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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
1214681TIP117FTransistor De DarlingtonKorea Electronics (KEC)
1214682TIP117TUTransistor Épitaxial De Darlington De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
1214683TIP120Transistor Épitaxial de NPN DarlingtonFairchild Semiconductor
1214684TIP120TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUMST Microelectronics
1214685TIP120PUISSANCE DARLINGTONS DE SILICIUM DE NPNPower Innovations
1214686TIP120TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
1214687TIP120TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
1214688TIP120PUISSANCE TRANSISTORS(5.0a, 60-100v, 65w)MOSPEC Semiconductor
1214689TIP120Puissance Darlingtons pour des applications linéaires et de commutationBoca Semiconductor Corporation
1214690TIP120DARLINGTON TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM DE 5 AMPÈRESMotorola
1214691TIP120Transistor De Puissance Plombé DarlingtonCentral Semiconductor
1214692TIP120. . . conçu pour l'amplificateur d'usage universel et les applications à vitesse réduite de commutation.ON Semiconductor
1214693TIP120PlanarTransistors Silicium-ÉpitaxialDiotec Elektronische
1214694TIP120NPN (APPLICATIONS LINÉAIRES DE COMMUTATION DE PUISSANCE MOYENNE)Samsung Electronic
1214695TIP12065.000W Darlington NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 5.000A Ic, 1000 hFE.Continental Device India Limited
1214696TIP1208A NPN Darlington transistor de puissance. 60V 65W.General Electric Solid State
1214697TIP120Darlington silicium transistor de puissance NPN 60V, 5APanasonic
1214698TIP12060 V, 5 A, 65 W, le transistor de puissance de silicium NPN connecté en darlingtonTexas Instruments
1214699TIP120-DTransistors Complémentaires De Silicium De Milieu-Puissance En plastiqueON Semiconductor



1214700TIP120APlanarTransistors Silicium-ÉpitaxialDiotec Elektronische
1214701TIP120TUTransistor Épitaxial de NPN DarlingtonFairchild Semiconductor
1214702TIP121Transistor Épitaxial de NPN DarlingtonFairchild Semiconductor
1214703TIP121TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUMST Microelectronics
1214704TIP121PUISSANCE DARLINGTONS DE SILICIUM DE NPNPower Innovations
1214705TIP121TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
1214706TIP121TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
1214707TIP121PUISSANCE TRANSISTORS(5.0a, 60-100v, 65w)MOSPEC Semiconductor
1214708TIP121Puissance Darlingtons pour des applications linéaires et de commutationBoca Semiconductor Corporation
1214709TIP121DARLINGTON TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM DE 5 AMPÈRESMotorola
1214710TIP121Transistor De Puissance Plombé DarlingtonCentral Semiconductor
1214711TIP121. . . conçu pour l'amplificateur d'usage universel et les applications à vitesse réduite de commutation.ON Semiconductor
1214712TIP121PlanarTransistors Silicium-ÉpitaxialDiotec Elektronische
1214713TIP12165.000W Darlington NPN Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 5.000A Ic, 1000 hFE.Continental Device India Limited
1214714TIP1218A NPN Darlington transistor de puissance. 80V, 65W.General Electric Solid State
1214715TIP121Darlington silicium transistor de puissance NPN, 80V, 5APanasonic
1214716TIP12180 V, 5 A, silicium épitaxiale transistor NPN DarlingtonSamsung Electronic
1214717TIP12180 V, 5 A, 65 W, le transistor de puissance de silicium NPN connecté en darlingtonTexas Instruments
1214718TIP121NPN Darlington silicium transistor de puissance. Conçu pour une utilisation dans les applications de commutation et d'amplification à faible vitesse à usage général. VCEO = 80Vdc, 80Vdc Vcb = VEB = 5Vdc Ic = 5Adc, PD = 65W.USHA India LTD
1214719TIP121TUTransistor Épitaxial de NPN DarlingtonFairchild Semiconductor
1214720TIP122Transistor Épitaxial de NPN DarlingtonFairchild Semiconductor
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