Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
401 | 1AZ6.8 | DIODE ZENER (RÈGLEMENT CONSTANT DE TENSION) | TOSHIBA |
402 | 1AZ7.5 | DIODE ZENER (RÈGLEMENT CONSTANT DE TENSION) | TOSHIBA |
403 | 1AZ8.2 | DIODE ZENER (RÈGLEMENT CONSTANT DE TENSION) | TOSHIBA |
404 | 1AZ9.1 | DIODE ZENER (RÈGLEMENT CONSTANT DE TENSION) | TOSHIBA |
405 | 1B4B42 | PILE DE REDRESSEUR (APPLICATIONS DE PONT REDRESSEUR MONOPHASÉ) | TOSHIBA |
406 | 1DL41A | Redresseur De Rendement Élevé (HED) | TOSHIBA |
407 | 1DL42 | REDRESSEUR DE RENDEMENT ÉLEVÉ (APPLICATIONS D'CAlimentation D'CÉnergie DE TYPE DE SWICTHING) | TOSHIBA |
408 | 1DL42A | Redresseur De Rendement Élevé (HED) | TOSHIBA |
409 | 1FWJ43L | REDRESSEUR DE BARRIÈRE DE SCHOTTKY | TOSHIBA |
410 | 1FWJ43M | REDRESSEUR DE BARRIÈRE DE SCHOTTKY | TOSHIBA |
411 | 1FWJ43N | REDRESSEUR DE BARRIÈRE DE SCHOTTKY | TOSHIBA |
412 | 1G4B42 | PILE DE REDRESSEUR (APPLICATIONS DE PONT REDRESSEUR MONOPHASÉ) | TOSHIBA |
413 | 1GH45 | REDRESSEUR RAPIDE DE RÉTABLISSEMENT | TOSHIBA |
414 | 1GH46 | REDRESSEUR RAPIDE DE RÉTABLISSEMENT | TOSHIBA |
415 | 1GU42 | APPLICATIONS À GRANDE VITESSE DE REDRESSEUR DE TYPE DIFFUSES PAR SILICIUM DE REDRESSEUR (RÉTABLISSEMENT RAPIDE) | TOSHIBA |
416 | 1GWJ42 | APPLICATIONS À GRANDE VITESSE DE REDRESSEUR DE REDRESSEUR DE BARRIÈRE DE SCHOTTKY | TOSHIBA |
417 | 1GWJ43 | APPLICATIONS À GRANDE VITESSE DE REDRESSEUR DE REDRESSEUR DE BARRIÈRE DE SCHOTTKY | TOSHIBA |
418 | 1J4B42 | PILE DE REDRESSEUR (APPLICATIONS DE PONT REDRESSEUR MONOPHASÉ) | TOSHIBA |
419 | 1JH45 | APPLICATIONS RAPIDES D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE REDRESSEUR DE RÉTABLISSEMENT | TOSHIBA |
420 | 1JH46 | APPLICATIONS RAPIDES D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE REDRESSEUR DE RÉTABLISSEMENT | TOSHIBA |
421 | 1JU41 | APPLICATIONS À GRANDE VITESSE DE REDRESSEUR (RÉTABLISSEMENT RAPIDE) | TOSHIBA |
422 | 1JU42 | APPLICATIONS À GRANDE VITESSE DE REDRESSEUR (RÉTABLISSEMENT RAPIDE) | TOSHIBA |
423 | 1N4606 | DIODE PLANAIRE ÉPITAXIALE DE TYPE DE SILICIUM | TOSHIBA |
424 | 1N4608 | DIODE PLANAIRE ÉPITAXIALE DE TYPE DE SILICIUM | TOSHIBA |
425 | 1NH41 | APPLICATIONS RAPIDES D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE REDRESSEUR DE RÉTABLISSEMENT | TOSHIBA |
426 | 1NH42 | APPLICATIONS RAPIDES D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE REDRESSEUR DE RÉTABLISSEMENT | TOSHIBA |
427 | 1NU41 | REDRESSEUR RAPIDE SUPERBE DE RÉTABLISSEMENT | TOSHIBA |
428 | 1Q4B42 | PILE DE REDRESSEUR (PONT REDRESSEUR MONOPHASÉ APLICATIONS) | TOSHIBA |
429 | 1R5BZ41 | Type Diffus Par Silicium De Redresseur | TOSHIBA |
430 | 1R5DL41A | Applications D'Alimentation D'Énergie De Mode De Commutation Du Redresseur De Rendement Élevé (HED) | TOSHIBA |
431 | 1R5DU41 | REDRESSEUR RAPIDE SUPERBE DE RÉTABLISSEMENT (APPLICATIONS D'CAlimentation D'CÉnergie DE TYPE DE COMMUTATION) | TOSHIBA |
432 | 1R5GH45 | APPLICATIONS RAPIDES D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE REDRESSEUR DE RÉTABLISSEMENT | TOSHIBA |
433 | 1R5GU41 | DUPER JEÛNENT DES APPLICATIONS D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE REDRESSEUR DE RÉTABLISSEMENT | TOSHIBA |
434 | 1R5GZ41 | Type Diffus Par Silicium De Redresseur | TOSHIBA |
435 | 1R5JH45 | APPLICATIONS RAPIDES D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE REDRESSEUR DE RÉTABLISSEMENT | TOSHIBA |
436 | 1R5JU41 | REDRESSEUR À GRANDE VITESSE | TOSHIBA |
437 | 1R5JZ41 | Type Diffus Par Silicium De Redresseur | TOSHIBA |
438 | 1R5NH41 | APPLICATIONS RAPIDES D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE REDRESSEUR DE RÉTABLISSEMENT | TOSHIBA |
439 | 1R5NH45 | APPLICATIONS RAPIDES D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE REDRESSEUR DE RÉTABLISSEMENT | TOSHIBA |
440 | 1R5NU41 | APPLICATIONS RAPIDES SUPERBES D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE REDRESSEUR DE RÉTABLISSEMENT | TOSHIBA |
441 | 1R5NZ41 | Type Diffus Par Silicium De Redresseur | TOSHIBA |
442 | 1S1585 | Type Planaire Épitaxial De Silicium | TOSHIBA |
443 | 1S1586 | Type Planaire Épitaxial De Silicium | TOSHIBA |
444 | 1S1587 | Type Planaire Épitaxial De Silicium | TOSHIBA |
445 | 1S1588 | Type Planaire Épitaxial De Silicium | TOSHIBA |
446 | 1S1829 | TYPE DIFFUS PAR SILICIUM DE REDRESSEUR | TOSHIBA |
447 | 1S1830 | Type Diffus Par Silicium De Redresseur | TOSHIBA |
448 | 1S1832 | Le silicium de redresseur a répandu des applications à grande vitesse de redresseur de type (rétablissement rapide) | TOSHIBA |
449 | 1S1834 | Le silicium de redresseur a répandu des applications à grande vitesse de redresseur de type (rétablissement rapide) | TOSHIBA |
450 | 1S1835 | Le silicium de redresseur a répandu des applications à grande vitesse de redresseur de type (rétablissement rapide) | TOSHIBA |
451 | 1S1885 | Applications Tout usage De Redresseur De Type Diffuses Par Silicium De Redresseur | TOSHIBA |
452 | 1S1885A | Applications Tout usage De Redresseur De Type Diffuses Par Silicium De Redresseurs | TOSHIBA |
453 | 1S1886 | TYPE DIFFUS PAR SILICIUM DE REDRESSEUR | TOSHIBA |
454 | 1S1886A | REDRESSEUR (APPLICATIONS DE REDRESSEUR DE BUT DE CENERAL) | TOSHIBA |
455 | 1S1887 | Applications Tout usage De Redresseur De Type Diffuses Par Silicium De Redresseur | TOSHIBA |
456 | 1S1887A | Applications Tout usage De Redresseur De Type Diffuses Par Silicium De Redresseurs | TOSHIBA |
457 | 1S1888 | Applications Tout usage De Redresseur De Type Diffuses Par Silicium De Redresseur | TOSHIBA |
458 | 1S1888A | Applications Tout usage De Redresseur De Type Diffuses Par Silicium De Redresseurs | TOSHIBA |
459 | 1S2092 | TYPE PLANAIRE DU SILICIUM EPTAXIAL | TOSHIBA |
460 | 1S2093 | DIODE PLANAIRE DE DÉCLENCHEMENT DE TYPE DE SILICIUM | TOSHIBA |
461 | 1S2094 | DIODE VARIABLE DE CAPACITÉ | TOSHIBA |
462 | 1S2095A | DIODE PLANAIRE ÉPITAXIALE DE TYPE DE SILICIUM | TOSHIBA |
463 | 1S2186 | TYPE PLANAIRE ÉPITAXIAL DE SILICIUM | TOSHIBA |
464 | 1S2236 | DIODE VARIABLE DE CAPACITÉ DE TYPE PLANAIRE ÉPITAXIAL DE SILICIUM | TOSHIBA |
465 | 1S2460 | APPLICATIONS TOUT USAGE DE REDRESSEUR. | TOSHIBA |
466 | 1S2461 | APPLICATIONS TOUT USAGE DE REDRESSEUR. | TOSHIBA |
467 | 1S2462 | APPLICATIONS TOUT USAGE DE REDRESSEUR. | TOSHIBA |
468 | 1S2711 | DIODE RAPIDE DE RÉTABLISSEMENT | TOSHIBA |
469 | 1SS104 | DIODE PLANAIRE DE TYPE DE SILICIUM | TOSHIBA |
470 | 1SS154 | Applications Épitaxiales De la Bande Mixer/Detector Du Type UHF~s De Barrière De Schottky De Silicium De Diode | TOSHIBA |
471 | 1SS181 | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
472 | 1SS184 | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
473 | 1SS187 | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
474 | 1SS190 | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
475 | 1SS193 | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
476 | 1SS196 | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
477 | 1SS200 | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
478 | 1SS201 | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
479 | 1SS226 | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
480 | 1SS250 | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
481 | 1SS268 | APPLICATIONS DE COMMUTATEUR DE BANDE DE TUNER DE VHF DE DIODE | TOSHIBA |
482 | 1SS269 | APPLICATIONS DE COMMUTATEUR DE BANDE DE TUNER DE VHF DE DIODE | TOSHIBA |
483 | 1SS271 | APPLICATION ÉPITAXIALE DE MÉLANGEUR DU TYPE VHF~uhf DE BARRIÈRE DE SCHOTTKY DE SILICIUM DE DIODE | TOSHIBA |
484 | 1SS272 | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
485 | 1SS293 | Commutation À grande vitesse Épitaxiale De Basse Tension De Type De Barrière De Schottoky De Silicium De Diode | TOSHIBA |
486 | 1SS294 | Commutation À grande vitesse Épitaxiale De Basse Tension De Type De Barrière De Schottoky De Silicium De Diode | TOSHIBA |
487 | 1SS295 | APPLICATIONS À FRÉQUENCE ULTRA-haute DE MÉLANGEUR DE BANDE DE SCHOTTKY DE SILICIUM DE DIODE DE TYPE ÉPITAXIAL DE BARRIÈRE | TOSHIBA |
488 | 1SS300 | Applications Ultra À grande vitesse Planaires Épitaxiales De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
489 | 1SS301 | Applications Ultra À grande vitesse Planaires Épitaxiales De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
490 | 1SS302 | Applications Ultra À grande vitesse Planaires Épitaxiales De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
491 | 1SS306 | Haute tension Planaire Épitaxiale De Type De Silicium De Diode, Applications À grande vitesse De Commutation | TOSHIBA |
492 | 1SS307 | Le Général Planaire Épitaxial Puropose Rectifier Applications De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
493 | 1SS308 | Applications Ultra À grande vitesse Planaires Épitaxiales De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
494 | 1SS309 | Applications Ultra À grande vitesse Planaires Épitaxiales De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
495 | 1SS311 | Haute tension Planaire Épitaxiale De Type De Silicium De Diode, Applications À grande vitesse De Commutation | TOSHIBA |
496 | 1SS312 | APPLICATIONS DE COMMUTATEUR DE BANDE DE TUNER DE VHF DE DIODE | TOSHIBA |
497 | 1SS313 | APPLICATIONS DE COMMUTATEUR DE BANDE DE TUNER DE VHF DE DIODE | TOSHIBA |
498 | 1SS314 | Applications Planaires Épitaxiales De Commutateur De Bande De Tuner de VHF De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
499 | 1SS315 | Applications À FRÉQUENCE ULTRA-haute De Mélangeur De Bande De Schottky De Silicium De Diode De Type Épitaxial De Barrière | TOSHIBA |
500 | 1SS319 | Commutation À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Basse Tension De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
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