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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
7701TC554001FTL-70524.288 RAM de la CHARGE STATIQUE des MOTS X 8BITTOSHIBA
7702TC554001FTL-70L524.288 RAM de la CHARGE STATIQUE des MOTS X 8BITTOSHIBA
7703TC554001FTL-70L524.288 RAM de la CHARGE STATIQUE des MOTS X 8BITTOSHIBA
7704TC554001FTL-70V524, 288 mots de 8 bits x RAM statique, de 70 ns de temps d'accèsTOSHIBA
7705TC554001FTL-85524.288 RAM de la CHARGE STATIQUE des MOTS X 8BITTOSHIBA
7706TC554001FTL-85524.288 RAM de la CHARGE STATIQUE des MOTS X 8BITTOSHIBA
7707TC554001FTL-85V524, 288 mots de 8 bits x RAM statique, 85 ns de temps d'accèsTOSHIBA
7708TC554161ASRAM - Basse PuissanceTOSHIBA
7709TC554161A-VSRAM - Basse PuissanceTOSHIBA
7710TC554161AFT-10262.144-MOTS PAR LA RAM DE 16-bit STATICTOSHIBA
7711TC554161AFT-10L262.144-MOTS PAR LA RAM DE 16-bit STATICTOSHIBA
7712TC554161AFT-10V262.144-MOTS PAR LA RAM DE 16-bit STATICTOSHIBA
7713TC554161AFT-70262.144-MOTS PAR LA RAM DE 16-bit STATICTOSHIBA
7714TC554161AFT-70L262.144-MOTS PAR LA RAM DE 16-bit STATICTOSHIBA
7715TC554161AFT-70V262.144-MOTS PAR LA RAM DE 16-bit STATICTOSHIBA
7716TC554161AFT-85262.144-MOTS PAR LA RAM DE 16-bit STATICTOSHIBA
7717TC554161AFT-85L262.144-MOTS PAR LA RAM DE 16-bit STATICTOSHIBA
7718TC554161AFT-85V262.144-MOTS PAR LA RAM DE 16-bit STATICTOSHIBA
7719TC554161AFTI-10262.144-MOTS PAR LA RAM DE 16-bit STATICTOSHIBA
7720TC554161AFTI-10L262.144-MOTS PAR LA RAM DE 16-bit STATICTOSHIBA
7721TC554161AFTI-70262.144-MOTS PAR LA RAM DE 16-bit STATICTOSHIBA
7722TC554161AFTI-70L262.144-MOTS PAR LA RAM DE 16-bit STATICTOSHIBA
7723TC554161AFTI-85262.144-MOTS PAR LA RAM DE 16-bit STATICTOSHIBA
7724TC554161AFTI-85L262.144-MOTS PAR LA RAM DE 16-bit STATICTOSHIBA
7725TC554161AISRAM - Basse PuissanceTOSHIBA
7726TC554161FTI-10262.144-MOTS PAR LA RAM DE 16-bit STATICTOSHIBA
7727TC554161FTI-10262.144-MOTS PAR LA RAM DE 16-bit STATICTOSHIBA
7728TC554161FTI-10L262.144-MOTS PAR LA RAM DE 16-bit STATICTOSHIBA
7729TC554161FTI-10L262.144-MOTS PAR LA RAM DE 16-bit STATICTOSHIBA
7730TC554161FTI-85262.144-MOTS PAR LA RAM DE 16-bit STATICTOSHIBA
7731TC554161FTI-85262.144-MOTS PAR LA RAM DE 16-bit STATICTOSHIBA
7732TC554161FTI-85L262.144-MOTS PAR LA RAM DE 16-bit STATICTOSHIBA
7733TC554161FTI-85L262.144-MOTS PAR LA RAM DE 16-bit STATICTOSHIBA
7734TC554161FTL262.144-MOTS PAR LA RAM DE 16-bit STATICTOSHIBA
7735TC554161FTL262.144-MOTS PAR LA RAM DE 16-bit STATICTOSHIBA
7736TC554161FTL-10262, 144 mots de 16 bits RAM statique, 100 ns de temps d'accèsTOSHIBA
7737TC554161FTL-10L262.144-262,144-WORD PAR LA RAM DE CHARGE STATIQUE DE 16 BITSTOSHIBA
7738TC554161FTL-10L262.144-262,144-WORD PAR LA RAM DE CHARGE STATIQUE DE 16 BITSTOSHIBA
7739TC554161FTL-10V262.144-MOTS PAR LA RAM DE 16-bit STATICTOSHIBA
7740TC554161FTL-10V262.144-MOTS PAR LA RAM DE 16-bit STATICTOSHIBA
7741TC554161FTL-70262, 144 mots de 16 bits RAM statique, 70ns de temps d'accèsTOSHIBA
7742TC554161FTL-70L262.144-262,144-WORD PAR LA RAM DE CHARGE STATIQUE DE 16 BITSTOSHIBA
7743TC554161FTL-70L262.144-262,144-WORD PAR LA RAM DE CHARGE STATIQUE DE 16 BITSTOSHIBA
7744TC554161FTL-70V262.144-MOTS PAR LA RAM DE 16-bit STATICTOSHIBA
7745TC554161FTL-70V262.144-MOTS PAR LA RAM DE 16-bit STATICTOSHIBA
7746TC554161FTL-85262, 144 mots de 16 bits RAM statique, 85 ns de temps d'accèsTOSHIBA
7747TC554161FTL-85L262.144-262,144-WORD PAR LA RAM DE CHARGE STATIQUE DE 16 BITSTOSHIBA
7748TC554161FTL-85L262.144-262,144-WORD PAR LA RAM DE CHARGE STATIQUE DE 16 BITSTOSHIBA
7749TC554161FTL-85V262.144-MOTS PAR LA RAM DE 16-bit STATICTOSHIBA
7750TC554161FTL-85V262.144-MOTS PAR LA RAM DE 16-bit STATICTOSHIBA
7751TC55465AJ-1515ns; 120mA; V (cc): -0,1 à + 7V; V (in / out); -2,0 À + 7,0 V; 1W; Silicon CMOS périssables 65.536 mots x 4 bits CMOS RAM statiqueTOSHIBA
7752TC55465AJ-2020ns; 100mA; V (cc): -0,1 à + 7V; V (in / out); -2,0 À + 7,0 V; 1W; Silicon CMOS périssables 65.536 mots x 4 bits CMOS RAM statiqueTOSHIBA
7753TC55465AJ-2525ns; 100mA; V (cc): -0,1 à + 7V; V (in / out); -2,0 À + 7,0 V; 1W; Silicon CMOS périssables 65.536 mots x 4 bits CMOS RAM statiqueTOSHIBA
7754TC55465AJ-3535ns; 100mA; V (cc): -0,1 à + 7V; V (in / out); -2,0 À + 7,0 V; 1W; Silicon CMOS périssables 65.536 mots x 4 bits CMOS RAM statiqueTOSHIBA
7755TC55465AP-2020ns; 120mA; V (cc): -0,1 à + 7V; V (in / out); -2,0 À + 7,0 V; 1W; Silicon CMOS périssables 65.536 mots x 4 bits CMOS RAM statiqueTOSHIBA
7756TC55465AP-2525ns; 120mA; V (cc): -0,1 à + 7V; V (in / out); -2,0 À + 7,0 V; 1W; Silicon CMOS périssables 65.536 mots x 4 bits CMOS RAM statiqueTOSHIBA
7757TC55465AP-3535ns; 120mA; V (cc): -0,1 à + 7V; V (in / out); -2,0 À + 7,0 V; 1W; Silicon CMOS périssables 65.536 mots x 4 bits CMOS RAM statiqueTOSHIBA
7758TC5564AFL-158.192 WORD X RAM De CHARGE STATIQUE De 8 BITS CMOSTOSHIBA
7759TC5564AFL-158.192 WORD X RAM De CHARGE STATIQUE De 8 BITS CMOSTOSHIBA
7760TC5564AFL-208.192 WORD X RAM De CHARGE STATIQUE De 8 BITS CMOSTOSHIBA
7761TC5564AFL-208.192 WORD X RAM De CHARGE STATIQUE De 8 BITS CMOSTOSHIBA



7762TC5564APL-15-0,3 À 7V; 1W; 150 ns; 8192 x 8bit mot MOS RAM statiqueTOSHIBA
7763TC5564APL-208.192 WORD X RAM De CHARGE STATIQUE De 8 BITS CMOSTOSHIBA
7764TC5564APL-208.192 WORD X RAM De CHARGE STATIQUE De 8 BITS CMOSTOSHIBA
7765TC5565AFL-10mémoire à accès sélective statique de 65.536 bits organisée entant que 8.192 mots par 8 bits en utilisant la technologie de CMOSTOSHIBA
7766TC5565AFL-10mémoire à accès sélective statique de 65.536 bits organisée entant que 8.192 mots par 8 bits en utilisant la technologie de CMOSTOSHIBA
7767TC5565AFL-12mémoire à accès sélective statique de 65.536 bits organisée entant que 8.192 mots par 8 bits en utilisant la technologie de CMOSTOSHIBA
7768TC5565AFL-12mémoire à accès sélective statique de 65.536 bits organisée entant que 8.192 mots par 8 bits en utilisant la technologie de CMOSTOSHIBA
7769TC5565AFL-15mémoire à accès sélective statique de 65.536 bits organisée entant que 8.192 mots par 8 bits en utilisant la technologie de CMOSTOSHIBA
7770TC5565AFL-15mémoire à accès sélective statique de 65.536 bits organisée entant que 8.192 mots par 8 bits en utilisant la technologie de CMOSTOSHIBA
7771TC5565APLmémoire à accès sélective statique de 65.536 bits organisée entant que 8.192 mots par 8 bits en utilisant la technologie de CMOSTOSHIBA
7772TC5565APLmémoire à accès sélective statique de 65.536 bits organisée entant que 8.192 mots par 8 bits en utilisant la technologie de CMOSTOSHIBA
7773TC5565APL-10mémoire à accès sélective statique de 65.536 bits organisée entant que 8.192 mots par 8 bits en utilisant la technologie de CMOSTOSHIBA
7774TC5565APL-10mémoire à accès sélective statique de 65.536 bits organisée entant que 8.192 mots par 8 bits en utilisant la technologie de CMOSTOSHIBA
7775TC5565APL-12mémoire à accès sélective statique de 65.536 bits organisée entant que 8.192 mots par 8 bits en utilisant la technologie de CMOSTOSHIBA
7776TC5565APL-12mémoire à accès sélective statique de 65.536 bits organisée entant que 8.192 mots par 8 bits en utilisant la technologie de CMOSTOSHIBA
7777TC5565APL-15mémoire à accès sélective statique de 65.536 bits organisée entant que 8.192 mots par 8 bits en utilisant la technologie de CMOSTOSHIBA
7778TC5565APL-15mémoire à accès sélective statique de 65.536 bits organisée entant que 8.192 mots par 8 bits en utilisant la technologie de CMOSTOSHIBA
7779TC558128AJ131.072-131,072-WORD PAR LA RAM DE CHARGE STATIQUE DE 8-BIT CMOSTOSHIBA
7780TC558128AJ131.072-131,072-WORD PAR LA RAM DE CHARGE STATIQUE DE 8-BIT CMOSTOSHIBA
7781TC558128AJ-15131.072-131,072-WORD PAR LA RAM DE CHARGE STATIQUE DE 8-BIT CMOSTOSHIBA
7782TC558128AJ-15131.072-131,072-WORD PAR LA RAM DE CHARGE STATIQUE DE 8-BIT CMOSTOSHIBA
7783TC558128AJ-20131 072 mots de 8 bits CMOS RAM statique, 20ns de temps d'accèsTOSHIBA
7784TC558128BFT-12131.072-131,072-WORD PAR LA RAM DE CHARGE STATIQUE DE 8-BIT CMOSTOSHIBA
7785TC558128BFT-12131.072-131,072-WORD PAR LA RAM DE CHARGE STATIQUE DE 8-BIT CMOSTOSHIBA
7786TC558128BFT-15131.072-131,072-WORD PAR LA RAM DE CHARGE STATIQUE DE 8-BIT CMOSTOSHIBA
7787TC558128BFT-15131.072-131,072-WORD PAR LA RAM DE CHARGE STATIQUE DE 8-BIT CMOSTOSHIBA
7788TC558128BJ131.072-131,072-WORD PAR LA RAM DE CHARGE STATIQUE DE 8-BIT CMOSTOSHIBA
7789TC558128BJ131.072-131,072-WORD PAR LA RAM DE CHARGE STATIQUE DE 8-BIT CMOSTOSHIBA
7790TC558128BJ-12131.072-131,072-WORD PAR LA RAM DE CHARGE STATIQUE DE 8-BIT CMOSTOSHIBA
7791TC558128BJ-12131.072-131,072-WORD PAR LA RAM DE CHARGE STATIQUE DE 8-BIT CMOSTOSHIBA
7792TC558128BJ-15131.072-131,072-WORD PAR LA RAM DE CHARGE STATIQUE DE 8-BIT CMOSTOSHIBA
7793TC558128BJ-15131.072-131,072-WORD PAR LA RAM DE CHARGE STATIQUE DE 8-BIT CMOSTOSHIBA
7794TC55NEM208ASRAM - Basse PuissanceTOSHIBA
7795TC55NEM208A-VSRAM - Basse PuissanceTOSHIBA
7796TC55NEM208AFPNPORTE DE SILICIUM EXPÉRIMENTALE DE CIRCUIT INTÉGRÉ DE MOS DIGITALDE TOSHIBA CMOSTOSHIBA
7797TC55NEM208AFPNPORTE DE SILICIUM EXPÉRIMENTALE DE CIRCUIT INTÉGRÉ DE MOS DIGITALDE TOSHIBA CMOSTOSHIBA
7798TC55NEM208AFPN55524.288-MOTS PAR LA RAM DE 8-bit STATICTOSHIBA
7799TC55NEM208AFPN70524.288-MOTS PAR LA RAM DE 8-bit STATICTOSHIBA
7800TC55NEM208AFTNPORTE DE SILICIUM EXPÉRIMENTALE DE CIRCUIT INTÉGRÉ DE MOS DIGITALDE TOSHIBA CMOSTOSHIBA

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