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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
16501ULN2003APCONDUCTEUR D'CÉvier DE 7CH DARLINGTONTOSHIBA
16502ULN2003APGPilote DarlingtonTOSHIBA
16503ULN2004AFWCONDUCTEUR D'CÉvier DE 7CH DARLINGTONTOSHIBA
16504ULN2004AFWGPilote DarlingtonTOSHIBA
16505ULN2004APCONDUCTEUR D'CÉvier DE 7CH DARLINGTONTOSHIBA
16506ULN2004APGPilote DarlingtonTOSHIBA
16507ULN2803AFWCONDUCTEUR MONOLITHIQUE D'CÉvier DE DIGITAL DU SILICIUM BIPOLAIRE 8CH DARLINGTON DE CIRCUIT INTÉGRÉTOSHIBA
16508ULN2803AFWGPilote DarlingtonTOSHIBA
16509ULN2803APCONDUCTEUR MONOLITHIQUE D'CÉvier DE DIGITAL DU SILICIUM BIPOLAIRE 8CH DARLINGTON DE CIRCUIT INTÉGRÉTOSHIBA
16510ULN2803APGPilote DarlingtonTOSHIBA
16511ULN2804AFWCONDUCTEUR MONOLITHIQUE D'CÉvier DE DIGITAL DU SILICIUM BIPOLAIRE 8CH DARLINGTON DE CIRCUIT INTÉGRÉTOSHIBA
16512ULN2804AFWGPilote DarlingtonTOSHIBA
16513ULN2804APCONDUCTEUR MONOLITHIQUE D'CÉvier DE DIGITAL DU SILICIUM BIPOLAIRE 8CH DARLINGTON DE CIRCUIT INTÉGRÉTOSHIBA
16514ULN2804APGPilote DarlingtonTOSHIBA
16515ULQ2003AFWConducteur Monolithique D'Évier De Numérique Du Silicium Bipolaire 7-ch Darlington De Circuit intégréTOSHIBA
16516ULQ2003APConducteur Monolithique D'Évier De Numérique Du Silicium Bipolaire 7-ch Darlington De Circuit intégréTOSHIBA
16517URSF05G49-1PAPPLICATIONS DE COMMUTATION ET DE COMMANDE DE PUISSANCE DE TYPE PLANAIRE DE SILICIUM DE THYRISTOR BASSESTOSHIBA
16518URSF05G49-3PAPPLICATIONS DE COMMUTATION ET DE COMMANDE DE PUISSANCE DE TYPE PLANAIRE DE SILICIUM DE THYRISTOR BASSESTOSHIBA
16519URSF05G49-5PAPPLICATIONS DE COMMUTATION ET DE COMMANDE DE PUISSANCE DE TYPE PLANAIRE DE SILICIUM DE THYRISTOR BASSESTOSHIBA
16520USF05G49APPLICATIONS DE COMMUTATION ET DE COMMANDE DE PUISSANCE DE TYPE PLANAIRE DE SILICIUM DE THYRISTOR BASSESTOSHIBA
16521USF10G48APPLICATIONS MOYENNES DE COMMANDE DE PUISSANCE DE TYPE PLANAIRE DE SILICIUM DE THYRISTORTOSHIBA
16522USF10J48APPLICATIONS MOYENNES DE COMMANDE DE PUISSANCE DE TYPE PLANAIRE DE SILICIUM DE THYRISTORTOSHIBA
16523USF3G48APPLICATIONS MOYENNES DE COMMANDE DE PUISSANCE DE TYPE PLANAIRE DE SILICIUM DE THYRISTORTOSHIBA
16524USF3J48APPLICATIONS MOYENNES DE COMMANDE DE PUISSANCE DE TYPE PLANAIRE DE SILICIUM DE THYRISTORTOSHIBA
16525USF5G48APPLICATIONS MOYENNES DE COMMANDE DE PUISSANCE DE TYPE PLANAIRE DE SILICIUM DE THYRISTORTOSHIBA
16526USF5G49Applications Moyennes De Commande De Puissance De Type Planaire De Silicium De ThyristorTOSHIBA
16527USF5J48APPLICATIONS MOYENNES DE COMMANDE DE PUISSANCE DE TYPE PLANAIRE DE SILICIUM DE THYRISTORTOSHIBA
16528USF5J49Applications Moyennes De Commande De Puissance De Type Planaire De Silicium De ThyristorTOSHIBA
16529USF8G48APPLICATIONS MOYENNES DE COMMANDE DE PUISSANCE DE TYPE PLANAIRE DE SILICIUM DE THYRISTORTOSHIBA
16530USF8J48APPLICATIONS MOYENNES DE COMMANDE DE PUISSANCE DE TYPE PLANAIRE DE SILICIUM DE THYRISTORTOSHIBA
16531USM12G48APPLICATIONS PLANAIRES de COMMANDE de COURANT ALTERNATIF de TYPE de TRIODE Bi-directionnel de SILICIUM de THYRISTORTOSHIBA
16532USM12G48AAPPLICATIONS PLANAIRES de COMMANDE de COURANT ALTERNATIF de TYPE de TRIODE Bi-directionnel de SILICIUM de THYRISTORTOSHIBA
16533USM12J48APPLICATIONS PLANAIRES de COMMANDE de COURANT ALTERNATIF de TYPE de TRIODE Bi-directionnel de SILICIUM de THYRISTORTOSHIBA
16534USM12J48AAPPLICATIONS PLANAIRES de COMMANDE de COURANT ALTERNATIF de TYPE de TRIODE Bi-directionnel de SILICIUM de THYRISTORTOSHIBA
16535USM16G48APPLICATIONS PLANAIRES de COMMANDE de COURANT ALTERNATIF de TYPE de TRIODE Bi-directionnel de SILICIUM de THYRISTORTOSHIBA
16536USM16G48AAPPLICATIONS PLANAIRES de COMMANDE de COURANT ALTERNATIF de TYPE de TRIODE Bi-directionnel de SILICIUM de THYRISTORTOSHIBA



16537USM16J48APPLICATIONS PLANAIRES de COMMANDE de COURANT ALTERNATIF de TYPE de TRIODE Bi-directionnel de SILICIUM de THYRISTORTOSHIBA
16538USM16J48AAPPLICATIONS PLANAIRES de COMMANDE de COURANT ALTERNATIF de TYPE de TRIODE Bi-directionnel de SILICIUM de THYRISTORTOSHIBA
16539USM3G48APPLICATIONS PLANAIRES de COMMANDE de COURANT ALTERNATIF de TYPE de TRIODE Bi-directionnel de SILICIUM de THYRISTORTOSHIBA
16540USM3J48APPLICATIONS PLANAIRES de COMMANDE de COURANT ALTERNATIF de TYPE de TRIODE Bi-directionnel de SILICIUM de THYRISTORTOSHIBA
16541USM6G48APPLICATIONS PLANAIRES DE COMMANDE DE COURANT ALTERNATIF DE TYPE DE SILICIUM DE THYRISTOR DE TRIODE DE DIRECTIONAL DE BITOSHIBA
16542USM6G48AAPPLICATIONS PLANAIRES DE COMMANDE DE COURANT ALTERNATIF DE TYPE DE SILICIUM DE THYRISTOR DE TRIODE DE DIRECTIONAL DE BITOSHIBA
16543USM6J48APPLICATIONS PLANAIRES DE COMMANDE DE COURANT ALTERNATIF DE TYPE DE SILICIUM DE THYRISTOR DE TRIODE DE DIRECTIONAL DE BITOSHIBA
16544USM6J48AAPPLICATIONS PLANAIRES DE COMMANDE DE COURANT ALTERNATIF DE TYPE DE SILICIUM DE THYRISTOR DE TRIODE DE DIRECTIONAL DE BITOSHIBA
16545USM8G48APPLICATIONS PLANAIRES DE COMMANDE DE COURANT ALTERNATIF DE TYPE DE SILICIUM DE THYRISTOR DE TRIODE DE DIRECTIONAL DE BITOSHIBA
16546USM8G48AAPPLICATIONS PLANAIRES DE COMMANDE DE COURANT ALTERNATIF DE TYPE DE SILICIUM DE THYRISTOR DE TRIODE DE DIRECTIONAL DE BITOSHIBA
16547USM8J48APPLICATIONS PLANAIRES DE COMMANDE DE COURANT ALTERNATIF DE TYPE DE SILICIUM DE THYRISTOR DE TRIODE DE DIRECTIONAL DE BITOSHIBA
16548USM8J48AAPPLICATIONS PLANAIRES DE COMMANDE DE COURANT ALTERNATIF DE TYPE DE SILICIUM DE THYRISTOR DE TRIODE DE DIRECTIONAL DE BITOSHIBA
16549VR4JTOSHIBA jeűnent des applications ŕ grande vitesse de redresseur de type diffuses par silicium de diode de rétablissement (rétablissement rapide)TOSHIBA
16550VR4NTOSHIBA jeűnent des applications ŕ grande vitesse de redresseur de type diffuses par silicium de diode de rétablissement (rétablissement rapide)TOSHIBA
16551YTFP250V (DSX): 200 V; V (DGR): 200V; V (ESG): 20V; 150W; silicium MOS ŕ canal N du transistor ŕ effet ŕ effet de champ de type. Pour la grande vitesse, des applications de commutation de courant élevéTOSHIBA

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