Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
2901 | GT8J101 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMANDE De MOTEUR D'cApplications De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
2902 | GT8J102(SM) | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMANDE De MOTEUR D'cApplications De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
2903 | GT8J102SM | N MANCHE Des APPLICATIONS De COMMANDE De COMMUTATION/MOTEUR De PUISSANCE D'cIgbt(high) | TOSHIBA |
2904 | GT8Q101 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMANDE De MOTEUR D'cApplications De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
2905 | GT8Q102 | N MANCHE Des APPLICATIONS De COMMANDE De COMMUTATION/MOTEUR De PUISSANCE D'cIgbt(high) | TOSHIBA |
2906 | GT8Q102(SM) | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMANDE De MOTEUR D'cApplications De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
2907 | GT8Q102SM | N MANCHE Des APPLICATIONS De COMMANDE De COMMUTATION/MOTEUR De PUISSANCE D'cIgbt(high) | TOSHIBA |
2908 | HANDLING | Photocoupleur - L'Information Supplémentaire | TOSHIBA |
2909 | HC123 | MULTIVIBRATEUR MONOSTABLE DUEL DE RETRIGGERABLE | TOSHIBA |
2910 | HC125 | AMORTISSEUR D'CAutobus DE QUADRUPLE | TOSHIBA |
2911 | HC257 | MULTIPLEXEUR DU QUADRUPLE 2-chanel (3-state) | TOSHIBA |
2912 | HC4052 | 8-channel MULTIPLEXER/demulitiplexer ANALOGUE | TOSHIBA |
2913 | HN1A01F | Applications Tout usage Épitaxiales D'Amplificateur De Fréquence Sonore De Type Du Silicium PNP De Transistor (Processus de PCT) | TOSHIBA |
2914 | HN1A01FE | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
2915 | HN1A01FU | Applications Tout usage Épitaxiales D'Amplificateur De Fréquence Sonore De Type Du Silicium PNP De Transistor (Processus de PCT) | TOSHIBA |
2916 | HN1A02F | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
2917 | HN1A07F | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
2918 | HN1A26FS | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
2919 | HN1B01F | Applications Tout usage Épitaxiales Épitaxiales D'Amplificateur De Fréquence Sonore De Type Du Silicium NPN De Type Du Silicium PNP De Transistor (Processus de PCT) (Processus de PCT) | TOSHIBA |
2920 | HN1B01FU | Applications Tout usage Épitaxiales Épitaxiales D'Amplificateur De Fréquence Sonore De Type Du Silicium NPN De Type Du Silicium PNP De Transistor (Processus de PCT) (Processus de PCT) | TOSHIBA |
2921 | HN1B04F | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
2922 | HN1B04FE | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
2923 | HN1B04FU | Applications Tout usage Épitaxiales Épitaxiales D'Amplificateur De Fréquence Sonore De Type Du Silicium PNP De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT) (Processus de PCT) | TOSHIBA |
2924 | HN1B26FS | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
2925 | HN1C01F | Applications Tout usage Épitaxiales D'Amplificateur De Fréquence Sonore De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT) | TOSHIBA |
2926 | HN1C01FE | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
2927 | HN1C01FU | Applications Tout usage Épitaxiales D'Amplificateur De Fréquence Sonore De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT) | TOSHIBA |
2928 | HN1C03F | Type Épitaxial Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT) Pour Des Applications Assourdissantes Et De Changements | TOSHIBA |
2929 | HN1C03FU | Type épitaxial de Npn de silicium de transistor (processus de PCT) pour des applications assourdissantes et de changements | TOSHIBA |
2930 | HN1C05FE | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
2931 | HN1C07F | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
2932 | HN1C26FS | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
2933 | HN1D01F | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
2934 | HN1D01FE | Diode de commutation | TOSHIBA |
2935 | HN1D01FU | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
2936 | HN1D02F | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
2937 | HN1D02FE | Diode de commutation | TOSHIBA |
2938 | HN1D02FU | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
2939 | HN1D03F | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
2940 | HN1D03FU | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
2941 | HN1D04FU | Diode de commutation | TOSHIBA |
2942 | HN1J02FU | Applications Analogues De Commutateur D'Applications À grande vitesse De Commutation De Type De MOS De la Manche Du Silicium P De Transistor à effet de champ | TOSHIBA |
2943 | HN1K02FU | Applications Analogues De Commutateur D'Applications À grande vitesse De Commutation De Type de MOS De la Manche Du Silicium N De Transistor à effet de champ | TOSHIBA |
2944 | HN1K03FU | Applications Analogues De Commutateur D'Applications À grande vitesse De Commutation De Type de MOS De la Manche Du Silicium N De Transistor à effet de champ | TOSHIBA |
2945 | HN1K04FU | Applications Analogues De Commutateur D'Applications À grande vitesse De Commutation De Type de MOS De la Manche Du Silicium N De Transistor à effet de champ | TOSHIBA |
2946 | HN1K05FU | Type de MOS De la Manche Du Silicium N De Transistor à effet de champ Pour Des Applications À grande vitesse D'Interface D'Applications De Commutation De Dispositifs Portatifs | TOSHIBA |
2947 | HN1K06FU | Applications Analogues De Commutateur D'Applications À grande vitesse De Commutation De Type de MOS De la Manche Du Silicium N De Transistor à effet de champ | TOSHIBA |
2948 | HN1L02FU | Applications Analogues De Commutateur D'Applications À grande vitesse De Commutation De Type de MOS De la Manche De N-p De Silicium De Transistor à effet de champ | TOSHIBA |
2949 | HN1L03FU | Applications Analogues De Commutateur D'Applications À grande vitesse De Commutation De Type de MOS De la Manche De N-p De Silicium De Transistor à effet de champ | TOSHIBA |
2950 | HN1V01H | Applications D'Accord De Capacité De Bande Par radio Variable De la Diode AM | TOSHIBA |
2951 | HN1V02H | Applications D'Accord De Capacité De Bande Par radio Variable De la Diode AM | TOSHIBA |
2952 | HN2A01FE | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
2953 | HN2A01FU | Applications Tout usage Épitaxiales D'Amplificateur De Fréquence Sonore De Type Du Silicium PNP De Transistor (Processus de PCT) | TOSHIBA |
2954 | HN2A26FS | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
2955 | HN2C01FE | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
2956 | HN2C01FU | Applications Tout usage Épitaxiales D'Amplificateur De Fréquence Sonore De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT) | TOSHIBA |
2957 | HN2C10FT | APPLICATIONS D'CAmplificateur DE BRUIT DE BANDE PLANAIRE ÉPITAXIALE DU TYPE VHF~uhf DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR BASSES | TOSHIBA |
2958 | HN2C10FU | Transistors D'Hybride de Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
2959 | HN2C11FU | Transistors D'Hybride de Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
2960 | HN2C12FT | APPLICATIONS D'CAmplificateur DE BRUIT DE BANDE PLANAIRE ÉPITAXIALE DU TYPE VHF~uhf DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR BASSES | TOSHIBA |
2961 | HN2C12FU | Transistors D'Hybride de Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
2962 | HN2C13FT | Nouveaux Produits de Rf | TOSHIBA |
2963 | HN2C14FT | Nouveaux Produits de Rf | TOSHIBA |
2964 | HN2C26FS | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
2965 | HN2D01F | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
2966 | HN2D01FU | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
2967 | HN2D01JE | Diode de commutation | TOSHIBA |
2968 | HN2D02FU | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
2969 | HN2D03F | Diode de commutation | TOSHIBA |
2970 | HN2E04F | Multi-Chip dispositif discret (PNP + diode SW) | TOSHIBA |
2971 | HN2S01F | Application À grande vitesse Épitaxiale De Commutation De Basse Tension De Type De Barrière De Schottky De Silicium De Diode | TOSHIBA |
2972 | HN2S01FU | Application À grande vitesse Épitaxiale De Commutation De Basse Tension De Type De Barrière De Schottky De Silicium De Diode | TOSHIBA |
2973 | HN2S02FU | Diode Schottky barrière small-signal | TOSHIBA |
2974 | HN2S02JE | Diode Schottky barrière small-signal | TOSHIBA |
2975 | HN2S03FE | Diode Schottky barrière small-signal | TOSHIBA |
2976 | HN2S03FU | Diode Schottky barrière small-signal | TOSHIBA |
2977 | HN2S03T | Diode Schottky barrière small-signal | TOSHIBA |
2978 | HN2S04FU | Diode Schottky barrière small-signal | TOSHIBA |
2979 | HN2V02H | Applications D'Accord De Capacité De Bande Par radio Variable De la Diode AM | TOSHIBA |
2980 | HN3A51F | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
2981 | HN3B01F | TYPE ÉPITAXIAL DE PNP (APPLICATIONS TOUT USAGE D'CAmplificateur DE FRÉQUENCE SONORE) | TOSHIBA |
2982 | HN3B02FU | Silicium PNP De Transistor·Applications Tout usage Épitaxiales D'Amplificateur De Fréquence Sonore De Type de NPN (Processus de PCT) | TOSHIBA |
2983 | HN3C01F | Transistors D'Hybride de Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
2984 | HN3C01FU | Transistors D'Hybride de Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
2985 | HN3C02F | Transistors D'Hybride de Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
2986 | HN3C02FU | Transistors D'Hybride de Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
2987 | HN3C03F | Transistors D'Hybride de Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
2988 | HN3C03FU | Transistors D'Hybride de Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
2989 | HN3C09F | Transistors D'Hybride de Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
2990 | HN3C09FU | Transistors D'Hybride de Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
2991 | HN3C10F | Transistors D'Hybride de Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
2992 | HN3C10FE | APPLICATIONS D'CAmplificateur DE BRUIT DE BANDE PLANAIRE ÉPITAXIALE DU TYPE VHF~uhf DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR BASSES | TOSHIBA |
2993 | HN3C10FT | APPLICATIONS D'CAmplificateur DE BRUIT DE BANDE PLANAIRE ÉPITAXIALE DU TYPE VHF~uhf DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR BASSES | TOSHIBA |
2994 | HN3C10FU | Transistors D'Hybride de Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
2995 | HN3C11F | Transistors D'Hybride de Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
2996 | HN3C11FU | Transistors D'Hybride de Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
2997 | HN3C12 | TYPE PLANAIRE ÉPITAXIAL DE NPN (APPLICATIONS D'CAmplificateur DE BRUIT DE BANDE DE VHF~uhf BASSES) | TOSHIBA |
2998 | HN3C12F | Transistors D'Hybride de Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
2999 | HN3C12FU | Transistors D'Hybride de Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
3000 | HN3C13F | Transistors D'Hybride de Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
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