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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
2801GT15M321APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTETOSHIBA
2802GT15Q101APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMANDE De MOTEUR D'cApplications De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTETOSHIBA
2803GT15Q102APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTETOSHIBA
2804GT15Q301APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMANDE De MOTEUR D'cApplications De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTETOSHIBA
2805GT15Q311APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMANDE De MOTEUR D'cApplications De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTETOSHIBA
2806GT20D101APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTETOSHIBA
2807GT20D201APPLICATION BIPOLAIRE ISOLÉE De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM P De TRANSISTOR De PORTETOSHIBA
2808GT20G101APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES d'cInstantané de STROBOSCOPE Du N-canal IGBT de SILICIUM de TRANSISTOR de PORTETOSHIBA
2809GT20G101(SM)APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES d'cInstantané de STROBOSCOPE Du N-canal IGBT de SILICIUM de TRANSISTOR de PORTETOSHIBA
2810GT20G101SMLa MANCHE IGBT (APPLICATIONS INSTANTANÉES De N De STROBOSCOPE)TOSHIBA
2811GT20G102APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES D'cInstantané De STROBOSCOPE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTETOSHIBA
2812GT20G102(SM)APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES D'cInstantané De STROBOSCOPE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTETOSHIBA
2813GT20G102SMLa MANCHE IGBT (APPLICATIONS INSTANTANÉES De N De STROBOSCOPE)TOSHIBA
2814GT20J101Applications Bipolaires Isolées De Commutation De Puissance Élevée De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De PorteTOSHIBA
2815GT20J121IGBT pour les applications de commutation douceTOSHIBA
2816GT20J301APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMANDE De MOTEUR D'cApplications De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTETOSHIBA
2817GT20J311APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMANDE De MOTEUR D'cApplications De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTETOSHIBA
2818GT20J321Applications Bipolaires Isolées De Commutation De Puissance Élevée Du Silicium N Chanenel IGBT De Transistor De Porte Commutant Rapidement Des ApplicationsTOSHIBA
2819GT20J341IGBT discretsTOSHIBA
2820GT25G101APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES D'cInstantané De STROBOSCOPE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTETOSHIBA
2821GT25G101(SM)APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES D'cInstantané De STROBOSCOPE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTETOSHIBA
2822GT25G101SMLa MANCHE IGBT (APPLICATIONS INSTANTANÉES De N De STROBOSCOPE)TOSHIBA
2823GT25G102APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES D'cInstantané De STROBOSCOPE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTETOSHIBA
2824GT25G102(SM)APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES D'cInstantané De STROBOSCOPE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTETOSHIBA
2825GT25G102SMLa MANCHE IGBT (APPLICATIONS INSTANTANÉES De N De STROBOSCOPE)TOSHIBA
2826GT25J101Applications Bipolaires Isolées De Commande De Moteur D'Applications De Commutation De Puissance Élevée De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De PorteTOSHIBA
2827GT25J102Applications Bipolaires Isolées De Commande De Moteur D'Applications De Commutation De Puissance Élevée De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De PorteTOSHIBA
2828GT25Q101Applications Bipolaires Isolées De Commande De Moteur D'Applications De Commutation De Puissance Élevée De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De PorteTOSHIBA
2829GT25Q102Applications Bipolaires Isolées De Commutation De Puissance Élevée De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De PorteTOSHIBA
2830GT25Q301Applications Bipolaires Isolées De Commande De Moteur D'Applications De Commutation De Puissance Élevée De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De PorteTOSHIBA
2831GT30J101Applications Bipolaires Isolées De Commutation De Puissance Élevée De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De PorteTOSHIBA
2832GT30J121Applications Bipolaires Isolées De Commutation De Puissance Élevée De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte Commutant Rapidement Des ApplicationsTOSHIBA
2833GT30J122IGBT discretsTOSHIBA
2834GT30J122AIGBT pour les applications de commutation douceTOSHIBA
2835GT30J126IGBT discretsTOSHIBA
2836GT30J301Applications Bipolaires Isolées De Commande De Moteur D'Applications De Commutation De Puissance Élevée De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De PorteTOSHIBA
2837GT30J311Applications Bipolaires Isolées De Commande De Moteur D'Applications De Commutation De Puissance Élevée De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De PorteTOSHIBA
2838GT30J322La MANCHE BIPOLAIRE ISOLÉE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE Les APPLICATIONS COURANTES De COMMUTATION D'cInverseur De RÉSONANCE De 4ÈME GÉNÉRATIONTOSHIBA
2839GT30J324Applications Bipolaires Isolées De Commutation De Puissance Élevée De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte Commutant Rapidement Des ApplicationsTOSHIBA
2840GT30J341IGBT discretsTOSHIBA
2841GT35J321IGBT pour les applications de commutation douceTOSHIBA
2842GT35MR21IGBT pour les applications de commutation douceTOSHIBA
2843GT40G121La Manche Bipolaire Isolée IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte Les Applications Courantes De Commutation D'Inverseur De Résonance De 4ème GénérationTOSHIBA
2844GT40J121IGBT pour les applications de commutation douceTOSHIBA
2845GT40J321IGBT pour les applications de commutation douceTOSHIBA
2846GT40J322IGBT pour les applications de commutation douceTOSHIBA
2847GT40J325IGBT pour les applications de commutation douceTOSHIBA
2848GT40M101APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE Du CHANNEL IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTETOSHIBA
2849GT40M301APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De TYPE De MOS De la MANCHE Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTETOSHIBA
2850GT40Q321L'Injection A augmenté L'Application De Commutation D'Inverseur De Résonance De Tension De la Manche IEGT Du Silicium N De Transistor De PorteTOSHIBA
2851GT40Q322Application De Commutation D'Inverseur De Résonance DeTensionTOSHIBA
2852GT40QR21IGBT pour les applications de commutation douceTOSHIBA
2853GT40RR21IGBT pour les applications de commutation douceTOSHIBA
2854GT40T101APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De TYPE De MOS De la MANCHE Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTETOSHIBA
2855GT40T301Applications Parallèles Bipolaires Isolées De Commutation D'Inverseur De Résonance De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De PorteTOSHIBA
2856GT40T321IGBT pour les applications de commutation douceTOSHIBA
2857GT40WR21IGBT pour les applications de commutation douceTOSHIBA
2858GT50G321La Manche Bipolaire Isolée IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte Les Applications Courantes De Commutation D'Inverseur De Résonance De 4ème GénérationTOSHIBA
2859GT50J102APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMANDE De MOTEUR D'cApplications De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTETOSHIBA



2860GT50J121Applications Bipolaires Isolées De Commutation De Puissance Élevée De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte Commutant Rapidement Des ApplicationsTOSHIBA
2861GT50J301APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMANDE De MOTEUR D'cApplications De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTETOSHIBA
2862GT50J322La MANCHE BIPOLAIRE ISOLÉE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE Les APPLICATIONS COURANTES De COMMUTATION D'cInverseur De RÉSONANCE De 4ÈME GÉNÉRATIONTOSHIBA
2863GT50J325Applications Bipolaires Isolées De Commutation De Puissance Élevée De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte Commutant Rapidement Des ApplicationsTOSHIBA
2864GT50J328IGBT discretsTOSHIBA
2865GT50J341IGBT discretsTOSHIBA
2866GT50J342IGBT discretsTOSHIBA
2867GT50JR21IGBT pour les applications de commutation douceTOSHIBA
2868GT50JR22IGBT pour les applications de commutation douceTOSHIBA
2869GT50MR21IGBT pour les applications de commutation douceTOSHIBA
2870GT50N322AIGBT pour les applications de commutation douceTOSHIBA
2871GT50NR21IGBT pour les applications de commutation douceTOSHIBA
2872GT5G102APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES D'cInstantané De STROBOSCOPE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTETOSHIBA
2873GT5G103APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES D'cInstantané De STROBOSCOPE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTETOSHIBA
2874GT5G131APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES D'cInstantané De STROBOSCOPE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTETOSHIBA
2875GT5G133IGBT pour flash stroboscopiqueTOSHIBA
2876GT5G134IGBT pour flash stroboscopiqueTOSHIBA
2877GT5J301APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMANDE De MOTEUR D'cApplications De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTETOSHIBA
2878GT5J311APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMANDE De MOTEUR D'cApplications De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTETOSHIBA
2879GT5J311(SM)APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMANDE De MOTEUR D'cApplications De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTETOSHIBA
2880GT5J331(SM)N MANCHE Des APPLICATIONS De COMMANDE De COMMUTATION/MOTEUR De PUISSANCE D'cIgbt(high)TOSHIBA
2881GT60J321La Manche Bipolaire Isolée IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte Les Applications Douces De Commutation De 4ème GénérationTOSHIBA
2882GT60J322La Manche Bipolaire Isolée IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte Les Applications Douces De Commutation De 4ème GénérationTOSHIBA
2883GT60J323IGBT pour les applications de commutation douceTOSHIBA
2884GT60J323HIGBT discretsTOSHIBA
2885GT60M104APPLICATIONS de COMMUTATION Bipolaires Isolées de PUISSANCE ÉLEVÉE De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De PorteTOSHIBA
2886GT60M301APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De TYPE De MOS De la MANCHE Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTETOSHIBA
2887GT60M302APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTETOSHIBA
2888GT60M303APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTETOSHIBA
2889GT60M322La Manche Bipolaire Isolée par TOSHIBA IGBT Du Silicium N De Transistor De PorteTOSHIBA
2890GT60M323La Manche Bipolaire Isolée par TOSHIBA IGBT Du Silicium N De Transistor De PorteTOSHIBA
2891GT60M324IGBT pour les applications de commutation douceTOSHIBA
2892GT60N321Applications Bipolaires Isolées De Commutation De Puissance Élevée De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte La 4ème GénérationTOSHIBA
2893GT60PR21IGBT pour les applications de commutation douceTOSHIBA
2894GT80J101APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De TYPE De MOS De CHANNEL Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTETOSHIBA
2895GT80J101AApplications Bipolaires Isolées De Commutation De Puissance Élevée De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De PorteTOSHIBA
2896GT8G103APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES D'cInstantané De STROBOSCOPE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTETOSHIBA
2897GT8G121APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES D'cInstantané De STROBOSCOPE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTETOSHIBA
2898GT8G131APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES D'cInstantané De STROBOSCOPE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTETOSHIBA
2899GT8G132APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES D'cInstantané De STROBOSCOPE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTETOSHIBA
2900GT8G151IGBT pour flash stroboscopiqueTOSHIBA

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