| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 1178481 | STPSC606G-TR | 600 V puissance diode Schottky en carbure de silicium | ST Microelectronics |
| 1178482 | STPSC6H065 | 650 V puissance diode Schottky en carbure de silicium | ST Microelectronics |
| 1178483 | STPSC6H065B-TR | 650 V puissance diode Schottky en carbure de silicium | ST Microelectronics |
| 1178484 | STPSC6H065D | 650 V puissance diode Schottky en carbure de silicium | ST Microelectronics |
| 1178485 | STPSC6H065DI | 650 V puissance diode Schottky en carbure de silicium | ST Microelectronics |
| 1178486 | STPSC6H065G-TR | 650 V puissance diode Schottky en carbure de silicium | ST Microelectronics |
| 1178487 | STPSC6H12 | Diode Schottky de puissance de carbure de silicium de 1,200 V | ST Microelectronics |
| 1178488 | STPSC6H12B-TR1 | Diode Schottky de puissance de carbure de silicium de 1,200 V | ST Microelectronics |
| 1178489 | STPSC6TH13TI | Diode Schottky de puissance de carbure de silicium de 650 V à double en série | ST Microelectronics |
| 1178490 | STPSC806 | 600 V puissance diode Schottky en carbure de silicium | ST Microelectronics |
| 1178491 | STPSC806D | 600 V puissance diode Schottky en carbure de silicium | ST Microelectronics |
| 1178492 | STPSC806G-TR | 600 V puissance diode Schottky en carbure de silicium | ST Microelectronics |
| 1178493 | STPSC8H065 | 650 V puissance diode Schottky en carbure de silicium | ST Microelectronics |
| 1178494 | STPSC8H065B-TR | 650 V puissance diode Schottky en carbure de silicium | ST Microelectronics |
| 1178495 | STPSC8H065C | 650 V puissance diode Schottky en carbure de silicium | ST Microelectronics |
| 1178496 | STPSC8H065CT | 650 V puissance diode Schottky en carbure de silicium | ST Microelectronics |
| 1178497 | STPSC8H065D | 650 V puissance diode Schottky en carbure de silicium | ST Microelectronics |
| 1178498 | STPSC8H065DI | 650 V puissance diode Schottky en carbure de silicium | ST Microelectronics |
| 1178499 | STPSC8H065G-TR | 650 V puissance diode Schottky en carbure de silicium | ST Microelectronics |
| 1178500 | STPSC8TH13TI | Diode Schottky de puissance de carbure de silicium de 650 V à double en série | ST Microelectronics |
| 1178501 | STPSL60 | REDRESSEUR DE SCHOTTKY DE PUISSANCE | ST Microelectronics |
| 1178502 | STPSL60 | REDRESSEUR DE SCHOTTKY DE PUISSANCE | ST Microelectronics |
| 1178503 | STPTIC | BST condensateur RF intégrée accordable | ST Microelectronics |
| 1178504 | STPTIC-27F1M6 | BST condensateur RF intégrée accordable | ST Microelectronics |
| 1178505 | STPTIC-27G1H5 | BST condensateur RF intégrée accordable | ST Microelectronics |
| 1178506 | STPTIC-33F1M6 | BST condensateur RF intégrée accordable | ST Microelectronics |
| 1178507 | STPTIC-33G1H5 | BST condensateur RF intégrée accordable | ST Microelectronics |
| 1178508 | STPTIC-39F1M6 | BST condensateur RF intégrée accordable | ST Microelectronics |
| 1178509 | STPTIC-39G1H5 | BST condensateur RF intégrée accordable | ST Microelectronics |
| 1178510 | STPTIC-47F1M6 | BST condensateur RF intégrée accordable | ST Microelectronics |
| 1178511 | STPTIC-47G1H5 | BST condensateur RF intégrée accordable | ST Microelectronics |
| 1178512 | STPTIC-56F1M6 | BST condensateur RF intégrée accordable | ST Microelectronics |
| 1178513 | STPTIC-56G1H5 | BST condensateur RF intégrée accordable | ST Microelectronics |
| 1178514 | STPTIC-68F1M6 | BST condensateur RF intégrée accordable | ST Microelectronics |
| 1178515 | STPTIC-68G1H5 | BST condensateur RF intégrée accordable | ST Microelectronics |
| 1178516 | STPTIC-82F1M6 | BST condensateur RF intégrée accordable | ST Microelectronics |
| 1178517 | STPTIC-82G1H5 | BST condensateur RF intégrée accordable | ST Microelectronics |
| 1178518 | STPAY-J-D08D-AX | Double interface DDA dynamique Java avec 8Kbytes EEPROM | ST Microelectronics |
| 1178519 | STPAY-J-D12-C | Contactez DDA dynamique Java avec 12Kbytes EEPROM | ST Microelectronics |
| 1178520 | STPAY-J-D12D-AX | Double interface DDA dynamique Java avec 12Kbytes EEPROM | ST Microelectronics |
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