Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
1201 | 2SC3125 | Image Finale Planaire Épitaxiale Du Type TV Du Silicium NPN De Transistor SI Applications D'Amplificateur | TOSHIBA |
1202 | 2SC3138 | Le silicium NPN de transistor triplent des applications à haute tension diffuses de commutation de type (processus de PCT) | TOSHIBA |
1203 | 2SC3147 | NPN ÉPITAXIAL (APPLICATIONS D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE BANDE DE VHF) | TOSHIBA |
1204 | 2SC3148 | TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR. RÉGULATEUR de COMMUTATION ET HAUTE TENSION, APPLICATIONS de COMMUTATION, APPLICATIONS À GRANDE VITESSE du CONVERTISSEUR C.c-C.c. | TOSHIBA |
1205 | 2SC3180 | TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPN | TOSHIBA |
1206 | 2SC3180 | TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPN | TOSHIBA |
1207 | 2SC3180 | TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPN | TOSHIBA |
1208 | 2SC3181 | APPLICATION D'AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE | TOSHIBA |
1209 | 2SC3182 | Applications D'Amplificateur De Puissance | TOSHIBA |
1210 | 2SC3225 | APPLICATIONS ÉPITAXIALES D'CEntraînement DE SOLÉNOÏDE D'CApplications DE COMMUTATION DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR | TOSHIBA |
1211 | 2SC3233 | Le silicium NPN de transistor triplent le régulateur de commutation diffus de type et les applications à grande vitesse du convertisseur C.c-C.c d'applications de commutation de haute tension | TOSHIBA |
1212 | 2SC3257 | TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPN | TOSHIBA |
1213 | 2SC3257 | TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPN | TOSHIBA |
1214 | 2SC3257 | TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPN | TOSHIBA |
1215 | 2SC3258 | Type Épitaxial Du Silicium NPN | TOSHIBA |
1216 | 2SC3265 | Les applications de basse fréquence épitaxiales d'amplificateur de puissance de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) actionnent des applications de commutation | TOSHIBA |
1217 | 2SC3266 | Les applications épitaxiales d'amplificateur de puissance de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) actionnent des applications de commutation | TOSHIBA |
1218 | 2SC3267 | Les applications épitaxiales d'amplificateur de puissance de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) actionnent des applications de commutation | TOSHIBA |
1219 | 2SC3268 | Applications D'Amplificateur De Bruit De Bande Planaire Épitaxiale Du Type VHF~uhf Du Silicium NPN De Transistor Basses | TOSHIBA |
1220 | 2SC3269 | Transistor NPN silicium pour des applications flash stroboscopique et des applications d'amplificateur de puissance moyenne | TOSHIBA |
1221 | 2SC3279 | Applications moyennes d'amplificateur de puissance de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) de stroboscope d'applications épitaxiales d'instantané | TOSHIBA |
1222 | 2SC3295 | Applications épitaxiales d'amplificateur de fréquence sonore de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) commutant des applications | TOSHIBA |
1223 | 2SC3298 | TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN | TOSHIBA |
1224 | 2SC3298 | TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN | TOSHIBA |
1225 | 2SC3298 | TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN | TOSHIBA |
1226 | 2SC3298B | TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN | TOSHIBA |
1227 | 2SC3298B | TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN | TOSHIBA |
1228 | 2SC3298B | TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN | TOSHIBA |
1229 | 2SC3299 | PROCESSUS DU SILICIUM NPNEPITAXIAL TYPE(PCT) | TOSHIBA |
1230 | 2SC3299 | PROCESSUS DU SILICIUM NPNEPITAXIAL TYPE(PCT) | TOSHIBA |
1231 | 2SC3299 | PROCESSUS DU SILICIUM NPNEPITAXIAL TYPE(PCT) | TOSHIBA |
1232 | 2SC3302 | APPLICATION d'cAmplificateur de BRUIT de TYPE du SILICIUM NPN de TRANSISTOR BASSE de BANDE PLANAIRE ÉPITAXIALE De VHF-fréquence ultra-haute | TOSHIBA |
1233 | 2SC3303 | Applications courantes élevées épitaxiales de convertisseur de C.c-C.c d'applications de commutation de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) | TOSHIBA |
1234 | 2SC3306 | TYPE DIFFUS TRIPLE de NPN (RÉGULATEUR de COMMUTATION ET COMMUTATION de HAUTE TENSION/APPLICATION À GRANDE VITESSE de CONVERTISSEUR C.c-C.c) | TOSHIBA |
1235 | 2SC3307 | TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR. APPLICATIONS À GRANDE VITESSE ET À HAUTE TENSION DE COMMUTATION. APPLICATIONS DE RÉGULATEUR DE COMMUTATION. APPLICATIONS À GRANDE VITESSE du CONVERTISSEUR C.c-C.c. | TOSHIBA |
1236 | 2SC3309 | TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPN | TOSHIBA |
1237 | 2SC3309 | TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPN | TOSHIBA |
1238 | 2SC3309 | TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPN | TOSHIBA |
1239 | 2SC3310 | TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPN | TOSHIBA |
1240 | 2SC3310 | TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPN | TOSHIBA |
1241 | 2SC3310 | TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPN | TOSHIBA |
1242 | 2SC3324 | Applications épitaxiales d'amplificateur de bruit de fréquence sonore de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) basses | TOSHIBA |
1243 | 2SC3325 | Applications épitaxiales d'amplificateur d'étape de conducteur d'applications d'amplificateur de puissance de fréquence sonore de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) basses commutant des applications | TOSHIBA |
1244 | 2SC3326 | Type épitaxial du silicium NPN de transistor (processus de PCT) pour des applications assourdissantes et de changements | TOSHIBA |
1245 | 2SC3327 | TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR POUR DES APPLICATIONS ASSOURDISSANTES ET DE CHANGEMENTS | TOSHIBA |
1246 | 2SC3328 | Les applications épitaxiales d'amplificateur de puissance de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) actionnent des applications de commutation | TOSHIBA |
1247 | 2SC3329 | Type épitaxial du silicium NPN de transistor (processus de PCT) pour des applications audio d'amplificateur de bas bruit et recommandé pour les premières étapes des amplificateurs principaux de MC | TOSHIBA |
1248 | 2SC3333 | Le silicium NPN de transistor triplent des applications à haute tension diffuses de rendement de chroma de la couleur TV d'applications de commutation de type (processus de PCT) | TOSHIBA |
1249 | 2SC3334 | APPLICATIONS À HAUTE TENSION DIFFUSES TRIPLES DE RENDEMENT DE CHROMA DE COMMUTATION ET DE COULEUR TV DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT) | TOSHIBA |
1250 | 2SC3345 | TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN | TOSHIBA |
1251 | 2SC3345 | TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN | TOSHIBA |
1252 | 2SC3345 | TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN | TOSHIBA |
1253 | 2SC3346 | Type Épitaxial Du Silicium NPN/Applications Haut Courantes De Commutation | TOSHIBA |
1254 | 2SC3376 | TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR. RÉGULATEUR DE COMMUTATION ET APPLICATIONS DE COMMUTATION DE HAUTE TENSION. APPLICATIONS À GRANDE VITESSE du CONVERTISSEUR C.c-C.c. | TOSHIBA |
1255 | 2SC3381 | TYPE ÉPITAXIAL DE NPN (APPLICATIONS AUDIO D'CAmplificateur DE BAS BRUIT RECOMMANDÉES POUR CASCODE/CIRCUIT COURANT DE MIROIR DE LA PREMIÈRE ÉTAPE DE PRÉ/D'CAmplificateurs PRINCIPAUX) | TOSHIBA |
1256 | 2SC3405 | Le silicium NPN de transistor triplent le régulateur de commutation diffus de type et les applications à grande vitesse du convertisseur C.c-C.c d'applications de commutation de haute tension | TOSHIBA |
1257 | 2SC3419 | APPLICATIONS MOYENNES ÉPITAXIALES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT) | TOSHIBA |
1258 | 2SC3420 | APPLICATIONS MOYENNES D'CAmplificateur DE PUISSANCE D'CApplications INSTANTANÉES ÉPITAXIALES DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT) STROBO | TOSHIBA |
1259 | 2SC3421 | APPLICATIONS ÉPITAXIALES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE FRÉQUENCE SONORE DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT) | TOSHIBA |
1260 | 2SC3422 | COMMUTATION À VITESSE RÉDUITE ÉPITAXIALE D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE FRÉQUENCE SONORE DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT) | TOSHIBA |
1261 | 2SC3423 | APPLICATIONS ÉPITAXIALES D'CAmplificateur DE FRÉQUENCE SONORE DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT) | TOSHIBA |
1262 | 2SC3425 | Le SILICIUM NPN de TRANSISTOR TRIPLENT LE RÉGULATEUR de COMMUTATION DIFFUS de TYPE (PROCESSUS de PCT) ET LES APPLICATIONS de COMMUTATION de HAUTE TENSION, APPLICATIONS À GRANDE VITESSE du CONVERTISSEUR C.c-C.c | TOSHIBA |
1263 | 2SC3426 | TYPE DIFFUS TRIPLE de NPN (RÉGULATEUR de COMMUTATION ET COMMUTATION de HAUTE TENSION/APPLICATIONS À GRANDE VITESSE de CONVERTISSEUR C.c-C.c) | TOSHIBA |
1264 | 2SC3429 | Applications D'Amplificateur De Bruit De Bande Planaire Épitaxiale Du Type VHF~uhf Du Silicium NPN De Transistor Basses | TOSHIBA |
1265 | 2SC3437 | Ordinateur ultra à grande vitesse épitaxial d'applications de commutation de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT), contre- applications | TOSHIBA |
1266 | 2SC3474 | Applications Épitaxiales D'Entraînement De Solénoïde D'Applications De Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor | TOSHIBA |
1267 | 2SC3474 | Applications Épitaxiales D'Entraînement De Solénoïde D'Applications De Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor | TOSHIBA |
1268 | 2SC3497 | 6A; 30W; V (CEO): 400V; Transistor NPN. Pour passer réglementation | TOSHIBA |
1269 | 2SC3515 | Le silicium NPN de transistor triplent l'affichage de plasma À HAUTE TENSION diffus d'applications de commande de type (processus de PCT), applications de contrôle de luminosité de tube cathodique d'applications de conducteur de tube de Ni | TOSHIBA |
1270 | 2SC3547 | TYPE PLANAIRE ÉPITAXIAL DE NPN (TUNER DE TV/COLLECTEUR À FRÉQUENCE ULTRA-haute D'COscillateur APPLICATIONS)(common) | TOSHIBA |
1271 | 2SC3547A | Tuner planaire épitaxial du type TV du silicium NPN de transistor, applications À FRÉQUENCE ULTRA-haute d'oscillateur (collecteur commun) | TOSHIBA |
1272 | 2SC3547B | Tuner planaire épitaxial du type TV du silicium NPN de transistor, applications À FRÉQUENCE ULTRA-haute d'oscillateur (collecteur commun) | TOSHIBA |
1273 | 2SC3559 | 3A; 30W; V (CEO): 800V; Transistor NPN. Pour passer réglementation | TOSHIBA |
1274 | 2SC3560 | 2A; 20W; V (CEO): 400V; Transistor NPN. Pour passer réglementation | TOSHIBA |
1275 | 2SC3561 | 2A; 20W; V (CEO): 400V; Transistor NPN. Pour passer réglementation | TOSHIBA |
1276 | 2SC3562 | 10A; 40W; V (CEO): 400V; Transistor NPN. Pour passer réglementation | TOSHIBA |
1277 | 2SC3563 | 10A; 40W; V (CEO): 450V; Transistor NPN. Pour passer réglementation | TOSHIBA |
1278 | 2SC3605 | APPLICATIONS D'CAmplificateur DE BRUIT DE BANDE PLANAIRE ÉPITAXIALE DU TYPE VHF~uhf DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR BASSES | TOSHIBA |
1279 | 2SC3606 | Applications D'Amplificateur De Bruit De Bande Planaire Épitaxiale Du Type VHF~uhf Du Silicium NPN De Transistor Basses | TOSHIBA |
1280 | 2SC3607 | Applications D'Amplificateur De Bruit De Bande Planaire Épitaxiale Du Type VHF~uhf Du Silicium NPN De Transistor Basses | TOSHIBA |
1281 | 2SC3613 | ÉTAPE VISUELLE D'CEntraînement DE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR DANS DES APPLICATIONS À GRANDE VITESSE DE COMMUTATION D'CAffichage DE HAUTE RÉSOLUTION | TOSHIBA |
1282 | 2SC3619 | APPLICATIONS À HAUTE TENSION DIFFUSES TRIPLES DE COMMUTATION ET D'CAmplificateur DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT), CONDUCTEUR HORIZONTAL DE LA COULEUR TV ET APPLICATIONS DE RENDEMENT DE CHROMA DE LA COULEUR TV | TOSHIBA |
1283 | 2SC3620 | COULEUR DIFFUSE TRIPLE TV DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT) HORIZONTALE ET APPLICATIONS DE RENDEMENT DE CHROMA DE LA COULEUR TV | TOSHIBA |
1284 | 2SC3621 | COULEUR ÉPITAXIALE TV VERT DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT). APPLICATIONS SAINES De RENDEMENT De RENDEMENT De DÉBATTEMENT ET De CLASSE B De la COULEUR TV | TOSHIBA |
1285 | 2SC3625 | 8A; 40W; V (CEO): 400V; Transistor NPN. Pour passer réglementation | TOSHIBA |
1286 | 2SC3657 | TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR. RÉGULATEUR DE COMMUTATION ET APPLICATIONS DE COMMUTATION DE HAUTE TENSION. APPLICATIONS À GRANDE VITESSE du CONVERTISSEUR C.c-C.c. | TOSHIBA |
1287 | 2SC3665 | APPLICATIONS AUDIO ÉPITAXIALES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT) ET D'CAmplificateur D'CÉtape D'CEntraînement | TOSHIBA |
1288 | 2SC3666 | APPLICATIONS AUDIO ÉPITAXIALES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT) | TOSHIBA |
1289 | 2SC3668 | Les applications épitaxiales d'amplificateur de puissance de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) actionnent des applications de commutation | TOSHIBA |
1290 | 2SC3668 | Les applications épitaxiales d'amplificateur de puissance de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) actionnent des applications de commutation | TOSHIBA |
1291 | 2SC3669 | Les applications épitaxiales d'amplificateur de puissance de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) actionnent des applications de commutation | TOSHIBA |
1292 | 2SC3670 | APPLICATIONS MOYENNES D'CAmplificateur DE PUISSANCE D'CApplications INSTANTANÉES ÉPITAXIALES DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT) STOROBO | TOSHIBA |
1293 | 2SC3671 | APPLICATIONS MOYENNES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT) DE STROBOSCOPE D'CApplications ÉPITAXIALES D'CInstantané | TOSHIBA |
1294 | 2SC3672 | APPLICATIONS À HAUTE TENSION DIFFUSES TRIPLES DE COMMANDE DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT), AFFICHAGE DE PLASMA, APPLICATIONS DE CONDUCTEUR DE TUBE DE NIXIE, APPLICATIONS DE CONTRÔLE DE LUMINOSITÉ DE TUBE CATHODIQUE | TOSHIBA |
1295 | 2SC3673 | APPLICATIONS ÉPITAXIALES D'CEntraînement DE SOLÉNOÏDE D'CApplications DE COMMUTATION DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR | TOSHIBA |
1296 | 2SC3709 | TYPE ÉPITAXIAL DE NPN (APPLICATIONS COURANTES ÉLEVÉES DE COMMUTATION) | TOSHIBA |
1297 | 2SC3709 | TYPE ÉPITAXIAL DE NPN (APPLICATIONS COURANTES ÉLEVÉES DE COMMUTATION) | TOSHIBA |
1298 | 2SC3709A | APPLICATIONS COURANTES ÉLEVÉES ÉPITAXIALES DE COMMUTATION DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT). | TOSHIBA |
1299 | 2SC3710 | TYPE ÉPITAXIAL DE NPN (APPLICATIONS COURANTES ÉLEVÉES DE COMMUTATION) | TOSHIBA |
1300 | 2SC3710A | APPLICATIONS COURANTES ÉLEVÉES ÉPITAXIALES DE COMMUTATION DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT). | TOSHIBA |
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