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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
354811SS403Applications À haute tension De Commutation De Schottoky De Silicium De Diode De Type Épitaxial De BarrièreTOSHIBA
354821SS404Applications À grande vitesse De Commutation De Type Épitaxial De Shottlky Barrire De Silicium De DiodeTOSHIBA
354831SS405Diode Schottky barrière small-signalTOSHIBA
354841SS406Diode Schottky barrière small-signalTOSHIBA
354851SS412Diode de commutationTOSHIBA
354861SS413Diode Schottky barrière small-signalTOSHIBA
354871SS413CTDiode Schottky barrière small-signalTOSHIBA
354881SS416Diode Schottky barrière small-signalTOSHIBA
354891SS416CTDiode Schottky barrière small-signalTOSHIBA
354901SS417Diode Schottky barrière small-signalTOSHIBA
354911SS417CTDiode Schottky barrière small-signalTOSHIBA
354921SS418Diode Schottky barrière small-signalTOSHIBA
354931SS419Diode Schottky barrière small-signalTOSHIBA
354941SS420Diode Schottky barrière small-signalTOSHIBA
354951SS420CTDiode Schottky barrière small-signalTOSHIBA
354961SS421Diode Schottky barrière small-signalTOSHIBA
354971SS422Diode Schottky barrière small-signalTOSHIBA
354981SS423Diode Schottky barrière small-signalTOSHIBA
354991SS424Diode Schottky barrière small-signalTOSHIBA



355001SS426Diode de commutationTOSHIBA
355011SS427Diode de commutationTOSHIBA
355021SS81Petit SignalHitachi Semiconductor
355031SS81Diodes&gt;SwitchingRenesas
355041SS82Petit SignalHitachi Semiconductor
355051SS82Diodes&gt;SwitchingRenesas
355061SS83Petit SignalHitachi Semiconductor
355071SS83Diodes&gt;SwitchingRenesas
355081SS86Diodes de barrière de Schottky pour la détection et le mélangeurHitachi Semiconductor
355091SS86Diodes&gt;SwitchingRenesas
355101SS88Diodes de barrière de Schottky pour la détection et le mélangeurHitachi Semiconductor
355111SS88Diodes&gt;SwitchingRenesas
355121SS92(1SS93/1ss94) Diodes Ultra-hautes Planaires Épitaxiales De Commutation De Vitesse De SiliciumROHM
355131SV100DIODE VARIABLE DE CAPACITÉ DE TYPE PLANAIRE ÉPITAXIAL DE SILICIUMTOSHIBA
355141SV100Le silicium épitaxiale de type planar diode à capacité variable.Panasonic
355151SV101APPLICATIONS PLANAIRES ÉPITAXIALES DE TUNER DU TYPE FM DE CAPACITÉ DE SILICIUM VARIABLE DE DIODETOSHIBA
355161SV101Le silicium épitaxiale de type planar diode à capacité variable.Panasonic
355171SV102APPLICATIONS D'ACCORD DE CAPACITÉ DE DIODE DE SILICIUM DE BANDE PAR RADIO PLANAIRE ÉPITAXIALE VARIABLE DU TYPE AMTOSHIBA
355181SV102Le silicium épitaxiale de type planar diode à capacité variable.Panasonic
355191SV103APPLICATIONS D'ACCORD DE CAPACITÉ DE DIODE DE SILICIUM DE BANDE PAR RADIO PLANAIRE ÉPITAXIALE VARIABLE DU TYPE FMTOSHIBA
355201SV103Le silicium épitaxiale de type planar diode à capacité variable.Panasonic
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