Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
35481 | 1SS403 | Applications À haute tension De Commutation De Schottoky De Silicium De Diode De Type Épitaxial De Barrière | TOSHIBA |
35482 | 1SS404 | Applications À grande vitesse De Commutation De Type Épitaxial De Shottlky Barrire De Silicium De Diode | TOSHIBA |
35483 | 1SS405 | Diode Schottky barrière small-signal | TOSHIBA |
35484 | 1SS406 | Diode Schottky barrière small-signal | TOSHIBA |
35485 | 1SS412 | Diode de commutation | TOSHIBA |
35486 | 1SS413 | Diode Schottky barrière small-signal | TOSHIBA |
35487 | 1SS413CT | Diode Schottky barrière small-signal | TOSHIBA |
35488 | 1SS416 | Diode Schottky barrière small-signal | TOSHIBA |
35489 | 1SS416CT | Diode Schottky barrière small-signal | TOSHIBA |
35490 | 1SS417 | Diode Schottky barrière small-signal | TOSHIBA |
35491 | 1SS417CT | Diode Schottky barrière small-signal | TOSHIBA |
35492 | 1SS418 | Diode Schottky barrière small-signal | TOSHIBA |
35493 | 1SS419 | Diode Schottky barrière small-signal | TOSHIBA |
35494 | 1SS420 | Diode Schottky barrière small-signal | TOSHIBA |
35495 | 1SS420CT | Diode Schottky barrière small-signal | TOSHIBA |
35496 | 1SS421 | Diode Schottky barrière small-signal | TOSHIBA |
35497 | 1SS422 | Diode Schottky barrière small-signal | TOSHIBA |
35498 | 1SS423 | Diode Schottky barrière small-signal | TOSHIBA |
35499 | 1SS424 | Diode Schottky barrière small-signal | TOSHIBA |
35500 | 1SS426 | Diode de commutation | TOSHIBA |
35501 | 1SS427 | Diode de commutation | TOSHIBA |
35502 | 1SS81 | Petit Signal | Hitachi Semiconductor |
35503 | 1SS81 | Diodes>Switching | Renesas |
35504 | 1SS82 | Petit Signal | Hitachi Semiconductor |
35505 | 1SS82 | Diodes>Switching | Renesas |
35506 | 1SS83 | Petit Signal | Hitachi Semiconductor |
35507 | 1SS83 | Diodes>Switching | Renesas |
35508 | 1SS86 | Diodes de barrière de Schottky pour la détection et le mélangeur | Hitachi Semiconductor |
35509 | 1SS86 | Diodes>Switching | Renesas |
35510 | 1SS88 | Diodes de barrière de Schottky pour la détection et le mélangeur | Hitachi Semiconductor |
35511 | 1SS88 | Diodes>Switching | Renesas |
35512 | 1SS92 | (1SS93/1ss94) Diodes Ultra-hautes Planaires Épitaxiales De Commutation De Vitesse De Silicium | ROHM |
35513 | 1SV100 | DIODE VARIABLE DE CAPACITÉ DE TYPE PLANAIRE ÉPITAXIAL DE SILICIUM | TOSHIBA |
35514 | 1SV100 | Le silicium épitaxiale de type planar diode à capacité variable. | Panasonic |
35515 | 1SV101 | APPLICATIONS PLANAIRES ÉPITAXIALES DE TUNER DU TYPE FM DE CAPACITÉ DE SILICIUM VARIABLE DE DIODE | TOSHIBA |
35516 | 1SV101 | Le silicium épitaxiale de type planar diode à capacité variable. | Panasonic |
35517 | 1SV102 | APPLICATIONS D'ACCORD DE CAPACITÉ DE DIODE DE SILICIUM DE BANDE PAR RADIO PLANAIRE ÉPITAXIALE VARIABLE DU TYPE AM | TOSHIBA |
35518 | 1SV102 | Le silicium épitaxiale de type planar diode à capacité variable. | Panasonic |
35519 | 1SV103 | APPLICATIONS D'ACCORD DE CAPACITÉ DE DIODE DE SILICIUM DE BANDE PAR RADIO PLANAIRE ÉPITAXIALE VARIABLE DU TYPE FM | TOSHIBA |
35520 | 1SV103 | Le silicium épitaxiale de type planar diode à capacité variable. | Panasonic |
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