Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
4201 | RN4985FE | Silicium NPN De Transistor·Commutation de type de PNP (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
4202 | RN4985FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
4203 | RN4986 | Commutation De Type Du Silicium PNP De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT) (Processus de PCT), Applications Épitaxiales Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
4204 | RN4986AFS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
4205 | RN4986FE | Silicium NPN De Transistor·Commutation de type de PNP (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
4206 | RN4986FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
4207 | RN4987 | Commutation De Type Du Silicium PNP De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT) (Processus de PCT), Applications Épitaxiales Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
4208 | RN4987AFS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
4209 | RN4987FE | Silicium NPN De Transistor·Commutation de type de PNP (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
4210 | RN4987FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
4211 | RN4988 | Commutation De Type Du Silicium PNP De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT) (Processus de PCT), Applications Épitaxiales Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
4212 | RN4988AFS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
4213 | RN4988FE | Silicium NPN De Transistor·Commutation de type de PNP (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
4214 | RN4988FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
4215 | RN4989 | Commutation De Type Du Silicium PNP De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT) (Processus de PCT), Applications Épitaxiales Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
4216 | RN4989AFS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
4217 | RN4989FE | Silicium NPN De Transistor·Commutation de type de PNP (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
4218 | RN4989FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
4219 | RN4990 | Commutation De Type Du Silicium PNP De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT) (Processus de PCT), Applications Épitaxiales Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
4220 | RN4990AFS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
4221 | RN4990FE | Silicium NPN De Transistor·Commutation de type de PNP (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
4222 | RN4990FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
4223 | RN4991 | Commutation De Type Du Silicium PNP De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT) (Processus de PCT), Applications Épitaxiales Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
4224 | RN4991AFS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
4225 | RN4991FE | Silicium NPN De Transistor·Commutation de type de PNP (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
4226 | RN4991FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
4227 | RN4992AFS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
4228 | RN4992FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
4229 | RN4993AFS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
4230 | RN4993FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
4231 | RN49A1 | Silicium PNP De Transistor·Commutation de type de NPN (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
4232 | RN49A1FE | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
4233 | RN49A2 | Silicium NPN De Transistor·Commutation de type de PNP (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
4234 | RN49A6FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
4235 | RN49J2FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
4236 | RN49J7FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
4237 | RN49P1FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
4238 | RN5001 | Applications Épitaxiales De Commutation De Puissance D'Applications D'Amplificateur De Puissance D'Applications De Circuit D'Entraînement De Moteur De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT) | TOSHIBA |
4239 | RN5002 | Applications Épitaxiales De Commutation De Puissance D'Applications D'Amplificateur De Puissance D'Applications De Circuit D'Entraînement De Moteur De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT) | TOSHIBA |
4240 | RN5003 | Applications Épitaxiales De Commutation De Puissance D'Applications D'Amplificateur De Puissance D'Applications De Circuit D'Entraînement De Moteur De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT) | TOSHIBA |
4241 | RN5006 | Applications Épitaxiales De Commutation De Puissance D'Applications D'Amplificateur De Puissance D'Applications De Circuit D'Entraînement De Moteur De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT) | TOSHIBA |
4242 | RN6001 | Applications Épitaxiales De Commutation De Puissance D'Applications D'Amplificateur De Puissance D'Applications De Circuit D'Entraînement De Moteur De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT) | TOSHIBA |
4243 | RN6002 | Applications Épitaxiales De Commutation De Puissance D'Applications D'Amplificateur De Puissance D'Applications De Circuit D'Entraînement De Moteur De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT) | TOSHIBA |
4244 | RN6003 | Applications Épitaxiales De Commutation De Puissance D'Applications D'Amplificateur De Puissance D'Applications De Circuit D'Entraînement De Moteur De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT) | TOSHIBA |
4245 | RN6006 | Applications Épitaxiales De Commutation De Puissance D'Applications D'Amplificateur De Puissance D'Applications De Circuit D'Entraînement De Moteur De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT) | TOSHIBA |
4246 | RSF05G1-1P | APPLICATIONS DE COMMUTATION ET DE COMMANDE DE PUISSANCE DE TYPE PLANAIRE DE SILICIUM DE THYRISITOR BASSES | TOSHIBA |
4247 | RSF05G1-3P | APPLICATIONS DE COMMUTATION ET DE COMMANDE DE PUISSANCE DE TYPE PLANAIRE DE SILICIUM DE THYRISITOR BASSES | TOSHIBA |
4248 | RSF05G1-5P | APPLICATIONS DE COMMUTATION ET DE COMMANDE DE PUISSANCE DE TYPE PLANAIRE DE SILICIUM DE THYRISITOR BASSES | TOSHIBA |
4249 | RX55257DPL | CIRCUIT INTÉGRÉ DE MOS DIGITAL | TOSHIBA |
4250 | S-AU27AH | MODULE D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE 25CW FM RF | TOSHIBA |
4251 | S-AU27AL | MODULE D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE 25CW FM RF | TOSHIBA |
4252 | S-AU27AM | MODULE D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE 25CW FM RF | TOSHIBA |
4253 | S-AU50H | ÉMETTEUR RÉCEPTEUR Tenu dans la main de la BANDE FM de PUISSANCE de MODULE À FRÉQUENCE ULTRA-haute d'cAmplificateur | TOSHIBA |
4254 | S-AU50L | ÉMETTEUR RÉCEPTEUR Tenu dans la main de la BANDE FM de PUISSANCE de MODULE À FRÉQUENCE ULTRA-haute d'cAmplificateur | TOSHIBA |
4255 | S-AU50M | ÉMETTEUR RÉCEPTEUR Tenu dans la main de la BANDE FM de PUISSANCE de MODULE À FRÉQUENCE ULTRA-haute d'cAmplificateur | TOSHIBA |
4256 | S-AU57 | ÉMETTEUR RÉCEPTEUR TENU DANS LA MAIN DE BANDE DU JAMBON FM RF DE PUISSANCE DE MODULE À FRÉQUENCE ULTRA-haute D'CAmplificateur | TOSHIBA |
4257 | S-AU6 | Module À FRÉQUENCE ULTRA-haute D'Amplificateur De Puissance De la Bande FM | TOSHIBA |
4258 | S-AU68L | MODULE À FRÉQUENCE ULTRA-haute D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE LA BANDE FM | TOSHIBA |
4259 | S-AU68M | MODULE À FRÉQUENCE ULTRA-haute D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE LA BANDE FM | TOSHIBA |
4260 | S-AU81 | Modules d'amplificateur de puissance de module d'amplificateur de puissance de rf pour le cdmaOne domestique | TOSHIBA |
4261 | S-AU84 | Module d'amplificateur de puissance de module d'amplificateur de puissance de rf pour le cdmaOne du Japon | TOSHIBA |
4262 | S-AV10H | Module D'Amplificateur De Puissance de VHF Rf | TOSHIBA |
4263 | S-AV10L | Module D'Amplificateur De Puissance de VHF Rf | TOSHIBA |
4264 | S-AV17 | Application de JAMBON de MODULE d'cAmplificateur de PUISSANCE de VHF 50W Rf | TOSHIBA |
4265 | S-AV22A | Module D'Amplificateur De Puissance de Rf | TOSHIBA |
4266 | S-AV5 | Module D'Amplificateur De Puissance de Rf | TOSHIBA |
4267 | S-AV6 | MODULE MARIN D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE VHF FM RF | TOSHIBA |
4268 | S-AV7 | MODULE D'CAmplificateur DE PUISSANCE DU JAMBON FM RF DE VHF | TOSHIBA |
4269 | S2000N | APPLICATIONS HORIZONTALES DIFFUSES TRIPLES DE RENDEMENT DE LA COULEUR TV DE TYPE DE MESA DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR, RÉGULATEUR DE COMMUTATION DE LA COULEUR TV | TOSHIBA |
4270 | S2370 | V (DSX): 60V; V (DGR): 60V; V (ESG): + -20V; 40A; 125W; Transistor à effet de champ. Pour les applications de commutation à grande vitesse élevés actuels, Chopper régulière, convertisseur DC-DC et moteur des applications d'entraînem | TOSHIBA |
4271 | S4F42Q1(09) | LAMPE DE LED | TOSHIBA |
4272 | S4F42Z1(T09) | LAMPE DE LED | TOSHIBA |
4273 | S4F43Q1(10) | LAMPE DE LED | TOSHIBA |
4274 | S4F43Z1(T10) | LAMPE DE LED | TOSHIBA |
4275 | S5277B | Applications Tout usage De Redresseur De Type Diffuses Par Silicium De Redresseur | TOSHIBA |
4276 | S5277G | Applications Tout usage De Redresseur De Type Diffuses Par Silicium De Redresseur | TOSHIBA |
4277 | S5277J | Applications Tout usage De Redresseur De Type Diffuses Par Silicium De Redresseur | TOSHIBA |
4278 | S5277N | Applications Tout usage De Redresseur De Type Diffuses Par Silicium De Redresseur | TOSHIBA |
4279 | S5295B | Le silicium rapide de diode de rétablissement a répandu des applications à grande vitesse de redresseur de type (rétablissement rapide) | TOSHIBA |
4280 | S5295G | Le silicium rapide de diode de rétablissement a répandu des applications à grande vitesse de redresseur de type (rétablissement rapide) | TOSHIBA |
4281 | S5295J | Le silicium rapide de diode de rétablissement a répandu des applications à grande vitesse de redresseur de type (rétablissement rapide) | TOSHIBA |
4282 | S5566B | Applications Tout usage De Redresseur De Type Diffuses Par Silicium De Redresseur | TOSHIBA |
4283 | S5566G | Applications Tout usage De Redresseur De Type Diffuses Par Silicium De Redresseur | TOSHIBA |
4284 | S5566J | Applications Tout usage De Redresseur De Type Diffuses Par Silicium De Redresseur | TOSHIBA |
4285 | S5566N | Applications Tout usage De Redresseur De Type Diffuses Par Silicium De Redresseur | TOSHIBA |
4286 | S5688B | Applications Tout usage De Redresseur De Type Diffuses Par Silicium De Redresseur | TOSHIBA |
4287 | S5688G | Applications Tout usage De Redresseur De Type Diffuses Par Silicium De Redresseur | TOSHIBA |
4288 | S5688J | Applications Tout usage De Redresseur De Type Diffuses Par Silicium De Redresseur | TOSHIBA |
4289 | S5688N | Applications Tout usage De Redresseur De Type Diffuses Par Silicium De Redresseur | TOSHIBA |
4290 | S6370 | APPLICATIONS DE COMMUTATION DE PUISSANCE DE TYPE PLANAIRE DE SILICIUM DE THYRISTOR BASSES (DÉCLENCHEMENT DE STROBOSCOPE) | TOSHIBA |
4291 | S6744 | APPLICATIONS MOYENNES DE COMMANDE DE PUISSANCE DE TYPE PLANAIRE DE SILICIUM DE THYRISTOR | TOSHIBA |
4292 | S6785G | APPLICATIONS À GRANDE VITESSE DE COMMUTATION ET DE COMMANDE DE THYRISTOR DE TYPE PLANAIRE À GRANDE VITESSE DE SILICIUM | TOSHIBA |
4293 | S6903G | BI - APPLICATIONS PLANAIRES DE COMMANDE DE COURANT ALTERNATIF DE TYPE DE TRIODE DE SILICIUM DIRECTIONNEL DE THYRISTOR | TOSHIBA |
4294 | S6903J | BI - APPLICATIONS PLANAIRES DE COMMANDE DE COURANT ALTERNATIF DE TYPE DE TRIODE DE SILICIUM DIRECTIONNEL DE THYRISTOR | TOSHIBA |
4295 | S6992 | Applications Planaires De Commande De Décharge De Condensateur De Type De Silicium De Thyristor | TOSHIBA |
4296 | S6A13 | Applications Planaires De Commande De Décharge De Condensateur De Type De Silicium De Thyristor | TOSHIBA |
4297 | S8850A | FET DE LA PUISSANCE GACAs DE MICRO-onde | TOSHIBA |
4298 | SC3279 | TYPE ÉPITAXIAL DE NPN (FLASH DE STOROBO/APPLICATIONS MOYENNES D'CAmplificateur DE PUISSANCE) | TOSHIBA |
4299 | SC5262 | TYPE PLANAIRE ÉPITAXIAL DE NPN (APPLICATIONS D'CAmplificateur DE BRUIT DE BANDE DE VHF~uhf BASSES) | TOSHIBA |
4300 | SC5387 | TYPE DIFFUS TRIPLE DE MESA DE NPN (RENDEMENT HORIZONTAL DE DÉBATTEMENT POUR L'CAffichage MOYEN DE RÉSOLUTION/LES APPLICATIONS À GRANDE VITESSE COMMUTATION DE COULEUR TV) | TOSHIBA |
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