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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
1175921STP21N06LVIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dansSGS Thomson Microelectronics
1175922STP21N06LFIVIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dansST Microelectronics
1175923STP21N06LFIN - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De SEUIL De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE BASSGS Thomson Microelectronics
1175924STP21N06LFIVIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dansSGS Thomson Microelectronics
1175925STP21N65M5N-canal 650 V, 0,150 Ohm, 17 A MDmesh (TM) V MOSFET de puissance dans TO-220ST Microelectronics
1175926STP21N90K5N-canal 900 V, 0,25 Ohm, 18,5 Un SuperMESH TO-220 Zener protégé (TM) 5 MOSFET de puissanceST Microelectronics
1175927STP21NM60NDN-canal 600 V, 0,17 Ohm typ., 17 A, FDmesh (TM) II MOSFET de puissance (diode rapide de Pentecôte) dans TO-220 paquetST Microelectronics
1175928STP22NE03N - Transistor MOSFET SIMPLE De PUISSANCE De TAILLE De DISPOSITIF DeMODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHEST Microelectronics
1175929STP22NE03N - Transistor MOSFET SIMPLE De PUISSANCE De TAILLE De DISPOSITIF DeMODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHEST Microelectronics
1175930STP22NE03LTransistor MOSFET SIMPLE de PUISSANCE de TAILLE de DISPOSITIF de MODE de PERFECTIONNEMENT De N-canalST Microelectronics
1175931STP22NE03LN - Transistor MOSFET De PUISSANCE "De TAILLE SIMPLE De DISPOSITIF" De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHESGS Thomson Microelectronics
1175932STP22NE10LN-canal 55V - 0,07 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 2À STRIPFETST Microelectronics
1175933STP22NE10LN - la MANCHE 100V - 0,07 Ohms - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 2À To-220 STripFETSGS Thomson Microelectronics
1175934STP22NF03LTransistor MOSFET de PUISSANCE de l'cOhm 2À To-220 STRIPFET Du N-canal 30V 0,038ST Microelectronics
1175935STP22NF03LTransistor MOSFET de PUISSANCE de l'cOhm 2À To-220 STRIPFET Du N-canal 30V 0,038SGS Thomson Microelectronics
1175936STP22NM50N-canal 500 V - 0,16 OHMS - 20 Un Transistor MOSFET de PUISSANCE De To-220/fp/d2pak/i2pak MDMESHST Microelectronics
1175937STP22NM50FPN-canal 500 V - 0,16 OHMS - 20 Un Transistor MOSFET de PUISSANCE De To-220/fp/d2pak/i2pak MDMESHST Microelectronics
1175938STP22NM60N-canal 600 V - 0,19 OHMS - 22 Un Transistor MOSFET de PUISSANCE De To-220/fp/d2pak/i2pak MDMESHST Microelectronics
1175939STP22NM60FPN-canal 600 V - 0,19 OHMS - 22 Un Transistor MOSFET de PUISSANCE De To-220/fp/d2pak/i2pak MDMESHST Microelectronics



1175940STP22NM60NN-canal 600 V, 0,2 Ohm, 16 A MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans TO-220ST Microelectronics
1175941STP22NS25Zl'cOhm 2À To-220/D2PAK Du N-canal 250V 0,13 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de RECOUVREMENT de MAILLEST Microelectronics
1175942STP23NM50NN-canal 500 V, 0,162 Ohm, 17 A, TO-220 MDmesh (TM) II MOSFET de puissanceST Microelectronics
1175943STP23NM60NDN-canal 600 V, 0,150 Ohm, 19,5 A, FDmesh II MOSFET de puissance (avec diode rapide) TO-220ST Microelectronics
1175944STP240N10F7N-canal 100 V, 2,5 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans un boîtier TO-220ST Microelectronics
1175945STP24DP05Constante de 24 bits conducteur de courant de LED évier avec détection d'erreur de sortieST Microelectronics
1175946STP24DP05BTRConstante de 24 bits conducteur de courant de LED évier avec détection d'erreur de sortieST Microelectronics
1175947STP24N60DM2N-canal 600 V, 0,175 Ohm typ., 18 A FDmesh II Plus (TM) à faible MOSFET Qg Puissance en package TO-220ST Microelectronics
1175948STP24N60M2N-canal 600 V, 0,168 Ohm typ., 18 A MDmesh II Plus (TM) à faible MOSFET Qg Puissance en package TO-220ST Microelectronics
1175949STP24NF10N-canal 100V - 0,055 OHMS - 2Ã To-220/BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET II PORTE de D2PAKST Microelectronics
1175950STP24NF10N - la MANCHE 100V - 0.07Ohm - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE De STripFET de CHARGE de PORTE De 2Â To-220SGS Thomson Microelectronics
1175951STP24NM60NN-canal 600 V, 0,168 Ohm, 17 A MDmesh (TM) II MOSFET de puissance TO-220ST Microelectronics
1175952STP25N06VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dansST Microelectronics
1175953STP25N06N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHESGS Thomson Microelectronics
1175954STP25N06FIVIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dansST Microelectronics
1175955STP25N06FIN - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHESGS Thomson Microelectronics
1175956STP25N10F7N-canal 100 V, 0,027 Ohm typ., 25 A, STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans TO-220 paquetST Microelectronics
1175957STP25N80K5N-canal 800 V, 0,19 Ohm typ., 19,5 Un SuperMESH (TM) 5 MOSFET de puissance dans TO-220 paquetST Microelectronics
1175958STP25NM50NN-canal 550V @ TjMAX - 0,12 Ohms - 21,5 Transistor MOSFET De MDmesh de GÉNÉRATION De A To-220/to-220fp/d2pak/i2pak/to-247 DEUXIÈMEST Microelectronics
1175959STP25NM60NTransistor MOSFET De MDmesh de GÉNÉRATION Du N-canal 650 @Tjmax-0.140&-20A To-220/to-220fp/d2pak/i2pak/to-247 DEUXIÈMEST Microelectronics
1175960STP25NM60NDN-canal 600 V, 0,13 Ohm typ., 21 A FDmesh (TM) II MOSFET de puissance (avec diode rapide) dans TO-220 paquetST Microelectronics
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