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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
801200FXH13DIODE(highspeedrectifierapplications)TOSHIBA
80220DL2C41AAPPLICATION ÉPITAXIALE DE CONVERTISSEUR ET DE DÉCOUPEUR D'CApplications D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE TYPE DE SILICIUM DE LA PILE DE DIODE DE RENDEMENT ÉLEVÉ (HED)TOSHIBA
80320DL2C48AAPPLICATION ÉPITAXIALE DE CONVERTISSEUR ET DE DÉCOUPEUR D'CApplication D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE TYPE DE SILICIUM DE LA PILE DE DIODE DE RENDEMENT ÉLEVÉ (HED)TOSHIBA
80420DL2CZ47AAPPLICATION ÉPITAXIALE DE CONVERTISSEUR ET DE DÉCOUPEUR D'CApplications D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE TYPE DE SILICIUM DE LA PILE DE DIODE DE RENDEMENT ÉLEVÉ (HED)TOSHIBA
80520DL2CZ51AAPPLICATION ÉPITAXIALE DE CONVERTISSEUR ET DE DÉCOUPEUR D'CApplications D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE TYPE DE SILICIUM DE LA PILE DE DIODE DE RENDEMENT ÉLEVÉ (HED)TOSHIBA
80620FL2C41AAPPLICATION ÉPITAXIALE DE CONVERTISSEUR ET DE DÉCOUPEUR D'CApplications D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE TYPE DE SILICIUM DE LA PILE DE DIODE DE RENDEMENT ÉLEVÉ (HED)TOSHIBA
80720FL2C48AAPPLICATION ÉPITAXIALE DE CONVERTISSEUR ET DE DÉCOUPEUR D'CApplication D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE TYPE DE SILICIUM DE LA PILE DE DIODE DE RENDEMENT ÉLEVÉ (HED)TOSHIBA
80820FL2CZ47AAPPLICATION ÉPITAXIALE DE CONVERTISSEUR ET DE DÉCOUPEUR D'CApplications D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE TYPE DE SILICIUM DE LA PILE DE DIODE DE RENDEMENT ÉLEVÉ (HED)TOSHIBA
80920FL2CZ51AAPPLICATION ÉPITAXIALE DE CONVERTISSEUR ET DE DÉCOUPEUR D'CApplications D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE TYPE DE SILICIUM DE LA PILE DE DIODE DE RENDEMENT ÉLEVÉ (HED)TOSHIBA
81020FWJ2C48MALIMENTATION D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE PILE DE REDRESSEUR DE BARRIÈRE DE SCHOTTKY, CONVERTISSEUR ET APPLICATION DE DÉCOUPEURTOSHIBA
81120FWJ2CZ47MAPPLICATION DE CONVERTISSEUR ET DE DÉCOUPEUR D'CApplication D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE PILE DE REDRESSEUR DE BARRIÈRE DE SCHOTTKYTOSHIBA
81220GL2C41AAPPLICATION ÉPITAXIALE DE CONVERTISSEUR ET DE DÉCOUPEUR D'CApplications D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE TYPE DE SILICIUM DE LA PILE DE DIODE DE RENDEMENT ÉLEVÉ (HED)TOSHIBA
81320JL2C41APPLICATION ÉPITAXIALE DE CONVERTISSEUR ET DE DÉCOUPEUR D'CApplications D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE TYPE DE SILICIUM DE LA PILE DE DIODE DE RENDEMENT ÉLEVÉ (HED)TOSHIBA
81420JL2C41AAPPLICATION ÉPITAXIALE DE CONVERTISSEUR ET DE DÉCOUPEUR D'CApplications D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE TYPE DE SILICIUM DE LA PILE DE DIODE DE RENDEMENT ÉLEVÉ (HED)TOSHIBA
81520L6P45RECTIFIERMODULE(threephasefullwavebridgeaplications)TOSHIBA
81620U6P45RECTIFIERMODULE(threephasefullwavebridgeapplications)TOSHIBA
8172AS1832FTRANSISTOR (APPLICATIONS TOUT USAGE D'CAmplificateur DE FRÉQUENCE SONORE)TOSHIBA
8182FWJ42MAPPLICATION PORTATIVE DE BATTERIE D'CÉquipement D'CApplication D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE REDRESSEUR DE BARRIÈRE DE SCHOTTKYTOSHIBA
8192FWJ42NAPPLICATIONS À GRANDE VITESSE DE REDRESSEUR DE REDRESSEUR DE BARRIÈRE DE SCHOTTKYTOSHIBA
8202GLZ47AREDRESSEUR DE RENDEMENT ÉLEVÉ (APPLICATION D'CAlimentation D'CÉnergie DE TYPE DE COMMUTATION)TOSHIBA
8212GUZ47DIODE (APPLICATION D'CAlimentation D'CÉnergie DE TYPE DE COMMUTATION)TOSHIBA
8222GWJ2C42APPLICATION DE CONVERTISSEUR ET DE DÉCOUPEUR D'CApplication D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE PILE DE REDRESSEUR DE BARRIÈRE DE SCHOTTKYTOSHIBA
8232GWJ42APPLICATIONS À GRANDE VITESSE DE REDRESSEUR DE REDRESSEUR DE BARRIÈRE DE SCHOTTKYTOSHIBA
8242GWJ42CAPPLICATIONS À GRANDE VITESSE DE REDRESSEUR DE REDRESSEUR DE BARRIÈRE DE SCHOTTKYTOSHIBA
8252NH45REDRESSEUR RAPIDE DE RÉTABLISSEMENT (TYPE APPLICATIONSDE COMMUTATION D'ALIMENTATION D'ÉNERGIE)TOSHIBA
8262NU41REDRESSEUR RAPIDE SUPERBE DE RÉTABLISSEMENT (APPLICATIONS D'CAlimentation D'CÉnergie DE TYPE DE COMMUTATION)TOSHIBA
8272SA1012APPLICATIONS COURANTES ÉLEVÉES ÉPITAXIALES DE COMMUTATION DE TYPE DU SILICIUM PNP DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT).TOSHIBA
8282SA1013COULEUR ÉPITAXIALE TV VERT DE TYPE DU SILICIUM PNP DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT). RENDEMENT De DÉBATTEMENT, APPLICATIONS SAINES De RENDEMENT De la CLASSE B De la COULEUR TVTOSHIBA
8292SA1015Applications tout usage épitaxiales d'amplificateur d'étape de conducteur d'applications d'amplificateur de fréquence sonore de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT)TOSHIBA
8302SA1015(L)Applications d'amplificateur de bruit de type du silicium PNP de transistor basses (processus de PCT) de fréquence sonore d'applications épitaxiales d'amplificateurTOSHIBA
8312SA1015LTRANSISTOR (APPLICATIONS D'CAmplificateur DE FRÉQUENCE SONORE)TOSHIBA
8322SA1020APPLICATIONS ÉPITAXIALES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE TYPE DU SILICIUM PNP DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT), APPLICATIONS DE COMMUTATION DE PUISSANCE.TOSHIBA
8332SA1048Applications épitaxiales d'amplificateur de fréquence sonore de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT)TOSHIBA
8342SA1048(L)Applications de fréquence sonore de bruit de type du silicium PNP de transistor basses (processus de PCT) de fréquence sonore d'applications épitaxiales d'amplificateurTOSHIBA
8352SA1048LTRANSISTOR (APPLICATIONS D'CAmplificateur DE FRÉQUENCE SONORE)TOSHIBA
8362SA1049Applications épitaxiales d'amplificateur de fréquence sonore de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT)TOSHIBA
8372SA1091Le silicium PNP de transistor triplent l'affichage de plasma à haute tension diffus d'applications de commande de type (processus de PCT), applications de contrôle de luminosité de tube cathodique d'applications de conducteur de tube de NiTOSHIBA
8382SA1093TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP (PROCESSUS DE PCT)TOSHIBA
8392SA1093TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP (PROCESSUS DE PCT)TOSHIBA
8402SA1095Type Épitaxial Du Silicium PNP (Processus de PCT)TOSHIBA
8412SA1145APPLICATIONS ÉPITAXIALES D'CAmplificateur DE FRÉQUENCE SONORE DE TYPE DU SILICIUM PNP DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT)TOSHIBA
8422SA1150Applications de basse fréquence épitaxiales d'amplificateur de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT)TOSHIBA
8432SA1160APPLICATIONS MOYENNES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE TYPE DU SILICIUM PNP DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT) D'CApplications ÉPITAXIALES DE STROBOSCOPETOSHIBA
8442SA1162Applications tout usage épitaxiales d'amplificateur de fréquence sonore de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT)TOSHIBA
8452SA1163Applications tout usage épitaxiales d'amplificateur de fréquence sonore de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT)TOSHIBA
8462SA1182Applications épitaxiales d'amplificateur d'étape de conducteur d'applications d'amplificateur de puissance de fréquence sonore du silicium PNP de transistor (processus de PCT) basses commutant des applicationsTOSHIBA
8472SA1195TRANSISTOR ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNPTOSHIBA
8482SA1195TRANSISTOR ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNPTOSHIBA
8492SA1200Le silicium PNP de transistor triplent des applications à haute tension diffuses de commutation de type (processus de PCT)TOSHIBA
8502SA1201Applications épitaxiales d'amplificateur de puissance d'applications d'amplificateur de tension de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT)TOSHIBA
8512SA1202Applications épitaxiales d'amplificateur de tension d'applications d'amplificateur de puissance de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT)TOSHIBA
8522SA1203Applications épitaxiales d'amplificateur de fréquence sonore de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT)TOSHIBA
8532SA1204Applications épitaxiales d'amplificateur de fréquence sonore de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT)TOSHIBA
8542SA1213Les applications épitaxiales d'amplificateur de puissance de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) actionnent des applications de commutationTOSHIBA
8552SA1217TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP (PROCESSUS DE PCT)TOSHIBA
8562SA1217TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP (PROCESSUS DE PCT)TOSHIBA
8572SA1225Applications épitaxiales d'amplificateur d'étape de conducteur d'applications d'amplificateur de puissance de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT)TOSHIBA
8582SA1241Les applications épitaxiales d'amplificateur de puissance de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) actionnent des applications de commutationTOSHIBA
8592SA1242Applications moyennes d'amplificateur de puissance de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) de stroboscope d'applications épitaxiales d'instantanéTOSHIBA



8602SA1244Applications courantes élevées épitaxiales de commutation de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT)TOSHIBA
8612SA1245Applications à haute fréquence d'amplificateur d'amplificateur de type planaire épitaxial du silicium PNP de transistor basses et de bruit de bande des applications VHF~uhf de commutationTOSHIBA
8622SA1255Le silicium PNP de transistor triplent (processus de PCT) des applications à haute tension diffuses de commutationTOSHIBA
8632SA1263TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM PNPTOSHIBA
8642SA1263TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM PNPTOSHIBA
8652SA1264TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM PNPTOSHIBA
8662SA1265Applications D'Amplificateur De PuissanceTOSHIBA
8672SA1293Applications Courantes Élevées De Commutation de TYPE du SILICIUM PNP PITAXIAL de TRANSISTOR (PROCESSUS de PCT)TOSHIBA
8682SA1296Les applications épitaxiales d'amplificateur de puissance de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) actionnent des applications de commutationTOSHIBA
8692SA1297Les applications épitaxiales d'amplificateur de puissance de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) actionnent des applications de commutationTOSHIBA
8702SA1298Applications de basse fréquence épitaxiales de commutation de puissance d'application d'amplificateur de puissance du silicium PNP de transistor (processus de PCT)TOSHIBA
8712SA1300Applications moyennes d'amplificateur de puissance de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) de stroboscope d'applications épitaxiales d'instantanéTOSHIBA
8722SA1304TRANSISTOR (AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE/APPLICATIONS VERTICALES DE RENDEMENT)TOSHIBA
8732SA1306Série Du Paquet To-220TOSHIBA
8742SA1306B1,5 A; 200V; 20W; silicium épitaxiale de type PNP stransistor. Pour des applications d'amplification de puissance, les applications de l'amplificateur d'étage de conducteurTOSHIBA
8752SA1312Applications épitaxiales d'amplificateur de bruit de fréquence sonore de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) bassesTOSHIBA
8762SA1313Applications épitaxiales d'amplificateur d'étape de conducteur d'applications d'amplificateur de puissance de fréquence sonore de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) basses commutant des applicationsTOSHIBA
8772SA1314Applications audio de puissance de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) de stroboscope d'applications épitaxiales d'instantanéTOSHIBA
8782SA1315Les applications épitaxiales d'amplificateur de puissance de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) actionnent des applications de commutationTOSHIBA
8792SA1316Type épitaxial du silicium PNP de transistor (processus de PCT) pour des applications audio d'amplificateur de bas bruit et recommandé pour les premières étapes des amplificateurs principaux de MCTOSHIBA
8802SA1320Le silicium PNP de transistor triplent des applications à haute tension diffuses de rendement de chroma de la couleur TV d'applications de commutation de type (processus de PCT)TOSHIBA
8812SA1321COMMUTATION À HAUTE TENSION DIFFUSE TRIPLE DE TYPE DU SILICIUM PNP DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT), APPLICATIONS DE RENDEMENT DE CHROMA DE LA COULEUR TV.TOSHIBA
8822SA1327AApplications audio d'amplificateur de puissance de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) de stroboscope d'applications épitaxiales d'instantanéTOSHIBA
8832SA1328TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP (PROCESSUS DE PCT)TOSHIBA
8842SA1328TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP (PROCESSUS DE PCT)TOSHIBA
8852SA1329TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP (PROCESSUS DE PCT)TOSHIBA
8862SA1329TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP (PROCESSUS DE PCT)TOSHIBA
8872SA1349TRANSISTOR (APPLICATIONS AUDIO D'CAmplificateur DE BAS BRUIT. RECOMMANDÉ POUR LA CASCADE/APPLICATIONS DE CIRCUIT COURANTES DE MIROIR DES PREMIÈRES ÉTAPES DE PRÉ/DE AMPL PRINCIPALTOSHIBA
8882SA1356APPLICATION AUDIO ÉPITAXIALE D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE TYPE DU SILICIUM PNP DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT)TOSHIBA
8892SA1357APPLICATIONS AUDIO D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE TYPE DU SILICIUM PNP DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT) DE STROBOSCOPE D'CApplications ÉPITAXIALES D'CInstantanéTOSHIBA
8902SA1358APPLICATIONS ÉPITAXIALES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE FRÉQUENCE SONORE DE TYPE DU SILICIUM PNP DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT)TOSHIBA
8912SA1359AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE À VITESSE RÉDUITE ÉPITAXIAL DE FRÉQUENCE SONORE DE COMMUTATION DE TYPE DU SILICIUM PNP DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT)TOSHIBA
8922SA1360APPLICATIONS ÉPITAXIALES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE FRÉQUENCE SONORE DE TYPE DU SILICIUM PNP DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT)TOSHIBA
8932SA13612SA1361TOSHIBA
8942SA13612SA1361TOSHIBA
8952SA1362TransistorTOSHIBA
8962SA1382AMPLIFICATEUR de PUISSANCE ÉPITAXIAL de TYPE du SILICIUM PNP de TRANSISTOR (PROCESSUS de PCT), Applications À grande vitesse De CommutationTOSHIBA
8972SA1384Le silicium PNP de transistor triplent l'affichage de plasma À HAUTE TENSION diffus d'applications de commande de type (processus de PCT), applications de contrôle de luminosité de tube cathodique d'applications de conducteur de tube de NiTOSHIBA
8982SA13882SA1388TOSHIBA
8992SA13882SA1388TOSHIBA
9002SA1408COULEUR ÉPITAXIALE TV VERT DE TYPE DU SILICIUM PNP DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT). APPLICATIONS SAINES De RENDEMENT De RENDEMENT De DÉBATTEMENT ET De CLASSE B De la COULEUR TVTOSHIBA

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