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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
5011SS321Commutation À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Basse Tension De Type De Silicium De DiodeTOSHIBA
5021SS322Commutation À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Basse Tension De Type De Silicium De DiodeTOSHIBA
5031SS336Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De DiodeTOSHIBA
5041SS337Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De DiodeTOSHIBA
5051SS344Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Schottky De Silicium De DiodeTOSHIBA
5061SS348Commutation À grande vitesse Épitaxiale De Basse Tension De Type De Barrière De Schottky De Silicium De DiodeTOSHIBA
5071SS349Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Schottky De Silicium De DiodeTOSHIBA
5081SS352Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De DiodeTOSHIBA
5091SS357Commutation À grande vitesse Épitaxiale De Basse Tension De Type De Barrière De Schottky De Silicium De DiodeTOSHIBA
5101SS360Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De DiodeTOSHIBA
5111SS360FApplications Ultra À grande vitesse Planaires Épitaxiales De Commutation De Type De Silicium De DiodeTOSHIBA
5121SS361Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De DiodeTOSHIBA
5131SS361CTDiode de commutationTOSHIBA
5141SS361FApplications Ultra À grande vitesse Planaires Épitaxiales De Commutation De Type De Silicium De DiodeTOSHIBA
5151SS361FVDiode de commutationTOSHIBA
5161SS362Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De DiodeTOSHIBA
5171SS362FVDiode de commutationTOSHIBA
5181SS364APPLICATIONS DE COMMUTATEUR DE BANDE DE TUNER DE VHF DE DIODETOSHIBA
5191SS367Application À grande vitesse De Commutation De Schottky De Silicium De Diode De Type Épitaxial De BarrièreTOSHIBA
5201SS368DIODE (APPLICATION ULTRA À GRANDE VITESSE DE COMMUTATION)TOSHIBA
5211SS369DIODE (COMMUTATION À GRANDE VITESSE DE BASSE TENSION)TOSHIBA
5221SS370Haute tension Planaire Épitaxiale De Type De Silicium De Diode, Applications À grande vitesse De CommutationTOSHIBA
5231SS372Application À grande vitesse De Commutation De Schottky De Silicium De Diode De Type Épitaxial De BarrièreTOSHIBA
5241SS373DIODE (APPLICATION À GRANDE VITESSE DE COMMUTATION)TOSHIBA
5251SS374Application À grande vitesse De Commutation De Schottky De Silicium De Diode De Type Épitaxial De BarrièreTOSHIBA
5261SS377Commutation À grande vitesse De Schottky De Silicium De Diode De Type Épitaxial De BarrièreTOSHIBA
5271SS378Commutation À grande vitesse De Schottky De Silicium De Diode De Type Planaire Épitaxial De BarrièreTOSHIBA
5281SS379Applications Tout usage De Redresseur De Type Planaire Épitaxial De Silicium De DiodeTOSHIBA
5291SS381Applications Planaires Épitaxiales De Commutateur De Bande De Tuner de VHF De Type De Silicium De DiodeTOSHIBA
5301SS382Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De DiodeTOSHIBA
5311SS383Commutation À grande vitesse Épitaxiale De Basse Tension De Type De Barrière De Schottky De Silicium De DiodeTOSHIBA
5321SS384Commutation À grande vitesse Épitaxiale De Basse Tension De Type De Barrière De Schottky De Silicium De DiodeTOSHIBA
5331SS385Commutation À grande vitesse De Schottky De Silicium De Diode De Type Épitaxial De BarrièreTOSHIBA
5341SS385FCommutation À grande vitesse De Schottky De Silicium De Diode De Type Épitaxial De BarrièreTOSHIBA
5351SS385FVDiode Schottky barrière small-signalTOSHIBA
5361SS387Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De DiodeTOSHIBA
5371SS387CTDiode de commutationTOSHIBA
5381SS388Application À grande vitesse De Commutation De Schottky De Silicium De Diode De Type Épitaxial De BarrièreTOSHIBA
5391SS389Application À grande vitesse De Commutation De Schottky De Silicium De Diode De Type Épitaxial De BarrièreTOSHIBA
5401SS391Commutation À grande vitesse Épitaxiale De Basse Tension De Type De Barrière De Schottky De Silicium De DiodeTOSHIBA
5411SS392Application À grande vitesse De Commutation De Schottky De Silicium De Diode De Type Épitaxial De BarrièreTOSHIBA
5421SS393Application À grande vitesse De Commutation De Schottky De Silicium De Diode De Type Épitaxial De BarrièreTOSHIBA
5431SS394Application À grande vitesse De Commutation De Schottky De Silicium De Diode De Type Épitaxial De BarrièreTOSHIBA
5441SS395Application À grande vitesse De Commutation De Schottky De Silicium De Diode De Type Épitaxial De BarrièreTOSHIBA
5451SS396Commutation À grande vitesse Épitaxiale De Basse Tension De Type De Barrière De Schottky De Silicium De DiodeTOSHIBA
5461SS397Haute tension Planaire Épitaxiale De Diode De Silicium De Diode, Applications À grande vitesse De CommutationTOSHIBA
5471SS398Haute tension Planaire Épitaxiale De Diode De Silicium De Diode, Applications À grande vitesse De CommutationTOSHIBA
5481SS399Haute tension Planaire Épitaxiale De Diode De Silicium De Diode, Applications À grande vitesse De CommutationTOSHIBA
5491SS401Applications À grande vitesse De Commutation De Schottoky De Silicium De Diode De Type Épitaxial De BarrièreTOSHIBA
5501SS402Applications À grande vitesse De Commutation De Schottoky De Silicium De Diode De Type Épitaxial De BarrièreTOSHIBA
5511SS403Applications À haute tension De Commutation De Schottoky De Silicium De Diode De Type Épitaxial De BarrièreTOSHIBA
5521SS404Applications À grande vitesse De Commutation De Type Épitaxial De Shottlky Barrire De Silicium De DiodeTOSHIBA
5531SS405Diode Schottky barrière small-signalTOSHIBA
5541SS406Diode Schottky barrière small-signalTOSHIBA
5551SS412Diode de commutationTOSHIBA
5561SS413Diode Schottky barrière small-signalTOSHIBA
5571SS413CTDiode Schottky barrière small-signalTOSHIBA
5581SS416Diode Schottky barrière small-signalTOSHIBA
5591SS416CTDiode Schottky barrière small-signalTOSHIBA



5601SS417Diode Schottky barrière small-signalTOSHIBA
5611SS417CTDiode Schottky barrière small-signalTOSHIBA
5621SS418Diode Schottky barrière small-signalTOSHIBA
5631SS419Diode Schottky barrière small-signalTOSHIBA
5641SS420Diode Schottky barrière small-signalTOSHIBA
5651SS420CTDiode Schottky barrière small-signalTOSHIBA
5661SS421Diode Schottky barrière small-signalTOSHIBA
5671SS422Diode Schottky barrière small-signalTOSHIBA
5681SS423Diode Schottky barrière small-signalTOSHIBA
5691SS424Diode Schottky barrière small-signalTOSHIBA
5701SS426Diode de commutationTOSHIBA
5711SS427Diode de commutationTOSHIBA
5721SV100DIODE VARIABLE DE CAPACITÉ DE TYPE PLANAIRE ÉPITAXIAL DE SILICIUMTOSHIBA
5731SV101APPLICATIONS PLANAIRES ÉPITAXIALES DE TUNER DU TYPE FM DE CAPACITÉ DE SILICIUM VARIABLE DE DIODETOSHIBA
5741SV102APPLICATIONS D'ACCORD DE CAPACITÉ DE DIODE DE SILICIUM DE BANDE PAR RADIO PLANAIRE ÉPITAXIALE VARIABLE DU TYPE AMTOSHIBA
5751SV103APPLICATIONS D'ACCORD DE CAPACITÉ DE DIODE DE SILICIUM DE BANDE PAR RADIO PLANAIRE ÉPITAXIALE VARIABLE DU TYPE FMTOSHIBA
5761SV123DIODE VARIABLE DE CAPACITÉTOSHIBA
5771SV128APPLICATIONS D'CAtténuateur DE LA BANDE RF DE LA DIODE VHF~uhfTOSHIBA
5781SV147APPLICATIONS D'ACCORD DE CAPACITÉ DE DIODE DE SILICIUM DE BANDE PAR RADIO PLANAIRE ÉPITAXIALE VARIABLE DU TYPE FMTOSHIBA
5791SV149APPLICATIONS D'ACCORD DE CAPACITÉ DE DIODE DE SILICIUM DE BANDE PAR RADIO PLANAIRE ÉPITAXIALE VARIABLE DU TYPE AMTOSHIBA
5801SV153DIODE VARIABLE DE CAPACITÉ DE TYPE PLANAIRE ÉPITAXIAL DE SILICIUMTOSHIBA
5811SV160Demande variable de la diode AFC de capacité de récepteur de FMTOSHIBA
5821SV162DIODE VARIABLE DE CAPACITÉTOSHIBA
5831SV162DIODE VARIABLE DE CAPACITÉTOSHIBA
5841SV172Type Épitaxial De Goupille De Silicium De DiodeTOSHIBA
5851SV214Accord Variable De la Diode TV De CapacitéTOSHIBA
5861SV215Accord Variable De la Diode CATV De CapacitéTOSHIBA
5871SV216Tuner À FRÉQUENCE ULTRA-haute AFC de VHF De la Diode Variable TV De CapacitéTOSHIBA
5881SV217Accord Variable De la Diode CATV De CapacitéTOSHIBA
5891SV225Applications d'accord électroniques de diode variable de capacité des récepteurs de FMTOSHIBA
5901SV228Applications d'accord électroniques de diode variable de capacité des récepteurs de FMTOSHIBA
5911SV229Diode variable VCO de capacité pour la radio À FRÉQUENCE ULTRA-haute de bandeTOSHIBA
5921SV2301er Accord d'cOscillateur De Capacité De Convertisseur Variable De la Diode CATVTOSHIBA
5931SV231Accord Variable De la Diode CATV De CapacitéTOSHIBA
5941SV232Accord Variable De la Diode CATV De CapacitéTOSHIBA
5951SV237Applications Épitaxiales D'Atténuateur De la Bande Rf Du Type VHF~uhf De Goupille De Silicium De DiodeTOSHIBA
5961SV239Diode variable VCO de capacité pour la RADIO UHFTOSHIBA
5971SV242Accord Large De Bande de VHF De la Diode Variable TV De CapacitéTOSHIBA
5981SV245Accord Variable de la Fréquence ultra-haute SHF De Diode De CapacitéTOSHIBA
5991SV252Applications Épitaxiales D'Atténuateur De la Bande Rf Du Type VHF~uhf De Goupille De Silicium De DiodeTOSHIBA
6001SV257Diodes De Varactor de RfTOSHIBA

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