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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
1214641TIP11550.000W Darlington PNP Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 2.000A Ic, 500 hFE.Continental Device India Limited
1214642TIP1152A Darlington PNP du transistor de puissance. 60V, 50W, gain de 1000 à 1A.General Electric Solid State
1214643TIP115Darlington transistor de puissance PNP de silicium, 60V, 2APanasonic
1214644TIP115V -60, -2 A, épitaxiée de silicium transistor PNP DarlingtonSamsung Electronic
1214645TIP11560 V, 4 A, puissance de silicium PNP DarlingtonTRANSYS Electronics Limited
1214646TIP115V -60, -4 A, 50 W, le transistor de puissance au silicium PNP connecté en darlingtonTexas Instruments
1214647TIP115TUTransistor Épitaxial De Darlington De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
1214648TIP116Transistor Épitaxial De Darlington De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
1214649TIP116PUISSANCE DARLINGTONS DE SILICIUM DE PNPPower Innovations
1214650TIP116PUISSANCE TRANSISTORS(2.0a, 60-100v, 50w)MOSPEC Semiconductor
1214651TIP116TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES de SILICIUM De Milieu-puissance EN PLASTIQUEBoca Semiconductor Corporation
1214652TIP116DARLINGTON TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM DE 2 AMPÈRESMotorola
1214653TIP116Transistor De Puissance Plombé DarlingtonCentral Semiconductor
1214654TIP116Transistors Complémentaires De Silicium De Milieu-Puissance En plastiqueON Semiconductor
1214655TIP116PUISSANCE DARLINGTONS DE SILICIUM DE PNPTRSYS
1214656TIP11650.000W Darlington PNP Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 2.000A Ic, 500 hFE.Continental Device India Limited
1214657TIP1162A Darlington PNP du transistor de puissance. 80V, 50W, gain de 1000 à 1A.General Electric Solid State
1214658TIP116Darlington transistor de puissance PNP de silicium, 80V, 2APanasonic
1214659TIP116V -80, -2 A, épitaxiée de silicium transistor PNP DarlingtonSamsung Electronic



1214660TIP11680 V, 4 A, puissance de silicium PNP DarlingtonTRANSYS Electronics Limited
1214661TIP116V -80, -4 A, 50 W, le transistor de puissance au silicium PNP connecté en darlingtonTexas Instruments
1214662TIP116TUTransistor Épitaxial De Darlington De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
1214663TIP117Transistor Épitaxial De Darlington De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
1214664TIP117TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUMST Microelectronics
1214665TIP117Transistor De DarlingtonKorea Electronics (KEC)
1214666TIP117PUISSANCE DARLINGTONS DE SILICIUM DE PNPPower Innovations
1214667TIP117TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
1214668TIP117TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
1214669TIP117PUISSANCE TRANSISTORS(2.0a, 60-100v, 50w)MOSPEC Semiconductor
1214670TIP117TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES de SILICIUM De Milieu-puissance EN PLASTIQUEBoca Semiconductor Corporation
1214671TIP117DARLINGTON TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM DE 2 AMPÈRESMotorola
1214672TIP117Transistor De Puissance Plombé DarlingtonCentral Semiconductor
1214673TIP117Transistors Complémentaires De Silicium De Milieu-Puissance En plastiqueON Semiconductor
1214674TIP117PUISSANCE DARLINGTONS DE SILICIUM DE PNPTRSYS
1214675TIP11750.000W Darlington PNP Transistor plastique plomb. 100V VCEO, 2.000A Ic, 500 hFE.Continental Device India Limited
1214676TIP1172A Darlington PNP du transistor de puissance. 100V, 50W, gain de 1000 à 1A.General Electric Solid State
1214677TIP117Darlington transistor de puissance PNP de silicium, 100V, 2APanasonic
1214678TIP117-100 V, -2 A, épitaxiée de silicium transistor PNP DarlingtonSamsung Electronic
1214679TIP117100 V, 4 A, puissance de silicium PNP DarlingtonTRANSYS Electronics Limited
1214680TIP117-100 V, -4 A, 50 W, le transistor de puissance au silicium PNP connecté en darlingtonTexas Instruments
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