| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 250081 | BC33740BU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 250082 | BC33740TA | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 250083 | BC337A | 0.625W usage général NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 0.800A Ic, 100-400 hFE | Continental Device India Limited |
| 250084 | BC337A | Transistor NPN à usage général | Philips |
| 250085 | BC337ABU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 250086 | BC337BU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 250087 | BC337RL1 | Plastique NPN De Silicium De Transistor | ON Semiconductor |
| 250088 | BC337TF | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 250089 | BC337TFR | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 250090 | BC337ZL1 | Plastique NPN De Silicium De Transistor | ON Semiconductor |
| 250091 | BC338 | Applications de commutation et d'amplificateur | Fairchild Semiconductor |
| 250092 | BC338 | Transistor Tout usage | Korea Electronics (KEC) |
| 250093 | BC338 | Petits Transistors De Signal (NPN) | Vishay |
| 250094 | BC338 | Petits Transistors De Signal (NPN) | General Semiconductor |
| 250095 | BC338 | Transistor d'Af De Silicium de NPN | Infineon |
| 250096 | BC338 | Mocy de ma³ej de czêstotliwo¶ci de ma³ej de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 250097 | BC338 | Transistor Planaire Épitaxial De Silicium de NPN | Honey Technology |
| 250098 | BC338 | TRANSISTORS DE PUISSANCE MOYENS D'CAf DE SILICIUM DE NPN | Micro Electronics |
| 250099 | BC338 | Transistors d'cAf de silicium de NPN (tension élevée élevée de saturation de collecteur-émetteur de courant de collecteur de gain courant basse) | Siemens |
| 250100 | BC338 | Transistor D'Amplificateur | Motorola |
| 250101 | BC338 | PlanarTransistors Silicium-Épitaxial | Diotec Elektronische |
| 250102 | BC338 | Transistor planaire épitaxial de silicium de NPN pour des applications de commutation et d'amplificateur | Semtech |
| 250103 | BC338 | 0.625W usage général NPN Transistor plastique plomb. 25V VCEO, 0.800A Ic, 100-600 hFE | Continental Device India Limited |
| 250104 | BC338 | Transistor. Commutation et applications ampplifier. Convient pour stagees AF-pilote et étages de puissance. Vces = 30V, 25V = VCEO, Vebo = 5V, Pc = 625mW, Ic = 800mA. | USHA India LTD |
| 250105 | BC338-16 | Transistors d'cAf de silicium de NPN (tension élevée élevée de saturation de collecteur-émetteur de courant de collecteur de gain courant basse) | Siemens |
| 250106 | BC338-16 | Transistor D'Amplificateur | Motorola |
| 250107 | BC338-16 | Transistors, & de Rf; Af | Vishay |
| 250108 | BC338-16 | PlanarTransistors Silicium-Épitaxial | Diotec Elektronische |
| 250109 | BC338-16 | Silicium De Transistors(NPN D'Amplificateur) | ON Semiconductor |
| 250110 | BC338-16 | Petits signaux Transistor (NPN) | General Semiconductor |
| 250111 | BC338-25 | Transistors d'cAf de silicium de NPN (tension élevée élevée de saturation de collecteur-émetteur de courant de collecteur de gain courant basse) | Siemens |
| 250112 | BC338-25 | Transistor D'Amplificateur | Motorola |
| 250113 | BC338-25 | Plastique NPN De Silicium De Transistor | ON Semiconductor |
| 250114 | BC338-25 | Transistors, & de Rf; Af | Vishay |
| 250115 | BC338-25 | PlanarTransistors Silicium-Épitaxial | Diotec Elektronische |
| 250116 | BC338-25 | 0.625W usage général NPN Transistor plastique plomb. 25V VCEO, 0.800A Ic, 160-400 hFE | Continental Device India Limited |
| 250117 | BC338-25 | Petits signaux Transistor (NPN) | General Semiconductor |
| 250118 | BC338-25ZL1 | Plastique NPN De Silicium De Transistor | ON Semiconductor |
| 250119 | BC338-40 | Transistors d'cAf de silicium de NPN (tension élevée élevée de saturation de collecteur-émetteur de courant de collecteur de gain courant basse) | Siemens |
| 250120 | BC338-40 | Transistor D'Amplificateur | Motorola |
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