHIBA
12732SC35593A; 30W; V (CEO): 800V; Transistor NPN. Pour passer réglementationTOSHIBA
12742SC35602A; 20W; V (CEO): 400V; Transistor NPN. Pour passer réglementationTOSHIBA
12752SC35612A; 20W; V (CEO): 400V; Transistor NPN. Pour passer réglementationTOSHIBA
12762SC356210A; 40W; V (CEO): 400V; Transistor NPN. Pour passer réglementationTOSHIBA
12772SC356310A; 40W; V (CEO): 450V; Transistor NPN. Pour passer réglementationTOSHIBA
12782SC3605APPLICATIONS D'CAmplificateur DE BRUIT DE BANDE PLANAIRE ÉPITAXIALE DU TYPE VHF~uhf DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR BASSESTOSHIBA
12792SC3606Applications D'Amplificateur De Bruit De Bande Planaire Épitaxiale Du Type VHF~uhf Du Silicium NPN De Transistor BassesTOSHIBA
12802SC3607Applications D'Amplificateur De Bruit De Bande Planaire Épitaxiale Du Type VHF~uhf Du Silicium NPN De Transistor BassesTOSHIBA
12812SC3613ÉTAPE VISUELLE D'CEntraînement DE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR DANS DES APPLICATIONS À GRANDE VITESSE DE COMMUTATION D'CAffichage DE HAUTE RÉSOLUTIONTOSHIBA
12822SC3619APPLICATIONS À HAUTE TENSION DIFFUSES TRIPLES DE COMMUTATION ET D'CAmplificateur DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT), CONDUCTEUR HORIZONTAL DE LA COULEUR TV ET APPLICATIONS DE RENDEMENT DE CHROMA DE LA COULEUR TVTOSHIBA
12832SC3620COULEUR DIFFUSE TRIPLE TV DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT) HORIZONTALE ET APPLICATIONS DE RENDEMENT DE CHROMA DE LA COULEUR TVTOSHIBA
12842SC3621COULEUR ÉPITAXIALE TV VERT DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT). APPLICATIONS SAINES De RENDEMENT De RENDEMENT De DÉBATTEMENT ET De CLASSE B De la COULEUR TVTOSHIBA
12852SC36258A; 40W; V (CEO): 400V; Transistor NPN. Pour passer réglementationTOSHIBA
12862SC3657TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR. RÉGULATEUR DE COMMUTATION ET APPLICATIONS DE COMMUTATION DE HAUTE TENSION. APPLICATIONS À GRANDE VITESSE du CONVERTISSEUR C.c-C.c.TOSHIBA
12872SC3665APPLICATIONS AUDIO ÉPITAXIALES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT) ET D'CAmplificateur D'CÉtape D'CEntraînementTOSHIBA
12882SC3666APPLICATIONS AUDIO ÉPITAXIALES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT)TOSHIBA
12892SC3668Les applications épitaxiales d'amplificateur de puissance de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) actionnent des applications de commutationTOSHIBA
12902SC3668Les applications épitaxiales d'amplificateur de puissance de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) actionnent des applications de commutationTOSHIBA
12912SC3669Les applications épitaxiales d'amplificateur de puissance de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) actionnent des applications de commutationTOSHIBA
12922SC3670APPLICATIONS MOYENNES D'CAmplificateur DE PUISSANCE D'CApplications INSTANTANÉES ÉPITAXIALES DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT) STOROBOTOSHIBA
12932SC3671APPLICATIONS MOYENNES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT) DE STROBOSCOPE D'CApplications ÉPITAXIALES D'CInstantanéTOSHIBA
12942SC3672APPLICATIONS À HAUTE TENSION DIFFUSES TRIPLES DE COMMANDE DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT), AFFICHAGE DE PLASMA, APPLICATIONS DE CONDUCTEUR DE TUBE DE NIXIE, APPLICATIONS DE CONTRÔLE DE LUMINOSITÉ DE TUBE CATHODIQUETOSHIBA
12952SC3673APPLICATIONS ÉPITAXIALES D'CEntraînement DE SOLÉNOÏDE D'CApplications DE COMMUTATION DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTORTOSHIBA
12962SC3709TYPE ÉPITAXIAL DE NPN (APPLICATIONS COURANTES ÉLEVÉES DE COMMUTATION)TOSHIBA
12972SC3709TYPE ÉPITAXIAL DE NPN (APPLICATIONS COURANTES ÉLEVÉES DE COMMUTATION)TOSHIBA
12982SC3709AAPPLICATIONS COURANTES ÉLEVÉES ÉPITAXIALES DE COMMUTATION DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT).TOSHIBA
12992SC3710TYPE ÉPITAXIAL DE NPN (APPLICATIONS COURANTES ÉLEVÉES DE COMMUTATION)TOSHIBA
13002SC3710AAPPLICATIONS COURANTES ÉLEVÉES ÉPITAXIALES DE COMMUTATION DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT).TOSHIBA

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