Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
1175921 | STP21N06L | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
1175922 | STP21N06LFI | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
1175923 | STP21N06LFI | N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De SEUIL De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE BAS | SGS Thomson Microelectronics |
1175924 | STP21N06LFI | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
1175925 | STP21N65M5 | N-canal 650 V, 0,150 Ohm, 17 A MDmesh (TM) V MOSFET de puissance dans TO-220 | ST Microelectronics |
1175926 | STP21N90K5 | N-canal 900 V, 0,25 Ohm, 18,5 Un SuperMESH TO-220 Zener protégé (TM) 5 MOSFET de puissance | ST Microelectronics |
1175927 | STP21NM60ND | N-canal 600 V, 0,17 Ohm typ., 17 A, FDmesh (TM) II MOSFET de puissance (diode rapide de Pentecôte) dans TO-220 paquet | ST Microelectronics |
1175928 | STP22NE03 | N - Transistor MOSFET SIMPLE De PUISSANCE De TAILLE De DISPOSITIF DeMODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | ST Microelectronics |
1175929 | STP22NE03 | N - Transistor MOSFET SIMPLE De PUISSANCE De TAILLE De DISPOSITIF DeMODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | ST Microelectronics |
1175930 | STP22NE03L | Transistor MOSFET SIMPLE de PUISSANCE de TAILLE de DISPOSITIF de MODE de PERFECTIONNEMENT De N-canal | ST Microelectronics |
1175931 | STP22NE03L | N - Transistor MOSFET De PUISSANCE "De TAILLE SIMPLE De DISPOSITIF" De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
1175932 | STP22NE10L | N-canal 55V - 0,07 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 2À STRIPFET | ST Microelectronics |
1175933 | STP22NE10L | N - la MANCHE 100V - 0,07 Ohms - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 2À To-220 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
1175934 | STP22NF03L | Transistor MOSFET de PUISSANCE de l'cOhm 2À To-220 STRIPFET Du N-canal 30V 0,038 | ST Microelectronics |
1175935 | STP22NF03L | Transistor MOSFET de PUISSANCE de l'cOhm 2À To-220 STRIPFET Du N-canal 30V 0,038 | SGS Thomson Microelectronics |
1175936 | STP22NM50 | N-canal 500 V - 0,16 OHMS - 20 Un Transistor MOSFET de PUISSANCE De To-220/fp/d2pak/i2pak MDMESH | ST Microelectronics |
1175937 | STP22NM50FP | N-canal 500 V - 0,16 OHMS - 20 Un Transistor MOSFET de PUISSANCE De To-220/fp/d2pak/i2pak MDMESH | ST Microelectronics |
1175938 | STP22NM60 | N-canal 600 V - 0,19 OHMS - 22 Un Transistor MOSFET de PUISSANCE De To-220/fp/d2pak/i2pak MDMESH | ST Microelectronics |
1175939 | STP22NM60FP | N-canal 600 V - 0,19 OHMS - 22 Un Transistor MOSFET de PUISSANCE De To-220/fp/d2pak/i2pak MDMESH | ST Microelectronics |
1175940 | STP22NM60N | N-canal 600 V, 0,2 Ohm, 16 A MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans TO-220 | ST Microelectronics |
1175941 | STP22NS25Z | l'cOhm 2À To-220/D2PAK Du N-canal 250V 0,13 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de RECOUVREMENT de MAILLE | ST Microelectronics |
1175942 | STP23NM50N | N-canal 500 V, 0,162 Ohm, 17 A, TO-220 MDmesh (TM) II MOSFET de puissance | ST Microelectronics |
1175943 | STP23NM60ND | N-canal 600 V, 0,150 Ohm, 19,5 A, FDmesh II MOSFET de puissance (avec diode rapide) TO-220 | ST Microelectronics |
1175944 | STP240N10F7 | N-canal 100 V, 2,5 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans un boîtier TO-220 | ST Microelectronics |
1175945 | STP24DP05 | Constante de 24 bits conducteur de courant de LED évier avec détection d'erreur de sortie | ST Microelectronics |
1175946 | STP24DP05BTR | Constante de 24 bits conducteur de courant de LED évier avec détection d'erreur de sortie | ST Microelectronics |
1175947 | STP24N60DM2 | N-canal 600 V, 0,175 Ohm typ., 18 A FDmesh II Plus (TM) à faible MOSFET Qg Puissance en package TO-220 | ST Microelectronics |
1175948 | STP24N60M2 | N-canal 600 V, 0,168 Ohm typ., 18 A MDmesh II Plus (TM) à faible MOSFET Qg Puissance en package TO-220 | ST Microelectronics |
1175949 | STP24NF10 | N-canal 100V - 0,055 OHMS - 2Ã To-220/BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET II PORTE de D2PAK | ST Microelectronics |
1175950 | STP24NF10 | N - la MANCHE 100V - 0.07Ohm - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE De STripFET de CHARGE de PORTE De 2Â To-220 | SGS Thomson Microelectronics |
1175951 | STP24NM60N | N-canal 600 V, 0,168 Ohm, 17 A MDmesh (TM) II MOSFET de puissance TO-220 | ST Microelectronics |
1175952 | STP25N06 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
1175953 | STP25N06 | N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
1175954 | STP25N06FI | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
1175955 | STP25N06FI | N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
1175956 | STP25N10F7 | N-canal 100 V, 0,027 Ohm typ., 25 A, STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans TO-220 paquet | ST Microelectronics |
1175957 | STP25N80K5 | N-canal 800 V, 0,19 Ohm typ., 19,5 Un SuperMESH (TM) 5 MOSFET de puissance dans TO-220 paquet | ST Microelectronics |
1175958 | STP25NM50N | N-canal 550V @ TjMAX - 0,12 Ohms - 21,5 Transistor MOSFET De MDmesh de GÉNÉRATION De A To-220/to-220fp/d2pak/i2pak/to-247 DEUXIÈME | ST Microelectronics |
1175959 | STP25NM60N | Transistor MOSFET De MDmesh de GÉNÉRATION Du N-canal 650 @Tjmax-0.140&-20A To-220/to-220fp/d2pak/i2pak/to-247 DEUXIÈME | ST Microelectronics |
1175960 | STP25NM60ND | N-canal 600 V, 0,13 Ohm typ., 21 A FDmesh (TM) II MOSFET de puissance (avec diode rapide) dans TO-220 paquet | ST Microelectronics |
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