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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
144411N3070_T50RLa Conductibilité Élevée Jeûnent DiodeFairchild Semiconductor
144421N3085100V 150A STD. Diode de rétablissement dans un Do-20äc (DO-30)packageInternational Rectifier
144431N3086200V 150A STD. Diode de rétablissement dans un Do-20äc (DO-30)packageInternational Rectifier
144441N3087300V 150A STD. Diode de rétablissement dans un Do-20äc (DO-30)packageInternational Rectifier
144451N3088400V 150A STD. Diode de rétablissement dans un Do-20äc (DO-30)packageInternational Rectifier
144461N3088R400V 150A STD. Diode de rétablissement dans un Do-20äc (DO-30)packageInternational Rectifier
144471N3089500V 150A STD. Diode de rétablissement dans un Do-20äc (DO-30)packageInternational Rectifier
144481N3090600V 150A STD. Diode de rétablissement dans un Do-20äc (DO-30)packageInternational Rectifier
144491N3091800V 150A STD. Diode de rétablissement dans un Do-20äc (DO-30)packageInternational Rectifier
144501N3091R800V 150A STD. Diode de rétablissement dans un Do-20äc (DO-30)packageInternational Rectifier
144511N30921000V 150A STD. Diode de rétablissement dans un Do-20äc (DO-30)packageInternational Rectifier
144521N3099BDIODES ZENER DE 10 WATTSMicrosemi
144531N3099BDIODES ZENER DE 10 WATTSMicrosemi
144541N3099BDIODES ZENER DE 10 WATTSMicrosemi
144551N3099BDIODES ZENER DE 10 WATTSMicrosemi
144561N3099BDIODES ZENER DE 10 WATTSMicrosemi
144571N3099BDIODES ZENER DE 10 WATTSMicrosemi
144581N3110DIODES COLLÉES D'ORBKC International Electronics



144591N3110DIODES COLLÉES D'ORBKC International Electronics
144601N311150V 150A STD. Diode de rétablissement dans un Do-20äc (DO-30)packageInternational Rectifier
144611N312540 V, 500 mA, diode germanium or colléBKC International Electronics
144621N3139Redresseur standard (trr plus que 500ns)Microsemi
144631N31475 V, 500 mA, diode germanium or colléBKC International Electronics
144641N3140Redresseur standard (trr plus que 500ns)Microsemi
144651N3141Redresseur standard (trr plus que 500ns)Microsemi
144661N3142Redresseur standard (trr plus que 500ns)Microsemi
144671N314625 V, 500 mA, diode germanium or colléBKC International Electronics
144681N3154Tension Zener De la Référence 0TCMicrosemi
144691N3154Tension Zener De la Référence 0TCMicrosemi
144701N31548,4 TENSION NOMINALE DE V0LT ZENERCompensated Devices Incorporated
144711N3154Compensation de température de la diode silicium de référence Zener. Changement de tension Max 0,130 V. 500 W.Motorola
144721N3154-10TC Tension de référence ZenerMicrosemi
144731N3154ATension Zener De la Référence 0TCMicrosemi
144741N3154ATension Zener De la Référence 0TCMicrosemi
144751N3154A8,4 TENSION NOMINALE DE V0LT ZENERCompensated Devices Incorporated
144761N3154ACompensation de température de la diode silicium de référence Zener. Changement de tension Max 0,172 V. 500 W.Motorola
144771N3155Tension Zener De la Référence 0TCMicrosemi
144781N3155Tension Zener De la Référence 0TCMicrosemi
144791N31558,4 TENSION NOMINALE DE V0LT ZENERCompensated Devices Incorporated
144801N3155Compensation de température de la diode silicium de référence Zener. Changement de tension Max 0,065 V. 500 W.Motorola
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